JPH0451655A - Semiconductor laser driving device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザ駆動装置に係り、詳しくは、フ
ァクシミリ等に用いられるレーザ記録装置の半導体レー
ザ駆動装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor laser drive device, and more particularly to a semiconductor laser drive device for a laser recording device used in facsimile machines and the like.
従来、レーザ記録装置に用いられている半導体レーザ駆
動装置としては、例えば、第５図に示されるようなもの
が知られている。Conventionally, as a semiconductor laser drive device used in a laser recording device, for example, one shown in FIG. 5 is known.
第５図において、１はレーザ駆動回路であり、レーザ駆
動回路１は、モードコントロール回路２、画信号発生回
路３、ＬＤドライバーＩＣ４およびパワーコントロール
回路６を有し、半導体レーザ５を駆動する。半導体レー
ザ５はレーザを出力するレーザダイオード（ＬＤ）５ａ
およびレーザを受光するホトダイオード（ＰＤ）５ｂを
有している。モードコントロール回路２によりＬＤドラ
イバーＩＣ４のモードが設定され、このモードに従って
ＬＤドライバーＩＣ４が半導体レーザ５に電流を供給し
、半導体レーザ５を点灯させ、すなわち駆動する。また
、半導体レーザ５は画信号発生回路３からの信号により
０Ｎ１０ＦＦされ、点灯した半導体レーザ５の光パワー
に対応して半導体レーザ５のホトダイオード５ｂに電流
が発生し、この電流値または電圧値がパワーコントロー
ル回路６を介してＬＤドライバーＩＣ４にフィードバッ
クされて半導体レーザ５に供給する電流が制御され、半
導体レーザ５がオートパワーコントロール（以下、ＡＰ
Ｃと呼ぶ）されるようになっている。In FIG. 5, 1 is a laser drive circuit, and the laser drive circuit 1 includes a mode control circuit 2, an image signal generation circuit 3, an LD driver IC 4, and a power control circuit 6, and drives a semiconductor laser 5. The semiconductor laser 5 is a laser diode (LD) 5a that outputs laser light.
and a photodiode (PD) 5b that receives laser light. A mode of the LD driver IC 4 is set by the mode control circuit 2, and according to this mode, the LD driver IC 4 supplies current to the semiconductor laser 5 to light up, that is, drive the semiconductor laser 5. Further, the semiconductor laser 5 is turned 0N10FF by a signal from the image signal generation circuit 3, and a current is generated in the photodiode 5b of the semiconductor laser 5 corresponding to the optical power of the semiconductor laser 5 that is turned on, and this current value or voltage value is the power The current fed back to the LD driver IC 4 via the control circuit 6 and supplied to the semiconductor laser 5 is controlled, and the semiconductor laser 5 is controlled by automatic power control (hereinafter referred to as AP).
C).
しかしながら、このような従来の半導体レーザ駆動装置
にあっては、下達のような理由により、半導体レーザが
破損するまで、半導体の劣化等の異常を検知することが
できないといった問題点があった。However, such conventional semiconductor laser driving devices have a problem in that abnormalities such as deterioration of the semiconductor cannot be detected until the semiconductor laser is damaged due to various reasons.
すなわち、従来の半導体レーザ駆動装置においては、半
導体レーザ５の状態によらないで電流を供給し半導体レ
ーザ５を駆動していたため、半導体レーザ５が正常な状
態であるか異常な状態であるかが不明であり、状態が不
明のまま半導体レーザ５に供給される電流が制御されて
いた。−船釣に半導体レーザは劣化すると、同一の光出
力を得るのに供給電流を増大させる必要がある。このた
め、半導体レーザ５が劣化途中の場合、電流が増大され
、半導体レーザ５が完全に劣化して、半導体レーザ５の
電流値がＬＤドライバーＩＣ４にセントされたカウンタ
ー値を越えるまで半導体レーザ５の劣化が検知されない
。したがって、半導体レーザ５が破損するまで、言いか
えれば、半導体レーザ駆動装置が例えばファクシミリ等
のマシンに搭載されている場合、マシンがダウンする前
に、半導体レーザ５の異常状態を検知することができな
い。具体的には、マシン例えばファクシミリ装置のクレ
ームの対応が遅れる等の不具合が生しる。That is, in the conventional semiconductor laser driving device, since the semiconductor laser 5 is driven by supplying current regardless of the state of the semiconductor laser 5, it is difficult to determine whether the semiconductor laser 5 is in a normal state or an abnormal state. The current was unknown, and the current supplied to the semiconductor laser 5 was controlled while the state was unknown. - When a semiconductor laser deteriorates during boat fishing, it is necessary to increase the supplied current to obtain the same optical output. Therefore, when the semiconductor laser 5 is in the middle of deterioration, the current is increased and the current value of the semiconductor laser 5 is increased until the semiconductor laser 5 is completely deteriorated and the current value of the semiconductor laser 5 exceeds the counter value sent to the LD driver IC 4. No deterioration detected. Therefore, an abnormal state of the semiconductor laser 5 cannot be detected until the semiconductor laser 5 is damaged.In other words, if the semiconductor laser drive device is installed in a machine such as a facsimile machine, an abnormal state of the semiconductor laser 5 cannot be detected before the machine goes down. . Specifically, problems such as delays in responding to complaints about machines, such as facsimile machines, occur.
