JPH0450818A - Liquid crystal display device - Google Patents
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- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶を用いた表示装置で、特に走査側回路と信
号側回路を表示装置と同一基板上しこ構成した表示装置
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a display device using liquid crystal, and particularly to a display device in which a scanning side circuit and a signal side circuit are formed on the same substrate as the display device.
液晶を用いた表示装置は大画面化と高精細化の方向に進
んでおり、前者は基板そのものの大型化、後者は画素寸
法の縮少化と加工寸法の微細化が要求されてきている。Display devices using liquid crystals are moving toward larger screens and higher definition, with the former requiring larger substrates themselves, and the latter requiring smaller pixel dimensions and finer processing dimensions.
表示装置の大画面化と高精細化は、共に、表示装置製造
の技術的困難さを増大させ、かつ、歩留りの著しい低下
を引起こしている。従来、表示装置の製造を少しでも容
易にし、同時に歩留りを上げる方法として、(])構造
上に冗長性をもたせる(特開昭57−49997号)
、 (2)基板の周辺領域は使用しない、などの方法が
とられてきた。特に特開昭59−1.0988号のよう
に表示装置の周辺部に駆動回路を内蔵して低コスI・化
をめざそうとすると、周辺回路の欠陥は表示の線欠陥と
なるため、周辺回路の歩留り向上は非常に重要な課題で
ある。上記従来技術は主として表示装置の表示部(画素
部)のためのものであるが、周辺回路の歩留り向上にも
用いられている。しかし、周辺回路部は、画素部に比べ
ると、一般に高温プロセスを用いて形成しなければなら
ず、必ずしも高い歩留りは実現していない。特開昭63
−223788号は表示装置に内蔵した周辺回路特性の
特性を向上させるために、走査側回路はアモルファスシ
リコンにより、信号側回路は多結晶シリコンにより形成
しようとしている。しかし、表示装置全体の歩留り向上
に関しては配慮がなされていない。特願昭62−200
96号は周辺回路内蔵表示装置の歩留りを向上させるた
めに、レーザアニール前にホト工程によりシリコン膜を
分離するプロセス上の工夫はしているが、表示装置の構
造の検討は行っていない。Both the larger screen size and higher definition of display devices have increased the technical difficulty of manufacturing display devices and caused a significant drop in yield. Conventionally, as a method to make the manufacturing of display devices as easy as possible and at the same time increase the yield, it has been proposed to provide redundancy in the structure (Japanese Patent Laid-Open No. 57-49997).
(2) Methods such as not using the peripheral area of the substrate have been taken. In particular, when trying to reduce the cost by incorporating a drive circuit in the periphery of a display device as in JP-A-59-1.0988, defects in the peripheral circuit become line defects in the display. Improving the yield is a very important issue. Although the above-mentioned conventional technology is mainly used for the display section (pixel section) of a display device, it is also used to improve the yield of peripheral circuits. However, compared to the pixel section, the peripheral circuit section generally has to be formed using a high-temperature process, and high yields are not necessarily achieved. Unexamined Japanese Patent Publication 1986
No. 223788 attempts to form a scanning side circuit using amorphous silicon and a signal side circuit using polycrystalline silicon in order to improve the characteristics of peripheral circuits built into a display device. However, no consideration is given to improving the yield of the entire display device. Special application 1986-200
In order to improve the yield of display devices with built-in peripheral circuits, No. 96 devises a process in which the silicon film is separated by a photo process before laser annealing, but does not consider the structure of the display device.
以上のように上記従来技術では、画素部領域の歩留り向
上、周辺回路領域の歩留り向」二などの個個の検討はな
されているが、周辺回路領域と画素部の差とを考慮した
歩留り向上策、さらには、画素部、走査側回路、信号側
回路との差から生しる表示装置構成への影響を考慮した
歩留り向上策など周辺回路を内蔵した表示装置の歩留り
向上策の検討は十分ではなかった。As described above, in the above-mentioned conventional technology, although individual studies have been made such as improving the yield of the pixel area and improving the yield of the peripheral circuit area, improvements in yield that take into account the difference between the peripheral circuit area and the pixel area have been carried out. Furthermore, it is necessary to sufficiently consider measures to improve the yield of display devices with built-in peripheral circuits, such as measures to improve the yield by taking into account the effects on the display device configuration caused by differences between the pixel section, scanning side circuit, and signal side circuit. It wasn't.
