JPH04505603A - stabilized bismuth oxide - Google Patents

stabilized bismuth oxide

Info

Publication number
JPH04505603A
JPH04505603A JP2507510A JP50751090A JPH04505603A JP H04505603 A JPH04505603 A JP H04505603A JP 2507510 A JP2507510 A JP 2507510A JP 50751090 A JP50751090 A JP 50751090A JP H04505603 A JPH04505603 A JP H04505603A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mol
oxide
bismuth oxide
sample
stable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2507510A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
ヴィルカール,アニル ヴィ.
Original Assignee
ガス リサーチ インスティテュート
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ガス リサーチ インスティテュート filed Critical ガス リサーチ インスティテュート
Publication of JPH04505603A publication Critical patent/JPH04505603A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。 (57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

安定化酸化ビスマス 4且火背1 分■:本発明は一般にセラミックスに関し、特に安定な酸化ビスマスセラミック スに関する。 1直土1:ジルコニアのようなセラミック電解質は、セラミック電解質の酸素イ オン輸送能を利用する自動車用センサーや他の用途に使用されてきた。立方晶酸 化ビスマス(Bi2031は、酸素イオン導体としてはジルコニアよりはるかに 有効である。しかし、酸化ビスマスは不安定となる傾向があり、その伝導特性は 長時間にわたっては保持されず(たとえば100時間以上で50%減少)、また その強度も減少する傾向がある。約730℃以下の温度では、酸化ビスマスの立 方晶相が単斜晶に変る傾向がある。 酸化ビスマスの安定化の領域で、いくつかの研究が行われてきた。 ジルコニアの安定化と同様に、イツトリアも使われており酸化ビスマスの安定性 を若干増強した。しかし、イツトリア−酸化ビスマス組成物でさ^、工業用セン サー及び他の酸素輸送装置用の有効な電解質に要求される長時間安定性を有して ない。 酸化ビスマスは二つの多形、すなわち730℃以上の立方晶、730℃以下の単 斜晶を示すことが知られている。約730℃と。 Bi2O3の融点である825℃との間で安定な立方晶相はCaF2型のもので ある。その化学式は、CaF2型構造で結晶化するためには、構造中に25モル %の陰イオン空孔が存在しなければならないことを暗示している。酸素空孔の著 しく高い濃度は、立方晶形におけるBi203 の例外的なイオン伝導度の主な 理由であると考えられる。しかし、立方晶の単斜晶への転移に伴なう容積変化は 物質を懐変に導くから、純粋なり1203は転移温度を通して熱的には循環でき ない。しかし、多数の希土R15よびアルカリ土類酸化物を添加して転移温度を 下げることができ、したがって立方晶相の安定化範囲を増すことができることが 示されてきた。公表された状態図は、大抵の場合約700℃以下で共晶的に分解 するBi203−酸化物固溶体の安定化範囲を酸化物添加剤が広げることを示し ている。添加剤としてのイツトリア(Y2O3)の場合は、ダタ(Datta) 、ミーハン(Meehanlの研究は、立方晶相を少なくとも500℃程度に多 分もっと低い温度まで安定化できることを示している。 イツトリア安定化酸化ビスマスの酸素イオン伝導度は安定化ジルコニアよりも少 なくとも2桁高いことも証明されている。そこで、イツトリア安定化Bi2O3 は、適度な温度で高いイオン伝導度を要求する装置において、固体電解質として 理想的候補にみえる。しかし、最近の研究は、約600℃での長時間のアニーリ ング処理はY2O3−Biz(h固溶体を分解に導びき、ダタ、ミーハンが与え た状態図は正しくないことを示している。著しく高純度(典型的には99.99 %またはそれ以上)の物質を使ったダタ、ミーハンはその研究で調べた幾つかの 組成物で平衡を達成するのに困難を経験したことに留意すべきである。原料の純 度の重要性は後で議論する。 固体電解質の安定性はBi2O3に基づく実際的装置の主要件である。 そこで、固体電解質が装置の設計寿命にわたり安定であり続けることが絶対に必 要である。これが保証できないときは、Bi2O3ベースの固体電解質はほとん ど実際的価値を有さない、Y2O3や他の希土類酸化物で安定化されたBi2O 3が伝導度測定をするのに十分長く低温に維持することができるという事実は、 アニーリングによる分解は幾分物質輸送の速度論に依存しなければならないこと を暗示している。もしそうであれば、物質輸送の速度論を抑制する因子は不安定 化の速度論を減速することが期待される1分解生成物が拡散工程により形成され ると但定すると、関連する拡散係数を抑制する因子は速度論的安定性を与えると 思われる。逆に、拡散係数を増加させる因子は固体電解質の急速な劣化に導びく と思われる。 免豆災互I イツトリア−酸化ビスマスセラミック体に少量のジルコニア又はハフニアを含有 させると、酸化ビスマスの安定性を著しく増大させ、酸化ビスマスを非常に長期 間にわたり立方晶相に維持できることが最近発見された。 典型的な酸化ビスマス−イツトリア組成物は、酸化ビスマス75%及びイツトリ ア25%である。約10モル%までの量でジルコニア、ハフニア、またはドリア を含有させると、数桁程度酸化ビスマスの立方晶相の安定性が高まる。 本発明の安定酸化ビスマスセラミック組成物は、aJ主成分としての、実質上( すなわち〉60%)立方晶相として存在する酸化ビスマス:b)約10乃至約4 0モル%の量で存在する希土類酸化物:及びC)約0.1乃至約10モル%の量 で存在する4以上の原子価を有する陽イオン性元素を含有する酸化物化合物を含 む、実質上高温相として存在する上記セラミック組成物は、高温における数日間 使用の後でさえすぐれた酸素イオン伝導度をもつ。 一層広い観点からは、本発明はイツトリウム、イッテルビウム。 ネオジム、ガドリニウム、サマリウム、ランタン、テルビウム、エルビウム等の 酸化物のような希土M II(+:物を含有させることにより。 またジルコニア、ハフニア、ドリア、チタニア、酸化スズ(m、酸化タンタル、 及び酸化ニオブのような4以上の原子価を有する陽イオンの酸化物を導入するこ とによる、酸化ビスマスの安定化方法を含む、希土類酸化物は約40モル%まで の量で含有することができ、一方多価陽イオン酸化物は約10モル%までの量で 含有することができる。一般に、最小量として約0. 5モル%程度の少量、特 に約2. 0乃至5. 0モル%の水準の量が著しく有効なことが見出されてい る。 の t − 第1図はIH(a)の焼結試料の光学顕微鏡写真である。 第2図はドーパントとしてCaO1Zr02及びThe2を有するY2O3B1 2O3の焼結したままの試料およびドーピングしてない焼結したままの試料X線 回折ピークである。 第3図はアニーリング後のドーピングしたおよびドーピングしてない試料のX線 回折図であり:第3(A)図はCa02%:第3(B)図はCa01%:第3( C)図はドーピングなし:第3(D)図はZr022 % : Jll! 3  (E ) IKIf丁h022 % T’J!+6゜第4図は600℃において 種々の時間アニーリングしたドーピングしてない試料の光学顕微鏡写真を示し: 第4図(A)は0時間:第4図(B)は170時間:第4図(C)は210時間 :第4図(D)は290時間である。 第5図はZr025. 0モル%でドーピングした焼結したままの試料およびア ニーリングした試料の微細構造を示す。 第6図はX線回折図からの積分ピーク強度を使い決めた転移部分)Ntl対 n  (tlのプロットである。 第7図は第6図の転移した部分をアニーリング時間の関数として再プロットした ものである。 ま い の t : 本発明の組成物は、陽イオン輸送を抑制し、それによってy、o、−Bi20. 固溶体の速度論的安定性を増すと考えられる。隔イオン部分格子上のYおよびB iの拡散は点欠陥、すなわち空孔および格子間の移動により起ることが予想され るから、点欠陥移動度とその濃度が相互拡散係数を決定すると予想される。たと えば、格子間移動度が空孔移動度よりも小さいときは、空孔濃度を消費して格子 間濃度(ある点まで)の増加は相互拡散係数の低下に導びく、格子間移動度が空 孔移動度より大きいときは逆となる。 ホストイオンとは異なる原子価のドーパントの合体は欠陥濃度を変えるようにみ える。たとえば、4価陽イオンドーパント(たとえばZrまたはTh)は陽イオ ン空孔濃度を増し、一方2価陽イオンドーパント(Cal は格子IW!′7M 度を増すはずである。 本発明で使う酸化ビスマスは典型的には立方晶(高温)相の実質量(〉90%) とごく少量の菱面体晶(低il)相をもつ、酸化ビスマスはまた菱面体晶高温相 をもち、立方晶高温相の代りに使用できる。 このような酸化ビスマスはアルファ・ケミカルズ(^lfa Cbesical slのような多くの商業販売者から容易に入手できる。酸化ビスマスは約50〜 90モル%の量で存在させ、好ましい量は約75モル%である。 本発明で有用なドーパントは一般に約10モルパーセントを越えない量でセラミ ック組成物中に存在させる0本発明で使用するドーパントは、典型的には陽イオ ンが4+またはそれ以上の原子価をもつ陽イオン部分をもつ、有用なドーパント の例はジルコニウム、チタン、トリウム、ハフニウム、タンタル、ニオブ、タン グステン、モリブデン、バナジウムの酸化物を含む、このドーパントを2モル% の量で存在させるのが好ましい。 本発明で使う安定剤は典型的には約10〜40モル%の量で存在する希土類酸化 物である。全ランタニド系列の酸化物がこの発明で作用すると考えられるが、好 ましい希土類酸化物はイツトリアである。 実−一施一一信 本実験においては、ドーパントとしてCaO、ZrO2及びThe2を有する、 Y2O325モル%及びBi20375モル%を含有する基線物質を600℃及 び650℃において数日間アニーリングした。ついで試料をX線回折、光学顕微 鏡法、電子マイクロプローブ分析を使い特性評価した。実験操作、結果および結 果の議論を次に示す。 lJ」1」 a ・・ の :容易に入手できる商業源からのY2O3とBi2O3をこの本 実験に使用した。 CaCO3をCaO源として用い、一方ジルコニア(Zr0 21及びThe2粉末をドーパントとして直接用いた。販売者から供給された入 手したままの粉末の化学分析を表工に示す。 表」− 物質 不純分(1度〕 Bi2O3FFeM g20pp 8ppm Y2O3La Nd Gd Zr Na Ca Fe75ppm 50ppm  15ppm 20ppm 15pp■ 6 pGIII5Dp■Y2O3及びB i2O3の粉末をl:3のモル比で混合した。ジルコニアまたはアルミナ摩砕媒 体を使いて上記粉末混合物を摩砕した。この基線混合物にドーパントを添加した 。添加CaOの最大量は2モル%であり、ZrO2およびTh02の最大量は1 0モル%であった。ここで報告した研究の多くは、CaOドーピング、 ドーピ ングなし、およびZrO2ドービンク(2モル%まで)の各試料についてのもの である。粉末混合物をアセトン中で湿式摩砕した。ついで粉末混合物を炉で乾燥 し、グイプレスし、次いで等圧圧縮してベレットを未焼成成形した1次いで試料 を空気中1000℃において24時間焼結した。焼結試料を、CuKα放射線に よるX線回折を用いて検査した。試料の密度は通常の液浸法で決めた。 =Ch」−ユ」邑J1]二被焼結試料を空気中600℃および650℃において 最大数日アニーリングした。試料を定期的に炉から除去し、特性評価し、さらに アニーリングのため炉に再挿入した。 C:X O;アニーリング後、試料を粉砕し、X#回折により分析した。X線回 折図はCuKα放射線を用いて得た。目的は存在する相、その構造および夫々の 格子パラメータを決定し、積分ピーク強度に基づき相転移の程度を評価すること であった。 CaF2構造のピークおよびドーピングしてない試料とCaOドー ピングした試料でアニーリングで形成した菱面体晶相の(六方晶に基づく)ピー クを用いて積分ピーク強度を決めた。 d: ” :粒構造を明らかにするため、試料を研磨し、900℃において60 分熱エツチングした。相転移を受けた試料については、転移相のもとの立方晶相 への再変換を防ぐように、熱エツチングをしなかった1両相の硬さの相対的差異 を利用して、各相の形態を区別するのに適当なレリーフ研摩に導いた。 カメ力(Casecal S X 50電子マイクロプローブで化学分析を行っ た。目的はもとの固溶体および分解試料の組成を決めることであった。 