JPH0453282A - レーザー装置 - Google Patents
レーザー装置Info
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- JPH0453282A JPH0453282A JP16173090A JP16173090A JPH0453282A JP H0453282 A JPH0453282 A JP H0453282A JP 16173090 A JP16173090 A JP 16173090A JP 16173090 A JP16173090 A JP 16173090A JP H0453282 A JPH0453282 A JP H0453282A
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- quartz glass
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Links
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- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 abstract description 15
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、エネルギー効率の高いレーザー装置に関する
。
。
［従来の技術］
Ｎｃ３： ＹＡＧレーザーの励起光源としては、殻に
キセノンやりＴノブトンの希ガス入り直管形フラッシュ
ランプが用いられる。集光反射鏡でレーザー媒質である
ＹＡＧロッドに励起光を照射し、ミラー系からなる共振
器でレーザー発振をさせている。
キセノンやりＴノブトンの希ガス入り直管形フラッシュ
ランプが用いられる。集光反射鏡でレーザー媒質である
ＹＡＧロッドに励起光を照射し、ミラー系からなる共振
器でレーザー発振をさせている。
希ガスの封入管には、石英ガラスが使用されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、Ｎｄ： ＹＡＧは７２０〜８３０ｎｍの励起
光に対してのみレーザー遷移を行うが、フラッシュラン
プの発光スペクトルは、全波長域でほぼフラットである
。７２０ｎｍより短波長の光はＹ Ａ、 Ｇロッドの劣
化原因に、８３０ｎｍより長波長の光は発熱源となり、
エネルギーの大きな損失となっている。
光に対してのみレーザー遷移を行うが、フラッシュラン
プの発光スペクトルは、全波長域でほぼフラットである
。７２０ｎｍより短波長の光はＹ Ａ、 Ｇロッドの劣
化原因に、８３０ｎｍより長波長の光は発熱源となり、
エネルギーの大きな損失となっている。
本発明は励起光源の発光スペクトルを変化させることに
より、エネルギー効率を上げ、レーザー媒質の劣化を防
ぐことを目的としている。また、エネルギー効率の向上
は、励起光源の寿命を延ばすことにもなる。
より、エネルギー効率を上げ、レーザー媒質の劣化を防
ぐことを目的としている。また、エネルギー効率の向上
は、励起光源の寿命を延ばすことにもなる。
［課題を解決するための手段］
本発明は、励起光源、レーザー媒質、共振器から構成さ
れるレーザー装置において、ドープト石英ガラス管で希
ガスを１・１人したフラッシュランプを励起光源に用い
ることを特徴とする。
れるレーザー装置において、ドープト石英ガラス管で希
ガスを１・１人したフラッシュランプを励起光源に用い
ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
［実施例コ
実施例１
キセノンフラッシュランプの断面構造の概念を表す図を
、第１図に示す。キセノンガス１を１．〜５気圧になる
Ｊ：うクロムを１・−プした石英ガラス管２（例えば特
開昭６Ｏ−７６９３３）で封入した。電極３に電圧を印
加し、アノード４とカソード５の間に２０００アンペア
／平方センチメートルの電流密度となるよう放電させた
。
、第１図に示す。キセノンガス１を１．〜５気圧になる
Ｊ：うクロムを１・−プした石英ガラス管２（例えば特
開昭６Ｏ−７６９３３）で封入した。電極３に電圧を印
加し、アノード４とカソード５の間に２０００アンペア
／平方センチメートルの電流密度となるよう放電させた
。
この励起光源の発光スペクトルを表す図を、第２図に示
す。クロムをｌ・−ブした石英ガラスは４００〜６００
ｎｍの波長の光を吸収し、６００〜８５０ｎｍの波長域
で発光する。比較として従来の石英ガラスの封入管を使
用した、キセノンフラッシュランプの発光スペクトルを
表す図を、第３図に示す。
す。クロムをｌ・−ブした石英ガラスは４００〜６００
ｎｍの波長の光を吸収し、６００〜８５０ｎｍの波長域
で発光する。比較として従来の石英ガラスの封入管を使
用した、キセノンフラッシュランプの発光スペクトルを
表す図を、第３図に示す。
クロムをトープした石英ガラス管でキセノンを封入した
フラッシュランプを励起光源に用いることにより、６０
０ ｎ、 ｍより短波長の光がカットされ、６００〜８
５０ｎｍの波長域の輝度が倍増した。このように波長変
換した光を、集光反射鏡てＮｄ： ＹＡＧロッドに照
射し、共振器でレーザー光を取り出したところ、レーザ
ーの出射強度は従来のほぼ２倍となった。また長時間使
用しても、Ｙ Ａ、 Ｇロッドおよびクロムをドープし
た石英ガラス管には、ソーラリゼーションによる劣化が
発生せず、レーザー特性に変化は認められなかった。