本発明の目的は、周辺回路を内蔵した表示装置の歩留り
を向上させるための表示装置の構造、構成を提供し、ひ
いては表示装置の価格の低下と高精細化を達成すること
である。An object of the present invention is to provide a structure and configuration of a display device for improving the yield of a display device incorporating a peripheral circuit, and to achieve a reduction in price and higher definition of the display device.
本発明は、周辺回路の中の信号側回路と画素部との距離
d2を、走査側回路と画素部との距離d1よりも大きく
する(dz>dl)か、あるいは、d2≧900 μm
+ d 1≧500μmとするものである。In the present invention, the distance d2 between the signal side circuit in the peripheral circuit and the pixel section is made larger than the distance d1 between the scanning side circuit and the pixel section (dz>dl), or d2≧900 μm.
+ d 1≧500 μm.
本発明は以下のように作用する。一般に、走査側回路と
信号側回路を比較すると、信号側回路の方が約1桁の高
速動作が要求される。従って、信号回路を構成している
トランジスタにおけるキャリア移動度は、走査側に比べ
約1桁大でなければならない。つまり、通常多結晶シリ
コンで構成するトランジスタの能動領域における結晶性
も、走査側のそれに比べはるかに高いものでなければな
らない。従って、信号側回路は約900 ’C以上の高
温で製造する必要がある。一方、表示部のトランジスタ
は、一般に、アモルファスシリコンを用いて構成する場
合が多い。アモルファスシリコンは300°C以下の温
度で成膜しており、成膜後、300℃以上の温度にする
と膜中の水素が抜けていき、トランジスタ特性は劣化す
る。すなわち、信号側回路と画素部は製造上の許容温度
が異なっており、両者の間には急激な温度勾配が生じる
。The invention works as follows. Generally, when comparing a scanning side circuit and a signal side circuit, the signal side circuit is required to operate at about an order of magnitude higher speed. Therefore, the carrier mobility in the transistors constituting the signal circuit must be about one order of magnitude higher than that on the scanning side. In other words, the crystallinity in the active region of the transistor, which is usually made of polycrystalline silicon, must be much higher than that in the scanning side. Therefore, the signal side circuit must be manufactured at a high temperature of approximately 900'C or higher. On the other hand, transistors in the display section are generally constructed using amorphous silicon in many cases. Amorphous silicon is formed at a temperature of 300° C. or lower, and if the temperature is raised to 300° C. or higher after the film is formed, hydrogen in the film will be removed and transistor characteristics will deteriorate. That is, the signal side circuit and the pixel portion have different allowable manufacturing temperatures, and a sharp temperature gradient occurs between the two.
この温度差の影響を緩和するためには、信号側回路は画
素部から大きな距離をもって分離しなければならない。In order to alleviate the influence of this temperature difference, the signal side circuit must be separated from the pixel portion by a large distance.