結 果 LLL(a )−二重」1劫」 stabilized bismuth oxide 4 and fire back 1 ■: The present invention generally relates to ceramics, and in particular to stable bismuth oxide ceramics. Regarding 1 Straight soil 1: Ceramic electrolytes such as zirconia are It has been used in automotive sensors and other applications that take advantage of on-transport capabilities. cubic acid Bismuth oxide (Bi2031) is a much better oxygen ion conductor than zirconia. It is valid. However, bismuth oxide tends to be unstable, and its conductive properties are It is not retained over long periods of time (e.g. 50% reduction over 100 hours), and Its strength also tends to decrease. At temperatures below about 730°C, bismuth oxide is There is a tendency for the square phase to change to monoclinic. Some research has been carried out in the area of bismuth oxide stabilization. Similar to the stabilization of zirconia, ittria is also used to stabilize bismuth oxide. was slightly strengthened. However, itria-bismuth oxide compositions, industrial sensors It has the long-term stability required for effective electrolytes for oxygen transport systems and other oxygen transport devices. do not have. Bismuth oxide has two polymorphs: cubic crystal above 730°C and monomorphic crystal below 730°C. It is known to exhibit oblique crystallinity. Approximately 730℃. The cubic phase that is stable between 825℃, which is the melting point of Bi2O3, is of the CaF2 type. be. Its chemical formula requires 25 moles in the structure in order to crystallize in the CaF2 type structure. % anionic vacancies must be present. Author of Oxygen Vacancy The unusually high concentration is the main reason for the exceptional ionic conductivity of Bi203 in the cubic form. This is thought to be the reason. However, the volume change accompanying the transition from cubic to monoclinic is Pure 1203 cannot be thermally circulated through the transition temperature because it transforms the substance. do not have. However, adding a large number of rare earth R15 and alkaline earth oxides lowers the transition temperature. can be lowered and thus increase the stabilization range of the cubic phase. It has been shown. Published phase diagrams indicate that in most cases eutectic decomposition occurs below about 700°C. It was shown that oxide additives widen the stabilization range of Bi203-oxide solid solution. ing. For ittria (Y2O3) as an additive, Datta , Meehan's research shows that the cubic phase is concentrated at least around 500°C. This shows that it can be stabilized down to much lower temperatures. The oxygen ion conductivity of yttoria-stabilized bismuth oxide is less than that of stabilized zirconia. It has also been proven that it is at least two orders of magnitude higher. Therefore, ittria stabilized Bi2O3 is used as a solid electrolyte in devices that require high ionic conductivity at moderate temperatures. Looks like an ideal candidate. However, recent research has shown that long-term annealing at approximately 600°C The decomposition process leads to the decomposition of the Y2O3-Biz (h solid solution), as described by Data and Meehan. This shows that the state diagram shown is incorrect. Extremely high purity (typically 99.99 % or more), Meehan said that some of the materials examined in his study It should be noted that difficulties were experienced in achieving equilibrium in the composition. Purity of raw materials The importance of degree will be discussed later. The stability of the solid electrolyte is the main requirement for practical devices based on Bi2O3. Therefore, it is absolutely essential that the solid electrolyte remains stable over the design life of the device. It is essential. When this cannot be guaranteed, most Bi2O3-based solid electrolytes are Bi2O stabilized with Y2O3 and other rare earth oxides of no practical value The fact that 3 can be kept at low temperatures long enough to make conductivity measurements is that decomposition by annealing must depend somewhat on mass transport kinetics; is implied. If so, the factors that suppress the kinetics of mass transport are unstable. A decomposition product is formed by the diffusion process that is expected to slow down the kinetics of , then the factors that suppress the associated diffusion coefficients provide kinetic stability. Seem. Conversely, factors that increase the diffusion coefficient lead to rapid degradation of the solid electrolyte. I think that the. Menzusai mutual I Ittria-bismuth oxide ceramic body contains a small amount of zirconia or hafnia This significantly increases the stability of bismuth oxide and makes bismuth oxide stable for very long periods of time. It has recently been discovered that the cubic phase can be maintained for long periods of time. A typical bismuth oxide-yttrium composition includes 75% bismuth oxide and yttrium. A: 25%. Zirconia, hafnia, or doria in amounts up to about 10 mol% The stability of the cubic phase of bismuth oxide increases by several orders of magnitude. The stable bismuth oxide ceramic composition of the present invention comprises substantially ( i.e.>60%) bismuth oxide present as cubic phase: b) about 10 to about 4 and C) a rare earth oxide present in an amount of 0 mole %; and C) an amount of about 0.1 to about 10 mole %. Contains an oxide compound containing a cationic element with a valence of 4 or more that exists in The above ceramic composition, which exists substantially as a high temperature phase, is It has excellent oxygen ionic conductivity even after use. From a broader perspective, the present invention relates to yttrium, ytterbium. Neodymium, gadolinium, samarium, lanthanum, terbium, erbium, etc. By incorporating a rare earth M II (+: substance such as an oxide). Also zirconia, hafnia, doria, titania, tin oxide (m, tantalum oxide, and introducing oxides of cations with a valence of 4 or more, such as niobium oxide. Up to about 40 mol% of rare earth oxides, including methods for stabilizing bismuth oxide according to , while polyvalent cation oxides can be present in amounts up to about 10 mol %. It can contain. Generally, the minimum amount is about 0. A small amount of about 5 mol%, especially Approximately 2. 0 to 5. Amounts at the level of 0 mol% have been found to be significantly effective. Ru. of t- FIG. 1 is an optical micrograph of a sintered sample of IH(a). Figure 2 shows Y2O3B1 with CaO1Zr02 and The2 as dopants. 