なお、従来の半導体レーザ駆動装置のＡＰＣおよびマシ
ンダウンに至るまでのフローは第６図に示される。第６
図において、ホトダイオード５ｂに発生する電流Ｉ□が
予め設定された電流値になるように、レーザダイオード
５ａに供給する電流■。２．を制御することにより、レ
ーザの出力を自動制御すなわちＡＰＣＬでいる。半導体
レーザ５に劣化傾向が発生すると、レーザダイオード５
ａに供給される電流■。、１が増大し、レーザダイオー
ド５ａはさらに劣化し、レーザダイオード５ａが破損し
てマシンがダウンする。Incidentally, the flow of the conventional semiconductor laser driving device up to APC and machine down is shown in FIG. 6th
In the figure, a current ■ is supplied to the laser diode 5a so that the current I□ generated in the photodiode 5b becomes a preset current value. 2. By controlling the laser output, the output of the laser can be automatically controlled, that is, APCL. When the semiconductor laser 5 tends to deteriorate, the laser diode 5
The current supplied to a ■. , 1 increases, the laser diode 5a further deteriorates, the laser diode 5a is damaged, and the machine goes down.
そこで本発明は、半導体レーザの電流の検出結果に基づ
いて半導体レーザの異常を検知する異常検知回路を設け
ることにより、半導体レーザが破損する前に半導体レー
ザの劣化等の異常を検知することができる半導体レーザ
駆動装置を提供することを目的としている。Therefore, the present invention provides an abnormality detection circuit that detects an abnormality in the semiconductor laser based on the detection result of the current of the semiconductor laser, thereby making it possible to detect abnormalities such as deterioration of the semiconductor laser before the semiconductor laser is damaged. The purpose of the present invention is to provide a semiconductor laser driving device.
本発明による半導体レーザ駆動装置は、上記目的を達成
するため、レーザを出力するレーザダイオードおよびレ
ーザダイオードのレーザを受光するホトダイオードから
なる半導体レーザを駆動する駆動回路を備えた半導体レ
ーザ駆動装置であって、前記駆動回路が、半導体レーザ
のレーザダイオードに供給される電流およびホトダイオ
ードに発生する電流を検出する電流検出回路と、該電流
検出回路の検出結果に基づいて半導体レーザの異常を検
知する異常検知回路と、を有することを特徴とするもの
であり、
また、前記異常検知回路により半導体レーザの異常が検
知されたとき、駆動回路から半導体レーザの異常を表す
異常発生信号が出力されるようにしてもよく、
さらに、前記駆動回路が半導体レーザの温度を検出する
温度センサを有し、異常検知回路が電流検出回路および
温度センサの双方の検出結果に基づいて半導体レーザの
異常を検知するようにしてもよい。In order to achieve the above object, a semiconductor laser driving device according to the present invention is a semiconductor laser driving device including a driving circuit for driving a semiconductor laser including a laser diode that outputs a laser beam and a photodiode that receives the laser beam of the laser diode. , the drive circuit includes a current detection circuit that detects a current supplied to a laser diode of a semiconductor laser and a current generated in a photodiode, and an abnormality detection circuit that detects an abnormality of the semiconductor laser based on a detection result of the current detection circuit. Further, when an abnormality in the semiconductor laser is detected by the abnormality detection circuit, an abnormality occurrence signal indicating the abnormality in the semiconductor laser is output from the drive circuit. The driving circuit may further include a temperature sensor that detects the temperature of the semiconductor laser, and the abnormality detection circuit may detect an abnormality of the semiconductor laser based on the detection results of both the current detection circuit and the temperature sensor. good.