第3図(a)は信号側回路と画素との距離の歩留りに対
する影響を示す。ここでは、波長308nmのエキシマ
レーザを用いて320m J / aliのエネルギを
照射した。このエネルギは900℃の熱アニールと同等
のアニール効果を有する。膜厚は2500人である。表
示装置の歩留りとは、周辺回路と隣り合った画素部TP
Tの歩留りと考えてよい。信号側回路と画素部との距離
が大きくなると歩留りが向上していき、この距離が90
0μm以上になると約100%の画素部TPTの歩留り
が得られることがわかる。すなわち、信号側回路と画素
部との距離は900μm以上であることが望ましい。一
方、走査側回路は信号側回路はど高速動作が要求されず
、従って、トランジスタを構成している多結晶シリコン
の形成温度は約600℃で十分である。つまり、走査側
回路と画素部との製造上の温度差は約3o○°cしか離
れておらず、両者は信号側回路と画素部との間はどの大
きな距離をとる必要はない。第3図(b)は走査側回路
と画素部との距離の、表示装置の歩留りに対する影響を
示す。両者の距離が大きくなると歩留りが向上していき
、この距離が600μm以上になると約100%の歩留
りが得られることがわかる。すなわち、走査側回路と画
素部との距離は600μm以上であれば十分である。こ
こで、エキシマレーザは240mJ/al!のエネルギ
を用いた。このエネルギは600 ’Cの熱アニールと
同等の効果がある。FIG. 3(a) shows the influence of the distance between the signal side circuit and the pixel on the yield. Here, an excimer laser with a wavelength of 308 nm was used to irradiate energy of 320 mJ/ali. This energy has an annealing effect equivalent to thermal annealing at 900°C. The film thickness is 2,500 people. The yield of a display device refers to the pixel portion TP adjacent to the peripheral circuit.
It can be considered as the yield of T. As the distance between the signal side circuit and the pixel section increases, the yield improves, and when this distance becomes 90%
It can be seen that when the thickness is 0 μm or more, the yield of the pixel portion TPT is about 100%. That is, it is desirable that the distance between the signal side circuit and the pixel section is 900 μm or more. On the other hand, the scanning side circuit is not required to operate as fast as the signal side circuit, and therefore a temperature of about 600° C. for forming the polycrystalline silicon constituting the transistor is sufficient. In other words, the manufacturing temperature difference between the scanning side circuit and the pixel section is only about 3°C, and there is no need for a large distance between the signal side circuit and the pixel section. FIG. 3(b) shows the influence of the distance between the scanning side circuit and the pixel section on the yield of the display device. It can be seen that as the distance between the two increases, the yield improves, and when this distance becomes 600 μm or more, a yield of about 100% can be obtained. That is, it is sufficient that the distance between the scanning side circuit and the pixel section is 600 μm or more. Here, the excimer laser has 240mJ/al! energy was used. This energy is as effective as a 600'C thermal anneal.
ところで、表示装置は、一般に横長の形状であるため、
表示基板の中心から走査側回路までの距離と、表示基板
の中心から信号側回路までの距離を比べると前者の方が
大である。従って、走査側回路自身の歩留りは信号側回
路の歩留りより低くなる場合が多く、前者の歩留りを上
げることが急務である。このため、走査側回路はできる
だけ画素領域に接近させる必要がある。すなわち、走査
側回路と画素部との距離は信号側回路と画素部との距離
よりも小さくする必要が生じる。By the way, since display devices are generally horizontally long,
Comparing the distance from the center of the display substrate to the scanning side circuit and the distance from the center of the display substrate to the signal side circuit, the former is larger. Therefore, the yield of the scanning side circuit itself is often lower than the yield of the signal side circuit, and there is an urgent need to increase the yield of the former. For this reason, the scanning side circuit needs to be placed as close to the pixel area as possible. That is, the distance between the scanning side circuit and the pixel section needs to be smaller than the distance between the signal side circuit and the pixel section.
以上の表示装置製造上の作用の他に、周辺回路の発熱の
問題がある。すなわち、特に信号側回路では消費電力が
比較的大きいため、部分的に回路は高温になる。従って
、信号側回路と画素部を接近させると画素部の液晶の寿
命を縮めることになる。両者の距離を、前記で述べたよ
うに、900μm以上離せばこの問題は無視できること
になる。In addition to the above-mentioned effects on manufacturing the display device, there is a problem of heat generation in the peripheral circuits. That is, since power consumption is relatively large, especially in the signal side circuit, the temperature of some parts of the circuit becomes high. Therefore, if the signal side circuit and the pixel section are brought close to each other, the life of the liquid crystal in the pixel section will be shortened. This problem can be ignored if the distance between the two is set to 900 μm or more, as described above.