2O3 as-sintered sample and undoped as-sintered sample X-ray This is a diffraction peak. Figure 3 shows the X-rays of doped and undoped samples after annealing. It is a diffraction diagram: Figure 3 (A) shows Ca02%; Figure 3 (B) shows Ca01%: 3rd ( C) Figure without doping: Figure 3 (D) shows Zr022%: Jll! 3  (E) IKIf Ding h022% T’J! +6° Figure 4 is at 600°C Optical micrographs of undoped samples annealed for various times are shown: Figure 4 (A) is 0 hours; Figure 4 (B) is 170 hours; Figure 4 (C) is 210 hours. : FIG. 4(D) is 290 hours. Figure 5 shows Zr025. As-sintered samples and aluminum doped with 0 mol% The microstructure of the kneaded sample is shown. Figure 6 shows the transition area determined using the integrated peak intensity from the X-ray diffraction diagram) Ntl vs. n (This is a plot of tl. Figure 7 is a replot of the transferred portion of Figure 6 as a function of annealing time. It is something. Mainot: The compositions of the present invention suppress cation transport, thereby y, o, -Bi20. It is believed to increase the kinetic stability of the solid solution. Y and B on a spaced ionic sublattice The diffusion of i is expected to occur due to point defects, i.e., vacancies, and interstitial movement. Therefore, it is expected that the point defect mobility and its concentration determine the interdiffusion coefficient. and For example, when the interstitial mobility is smaller than the vacancy mobility, the vacancy concentration is consumed and the lattice An increase in the interstitial concentration (up to a certain point) leads to a decrease in the interdiffusion coefficient, leading to a decrease in the interstitial mobility. The opposite is true when it is larger than the pore mobility. Coalescence of dopants with different valences than the host ion appears to change the defect concentration. I can do it. For example, a tetravalent cation dopant (e.g. Zr or Th) The divalent cation dopant (Cal) increases the vacancy concentration, while the divalent cation dopant (Cal) increases the lattice IW!'7M The degree should increase. The bismuth oxide used in the present invention typically has a substantial amount (>90%) of cubic (high temperature) phase. Bismuth oxide also has a rhombohedral high temperature phase. It can be used in place of the cubic high temperature phase. Such bismuth oxide is manufactured by Alpha Chemicals (^lfa Cbesical). It is readily available from many commercial vendors such as sl. Bismuth oxide is about 50~ It is present in an amount of 90 mol%, with a preferred amount of about 75 mol%. Dopants useful in the present invention generally contain ceramics in amounts not exceeding about 10 mole percent. The dopants used in the present invention are typically cationic. Useful dopants with cationic moieties having valences of 4+ or higher Examples are zirconium, titanium, thorium, hafnium, tantalum, niobium, tan 2 mol% of this dopant, including oxides of gsten, molybdenum, and vanadium. Preferably, it is present in an amount of . The stabilizers used in this invention are typically rare earth oxides present in an amount of about 10 to 40 mole percent. It is a thing. All lanthanide series oxides are believed to work in this invention, but are preferred. A preferred rare earth oxide is ittria. Real - Kazunobu Isse In this experiment, we used CaO, ZrO2 and The2 as dopants. A baseline material containing 25 mol% Y2O3 and 375 mol% Bi20 was heated to 600°C. and annealed at 650°C for several days. The sample is then subjected to X-ray diffraction and optical microscopy. Characteristics were evaluated using mirror method and electron microprobe analysis. Experimental procedures, results and conclusions The following is a discussion of the results. lJ”1” a... of: This book provides Y2O3 and Bi2O3 from readily available commercial sources. Used for experiments. CaCO3 was used as the CaO source, while zirconia (Zr0 21 and The2 powders were used directly as dopants. Input supplied by seller Show the chemical analysis of the powder as-is to the table craftsman. Table”- Substance Impurity (1 degree) Bi2O3FFeM g20pp 8ppm Y2O3La Nd Gd Zr Na Ca Fe75ppm 50ppm 15ppm 20ppm 15pp ■ 6 pGIII5Dp ■ Y2O3 and B The i2O3 powder was mixed in a molar ratio of 1:3. Zirconia or alumina grinding media The powder mixture was ground using a mill. Dopant was added to this baseline mixture. . The maximum amount of added CaO is 2 mol%, and the maximum amount of ZrO2 and Th02 is 1 It was 0 mol%. Many of the studies reported here are based on CaO doping, For each sample without doping and with ZrO2 doping (up to 2 mol%) It is. The powder mixture was wet milled in acetone. The powder mixture is then dried in an oven. The first sample was made by pressing, pressing, isostatically compressing, and forming a pellet into an unfired pellet. was sintered in air at 1000°C for 24 hours. Sintered sample exposed to CuKα radiation It was examined using X-ray diffraction. The density of the sample was determined by a conventional immersion method. = Ch"-Yu" Eup J1] Two coated sintered samples were heated in air at 600°C and 650°C. Annealing was performed for up to several days. Samples are periodically removed from the furnace, characterized, and Reinserted into the furnace for annealing. C:X O; After annealing, the sample was crushed and analyzed by X# diffraction. X-ray circuit The fold diagram was obtained using CuKα radiation. The objective is to determine the phases present, their structure and their respective Determining the lattice parameters and evaluating the degree of phase transition based on the integrated peak intensity Met. Peak of CaF2 structure and undoped sample and CaO doped The rhombohedral phase (hexagonal based) peak formed by annealing in the pinged sample. The integrated peak intensity was determined using d:”: To clarify the grain structure, the sample was polished and heated at 900℃ for 60 minutes. Heat etched. For samples that have undergone a phase transition, the cubic phase at the origin of the transition phase 1 The relative difference in hardness of the two phases was not thermally etched to prevent reconversion to This led to appropriate relief polishing to distinguish the morphology of each phase. Chemical analysis was performed using a Casecal SX 50 electron microprobe. Ta. The objective was to determine the composition of the original solid solution and the decomposed sample. Results LLL(a)-double “1 kalpa”

