JPH0453100A - Memory testing device - Google Patents

Memory testing device

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Publication number
JPH0453100A
JPH0453100A JP2159713A JP15971390A JPH0453100A JP H0453100 A JPH0453100 A JP H0453100A JP 2159713 A JP2159713 A JP 2159713A JP 15971390 A JP15971390 A JP 15971390A JP H0453100 A JPH0453100 A JP H0453100A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
memory
output
address information
test
Prior art date
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Pending
Application number
JP2159713A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fujio Onishi
富士夫 大西
Kazuo Yamaguchi
和夫 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH0453100A publication Critical patent/JPH0453100A/en
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve efficiency for analyzing the tested result of a memory to be tested on a fail memory by providing an address switcher to switch a test pattern, which is outputted from a pattern generator, to an arbitrary address train. CONSTITUTION:When a pattern generator 1 generates addresses as #0, #1, #2,...#2E, #2F, #30,..., PHIF, a tested result is outputted fro a comparing decider 3 and as outputs 41 of an address switcher 4, addresses are outputted as #0, #0, #1, #1,..., OMICRONF, OMICRONF, #08,...#3F. According to these addresses, the tested result is fetched. On the other hand, when reading this fetched data from a fail memory 5, it is enough only to generate the addresses of 0-3F from a CPU 7 and to apply those addresses through the address switcher 4 to the memory 5. Thus, even when overlapped address bits are XO and YO, the data can be fetched and read out without generating discontinuity in the storage area of the memory 5.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、不良セル位置を記憶する手段を有するICメ
モリ試験装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an IC memory testing device having means for storing defective cell locations.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般にICメモリの試験は、試験結果の解析の効率化、
または、その試験結果を記憶する記憶装置の小容量化を
図るために被試験メモリの内部を特定のブロックに区切
って、その区切ったブロックの単位で重ね合わせ処理等
の試験結果の圧縮を行う。第2図はその例であり64セ
ルの被試験メモIJ 2 aを16セルの4つのブロッ
クに区切ってその4つを重ね合わせ処理をした時の16
セルブロツク2bの例である。従来技術の公知例として
特開昭57−130295号がある。以下その従来技術
を第3.4.5図を用いて説明する。
In general, IC memory testing involves improving the efficiency of analyzing test results,
Alternatively, in order to reduce the capacity of the storage device that stores the test results, the inside of the memory under test is divided into specific blocks, and the test results are compressed by overlapping processing or the like in units of the divided blocks. Figure 2 is an example of this, where the memo under test IJ2a of 64 cells is divided into four blocks of 16 cells and the four blocks are overlaid.
This is an example of cell block 2b. A known example of the prior art is JP-A-57-130295. The prior art will be explained below using FIG. 3.4.5.

第3図は、試験パターンを発生するパターン発生@iと
、被試験メモリ2と、パターン発生器1からの期待値1
3と被試験メモリ2からの結果の良否の比較判定をする
比較判定器3と、パターン発生器1からのアドレス11
を重ね合わせ用のアドレスに変換するアドレス変換器8
と、そのアドレス変換器8の出力アドレス81に応じて
比較判定器3からの出力を記憶するフェイルメモリ5か
らなる。
FIG. 3 shows the pattern generation @i that generates the test pattern, the memory under test 2, and the expected value 1 from the pattern generator 1.
3 and the address 11 from the pattern generator 1.
address converter 8 that converts the address into an address for superimposition.
and a fail memory 5 that stores the output from the comparison/determination unit 3 in accordance with the output address 81 of the address converter 8.

ここで、アドレス変換器8は、複数アドレスを1アドレ
スに変換する機能を持っており、第4図の例において、
このアドレス変換器8は、パターン発生器1からの出力
Y3.Y2のアドレスビットをマスクし論理レベルtL
z固定に、又、第5図においては、xo、yoのアドレ
スビットをマスクし論理レベル″L′固定にアドレス変
換したものである。(マスクのかけられるアドレスビッ
トが重ね合わせをするブロックの切換えビットとなる。
Here, the address converter 8 has a function of converting multiple addresses into one address, and in the example of FIG.
This address converter 8 receives the output Y3. Mask the address bit of Y2 and set it to logic level tL.
z is fixed, and in FIG. 5, the address bits of xo and yo are masked and the address is converted to a fixed logic level "L". Becomes a bit.