一方、走査側回路の消費電力は信号側回路はどは大きく
なく、従って発熱量もtJ−さく、走査側と画素部との
距離は600μm以上離せば十分である。On the other hand, the power consumption of the scanning side circuit is not as large as that of the signal side circuit, so the amount of heat generated is also less than tJ, and it is sufficient that the distance between the scanning side and the pixel section is 600 μm or more.
以上のように、周辺回路部の発熱の問題からも、上記距
離の制約が生じる。As described above, the above distance restriction also arises from the problem of heat generation in the peripheral circuit section.
ここで、走査側回路および信号側回路と画素部との距離
とは、配線で直接接続されているラインにおいて、周辺
回路を構成しているトランジスタの能動領域のシリコン
と画素部を構成しているトランジスタの能動領域のシリ
コンとの距離のうち最短のものをさしている。もし、走
査側回路あるいは信号側回路の多数のライン中で画素部
との距離が一定でない場合は、その中で大多数をしめる
ラインの距離が重要である。通常、これは走査側回路お
よび信号側回路のそれぞれにおける平均距離で近似でき
る。なお、周辺回路部から画素部への熱は主としてガラ
ス表面を伝わるため、ガラ基板の厚さには依存しない。Here, the distance between the scanning side circuit and the signal side circuit and the pixel section refers to the distance between the pixel section and the silicon in the active area of the transistor that makes up the peripheral circuit in the line where they are directly connected by wiring. It refers to the shortest distance between the active region of the transistor and the silicon. If the distance to the pixel portion is not constant among the many lines of the scanning side circuit or the signal side circuit, the distance of the lines that make up the majority among them is important. Usually, this can be approximated by the average distance in each of the scanning side circuit and the signal side circuit. Note that heat from the peripheral circuit section to the pixel section is mainly transmitted through the glass surface, so it does not depend on the thickness of the glass substrate.
また、ガラス基板の種類(成分)にもほとんど影響を受
けない。Furthermore, it is hardly affected by the type (component) of the glass substrate.
本発明によれば、液晶基板上に画素部TPTと同じ工程
で周辺回路を形成できるため、高密度配線取出しの間層
がなく、画素サイズを縮少できる。According to the present invention, the peripheral circuit can be formed on the liquid crystal substrate in the same process as the pixel portion TPT, so there is no layer between high-density wiring lines, and the pixel size can be reduced.
このため、高精細表示が可能となる。Therefore, high-definition display is possible.
以下、本発明の一実施例を第4図により説明する。ガラ
ス基板1としては対角12インチのガラス基板(歪温度
約600℃)を用いる9最初、スパッタ法によりCrゲ
ート電極5を形成した後、ゲート絶縁膜6であるSiN
膜とアモルファスシリコン膜(j層)7をプラズマCV
D法で形成する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. As the glass substrate 1, a 12-inch diagonal glass substrate (strain temperature of about 600°C) is used.9 First, a Cr gate electrode 5 is formed by sputtering, and then a SiN gate insulating film 6 is formed.
The film and amorphous silicon film (J layer) 7 are subjected to plasma CV
Form by method D.
膜厚は、それぞれ、3000Aと2500人である。次
に、第1図の周辺回路形成部にXeCQエキシマレーザ
(波長308nm)を用いてレーザアニールし、アモル
ファスシリコンを多結晶シリコンに変換する。レーザの
照射強度は、走査側回路部3は240 m J / a
l、信号側回路部4は320m J / ajである。The film thicknesses are 3000A and 2500A, respectively. Next, the peripheral circuit forming portion shown in FIG. 1 is laser annealed using a XeCQ excimer laser (wavelength: 308 nm) to convert amorphous silicon into polycrystalline silicon. The laser irradiation intensity is 240 mJ/a for the scanning side circuit section 3.
l, the signal side circuit section 4 is 320 mJ/aj.
このエネルギーはシリコン膜に対しては、それぞれ、約
900℃と約600℃の温度における熱アニールと同し
効果がある。次に、プラズマCVD法により、リンをト
ープしたアモルファスシリコン膜(n中層)ソース8.