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。Hereinafter, the present invention will be specifically explained based on Examples.
第１〜４図は本発明に係る半導体レーザ駆動装置の一実
施例を示す図である。1 to 4 are diagrams showing an embodiment of a semiconductor laser driving device according to the present invention.
まず、構成を説明する。First, the configuration will be explained.
第１図において、１１は半導体レーザであり、半導体レ
ーザ１１はレーザを出力するレーザダイオード１２およ
びレーザダイオード１２のレーザを受光するホトダイオ
ード１３からなる。半導体レーザ１１はレーザ駆動回路
１４により駆動される。レーザ駆動回路１４は第１電流
検出回路１５、第２電流検出回路１６、異常検知回路１
７、温度センサ１８、ＬＤドライバーＩＣ１９、パワー
コントロール回路２０、モードコントロール回路２１、
画信号発生回路２２を有している。第１電流検出回路１
５はレーザダイオード１２に供給される電流を検出し、
第２電流検出回路１６はホトダイオード１３に発生する
電流を検出する。In FIG. 1, 11 is a semiconductor laser, and the semiconductor laser 11 includes a laser diode 12 that outputs laser light and a photodiode 13 that receives the laser light from the laser diode 12. The semiconductor laser 11 is driven by a laser drive circuit 14. The laser drive circuit 14 includes a first current detection circuit 15, a second current detection circuit 16, and an abnormality detection circuit 1.
7, temperature sensor 18, LD driver IC 19, power control circuit 20, mode control circuit 21,
It has an image signal generation circuit 22. First current detection circuit 1
5 detects the current supplied to the laser diode 12;
The second current detection circuit 16 detects the current generated in the photodiode 13.
したがって、第１電流検出回路１５および第２電流検出
回路１６は本発明による電流検出回路を構成する。また
、温度センサ１８は半導体レーザ１１の温度を検出する
。異常検知回路１７は、後述するように第１電流検出回
路１５、第２電流検出回路１６および温度センサ１８の
検出結果に基づいて半導体レーザ１１の異常を検知する
。Therefore, the first current detection circuit 15 and the second current detection circuit 16 constitute a current detection circuit according to the present invention. Further, the temperature sensor 18 detects the temperature of the semiconductor laser 11. The abnormality detection circuit 17 detects an abnormality in the semiconductor laser 11 based on the detection results of the first current detection circuit 15, the second current detection circuit 16, and the temperature sensor 18, as described later.
一方、モードコントロール回路２１によりＬＤドライバ
ーＩＣ１９のモードが設定され、このモードに従ってＬ
ＤドライバーＩＣ１９がレーザダイオード１２に電流を
供給し、半導体レーザ１１を点灯させ、すなわち駆動す
る。また、半導体レーザ１１は画信号発生回路２２から
の信号により０Ｎ１０ＦＦされ、点灯した半導体レーザ
１１の光パワーに対応してホトダイオード１３に電流が
発生し、この電流値が第２電流検出回路およびパワーコ
ントロール回路２０を介してＬＤドライバーＩＣ１９に
フィードバックされてレーザダイオード１２に供給する
電流が制御され、半導体レーザ１１がＡＰＣされるよう
になっている。ＡＰＣのフローは第４図に示されるが、
ＡＰＣは前述の従来技術と同様である。On the other hand, the mode control circuit 21 sets the mode of the LD driver IC 19, and according to this mode, the
The D driver IC 19 supplies current to the laser diode 12 to turn on or drive the semiconductor laser 11. Further, the semiconductor laser 11 is turned 0N10FF by a signal from the image signal generation circuit 22, and a current is generated in the photodiode 13 corresponding to the optical power of the semiconductor laser 11 that is turned on.This current value is transmitted to the second current detection circuit and the power control circuit. The current is fed back to the LD driver IC 19 via the circuit 20 to control the current supplied to the laser diode 12, so that the semiconductor laser 11 is subjected to APC. The APC flow is shown in Figure 4.
APC is similar to the prior art described above.