【魁:焼結したがドーピングしてない試料は、典 型的には7. 85g/m1以上の密度を有していた。 ZrO2をドープした 試料は密度が低く、密度はZrO2含量の増加と共に減少した。 ZrO2を2 モル%および10モル%含む各試料は7.67g/mlおよび7.33g/■1 の密度を有していた。 CaOをドーピングした試料も、ち密化が始った後存在 できる残存CaCO3に起因して幾分低密度を示した。 被焼結試料はオレンジ色であった。被焼結試料の光学顕微鏡写真を第1図に示す 。これを900℃において60分熱エツチングした。 被焼結試料の典型的粒径は約23μmであった。写真にみられるように、小孔が 粒内上よび粒界にみられる。ドーパントを有するあるいは有しない被焼結試料の X11回折は、その全てが存在する唯一の結晶型としてCaF2型の単−相であ ることを示した。第2図は次の組成の被焼結試料のX線回折ピークを示す: N o、2fa l−2モル%CaO1No、2(b)−1モル%CaO、No、2  (c )−ドーピングなし、NO62(d)−2モル%ZrO2、及びNo、 2(e) 2モル%Tb02.回折図かられかるように、被焼結試料は、すべて CaF2構造の単一立方晶相である。20“と60”の間の角度範囲にわたる全 走査は、ドーパントが物質内に溶解していることを示した。7.5モル%を越え るZr02s度では、ドーパントに相当する追加のピークが認められ、ドーパン トの溶解度は7.5モル%以下であることを暗示している。測定の精度内では、 格子パラメーターはドーパントの型と濃度に無関係であることがわかった6表I Iはドーパントの型と濃度の関数として測定した格子パラメーターを示す。 田’b 二:第3(a)、3 (b)、3 (c)、3(d)、及び3(e)図 は、夫々600℃において、種々の時間アニーリングした2モル%CaOドーピ ング、1そル%CaOドーピング、ドーピングなし、2モル%ZrO2ドーピン グ、2モル%The2ドーピング試料のX線回折図を示す、各図に示されるよう に、ドーピングしてない試料及びCaOドーピングした試料は2相、すなわち立 方晶と菱面体晶を含む、しかし、ZrO2でドープした試料及びThe、をドー ピングした試料は単一立方晶相のままであった。ドーピングしてない試料及びC aOドーピングした試料では、xm分析の限界内では、立方晶相および菱面体晶 相以外の相に相当するピークは認められなかった。 これらの図かられかるように、相転移の程度1旦 ドーピングしてない試料、ZrO2でドープした試料及びCaOでドープした試 料の立方晶相の格子パラメーター7.5モル%ZrO2格子パラメーター(A) 7.5モル%ZrO25,4975 5モル%ZrO2s、5059 3モル%1rQ25. 5053 2モル%ZrO25,5087 ドーピングなし 5.5075 1モル%Ca0 5.5130 2モル%Ca0 5.5123 はCaOドーピング試料で量大であり、ZrO2および丁hO2ドーピング試料 では相転移は起らない、第4 (a)、4 (b)、4(c)、4(d)、及び 4(e)図は、夫々600℃において0、】70.210.250、及び290 時間アニーリングした。ドーピングしてない試料の光学顕微鏡写真を示す、板状 粒子は菱面体晶相のものである。顕微鏡写真かられかるように、菱面体晶相の容 積部分はアニーリング時間の増加と共に増す。 次の実験として、ドーピングしてない試料、1.0モル%CaOドーピング試料 、及び2.0.3.0.50.7.5.及び1000モル%ZrO2でドーピン グした各ZrO2ドープ試料を600℃において1020FItf間までアニー リングした。7二−リング後、試料を研削し、研磨し、X@回折で分析し、熱エ ツチング(Zr02ドーピング試料のみ)し、光学顕微鏡で検査した。 ZrO 2ドーピング試料は全て立方晶のままで残ることが認められた。熱処理後も試料 の粒径は変らなかった。5.0モル% ZrO2でドープした被焼結、被アニー ル試料の微細構造を夫々第5(a)図及び第5(b)図に示す、これと対照的に 、ドーピングしてない試料および1.0モル%及び2.0モル%CaOでドープ した試料は最初の100時間以内の相当量の転移を示した。2.0モル%CaO でドープした試料では、転移は約200時間で殆んど完結した。また、X線分析 の精度の限界内で、他の相に相当するピークは観察されなかった。xm回折図か らの積分ピーク強度を使い決定した転移部分X (t)を第6図において n( tlに対しプロットした。この実験で用いた粉末混合物は、アルミナ摩砕媒体を 使って磨砕した。ジルコニア媒体で磨砕した粉末からつくった試料で行った類似 の実験は、相転移の速度論がより遅いことを示した。このことの重要性は後で議 論する。 第6図は転移部分を次のようにアブラミ(Avrawi1式で表現できることを 暗示している。 X (t) =1−exp l (−) lll −−−−−−(1)上記式中 、 は関連する緩和時間である。第6図に示した転移部分を、第7図にI n  I n (1/ (1−X (t) l J対In(5)として、アニーリング 時間の関数として再プロットした。パラメーターmおよび−min()は、第7 図で夫々傾斜および切点で同定される。実験的に測定したm値は、2モル%Ca Oドーピング試料では〜2.ドーピングしてない試料では3.2である。緩和時 間 は、ドーピングしてない試料、1モル%CaOドープ試料及び2モル%Ca Oドープ試料について、それぞれ〜211時間、〜182時間、〜101時間で あった。 TlIc: :カメコ(Camecol S X 50電子マイクロプローブを 用いて行ったドーピングしてない被焼結試料の化学分析は。 Y2O,およびBi2O3濃度が夫々 23.3モル%、76.7モル%である ことを示した。被焼結試料は2 前に述べたように単一立方晶相であった。60 0℃において170時間アニーリングした後のドーピングしてない試料も化学分 析した。これら試料は立方晶相と菱面体晶相の両者を含む2相からなっていた。 立方晶相および菱面体晶相のY2O3J5よびBi2O3の濃度は、夫々Y2O 323,53モル%、Bi20x76.47モル%及びY2O323,03モル %、Bi2O376,97モル%と測定された。実験精度の限界内(絶対値1% )で、両相の組成はほとんど同一にみえる。多量の菱面体晶相を含む210時間 アニーリングした試料では、立方晶相および菱面体晶相の組成は、夫々Y2O3 23,64モル%、Bi20376.36モル%右よびY2O323,1モル% 、Bi2O378,9モル%と測定された。これは立方晶相から菱面体晶相への 転移は組成不変転移であることを示している。 議論 本発明を一つの理論により拘束する意図はないが、以下はここで得られた異常な 結果を説明する助けとなるであろう0両最終メンバーにおいて同一化学量論では 共通であるから、酸素の輸送は相転移の発生に対し必要ではない(発生を排除で きないが)、そこで、陽イオン部分格子上の相互拡散係数を増加または減少させ る因子は、夫々相転移速度論を増加または減少させる。陽イオン部分格子上の相 互拡散係数は次式により与えられる。 XyDy+XBIDBl ここで、XYおよびXBIはのモル分率、DyおよびDBIはYおよびBiの拡 散係数である。陽イオン拡散は点欠陥、たとえば空孔および格子間を通し起ると 予想される6 そこで、DyとDBIの両者は陽イオン空孔および格子間の濃度 および空孔および格子間移動度に依存すると予フされる。空孔濃度が格子間濃度 をはるかに越えると、相互拡散係数は空孔濃度と共に直線的に変化する。一方、 格子間濃度が空孔濃度をはるかに越えると、相互拡散係数は格子間濃度と共に直 線的に変化するであろう、 ″純粋°系、すなわち゛真性“系では、空孔および 格子間濃度は同一であり、KFに等しい、KFは陽イオン部分格子上のフレンケ ル(Frenkell積である。一般には、空孔および格子間移動度は異なるで あろう、空孔移動度が格子間移動度より大きい/小さいときは、真性値に対する 空孔濃度の増加は相互拡散係数の増加/減少に導びくだろう、一方、空孔濃度の 減少は相互拡散係数を減少/増加させるだろう、正味の効果は3点欠陥のある独 特の濃度において、相互拡散係数が最大を示すことである。 事実、夫々アルミン酸鉄右よび磁鉄鉱において、陽イオン拡散の最小がペトスケ イ(Petuskeyl及びディックマン(Dieck■annl及びその共同 研究者により観察されてきた。この研究においては、酸素の分圧を変えることに よって関連欠陥濃度を変化させた。相互拡散係数で最小を得たことは、相互拡散 係数により制御されるプロセスの速度論の最小化と一致する。 真性値からの欠陥濃度の偏位は、成分の分圧を変えることにより。 あるいは多原子価ドーパントの導入により影響され得る。後者の解決法が多分本 実験にとって一層便利である。ドーパントとしてのZrO2またはThe2の添 加は、固有値以上に陽イオン空孔濃度を増大させると予想される。考え得る反応 は次式で与えられる。 類似の式がTb02ドーパントについても書ける。上記式は4価陽イオンの導入 が陽イオン空孔濃度を増加させることを示している。同時に、格子間濃度はフレ ンケル(Frenkell積により抑制されるであろう、ZrO2またはThe 2の添加はまた酸素格子間濃度を増加させることができる。原理的に、欠陥反応 の両者は正しく、そこで両者、陽イオン空孔濃度および酸素格子間濃度は増すで あろう、しかし、陰イオン部分格子上の欠陥濃度の変化は相分離の速度論に影響 するとは予想されず、さらに議論はしない、しかし、陽イオン空孔濃度とドーパ ント濃度の間の関係は関連する電気的中性条件に依存し、上記条件はまた多数欠 陥に依存する。このような場合、陰イオン欠陥濃度の知識が、ドーパント濃度と 陽イオン点欠陥の間の関係を決めるのに必要となる場合がある。 3以下の原子価の陽イオンドーパントの導入は、陽イオン格子間および酸素空孔 濃度を増すはずである。再び、酸素欠陥濃度は、この議論に関する限り適切では ない、CaOの溶解は次式により起り得る。 3CaOm3caa+、y+30X o +IB1.Y −−−−−−(4)こ こで、Iは格子間を示す。 上記の議論は、ZrO2とCaOはドーパントとして逆な方法で相互拡散係数り に影響を与えることを示唆している。事実、相転移速度はCaOで増加され、Z rO2により抑制されることが認められた。認められた効果は著しく大きく、2 モル%Zr02の添加は600℃において少なくとも1020時間、試料をアニ ーリングする最大時間立方晶相を安定化する。これに対して、2モル%CaOド ーピング試料では、相転移は〜290時間で実質的に100%完結した。この結 果は、陽イオン空孔移動度がBi2O3−Y2J固溶体では陽イオン格子間移動 度より小さいことを示している。ジルコニア媒体で摩砕した試料が一層遅い速度 論を示す事実は、若干量の媒体摩耗が起り、それにより不注意にも試料がジルコ ニアによりドーピングされたとの予想と一致する。 本発明を組成物と理論の両者である程度詳細に記載してきたが、上記記載は例示 としてのみ行ったものであり、請求の範囲から離れることなく、組成の詳細にお いて多くの変更を行えることを理解すべきである。 130h j30h 21C)h210h Fig、 3A Fig、 38 290h 290h Fig、 3F Fig、3G 130h 130h 130h 21Oh 210h 210h 290h 290h 290h Fig、 3HFig、 31 Fig、 3JFig、 4A Fig、 4B Fig、 4C Fig、4D Fig、 4E Fig、 5A Fig、 5B In(t) Fig、 7 国際調査報告[Kai: The sintered but undoped sample is Type-wise 7. It had a density of 85 g/m1 or more. Doped with ZrO2 The samples had low density, and the density decreased with increasing ZrO2 content. ZrO2 2 Each sample containing mol% and 10 mol% was 7.67g/ml and 7.33g/■1 It had a density of Samples doped with CaO also exist after densification has started. It exhibited somewhat lower density due to residual CaCO3. The sintered sample was orange in color. Figure 1 shows an optical micrograph of the sample to be sintered. . This was heat etched at 900° C. for 60 minutes. The typical grain size of the sintered samples was approximately 23 μm. As you can see in the photo, the