トレン9を堆積する。ホト工程によりトランジスタの島
領域を形成後、配線用Or@極膜ソース電極10゜トレ
イン電極1土をスパッタ法で形成する。次に、ホト工程
によりソース8.トレイン9領域を形成する。その後、
透明電極であるITO[透明電極13を形成し、ホト工
程によりパターニングを行う。次に、プラズマCVD法
によりSiN膜パシベーション膜12をパシベーション
用に形成する。This energy has the same effect on silicon films as thermal annealing at temperatures of about 900° C. and about 600° C., respectively. Next, a phosphorus-doped amorphous silicon film (n middle layer) source 8. is formed by plasma CVD.
Deposit Tren 9. After forming the island region of the transistor by a photo process, a wiring Or@polar film source electrode 10° and a train electrode 1 are formed by sputtering. Next, the sauce 8. Form a train 9 area. after that,
A transparent electrode of ITO [transparent electrode 13 is formed and patterned by a photo process. Next, a SiN passivation film 12 is formed for passivation by plasma CVD.
次に、偏光板16およびカラーフィルター14を備えた
他の一枚のガラス基板1との間に液晶15を封入して表
示装置が完成する。本表示装置における周辺回路の本数
は、走査側では640本、信号側回路では1440本で
ある。本表示装置において、画素部と信号側回路との距
離d2は950μm、画素部と走査側回路との距11i
d tは600μmである。本表示装置の画素部にお
けるTPTの歩留りは約100%であり、本発明を用い
ない場合の歩留り約80%以下よりはるかに向上してい
ることがわかる。Next, the liquid crystal 15 is sealed between the polarizing plate 16 and another glass substrate 1 provided with the color filter 14 to complete the display device. The number of peripheral circuits in this display device is 640 on the scanning side and 1440 on the signal side. In this display device, the distance d2 between the pixel section and the signal side circuit is 950 μm, and the distance between the pixel section and the scanning side circuit is 11i.
dt is 600 μm. It can be seen that the yield of TPT in the pixel portion of this display device is about 100%, which is much better than the yield of about 80% or less when the present invention is not used.
次に、本発明の第二の実施例を第5図に示す。Next, a second embodiment of the present invention is shown in FIG.
本実施例は、周辺回路に隣接する画素内の画素駆動用T
PTを、画素内の位置で、走査側回路及び信号側回路か
ら離れた二辺の交点に接して設置したものである。本実
施例の場合、画素寸法が1mm×111111と大であ
るために、このようにTPTを配列することで周辺回路
部と画素部を意図的に分離しなくともdl>600 μ
m、dz>900amなる条件を満足している。In this embodiment, a pixel driving T in a pixel adjacent to a peripheral circuit is used.
A PT is installed at a position within a pixel in contact with the intersection of two sides away from the scanning side circuit and the signal side circuit. In the case of this example, since the pixel size is large at 1 mm x 111111, by arranging the TPTs in this way, it is possible to achieve dl > 600 μ without intentionally separating the peripheral circuit section and the pixel section.
The condition m, dz>900am is satisfied.
本発明によれば、周辺回路を内蔵した表示装置の歩留り
を向上させる効果があり、ひいては表示装置の価格を低
下させることができる。また、高精細表示が可能となる
。According to the present invention, there is an effect of improving the yield of display devices incorporating peripheral circuits, and as a result, it is possible to reduce the price of the display devices. Furthermore, high-definition display is possible.