次に、異常検知回路１７が半導体レーザ１１の異常を検
知する手順を第２〜４図を参照しながら説明する。Next, the procedure by which the abnormality detection circuit 17 detects an abnormality in the semiconductor laser 11 will be explained with reference to FIGS. 2 to 4.
まず、ホトダイオード１３に発生する電流をＩ。First, the current generated in the photodiode 13 is I.
とすると、電流１．は第２図のグラフに示すように、レ
ーザダイオード１２のレーザ出力Ｐに比例しており、ま
た、電流１１は第２電流検出回路１６により検出される
。したがって、異常検知回路１７は電流１．、ｌにより
レーザの出力を検出することができる。また、レーザダ
イオード１２に供給される電流を１゜、とすると、電流
１０ｐとレーザ出力Ｐの関係は第２図のグラフのように
示され、レーザダイオード１２の劣化特性は第３図のグ
ラフのように示される。第３図の■−■は劣化の進行を
示しており、レーザダイオード１２の劣化の進行に従っ
て同一のレーザ出力Ｐを得るのに必要な電流■。、が増
大する。したがって、異常検知回路１７は電流工。Then, the current 1. As shown in the graph of FIG. 2, is proportional to the laser output P of the laser diode 12, and the current 11 is detected by the second current detection circuit 16. Therefore, the abnormality detection circuit 17 has a current of 1. , l, the output of the laser can be detected. Further, assuming that the current supplied to the laser diode 12 is 1°, the relationship between the current 10p and the laser output P is shown in the graph of FIG. 2, and the deterioration characteristics of the laser diode 12 are shown in the graph of FIG. 3. It is shown as follows. ■-■ in FIG. 3 shows the progress of deterioration, and the current necessary to obtain the same laser output P as the laser diode 12 deteriorates. , increases. Therefore, the abnormality detection circuit 17 is an electrician.
に応じたリミット電流値Ｉを設定して、電流ｌｏ。Set the limit current value I according to the current lo.
かリミット電流値■より太き（なったとき、半導体レー
ザ１１の劣化が所定の許容レベルを越えたことを、すな
わち半導体レーザ１１の状態が異常になったことを検知
する。異常検知回路１７はモードコントロール回路２１
に半導体レーザ１１の異常を表す異常発生信号を出力す
るようになっている。本実施例によるＡＰＣから半導体
レーザ１１の異常検知に至るまでのフローは第４図に示
される。When the limit current value () becomes larger than the limit current value (), it is detected that the deterioration of the semiconductor laser 11 has exceeded a predetermined allowable level, that is, that the state of the semiconductor laser 11 has become abnormal.The abnormality detection circuit 17 Mode control circuit 21
An abnormality occurrence signal indicating an abnormality in the semiconductor laser 11 is outputted. The flow from APC to abnormality detection of the semiconductor laser 11 according to this embodiment is shown in FIG.
また、本実施例の半導体レーザ駆動装置が製造ラインの
途中にある場合、製造設備にＬＤ劣化判定回路２３を設
けて、異常検知回路１７、すなわちレーザ駆動回路１４
から外部のＬＤ劣化判定回路２３に異常発生信号を出力
するようにしてもよい。In addition, when the semiconductor laser drive device of this embodiment is in the middle of a production line, the LD deterioration determination circuit 23 is provided in the production equipment, and the abnormality detection circuit 17, that is, the laser drive circuit 14
An abnormality occurrence signal may be output from the external LD deterioration determination circuit 23.
さらに、半導体レーザ１１のレーザ出力Ｐは温度センサ
１８に検出される温度Ｔに依存しており、レーザ出力Ｐ
は第２図に示すような温度特性を有するため、温度補正
をするのが好ましい。したがって、異常検知回路１７は
第１電流検出回路１５、第２電流検出回路１６および温
度センサ１８の検出結果に基づいて、すなわち、リミッ
ト電流値■を温度Ｔに対応した値に変化させて、レーザ
半導体１１の異常を検知するようにしてもよい。Furthermore, the laser output P of the semiconductor laser 11 depends on the temperature T detected by the temperature sensor 18, and the laser output P
Since it has temperature characteristics as shown in FIG. 2, it is preferable to perform temperature correction. Therefore, the abnormality detection circuit 17 changes the limit current value ■ to a value corresponding to the temperature T based on the detection results of the first current detection circuit 15, the second current detection circuit 16, and the temperature sensor 18, and changes the limit current value ■ to a value corresponding to the temperature T. An abnormality in the semiconductor 11 may be detected.