small hole Found within grains and at grain boundaries. of sintered samples with or without dopants. X11 diffraction is a single-phase CaF2 type as the only crystal type in which all of them exist. It was shown that Figure 2 shows the X-ray diffraction peaks of a sintered sample with the following composition: N o, 2fa l-2 mol% CaO1No, 2(b)-1 mol% CaO, No, 2 (c) - no doping, NO62 (d) - 2 mol% ZrO2, and No, 2(e) 2 mol% Tb02. As seen from the diffraction diagram, all the sintered samples were It is a single cubic phase with a CaF2 structure. All over the angular range between 20" and 60" The scan showed that the dopant was dissolved within the material. More than 7.5 mol% At Zr02s degrees, an additional peak corresponding to the dopant is observed, and the dopant It is implied that the solubility of Within the accuracy of measurement, Lattice parameters were found to be independent of dopant type and concentration.6 Table I I indicates the measured lattice parameter as a function of dopant type and concentration. 田’b 2: 3rd (a), 3(b), 3(c), 3(d), and 3(e) figures are 2 mol% CaO-doped samples annealed at 600°C for various times. 1 mol% CaO doping, no doping, 2 mol% ZrO2 doping As shown in each figure, In addition, the undoped sample and the CaO-doped sample are two-phase, i.e. standing. Containing square and rhombohedral crystals, but samples doped with ZrO2 and doped with The pinged sample remained in a single cubic phase. Undoped sample and C In the aO-doped sample, within the limits of the xm analysis, the cubic and rhombohedral phases No peaks corresponding to phases other than this phase were observed. As can be seen from these figures, once the degree of phase transition Undoped sample, ZrO2 doped sample and CaO doped sample Lattice parameter of the cubic phase of the material 7.5 mol% ZrO2 lattice parameter (A) 7.5 mol% ZrO25,4975 5 mol% ZrO2s, 5059 3 mol% 1rQ25. 5053 2 mol% ZrO25,5087 No doping 5.5075 1 mol% Ca0 5.5130 2 mol% Ca0 5.5123 is large in the CaO-doped sample, and is large in the ZrO2- and dihO2-doped sample. No phase transition occurs in 4(a), 4(b), 4(c), 4(d), and Figure 4(e) shows 0, ]70.210.250, and 290 at 600°C, respectively. Time annealed. A plate showing an optical micrograph of an undoped sample. The particles are of rhombohedral phase. As seen from the micrograph, the rhombohedral phase is The product part increases with increasing annealing time. As the next experiment, a sample without doping and a sample doped with 1.0 mol% CaO. , and 2.0.3.0.50.7.5. and doped with 1000 mol% ZrO2 Each ZrO2-doped sample was annealed at 600℃ to 1020FItf. Ringed. 7 After the two-ring, the sample was ground, polished, analyzed by X@diffraction, and thermally evaporated. (Zr02 doped samples only) and examined with an optical microscope. ZrO It was observed that all the 2-doped samples remained cubic. Sample even after heat treatment The particle size did not change. Sintered and annealed doped with 5.0 mol% ZrO2 In contrast, the microstructure of the sample is shown in Figures 5(a) and 5(b), respectively. , undoped samples and doped with 1.0 mol% and 2.0 mol% CaO The sample showed a significant amount of metastasis within the first 100 hours. 2.0 mol% CaO In the sample doped with , the transition was almost complete in about 200 hours. Also, X-ray analysis Within the precision limits of , no peaks corresponding to other phases were observed. xm diffraction diagram? In Figure 6, the transition part X (t) determined using the integrated peak intensity of Plotted against tl. The powder mixture used in this experiment contained alumina grinding media. I used it to grind it. A similar study was carried out on samples made from powders ground in zirconia media. experiments showed that the kinetics of the phase transition was slower. The importance of this will be discussed later. discuss. Figure 6 shows that the transition part can be expressed by Avrawi1 formula as follows. It's implied. X (t) = 1-exp l (-) lll --------- (1) In the above formula , is the associated relaxation time. The transition part shown in Figure 6 is shown in Figure 7. Annealing as In (1/(1-X(t)l J vs. In(5) Replotted as a function of time. The parameters m and -min() are the seventh They are identified in the figure by slopes and cut points, respectively. The experimentally determined m value is 2 mol% Ca In the O-doped sample ~2. In the undoped sample, it is 3.2. During relaxation The interval is undoped sample, 1 mol% CaO doped sample and 2 mol% Ca for the O-doped sample at ~211 h, ~182 h, and ~101 h, respectively. there were. TlIc:: Camecol S X 50 electron microprobe The chemical analysis of the undoped sintered sample was carried out using Y2O and Bi2O3 concentrations are 23.3 mol% and 76.7 mol%, respectively. It was shown that The sample to be sintered had a single cubic phase as described above. 60 The undoped sample after annealing for 170 hours at 0°C also showed chemical decomposition. analyzed. These samples were composed of two phases, including both a cubic phase and a rhombohedral phase. The concentrations of Y2O3J5 and Bi2O3 in the cubic and rhombohedral phases are respectively Y2O 323.53 mol%, Bi20x76.47 mol% and Y2O323.03 mol %, Bi2O3 was determined to be 76.97 mol%. Within the limits of experimental accuracy (absolute value 1%) ), and the compositions of both phases appear to be almost identical. 210 hours with a large amount of rhombohedral phase In the annealed samples, the compositions of the cubic and rhombohedral phases are Y2O3, respectively. 