第1図は本発明の一実施例の表示装置の構成図。
第2図は第1図に用いられる薄膜トランジスタの断面図
、第3図(a)は信号側回路と画素との距離の歩留りに
対する効果を示す図、第3図(b)は走査側回路と画素
との距離の歩留りに対する効果を示す図、第4図は本発
明の一実施例の液晶表示装置の断面模式図、第5図は、
本発明の他の実施例の液晶表示装置の構成図である。
1・・・ガラス基板、2・・・画素部(表示部)、3・
・・走査側回路部、4・・・信号側回路部、5・・・ゲ
ート電極、6・・・ゲート絶縁膜、7・・・シリコン膜
(i層)、8・・ソース、9・・・ドレイン、10・・
・ソース電極、11・・・ドレイン電極、12・・・パ
シベーション膜、13・・・透明電極、14・・・カラ
ーフィルタ、15第
図
イ
第2図
第4図
町τ路舒TFT
画S帥TFT
第3
図
0 300 600 ?0D1200 r!;
DOイ露号1j1110tトと白魚との社り吐、d2(
pm)/を前側l!I辱と画魚との距離、cll(μm
)第
図FIG. 1 is a configuration diagram of a display device according to an embodiment of the present invention. Figure 2 is a cross-sectional view of the thin film transistor used in Figure 1, Figure 3 (a) is a diagram showing the effect of the distance between the signal side circuit and the pixel on yield, and Figure 3 (b) is the scanning side circuit and pixel. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a diagram showing the effect of distance on yield.
FIG. 3 is a configuration diagram of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 1...Glass substrate, 2...Pixel section (display section), 3.
...Scanning side circuit section, 4...Signal side circuit section, 5...Gate electrode, 6...Gate insulating film, 7...Silicon film (i layer), 8...Source, 9...・Drain, 10...
- Source electrode, 11... Drain electrode, 12... Passivation film, 13... Transparent electrode, 14... Color filter, 15 Figure A Figure 2 Figure 4 Town τ Road TFT Image S TFT Figure 3 0 300 600 ? 0D1200 r! ;
DOI Rogo 1j1110t and white fish, d2 (
pm) / on the front l! The distance between I and the fish, cll (μm
) Figure
Claims (1)
ための透明電極と、この電極に電圧を印加するために、
各画素に形成された薄膜素子とこれと同一基板上に形成
された各画素の薄膜素子を駆動するための薄膜トランジ
スタで形成した周辺回路を内蔵した表示装置において、
基板上の信号回路と画素部との距離を基板上の走査回路
と画素部との距離よりも大きくしたことを特徴とする液
晶表示装置。 2、請求項1において、走査側回路と信号側回路の少な
くとも一方をレーザアニール法を用いて形成したことを
特徴とする液晶表示装置。 3、請求項2において、基板としてガラスを用いたこと
を特徴とする液晶表示装置。 4、請求項1において、画素部のトランジスタをアモル
ファスシリコン、信号側及び走査側回路部のトランジス
タを多結晶シリコンで形成することを特徴とする液晶表
示装置。 5、請求項1において、走査側回路部よりも信号側回路
部に大きなエネルギーのレーザを照射したことを特徴と
する液晶表示装置。 6、請求項1において、信号側回路部能動層の結晶性を
走査側回路部の結晶性より向上させたことを特徴とする
液晶表示装置。 7、請求項1において、周辺回路に隣接した画素内の画
素駆動用薄膜トランジスタを、画素内の位置で走査側回
路及び信号側回路から離れた辺の少なくとも一辺と接し
て設置することを特徴とする液晶表示装置。 8、透明基板の間に封入された液晶と、液晶を駆動する
ための透明電極と、この電極に電圧を印加するために、
各画素に形成された薄膜素子とこれと同一基板上に形成
された各画素の薄膜素子を駆動するための薄膜トランジ
スタで形成した周辺回路を内蔵した表示装置において、
基板上の信号回路と画素部との距離を900μm以上と
することを特徴とする液晶表示装置。 9、請求項8において、走査側回路と画素部との距離を
600μm以上とすることを特徴とする液晶表示装置。 10、請求項9において、走査側回路と信号側回路の少
なくとも一方をレーザアニール法を用いて形成したこと
を特徴とする液晶表示装置。 11、請求項10において、基板としてガラスを用いた
ことを特徴とする液晶表示装置。12、請求項8におい
て、画素部のトランジスタをアモルファスシリコン、信
号側及び走査側回路部のトランジスタを多結晶シリコン
で形成することを特徴とする液晶表示装置。13、請求
項8において、走査側回路部よりも信号側回路部に大き
なエネルギーのレーザを照射したことを特徴とする液晶
表示装置。 14、請求項8において、信号側回路部能動層の結晶性
を走査側回路部の結晶性より向上させたことを特徴とす
る液晶表示装置。 15、請求項8において、周辺回路に隣接した画素内の
画素駆動用薄膜トランジスタを、画素内の位置で走査側
回路及び信号側回路から離れた辺の少なくとも一辺と接
して設置することを特徴とする液晶表示装置。[Claims] 1. A liquid crystal sealed between transparent substrates, a transparent electrode for driving the liquid crystal, and a voltage applied to this electrode,
In a display device incorporating a thin film element formed in each pixel and a peripheral circuit formed by a thin film transistor formed on the same substrate for driving the thin film element of each pixel,
A liquid crystal display device characterized in that the distance between a signal circuit on a substrate and a pixel section is greater than the distance between a scanning circuit on a substrate and a pixel section. 2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least one of the scanning side circuit and the signal side circuit is formed using a laser annealing method. 3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein glass is used as the substrate. 4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the transistors in the pixel section are made of amorphous silicon, and the transistors in the signal side and scanning side circuit sections are made of polycrystalline silicon. 5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the signal side circuit section is irradiated with a laser having a higher energy than the scanning side circuit section. 