)次に動作について説明する。) Next, the operation will be explained.

第4図は、パターン発生器1からの出力11をアドレス
変換器8により変換し、その出力81をフェイルメモリ
5に与えた時のアドレスの実際動作例を示すタイミング
図であり、パターン発生器1がアドレス#O,#L #
2・・・・・・#3F、 #4O,#41)・・・・・
・、#FFを発生して行き、その際、アドレス変換器8
の出力81は、Y3.Y2にマスクをかけたアドレス#
0,31.#2.・・・・・・、#3F。
FIG. 4 is a timing diagram showing an example of actual address operation when the output 11 from the pattern generator 1 is converted by the address converter 8 and the output 81 is given to the fail memory 5. are addresses #O, #L #
2...#3F, #4O, #41)...
・, #FF is generated, and at that time, the address converter 8
The output 81 of Y3. Address # with mask on Y2
0,31. #2. ......, #3F.

#O,#1.・・・・・・、#3Fを出力する。よって
、0〜FFワードの被試験メモリを試験結果を0〜3F
ワードのフェイルメモリ5に重ね合わせ処理をして取り
込む事が出来る。
#O, #1. ......, outputs #3F. Therefore, the test result for memory under test of 0 to FF words is 0 to 3F.
The data can be superimposed and imported into the word fail memory 5.

又、第5図も同様にパターン発生器1からの出力11を
アドレス変換器8により変換し出力81をフェイルメモ
リ5に与えた時のアドレスの実際動作例を示すタイミン
グ図であり、パターン発生器】がアドレス$0.#1.
#2.・・・・・・、#2E、#2F、$t30.・・
・・・・、3FFを発生して行き、その際、アドレス変
換器8の出力81は、yo、xoにマスクをかけた不連
続アドレス#O,#O,#2゜#2・・・・・・#2E
、$2E、#30・・・・・・、#EEを出力する(ア
ドレス#1.#3.#5.#7.・・・・・・#2F、
#30.・・・・・・、#FFは未使用領域となる)、
よって、第5図の場合、0〜FFワードの被試験メモリ
を試験結果を実質0〜FFワードのフェイルメモリ5に
重ね合わせ処理をして取り込む事となり、フェイルメモ
リ5の容量は、被試験メモリ2と1対1の容量を必要と
する。つまり、重ね合わせ処理をしてもフェイルメモリ
5の小容量化は図れない。
Similarly, FIG. 5 is a timing diagram showing an example of actual address operation when the output 11 from the pattern generator 1 is converted by the address converter 8 and the output 81 is given to the fail memory 5. ] is the address $0. #1.
#2. ......, #2E, #2F, $t30.・・・
..., 3FF is generated, and at that time, the output 81 of the address converter 8 is the discontinuous address #O, #O, #2゜#2, which masks yo and xo. ...#2E
, $2E, #30..., Output #EE (address #1.#3.#5.#7.....#2F,
#30. ..., #FF is an unused area),
Therefore, in the case of FIG. 5, the test results of the memory under test of 0 to FF words are superimposed and imported into the fail memory 5 of 0 to FF words, and the capacity of the fail memory 5 is equal to the memory under test. 2 and 1:1 capacity is required. In other words, even if the overlapping process is performed, the capacity of the fail memory 5 cannot be reduced.