フラッシュランプを励起光源に用いることにより、６０
０ ｎ、 ｍより短波長の光がカットされ、６００〜８
５０ｎｍの波長域の輝度が倍増した。このように波長変
換した光を、集光反射鏡てＮｄ： ＹＡＧロッドに照
射し、共振器でレーザー光を取り出したところ、レーザ
ーの出射強度は従来のほぼ２倍となった。また長時間使
用しても、Ｙ Ａ、 Ｇロッドおよびクロムをドープし
た石英ガラス管には、ソーラリゼーションによる劣化が
発生せず、レーザー特性に変化は認められなかった。
放電の電流密度を１０００アンペア／平方センチメート
ルに低下させたところ、レーザーの出射強度は従来とほ
ぼ同等で、フラッシュランプの寿命が１０倍近くに延び
た。
ルに低下させたところ、レーザーの出射強度は従来とほ
ぼ同等で、フラッシュランプの寿命が１０倍近くに延び
た。
実施例２
クリプトンガスを１〜５気圧になるよう、セリウムをド
ープした石英ガラス管で封入した。電極に電圧を印加し
、アノードとカソードの間に３０００アンペア／平方セ
ンチメートルの電流密度となるよう放電させた。
ープした石英ガラス管で封入した。電極に電圧を印加し
、アノードとカソードの間に３０００アンペア／平方セ
ンチメートルの電流密度となるよう放電させた。
セリウムをドープした石英ガラスは、２００〜３００ｎ
ｍの紫外線を吸収し、３５０〜５５０ｎｍの波長域で発
光する。この励起光源の発光スベク１ヘルば、従来の石
英ガラスの封入管を使用したりＴノブトンフラッシュラ
ンプと比較して、３００ｎｍより短波長の光がカットさ
れ、３５０〜５００ｒ＋ｍの波長域の輝度が倍増した。
ｍの紫外線を吸収し、３５０〜５５０ｎｍの波長域で発
光する。この励起光源の発光スベク１ヘルば、従来の石
英ガラスの封入管を使用したりＴノブトンフラッシュラ
ンプと比較して、３００ｎｍより短波長の光がカットさ
れ、３５０〜５００ｒ＋ｍの波長域の輝度が倍増した。
アレキサントライｔ・（Ｃｒ： ＢｅＡ］−２０ａ）
レーザーは、４００〜６５０ｎｍの励起光を吸収し、７
００〜８１．８ ｎ ｍの波長可変レーザー発振を起こ
す。この励起光をアレキサンドライトロッドに照射し、
共振器でレーザーを取り出したところ、レーザーの出射
強度は従来のほぼ２倍となった。
レーザーは、４００〜６５０ｎｍの励起光を吸収し、７
００〜８１．８ ｎ ｍの波長可変レーザー発振を起こ
す。この励起光をアレキサンドライトロッドに照射し、
共振器でレーザーを取り出したところ、レーザーの出射
強度は従来のほぼ２倍となった。
実施例３
セ１ノウムとクロムを共ドープした石英ガラス管でキセ
ノンを封入しフラッシュランプとした。従来の石英ガラ
ス管を使用したキセノンフラッシュランプと比較し、発
光スペクトルは６００ｎｍより短波長の光がカットされ
、６００〜８５０ｎｍの波長の光が約３倍の強度になっ
た。
ノンを封入しフラッシュランプとした。従来の石英ガラ
ス管を使用したキセノンフラッシュランプと比較し、発
光スペクトルは６００ｎｍより短波長の光がカットされ
、６００〜８５０ｎｍの波長の光が約３倍の強度になっ
た。
このように波長変換した励起光をＮｄ： ＹＡＧロッ
ドに照射し、共振器でレーザーを取り出したところ、レ
ーザーの出射強度は従来の３倍近くに増加した。
ドに照射し、共振器でレーザーを取り出したところ、レ
ーザーの出射強度は従来の３倍近くに増加した。
実施例４
代表的な色素レーザーであるクマリン誘導体は、４００
ｎ、 ｍ付近の波長を励起光として吸収し、４５０〜
６００ｎｍの波長可変１／−ザーとなる。色素レーザー
をフラッシュランプで励起する場合、ランプの発光の立
ち上がり時間が１００ナノ秒以下でないと発振しない。
ｎ、 ｍ付近の波長を励起光として吸収し、４５０〜
６００ｎｍの波長可変１／−ザーとなる。色素レーザー
をフラッシュランプで励起する場合、ランプの発光の立
ち上がり時間が１００ナノ秒以下でないと発振しない。
セリウムをドープした石英ガラスは、２００〜３００ｎ
ｍの紫外線を吸収し、３５０〜５５０ｎｍの波長域で発
光する。また、蛍光時間は約１０ナノ秒と非常に短い。
ｍの紫外線を吸収し、３５０〜５５０ｎｍの波長域で発
光する。また、蛍光時間は約１０ナノ秒と非常に短い。
セリウムをドープした石英ガラス管でキセノンを封入し
フラッシュランプとしたところ、従来の石英ガラス管を
使用したキセノンフラッシュランプと比較し、発光スペ
クトルは３００ｎｍより短波長の光がカットされ、３５
０〜５５０ｎｍの波長の光が約２倍の強度になった。ま
た、時間的な遅れもほとんど認められなかった。
フラッシュランプとしたところ、従来の石英ガラス管を
使用したキセノンフラッシュランプと比較し、発光スペ
クトルは３００ｎｍより短波長の光がカットされ、３５
０〜５５０ｎｍの波長の光が約２倍の強度になった。ま
た、時間的な遅れもほとんど認められなかった。
この励起光をクマリン誘導体の循環溶液に照射すると、
レーザーの出射強度は従来のほぼ２倍となった。色素レ
ーザー奴体は、紫外線に弱く、化学分解を起こし易いが
、このレーザー装置は、非常に高い安定性を示した。
レーザーの出射強度は従来のほぼ２倍となった。色素レ
ーザー奴体は、紫外線に弱く、化学分解を起こし易いが
、このレーザー装置は、非常に高い安定性を示した。
以上数種類のり−ザー装置について実施例を述べてきた
が、封入するガスやレーザー媒質の種類に何ら限定され
ることばない。また、石英ガラスへのドーピング物質も
種々考えられる。
が、封入するガスやレーザー媒質の種類に何ら限定され
ることばない。また、石英ガラスへのドーピング物質も
種々考えられる。