上述のように本実施例では、電流■。９が電流Ｉ。As mentioned above, in this embodiment, the current ■. 9 is the current I.
に対応して設定されたリミット電流値Ｉより太ききくな
ったとき、半導体レーザ１１に異常が発生したものとし
て異常を検知しているので、半導体レーザが破損する前
に半導体レーザの異常すなわち劣化を検知することがで
きる。When the current becomes thicker than the limit current value I set in accordance with can be detected.
また、異常検知回路１７により半導体レーザ１１の異常
が検知されたとき、レーザ駆動回路１４がら半導体レー
ザ１１の異常を表す異常発生信号が外部に出力されるよ
うにした場合、例えば、本実施例の半導体レーザ駆動装
置がファクシミリ装置に搭載されているとき、半導体レ
ーザ１１の状態が異常に向かっている時点でサービスマ
ンにファクシミリ通信により知らせることが可能になる
ので、半導体レーザ駆動装置にトラブルが発生する前に
サービスマンがトラブルに対応することができ、市場に
おいて発生するクレームを事前に防止することができる
。一方、半導体レーザ駆動装置が製造ライン途中にある
場合、ＬＤ劣化判定回路２３により製造過程において半
導体レーザ１１の良否判定をすることができる。Furthermore, when an abnormality in the semiconductor laser 11 is detected by the abnormality detection circuit 17, an abnormality occurrence signal indicating the abnormality in the semiconductor laser 11 is outputted from the laser drive circuit 14 to the outside, for example, in the present embodiment. When the semiconductor laser drive device is installed in a facsimile device, it is possible to notify the service personnel by facsimile communication when the state of the semiconductor laser 11 is heading towards an abnormality, thereby preventing trouble from occurring in the semiconductor laser drive device. Service personnel can respond to problems in advance, and complaints that occur in the market can be prevented in advance. On the other hand, when the semiconductor laser driving device is in the middle of the manufacturing line, the LD deterioration determination circuit 23 can determine the quality of the semiconductor laser 11 during the manufacturing process.
さらに、異常検知回路１７が第１、第２温度検出回路１
５．１６からなる温度検出回路および温度センサ１７の
双方の検出結果に基づき温度補正して、半導体レーザ１
１の異常を検知するようにした場合、半導体レーザ１１
の異常をより正確に検知することができる。Further, the abnormality detection circuit 17 is connected to the first and second temperature detection circuits 1
5. The semiconductor laser 1 is corrected based on the detection results of both the temperature detection circuit and the temperature sensor 17 consisting of
If the abnormality of semiconductor laser 11 is detected,
abnormalities can be detected more accurately.
〔効果〕
本発明によれば、電流検出回路の検出結果に基づいて半
導体レーザの異常を検知する異常検知回路を設けている
ので、半導体レーザが破損する前に半導体レーザの異常
すなわち劣化を検知することができる。[Effects] According to the present invention, since an abnormality detection circuit is provided that detects an abnormality in the semiconductor laser based on the detection result of the current detection circuit, an abnormality or deterioration of the semiconductor laser can be detected before the semiconductor laser is damaged. be able to.
また、レーザ駆動回路から半導体レーザの異常を表す異
常発生信号が出力されるようにした場合、トラブルの発
生前に半導体レーザの異常を外部に知らせることができ
、市場において発生するクレームを事前に防止すること
ができ、また、製造過程において半導体レーザの良否判
定をすることができる。In addition, if the laser drive circuit outputs an abnormality signal indicating an abnormality in the semiconductor laser, it is possible to inform the outside of the abnormality of the semiconductor laser before a problem occurs, and prevent complaints from occurring in the market. Furthermore, it is possible to determine the quality of the semiconductor laser during the manufacturing process.
さらに、異常検知回路が温度検出回路および温度センサ
の双方の検出結果に基づいて、半導体し一ザの異常を検
知するようにした場合、半導体レーザの異常検知をより
正確にすることができる。Further, if the abnormality detection circuit detects an abnormality in the semiconductor laser based on the detection results of both the temperature detection circuit and the temperature sensor, the abnormality detection of the semiconductor laser can be made more accurate.