又、フェイルメモリ5から試験結果をリードする時1通
常はパターン発生m以外(CP U)を介して読みだす
、つまり、読みだしアドレスは、格納時にマスクされた
アドレスビットを考慮したリードを行う必要がある。(
リード時にアドレス#0、 #2.・・・・・・、#E
Eのアドレスが有効である事を認識してリードする。) (発明が解決しようとする課題〕 前記従来の技術においては、第4図のように最上位ビッ
トを含んだ上位ビット何ビットかにマスクをかけ、重ね
合わせ処理をする場合には、フェイルメモリ5の容量は
小容量化できるが、第5図の様に、マスクするビットが
最上位ビットを含まないビットにある時は、アドレス変
換器8の出力アドレスに無産化ビットが存在するため、
フェイルメモリ5の格納領域が不連続になってしまう問
題を生じ、小容量化はできない、又、その試験結果を読
みだす時にも、その不連続格納領域を考慮したデータを
読みだす事となり、効率的な試験結果の解析ができない
Also, when reading the test results from the fail memory 5, it is usually read out via a device other than the pattern generating m (CPU), that is, the read address needs to be read in consideration of the address bits that were masked during storage. There is. (
When reading, addresses #0, #2. ......, #E
It recognizes that the address of E is valid and reads it. ) (Problems to be Solved by the Invention) In the above-mentioned conventional technology, as shown in FIG. 5 can be made smaller, but as shown in FIG. 5, when the bits to be masked are bits that do not include the most significant bit, there is a null bit in the output address of the address converter 8.
This causes the problem that the storage area of the fail memory 5 becomes discontinuous, making it impossible to reduce the capacity.Also, when reading out the test results, data must be read out taking into consideration the discontinuous storage area, which reduces efficiency. analysis of test results is not possible.

よって2本発明は、上記問題点であるフェイルメモリに
試験結果を取り込む際に生じる、フェイルメモリ上での
格納領域の不連続を発生しないで、試験結果の取り込み
読みだしを行うことができるメモリ試験装置を提供する
ことを目的とする。
Therefore, the present invention provides a memory test that can import and read test results without causing discontinuity in the storage area on the fail memory, which occurs when the test results are imported into the fail memory, which is the problem mentioned above. The purpose is to provide equipment.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的を達成するために、本発明によるメモリ試験装
置は、被試験メモリへ与える試験パターンを発生する手
段と、該手段から出力されたアドレス情報のビット方向
の並びを任意の並びに組み替えるアドレス変換手段と、
該アドレス変換手段から出力されるアドレス情報に従っ
て前記被試験メモリの試験結果を記憶する記憶手段とを
備えたことを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, a memory test device according to the present invention includes means for generating a test pattern to be applied to the memory under test, and address conversion means for rearranging the bitwise arrangement of address information output from the means into an arbitrary arrangement. and,
The present invention is characterized by comprising a storage means for storing test results of the memory under test according to address information output from the address conversion means.

本発明によるメモリ試験装置は、他の見地によれば、被
試験メモリへ与える試験パターンを発生する手段と、該
手段から出力されたアドレス情報の一部のビットを選択
して新たなアドレス情報を出力するアドレス変換手段と
、該アドレス変換手段から出力されるアドレス情報に従
って前記被試験メモリの試験結果を重ねあわせて記憶す
る記憶手段とを備えたことを特徴とするものである。
According to another aspect, the memory testing device according to the present invention includes means for generating a test pattern to be applied to the memory under test, and selecting some bits of address information output from the means to generate new address information. The present invention is characterized by comprising an address conversion means for outputting, and a storage means for storing the test results of the memory under test in a superimposed manner according to the address information output from the address conversion means.

これらのメモリ試験装置において、さらに、前記アドレ
ス変換手段は前記記憶手段に与えるアドレス情報より少
ビット数の第2のアドレス情報を出力し、かつ、該第2
のアドレス情報に従って前記記憶手段の内容を重ねあわ
せて記憶する第2の記憶手段を設けるようにしてもよい
In these memory testing devices, the address conversion means further outputs second address information having a smaller number of bits than the address information given to the storage means, and
A second storage means may be provided which stores the contents of the storage means in a superimposed manner according to the address information of the storage means.