23,64 mol%, Bi20376.36 mol% right and Y2O323,1 mol% , Bi2O3 was determined to be 78.9 mol%. This is the transition from the cubic phase to the rhombohedral phase. This indicates that the transition is a composition-invariant transition. discussion While not intending to limit the present invention to any one theory, the following describes the unusual findings here. The same stoichiometry in both final members would help explain the results. oxygen transport is not necessary for the phase transition to occur (occurrence cannot be excluded) ), so the interdiffusion coefficient on the cation sublattice can be increased or decreased. Factors that increase or decrease phase transition kinetics, respectively. Phase on cation sublattice The interdiffusion coefficient is given by the following equation. XyDy+XBIDBl Here, XY and XBI are the mole fractions, Dy and DBI are the expansion of Y and Bi. is the dispersion coefficient. Cation diffusion occurs through point defects such as vacancies and interstitials. Expected6 Therefore, both Dy and DBI have cation vacancies and interstitial concentrations. and is predicted to depend on the vacancy and interstitial mobilities. Vacancy concentration is interstitial concentration Far beyond , the interdiffusion coefficient varies linearly with vacancy concentration. on the other hand, When the interstitial concentration greatly exceeds the vacancy concentration, the interdiffusion coefficient increases directly with the interstitial concentration. In a “pure” or “intrinsic” system, which would vary linearly, the vacancies and The interstitial concentration is the same and equal to KF, where KF is the Frenke concentration on the cation sublattice. (Frenkell product. In general, the vacancy and interstitial mobilities are different. When the vacancy mobility is larger/smaller than the interstitial mobility, the An increase in the vacancy concentration will lead to an increase/decrease in the interdiffusion coefficient, whereas an increase in the vacancy concentration will lead to an increase/decrease in the interdiffusion coefficient. The reduction will decrease/increase the interdiffusion coefficient, the net effect is At a particular concentration, the interdiffusion coefficient exhibits a maximum. In fact, in iron aluminate and magnetite, respectively, the minimum cation diffusion is Petuskeyl and Dieckmann and co. It has been observed by researchers. In this study, we decided to change the partial pressure of oxygen. Therefore, the related defect concentration was changed. Obtaining the minimum mutual diffusion coefficient means that mutual diffusion Consistent with the minimization of the kinetics of the process controlled by the coefficients. The deviation of the defect concentration from the intrinsic value is achieved by changing the partial pressure of the components. Alternatively, it can be influenced by the introduction of polyvalent dopants. The latter solution is probably the book It is more convenient for experiments. Addition of ZrO2 or The2 as a dopant addition is expected to increase the cation vacancy concentration above the eigenvalue. possible reactions is given by the following equation. A similar equation can be written for the Tb02 dopant. The above formula is the introduction of tetravalent cations has been shown to increase the cation vacancy concentration. At the same time, the interstitial concentration increases ZrO2 or The The addition of 2 can also increase the oxygen interstitial concentration. In principle, defective reactions Both are correct, so both cation vacancy concentration and oxygen interstitial concentration cannot increase. Yes, but changes in the defect concentration on the anion sublattice affect the kinetics of phase separation. This is not expected and will not be discussed further, but the cation vacancy concentration and dopant The relationship between the component concentrations depends on the associated electroneutrality conditions, which also Depends on the situation. In such cases, knowledge of the anion defect concentration may It may be necessary to determine the relationship between cation point defects. The introduction of a cationic dopant with a valence of 3 or less can reduce cationic interstitials and oxygen vacancies. It should increase the concentration. Again, the oxygen defect concentration is not relevant as far as this discussion is concerned. However, dissolution of CaO can occur according to the following equation. 3CaOm3caa+,y+30X o +IB1. Y -------(4) Here, I indicates interstitial space. The above discussion shows that ZrO2 and CaO have mutual diffusion coefficients as dopants in opposite ways. suggests that it affects. In fact, the phase transition rate is increased in CaO and Z It was found that rO2 suppressed this. The observed effects were significantly large, with 2 The addition of mol% ZrO2 was performed by annealing the sample at 600°C for at least 1020 hours. -stabilizes the cubic phase for a maximum period of time. In contrast, 2 mol% CaO do In the sample, the phase transition was essentially 100% complete in ~290 hours. This conclusion The result is that the cation vacancy mobility is cation interstitial movement in the Bi2O3-Y2J solid solution. It shows that it is smaller than the degree. Samples milled with zirconia media have lower speed The fact is that some amount of media abrasion occurs, which inadvertently causes the sample to This is consistent with the prediction that it was doped by Nia. While the invention has been described in some detail both in composition and theory, the foregoing description is by way of example. without departing from the scope of the claims. It should be understood that many changes can be made. 130h j30h 21C)h210h Fig, 3A Fig, 38 290h 290h Fig, 3F Fig, 3G 130h 130h 130h 21Oh 210h 210h 290h 290h 290h Fig, 3HFig, 31Fig, 3JFig, 4A Fig, 4B Fig, 4C Fig, 4D Fig, 4E Fig, 5A Fig, 5B In(t) Fig, 7 international search report