［発明の効果］
以−Ｌ述べたように本発明によれば、励起光源、レーザ
ー媒質、共振器から構成されるレーザー装置において、
ドープト石英ガラス管で希ガスを封入したフラッシュラ
ンプを励起光源に用いることにより、エネルギー効率を
」二げ、レーザー媒質の劣化を防ぐことができた。また
、エネルギー効率の向」−により、励起光源の寿命を延
ばすことができた。
ー媒質、共振器から構成されるレーザー装置において、
ドープト石英ガラス管で希ガスを封入したフラッシュラ
ンプを励起光源に用いることにより、エネルギー効率を
」二げ、レーザー媒質の劣化を防ぐことができた。また
、エネルギー効率の向」−により、励起光源の寿命を延
ばすことができた。
第１図は本発明の実施例１における、キセノンフラッシ
ュランプの断面構造の概念を表す図である。第２図は本
発明の実施例１における、クロムをドープした石英ガラ
ス管でキセノンを封入したフラッシュランプの発光スペ
クトルを表す図である。第３図は従来のキセノンフラッ
シュランプの発光スペクトルを表す図である。 キセノンガス クロムをドープした石英ガラス管 電極 アノード カソード 以 上
ュランプの断面構造の概念を表す図である。第２図は本
発明の実施例１における、クロムをドープした石英ガラ
ス管でキセノンを封入したフラッシュランプの発光スペ
クトルを表す図である。第３図は従来のキセノンフラッ
シュランプの発光スペクトルを表す図である。 キセノンガス クロムをドープした石英ガラス管 電極 アノード カソード 以 上
Claims (1)
- 励起光源、レーザー媒質、共振器から構成されるレーザ
ー装置において、ドープト石英ガラス管で希ガスを封入
したフラッシュランプを励起光源に用いることを特徴と
するレーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16173090A JPH0453282A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16173090A JPH0453282A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | レーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453282A true JPH0453282A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15740795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16173090A Pending JPH0453282A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0453282A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0948105A2 (de) * | 1998-04-03 | 1999-10-06 | TRUMPF LASERTECHNIK GmbH | HF-angeregter Gaslaser sowie Laserrohr für einen Gaslaser |
| WO2017204358A1 (ja) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | 富士フイルム株式会社 | 固体レーザ装置 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP16173090A patent/JPH0453282A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0948105A2 (de) * | 1998-04-03 | 1999-10-06 | TRUMPF LASERTECHNIK GmbH | HF-angeregter Gaslaser sowie Laserrohr für einen Gaslaser |
| EP0948105A3 (de) * | 1998-04-03 | 2001-05-09 | TRUMPF LASERTECHNIK GmbH | HF-angeregter Gaslaser sowie Laserrohr für einen Gaslaser |
| US6466600B1 (en) | 1998-04-03 | 2002-10-15 | Trumpf Lasertechnik Gmbh | Laser tube for high-frequency laser and laser incorporating same |
| WO2017204358A1 (ja) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | 富士フイルム株式会社 | 固体レーザ装置 |
| US20190097379A1 (en) * | 2016-05-27 | 2019-03-28 | Fujifilm Corporation | Solid-state laser device |
| US10587088B2 (en) | 2016-05-27 | 2020-03-10 | Fujifilm Corporation | Solid-state laser device |
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