〔作用〕[Effect]

本発明におけるアドレス変換手段は、被試験メモリに与
える試験パターンの発生手段から出力されるアドレス情
報のビットの並びを任意に組み替ることができる。した
がって、試験結果を記憶する記憶手段すなわちフェイル
メモリに与えるアドレス情報として、前記組替られたア
ドレス情報の下位ビットのみを利用することができ1重
ねあわせ処理の際にフェイルメモリの格納領域が不連続
になることを防止できる。なお、アドレス情報の組替の
方法としては、従来技術において説明したマスクすべき
ビットを上位に移動させるようにする。
The address conversion means in the present invention can arbitrarily rearrange the bit arrangement of the address information output from the test pattern generation means applied to the memory under test. Therefore, only the lower bits of the rearranged address information can be used as the address information given to the storage means for storing the test results, that is, the fail memory. can be prevented from becoming Note that, as a method of rearranging the address information, the bits to be masked as described in the related art are moved to higher order.

また、試験結果を読みだすときに、その不連続格納領域
を考慮することは不要となり、効率的な試験結果の解析
を行うことが可能となる。
Furthermore, when reading test results, it is no longer necessary to consider the discontinuous storage area, making it possible to efficiently analyze test results.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の第1の実施例を第1.5.6図を用いて
説明する。
A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. 1.5.6.

第1図は第1の実施例の構成図であり、被試験メモリの
試験パターンを発生するパターン発生器1と、パターン
発生@1からの期待値13と被試験メモリ2からの出力
と詮比較し良否の判定を行う比較判定器3と、パターン
発生器1からのアドレス11を任意の並びに組み替える
アドレス組替器4と。
FIG. 1 is a configuration diagram of the first embodiment, in which a pattern generator 1 that generates a test pattern for the memory under test, an expected value 13 from pattern generation @1, and an output from the memory under test 2 are compared. a comparison/judgment device 3 for determining whether the pattern is good or bad; and an address rearranger 4 for rearranging the addresses 11 from the pattern generator 1 into an arbitrary arrangement.

そのアドレス組替器4の出力アドレス41に前記比較判
定器3の出力である試験結果裂取り込むフェイルメモリ
5と、そのフェイルメモリ5の内容をアドレス組替器4
を介して読みだすCPU7により構成される。本実施例
において、アドレス組替器4のアドレス組み替え構成は
、第7図に示す様に、X01yoの変化に無関係に比較
判定器3からの出力を取り込むものであり、パターン発
生器1の出力であるxlをアドレス組替器4のAOとし
て組み替え、又X2はA】、以下同様にA5まで組み替
え、へ6以降は論理レベル′L″を出力する。
A fail memory 5 which takes in the test result output from the comparison/judgment device 3 into the output address 41 of the address recombination device 4, and a fail memory 5 which takes in the test result output from the comparison/judgment device 3, and the contents of the fail memory 5 are transferred to the address recombination device 4.
It is configured by the CPU 7 that reads the information via the CPU 7. In this embodiment, the address recombination structure of the address recombination device 4 is to take in the output from the comparison/judgment device 3 regardless of the change in X01yo, as shown in FIG. A certain xl is rearranged as AO of the address rearranger 4, and X2 is rearranged in the same way up to A5, and a logic level 'L' is output from 6 onwards.