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.約50乃至約90モル%の量のBi2O3:約10乃至約40モル%の量の Y2O3:及ひ約0.1乃至約10モル%の量のZrO2、トリア、又はHfO 2:からなる優れた酸素イオン伝導度を有する安定なBi2O3セラミック組成 物。1. Bi2O3 in an amount of about 50 to about 90 mol%: about 10 to about 40 mol% Y2O3: and ZrO2, thoria, or HfO in an amount of about 0.1 to about 10 mol% 2: Stable Bi2O3 ceramic composition with excellent oxygen ion conductivity consisting of thing. 2.主成分としての、実質上高温相として存在する酸化ビスマス:約10モルパ ーセント乃至約40モルパーセントの量で存在する希土類酸化物:及び約0.1 モルパーセント乃至約10モルパーセントの少量で存在する4以上の原子価を有 する陽イオン性元素を含有する酸化物化合物:からなる安定な酸化ビスマスセラ ミック組成物。2. Bismuth oxide as a main component, existing substantially as a high temperature phase: about 10 molpa a rare earth oxide present in an amount of from -cent to about 40 mole percent: and about 0.1 having a valence of 4 or more present in small amounts from mole percent to about 10 mole percent A stable bismuth oxide consisting of: an oxide compound containing a cationic element that Mick composition. 3.該希土類酸化物の希土類元素がイットリウム、ランタン、セリウム、ネオジ ム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、エルビウム、ツリ ウム及びイッテルビウムからなる群より選はれる請求の範囲2の安定な酸化ビス マスセラミック組成物。3. The rare earth elements of the rare earth oxide include yttrium, lanthanum, cerium, and neodymium. Samarium, Europium, Gadolinium, Terbium, Erbium, Turi The stable bis oxide of claim 2 selected from the group consisting of umum and ytterbium. Mass ceramic composition. 4.原子価4以上の該陽イオン性元素性がジルコニウム、ハウニウム、トリウム 、タンタル、ニオブ、タングステン、モリブデン、チタン及びバナジウムからな る群より選ぼれる請求の範囲3の安定な酸化ビスマスセラミック組成物。4. The cationic element with a valence of 4 or more is zirconium, haunium, thorium , tantalum, niobium, tungsten, molybdenum, titanium and vanadium. The stable bismuth oxide ceramic composition of claim 3 selected from the group consisting of: 5.該酸化物化合物が約5モルパーセントの量で存在する請求の範囲4の安定な 酸化ビスマスセラミック組成物。5. The stable compound of claim 4, wherein said oxide compound is present in an amount of about 5 mole percent. Bismuth oxide ceramic composition. 6.該陽イオン性元素がトリウムであり、該希土類酸化物がイットリアである請 求の範囲5の安定な酸化ビスマス。6. The cationic element is thorium and the rare earth oxide is yttria. Stable bismuth oxide with a desired range of 5.
JP2507510A 1989-04-24 1990-04-24 stabilized bismuth oxide Pending JPH04505603A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US342,291 1989-04-24
US07/342,291 US5006494A (en) 1989-04-24 1989-04-24 Stabilized bismuth oxide