6. A liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that the crystallinity of the signal side circuit part active layer is improved more than the crystallinity of the scanning side circuit part. 7. Claim 1 is characterized in that the pixel driving thin film transistor in the pixel adjacent to the peripheral circuit is installed in contact with at least one side of the pixel that is remote from the scanning side circuit and the signal side circuit. LCD display device. 8. A liquid crystal sealed between transparent substrates, a transparent electrode for driving the liquid crystal, and a voltage applied to this electrode,
In a display device incorporating a thin film element formed in each pixel and a peripheral circuit formed by a thin film transistor formed on the same substrate for driving the thin film element of each pixel,
A liquid crystal display device characterized in that the distance between a signal circuit on a substrate and a pixel section is 900 μm or more. 9. The liquid crystal display device according to claim 8, wherein the distance between the scanning side circuit and the pixel portion is 600 μm or more. 10. The liquid crystal display device according to claim 9, wherein at least one of the scanning side circuit and the signal side circuit is formed using a laser annealing method. 11. The liquid crystal display device according to claim 10, wherein glass is used as the substrate. 12. A liquid crystal display device according to claim 8, wherein the transistors in the pixel section are made of amorphous silicon, and the transistors in the signal side and scanning side circuit sections are made of polycrystalline silicon. 13. The liquid crystal display device according to claim 8, wherein the signal side circuit section is irradiated with a laser beam having a higher energy than the scanning side circuit section. 14. A liquid crystal display device according to claim 8, characterized in that the crystallinity of the signal side circuit part active layer is improved more than the crystallinity of the scanning side circuit part. 15. Claim 8 is characterized in that the pixel driving thin film transistor in the pixel adjacent to the peripheral circuit is installed in contact with at least one side of the side away from the scanning side circuit and the signal side circuit at a position within the pixel. LCD display device.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2155200A JPH0450818A (en) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | Liquid crystal display device |
US07/986,893 US5247375A (en) | 1990-03-09 | 1992-12-08 | Display device, manufacturing method thereof and display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2155200A JPH0450818A (en) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | Liquid crystal display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0450818A true JPH0450818A (en) | 1992-02-19 |
Family
ID=15600690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2155200A Pending JPH0450818A (en) | 1990-03-09 | 1990-06-15 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0450818A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06138488A (en) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device |
US7018036B2 (en) | 2003-07-14 | 2006-03-28 | Kt Optica Inc. | Length adjustable temple for eyeglasses |
JP2009224589A (en) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Hitachi Displays Ltd | Display device, and manufacturing method thereof |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2155200A patent/JPH0450818A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06138488A (en) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device |
US7018036B2 (en) | 2003-07-14 | 2006-03-28 | Kt Optica Inc. | Length adjustable temple for eyeglasses |
JP2009224589A (en) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Hitachi Displays Ltd | Display device, and manufacturing method thereof |
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