次に第1の実施例の動作説明をする。第6図は、パター
ン発生器1の出力11とその時のアドレス組替器4の出
力41の実際動作例を示すタイミング図である。パター
ン発生器1が、アドレスを#0゜#1.#2.・・・・
・・#2E、#2F、#30.・・・・・・#FFと発
生した場合、比較判定器3からは試験結果が出力されて
おり、又アドレス組替器4の出力41は、アドレスを#
O,#O,#L #1.・・・・・・、#OF、#OF
、#08.・・・・・・、#3Fを出力し、これらによ
り試験結果を取り込む、又、この取り込みデータをフェ
イルメモリ5から読み出す時は、CPU7からO〜3F
のアドレスを発生し、アドレス組替器4を介してフェイ
ルメモリ5に4えれば良い事になる。
Next, the operation of the first embodiment will be explained. FIG. 6 is a timing chart showing an example of actual operation of the output 11 of the pattern generator 1 and the output 41 of the address recombiner 4 at that time. The pattern generator 1 sets the address to #0° #1. #2.・・・・・・
...#2E, #2F, #30. ......If #FF occurs, the test result is output from the comparison/judgment device 3, and the output 41 of the address recombination device 4 outputs the address as #FF.
O, #O, #L #1. ..., #OF, #OF
, #08. . . . outputs #3F and imports the test results using these, and when reading this imported data from the fail memory 5, outputs #3F from the CPU 7.
It is sufficient to generate an address of 4 and store it in the fail memory 5 via the address recombiner 4.

よって、第1の実施例によれば、重ね合わせのアドレス
ビットがxo、yoであってもフェイルメモリ5の格納
領域に不連続を発生する事なく取り込み、読みだしがで
きる。
Therefore, according to the first embodiment, even if the overlapping address bits are xo and yo, data can be taken in and read out without causing discontinuity in the storage area of the fail memory 5.

次に第2の実施例について説明をする。第8図において
、解析メモリ6は、アドレス組替器4の出力アドレス4
2と、フェイルメモリ5の出力データ51によりデータ
を取り込み、その他は第1図と同一である。この時、ア
ドレス組替器4のアドレス組み替え構成は、第10図に
示す様になる。すなわち、出力41はCPU7の出力ア
ドレス71を熱変換でフェイルメモリ5に与え、出力4
2はCPU7の出力アドレス71のAO−A5をAO−
A3に組み替えたものとなる。
Next, a second embodiment will be explained. In FIG. 8, the analysis memory 6 stores the output address 4 of the address recombiner 4.
2 and the output data 51 of the fail memory 5, and the rest is the same as in FIG. At this time, the address rearrangement configuration of the address rearranger 4 becomes as shown in FIG. That is, the output 41 gives the output address 71 of the CPU 7 to the fail memory 5 through thermal conversion, and the output 41
2 sets AO-A5 of output address 71 of CPU 7 to AO-
It will be rearranged to A3.

第9図は、第8図においてフェイルメモリ5の内容をさ
らに重ね合わせて解析メモリ6に取り込む場合の実際動
作例を示すタイミング図であり、CPU7が出ツノアド
レス71を80.#]、、#2゜・・・・・・、 #O
F、 #1.0. #11.・・・・・・、#3Fと発
生した場合、アドレス組替器4は、出力41からのアド
レスをフェイルメモリ5に与え、それと同時に出力42
からはアドレス31EO,81,#2.・・・・・#O
F、#O,#1.#2.・・・・・・、#OFを出力す
る。この時、フェイルメモリ5の出力51が、0サイク
ル目において、#1を出力し、そのデータを解析メモリ
6が取り込む。以下同様に続けて行く。ここで16サイ
クル目になった時、フェイルメモリ5は、アドレス#1
0のデータを読みだし、解析メモリ6は、アドレス#0
髪アクセスしている。
FIG. 9 is a timing diagram showing an example of actual operation when the contents of the fail memory 5 in FIG. #],, #2゜・・・・・・, #O
F, #1.0. #11. ..., #3F, the address recombiner 4 gives the address from the output 41 to the fail memory 5, and at the same time gives the address from the output 42.
From address 31EO, 81, #2.・・・・・・#O
F, #O, #1. #2. ..., outputs #OF. At this time, the output 51 of the fail memory 5 outputs #1 in the 0th cycle, and the analysis memory 6 takes in the data. Continue in the same manner below. At the 16th cycle, the fail memory 5 is at address #1.
0 data is read and the analysis memory 6 is stored at address #0.
Hair is accessible.