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04505603A true JPH04505603A (en) 1992-10-01

Family

ID=23341182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2507510A Pending JPH04505603A (en) 1989-04-24 1990-04-24 stabilized bismuth oxide

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5006494A (en)
EP (1) EP0470173A4 (en)
JP (1) JPH04505603A (en)
NO (1) NO301001B1 (en)
WO (1) WO1990012767A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004176792A (en) * 2002-11-26 2004-06-24 Nippon Steel Corp Reaction absorbing weight

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5183801A (en) * 1989-04-24 1993-02-02 Gas Research Institute Stabilized bismuth oxide
US6592965B1 (en) * 1990-07-06 2003-07-15 Igr Enterprises, Inc. Ductile ceramic composite electrolyte
US5171645A (en) * 1991-01-08 1992-12-15 Gas Research Institute, Inc. Zirconia-bismuth oxide graded electrolyte
US5302258A (en) * 1992-02-28 1994-04-12 Triox Technologies, Inc. Method and apparatus for separating oxygen from a gaseous mixture
US5441610A (en) * 1992-02-28 1995-08-15 Renlund; Gary M. Oxygen supply and removal method and apparatus
US5624542A (en) * 1992-05-11 1997-04-29 Gas Research Institute Enhancement of mechanical properties of ceramic membranes and solid electrolytes
US5273628A (en) * 1992-05-11 1993-12-28 Gas Research Institute Mixed ionic-electronic conductors for oxygen separation and electrocatalysis
US5616223A (en) * 1992-05-11 1997-04-01 Gas Research Institute Mixed ionic-electronic conducting composites for oxygen separation and electrocatalysis
US5478444A (en) * 1992-05-11 1995-12-26 Gas Research Institute Composite mixed ionic-electronic conductors for oxygen separation and electrocatalysis
FR2698016B1 (en) * 1992-11-13 1995-01-06 Air Liquide Process and composition for the separation of oxygen from a gas mixture.
US5543239A (en) * 1995-04-19 1996-08-06 Electric Power Research Institute Electrode design for solid state devices, fuel cells and sensors
US5725965A (en) * 1995-04-25 1998-03-10 Gas Research Institute Stable high conductivity functionally gradient compositionally layered solid state electrolytes and membranes
US7547334B2 (en) * 2004-01-30 2009-06-16 General Motors Corporation Continuous reactor
US20110091391A1 (en) * 2005-11-14 2011-04-21 Ribi Hans O Discrete tunable sensing elements and compositions for measuring and reporting status and/or product performance
WO2013049696A2 (en) 2011-09-30 2013-04-04 Ribi Hans O Advanced multi-element consumable - disposable products
EP2969582B1 (en) 2013-03-15 2021-06-02 Segan Industries, Inc. Compounds for reducing background color in color change compositions
ITPD20130236A1 (en) 2013-08-22 2015-02-23 Michele Back PHOTO-COMPOSITIONS, SYNTHESIS AND USE OF THE SAME
WO2019068079A1 (en) 2017-09-29 2019-04-04 Cornell University Room temperature stable delta–phase bismuth(iii) oxide

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5211983A (en) * 1975-07-18 1977-01-29 Nissan Motor Co Ltd Oxygen sensor
JPS609978B2 (en) * 1977-08-22 1985-03-14 東レ株式会社 Oxygen ion conductive solid electrolyte
US4279974A (en) * 1977-09-02 1981-07-21 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Solid electrolytic material and use thereof
JPS5916831B2 (en) * 1978-07-24 1984-04-18 日産自動車株式会社 Manufacturing method of membrane structure type oxygen sensor
US4449919A (en) * 1980-07-10 1984-05-22 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Gas combustion apparatus capable of detecting environmental oxygen deficiency
US4330633A (en) * 1980-08-15 1982-05-18 Teijin Limited Solid electrolyte
US4412895A (en) * 1981-09-29 1983-11-01 Westinghouse Electric Corp. System using SO2 as an anode depolarizer in a solid oxide electrolyte electrolysis cell for H2 production from steam
NL8105116A (en) * 1981-11-12 1983-06-01 Philips Nv SENSOR FOR DETERMINING THE OXYGEN CONTENT IN A FLUIDUM.
US4421781A (en) * 1982-03-29 1983-12-20 Tri/Valley Growers Continuous vacuum curing and solvent recovery coating process
JPS6036948A (en) * 1983-08-09 1985-02-26 Ngk Insulators Ltd Electrochemical device
DE3482745D1 (en) * 1983-11-18 1990-08-23 Ngk Insulators Ltd ELECTROCHEMICAL DEVICE WITH A MEASURING ELEMENT.
US4579643A (en) * 1983-11-18 1986-04-01 Ngk Insulators, Ltd. Electrochemical device
JPS60135756A (en) * 1983-12-24 1985-07-19 Ngk Insulators Ltd Production of electrochemical cell
JP2502961B2 (en) * 1984-04-26 1996-05-29 日本碍子株式会社 Method for manufacturing electrochemical device
JPS6130760A (en) * 1984-07-24 1986-02-13 Toyota Central Res & Dev Lab Inc Oxygen sensor and manufacture thereof
JPS61147155A (en) * 1984-12-20 1986-07-04 Ngk Insulators Ltd Electrochemical device
JPH065222B2 (en) * 1985-05-09 1994-01-19 日本碍子株式会社 Electrochemical device
US4659448A (en) * 1985-11-12 1987-04-21 Igr Enterprises Solid state electrochemical pollution control device
JPH01215723A (en) * 1988-02-22 1989-08-29 Japan Steel Works Ltd:The Conductor having high oxygen ion content and excellent conductivity

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004176792A (en) * 2002-11-26 2004-06-24 Nippon Steel Corp Reaction absorbing weight

Also Published As

Publication number Publication date
US5006494A (en) 1991-04-09
NO914160D0 (en) 1991-10-23
EP0470173A4 (en) 1992-05-13
WO1990012767A1 (en) 1990-11-01
NO914160L (en) 1991-10-23
EP0470173A1 (en) 1992-02-12
NO301001B1 (en) 1997-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04505603A (en) stabilized bismuth oxide
Sharma et al. Solubility of TiO2 in BaTiO3
Bennison et al. Grain‐growth kinetics for alumina in the absence of a liquid phase
KR100573758B1 (en) Zirconia-alumina composite ceramic material
DE3787885T2 (en) Zirconium titanium yttrium oxide ceramic hardened by crystal transformation.
JP5427368B2 (en) Optoceramics, optical elements produced from them, applications thereof and imaging optical elements
Kurata et al. Semiconducting–Insulating Transition for Highly Donor‐Dopod Barium Titanate Ceramics
Mandal et al. Solubility of ThO2 in Gd2Zr2O7 pyrochlore: XRD, SEM and Raman spectroscopic studies
Zamir The influence of cation additives on grain‐boundary mobility in yttrium aluminum garnet (YAG)
Patel et al. Effect of yttrium on microstructure, dielectric, ferroelectric and optical properties of BaZr0. 10Ti0. 90O3 nanoceramics
US5183801A (en) Stabilized bismuth oxide
Bongkarn et al. Effect of excess PbO on phase formation and properties of (Pb0. 90Ba0. 10) ZrO3 ceramics
JP2002154873A (en) Zirconia sintered compact excellent in durability
Wang et al. Synthesis and characterization of lanthanide aluminum oxynitrides with magnetoplumbite like structure
JP2001302345A (en) Zirconia sintered body excellent in durability and manufacturing method thereof
Ponnilavan et al. Structural, mechanical, morphological and optical imaging characteristics of Yb3+ substituted zirconia toughened alumina
US4971933A (en) Ternary ceramic alloys of ZR-CE-HF oxides
Guha Reaction chemistry and subsolidus phase equilibria in lead-based relaxor systems Part II The ternary system PbO-MgO-Nb 2 O 5
Mahbub et al. STRUCTURAL CHARACTERISTICS & DIELECTRIC PROPERTIES OF TANTALUM OXIDE DOPED BARIUM TITANATE BASED MATERIALS.
Su et al. Cubic‐to‐Tetragonal Displacive Transformation in Gd2O3–Bi2O3 Ceramics
Xu et al. Structure and phase stability of lead-free antiferroelectric (Na 0.96− x Ca 0.04 Li x)(Nb 0.96 Zr 0.04) O 3 ceramics
Tenevich et al. Effect of aluminum titanate additives on crystal structure parameters and sintering of zirconium dioxide
Zakharov et al. Pyroelectric properties and domain structure of modified lead ferroniobate-based ceramics
JPH0450269B2 (en)
JP2001316178A (en) Crushing/dispersing media of zirconia based sintered compact excellent in durability and abrasion resistance