第１〜４図は本発明に係る半導体レーザ駆動装置の一実
施例を示す図であり、第１図はそのブロック図、第２図
はそのレーザ出力特性を示すグラフ、第３図はその半導
体レーザの劣化特性を示すグラフ、第４図はその半導体
レーザの異常検知に至るまでのフローを示す図、第５．
６図は従来の半導体レーザ駆動装置を示す図であり、第
５図はそのブロック図、第６図はその半導体レーザの破
損に至るまでのフローを示す図である。
１１・・・・・・半導体レーザ、
１２・・・・・・レーザダイオード、
１３・・・・・・ホトダイオード、
１４・・・・・・レーザ駆動回路（駆動回路）、１５・
・・・・・第１電流検出回路、
１６・・・・・・第２電流検出回路、
１７・・・・・・異常検知回路、
１８・−・・・・温度センサ。
第１図
第
図
第
図
第
図1 to 4 are diagrams showing an embodiment of a semiconductor laser driving device according to the present invention, FIG. 1 is a block diagram thereof, FIG. 2 is a graph showing its laser output characteristics, and FIG. 3 is a diagram showing its semiconductor laser drive device. A graph showing the deterioration characteristics of the laser, FIG. 4 is a diagram showing the flow up to abnormality detection of the semiconductor laser, and FIG.
FIG. 6 is a diagram showing a conventional semiconductor laser driving device, FIG. 5 is a block diagram thereof, and FIG. 6 is a diagram showing a flow up to damage of the semiconductor laser. 11...Semiconductor laser, 12...Laser diode, 13...Photodiode, 14...Laser drive circuit (drive circuit), 15...
...First current detection circuit, 16...Second current detection circuit, 17...Abnormality detection circuit, 18...Temperature sensor. Figure 1 Figure 1 Figure 1
Claims (3)
ダイオードのレーザを受光するホトダイオードからなる
半導体レーザを駆動する駆動回路を備えた半導体レーザ
駆動装置であって、前記駆動回路が、半導体レーザのレ
ーザダイオードに供給される電流およびホトダイオード
に発生する電流を検出する電流検出回路と、該電流検出
回路の検出結果に基づいて半導体レーザの異常を検知す
る異常検知回路と、を有することを特徴とする半導体レ
ーザ駆動装置。(1) A semiconductor laser drive device including a drive circuit for driving a semiconductor laser including a laser diode that outputs a laser beam and a photodiode that receives the laser beam from the laser diode, wherein the drive circuit supplies power to the laser diode of the semiconductor laser. A semiconductor laser drive device comprising: a current detection circuit that detects a current generated in a photodiode and a current that is generated in a photodiode; and an abnormality detection circuit that detects an abnormality in a semiconductor laser based on the detection result of the current detection circuit. .
知されたとき、駆動回路から半導体レーザの異常を表す
異常発生信号が出力されるようにしたことを特徴とする
請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。(2) The semiconductor laser drive according to claim 1, wherein when an abnormality in the semiconductor laser is detected by the abnormality detection circuit, an abnormality occurrence signal indicating the abnormality in the semiconductor laser is output from the drive circuit. Device.
度センサを有し、異常検知回路が電流検出回路および温
度センサの双方の検出結果に基づいて半導体レーザの異
常を検知するようにしたことを特徴とする請求項１また
は２記載の半導体レーザ駆動装置。(3) The drive circuit has a temperature sensor that detects the temperature of the semiconductor laser, and the abnormality detection circuit detects an abnormality in the semiconductor laser based on the detection results of both the current detection circuit and the temperature sensor. A semiconductor laser driving device according to claim 1 or 2, characterized in that:
Priority Applications (1)
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP2161737A JPH0451655A (en) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | Semiconductor laser driving device |
Publications (1)
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| JPH0451655A true JPH0451655A (en) | 1992-02-20 |
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ID=15740930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2161737A Pending JPH0451655A (en) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | Semiconductor laser driving device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451655A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007251503A (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor device and electronic apparatus embedded with the same |
| US7652224B2 (en) * | 2005-06-07 | 2010-01-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor wafer marking apparatus having marking interlock system and semiconductor wafer marking method using the same |
-
1990
- 1990-06-19 JP JP2161737A patent/JPH0451655A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7652224B2 (en) * | 2005-06-07 | 2010-01-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor wafer marking apparatus having marking interlock system and semiconductor wafer marking method using the same |
| JP2007251503A (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor device and electronic apparatus embedded with the same |
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