本サイクルでは、フェイルメモリ5の出力は#()であ
るが、解析メモリ6のアドレス#0にはOサイクル目で
#lが既に書かれており、そのまま#1を残す。又、解
析メモリ6のアドレス#]の内容は】サイクノシ目では
#0であったのが、】7サイクル目においてフェイルメ
モリ5から#1をリードした事により解析メモリ6のア
ドレス#]に#1を書き込む。以下同様に最後までフェ
イルメモリ5の内容を、解析メモリ6に重ね合わせ処理
をして取り込む。本実施例では、CP Uによりフェイ
ルメモリ5をアクセスしているが、その手段はCPUに
限ることはなく専用のバー ドウエアを使っても良い。
In this cycle, the output of the fail memory 5 is #(), but #l has already been written to the address #0 of the analysis memory 6 in the Oth cycle, and #1 is left as is. Also, the contents of the address #] of the analysis memory 6 were #0 in the ]th cycle, but as #1 was read from the fail memory 5 in the ]7th cycle, the contents of the address #] of the analysis memory 6 were changed to #1. Write. Thereafter, the contents of the fail memory 5 are similarly superimposed and loaded into the analysis memory 6 until the end. In this embodiment, the fail memory 5 is accessed by the CPU, but the means for accessing is not limited to the CPU, and dedicated hardware may also be used.

又、アドレス組替器4に介さなくてもフェイルメモリ5
、および解析メモリ6は直接アクセス可能である。
Also, the fail memory 5 can be used without going through the address recombiner 4.
, and analysis memory 6 are directly accessible.

よって、第2の実施例においては、フェイルメモリ5に
1度取り込んだ試験結果をさらに重ね合わせ処理を行っ
て解析メモリ6に取り込むといった解析処理が可能とな
る。
Therefore, in the second embodiment, it is possible to perform an analysis process in which the test results that have been once imported into the fail memory 5 are further subjected to superimposition processing and are then imported into the analysis memory 6.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上1本発明によれば、パターン発生器から出力された
試験パターン(アドレス)を任意のアドレス列に組み替
えるアドレス組替器を設ける事により、試験結果をフェ
イルメモリに取り込む際、重ね合わせ処理等のために格
納領域に不連続を発生する事なく高自由度に試験結果を
格納する事ができるため、フェイルメモリ上での被試験
メモリの試験結果の解析の効率化を図る事ができ、又、
試験結果を記憶する記憶装置の小容量化する事ができる
According to the present invention, by providing an address recombiner that recombines the test pattern (address) output from the pattern generator into an arbitrary address sequence, superimposition processing, etc. Therefore, test results can be stored with a high degree of freedom without causing discontinuities in the storage area, making it possible to improve the efficiency of analyzing test results of the memory under test on fail memory.
It is possible to reduce the capacity of the storage device that stores test results.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第1の実施例ブロック図、第2図は公
知例および本発明の説明図。 第3図は公知例のブロック図、 第4図は公知例の動作タイムチャート。 第5図は公知例の動作タイムチャート、第6図は本発明
の第1の実施例動作タイムチャート、 第7図は本発明の第1の実施例ブロック図の補足説明図
、 第8図は本発明の第2の実施例ブロック図、第9図は本
発明の第2の実施例動作タイムチャート、 第10図は本発明の第2の実施例ブロック図の補足説明
図である。 符号の説明 1・・・パターン発生器、11・・・試験アドレス、J
2・・試験データ、13・・・期待値、2・・・被試験
メモリ、 3・・・比較判定器、 4・・・アドレス組替器、 41・・・アドレス組替器のフェイルメモリへの出方ア
ドレス、 42・・・アドレス組替器の解析メモリへの出方アドレ
ス、 5・・・フェイルメモリ、 51・・・フェイルメモリの出力、 6・・・解析メモリ、 61・・・解析メモリの出力、 7・・・CPU、 71・・CPUからの出力アドレス、 8・・・アドレス変換器。 治 国 第 4目 止1カ月    C及コ(]]=Xコ+−X:耳FXコ
X]γメ]す)−〇豆)孔”P“皿厘−圧■工■0−(
D 梢5月 、、1   G「 +  ”2 .9 −−−2E  
zraaa )−−−(Fll合力1″’GEエカ]x
D σ■ア0薫(ト)−〜−■第 四] 第 ? l ノUツ15 ノロ・ノ′ノンL 躬 閉 賃r↑工口I■D ?l’L入船vs、、X二L)77コ。 酩ボfJ41 ■ffiひ収■刈→ 伝■冨¥囚kvp刀 O→ 扇 関
FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram of a known example and the present invention. FIG. 3 is a block diagram of the known example, and FIG. 4 is an operation time chart of the known example. FIG. 5 is an operation time chart of the known example, FIG. 6 is an operation time chart of the first embodiment of the present invention, FIG. 7 is a supplementary explanatory diagram of the block diagram of the first embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 9 is a block diagram of the second embodiment of the present invention, FIG. 9 is an operation time chart of the second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a supplementary explanatory diagram of the block diagram of the second embodiment of the present invention. Explanation of symbols 1...Pattern generator, 11...Test address, J
2...Test data, 13...Expected value, 2...Memory under test, 3...Comparison/judgment device, 4...Address rearranger, 41...To address rearranger fail memory Output address, 42... Output address of address recombiner to analysis memory, 5... Fail memory, 51... Output of fail memory, 6... Analysis memory, 61... Analysis Memory output, 7...CPU, 71...Output address from CPU, 8...Address converter. Jikoku 4th mark 1 month C and co(]] =
D Kozue May,, 1 G "+" 2. 9 ---2E
zraaa ) --- (Fll resultant force 1'''GE eka] x
D σ■A0 Kaoru (T) -~-■Fourth] ? l ノUtsu15 Noro・ノ´nonL 躬廬开运↑工口ID■D ? l'L Irifune vs,, X2L) 77 pieces. Drunk fJ41 ■ffi Hiharu ■Kari → Den ■ Tomi ¥ prisoner kvp sword O → Ogi Seki

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)被試験メモリへ与える試験パターンを発生する手段
と、 該手段から出力されたアドレス情報のビット方向の並び
を任意の並びに組み替えるアドレス変換手段と、 該アドレス変換手段から出力されるアドレス情報に従っ
て前記被試験メモリの試験結果を記憶する記憶手段と を備えたことを特徴とするメモリ試験装置。 2)被試験メモリへ与える試験パターンを発生する手段
と、 該手段から出力されたアドレス情報の一部のビットを選
択して新たなアドレス情報を出力するアドレス変換手段
と。 該アドレス変換手段から出力されるアドレス情報に従っ
て前記被試験メモリの試験結果を重ねあわせて記憶する
記憶手段と を備えたことを特徴とするメモリ試験装置。 3)前記アドレス変換手段は前記記憶手段に与えるアド
レス情報より少ビット数の第2のアドレス情報を出力し
、かつ、該第2のアドレス情報に従って前記記憶手段の
内容を重ねあわせて記憶する第2の記憶手段を設けたこ
とを特徴とする請求項1または2記載のメモリ試験装置
[Scope of Claims] 1) means for generating a test pattern to be applied to the memory under test; address conversion means for rearranging the bit direction of address information outputted from the means; and output from the address conversion means. 1. A memory testing device, comprising: storage means for storing test results of the memory under test according to address information. 2) means for generating a test pattern to be applied to the memory under test; and address conversion means for selecting some bits of the address information output from the means and outputting new address information. A memory testing device comprising: storage means for storing test results of the memory under test in a superimposed manner according to address information output from the address conversion means. 3) The address conversion means outputs second address information having a smaller number of bits than the address information given to the storage means, and stores the contents of the storage means in a superimposed manner according to the second address information. 3. The memory testing device according to claim 1, further comprising a storage means.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0590700U (en) * 1992-05-01 1993-12-10 株式会社アドバンテスト Semiconductor memory test apparatus having redundant circuit
WO1998018133A1 (en) * 1996-10-23 1998-04-30 Advantest Corporation Memory tester
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