JPH04503576A - ファブリー・ペロー変調器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ファプリー・ベロー変調器 本発明は、ファプリー・ベロー変調器、特にそれに限定されることはないが、多 量子ウェル変調器を用いるファプリー・ベロー変調器に関する。

ＧａＡｓ−ＡｌＧａＡｓ多量子ウェル（ＭＱＷ）構造の光学特性に対する電界の 効果の最初の観察から、多くの光電子装置が論証され、それらは高められた電気 吸収特性を利用し、２安定性および非２安定性の両方の例えば高速強度変調器お よびハイブリッド光学論理素子等がある。これらの装置はｐｉｎダイオードの真 性領域としてエピタキシアル的に成長したＭＱＷ層を使用し、電気吸収変調器お よび効率的な光検出器として同時に動作可能である。

はぼ２：１のコントラスト比（オン：オフ）は通常約１オングストロームの厚さ のウェルおよびバリヤから構成されるわずか約１μｍのＭＱＷ吸収装置を有する 装置について観察された。この装置の寸法を仮定すると、これは非常に有効であ るが、より良好なコントラスト比が望ましい。「コントラスト比」は装置は供給 されたバイアスによってオンまたはオフに切換えるか否かに関係なく、高：低出 力状態の比を意味する。「変調」は状態の絶対的変化であり、用語「反射」およ び「透過」は０と１の間のみを意味する。

初めに、より良好な変調形態を得るためにＭＱＷ層の厚さを増加させることは単 に明らかであるように思える。しかし１００ｍ３に近似する下限を有したこの層 の背景ドーピングレベルにより複雑であり、ルーチン的にこの値の２倍或いは３ 倍である。これはＯバイアスでさえＭＱＷ材料の吸収エツジを広げるｐｉｎ装置 の真性領域を横切る電界においてかなりの減少を生じさせ、さらに外部バイアス が変調のために装置に供給されるとき、各ウェルにおいて励起子吸収の異なるレ ッドシフトを生成する。バイアスが増加すると、吸収エツジの広がりは供給され た電界のエツジシフトのほぼ放物線の依存性によりさらに悪くなる。故に、透過 或いは反射された光線の強度の大きい変化を生成するのではなく、吸収層の厚さ の増加はより幅の広いスペクトル領域内の吸収変化を分布するように作用し、動 作波長における変調を相対的変化させないように維持する。

適切な計算は、もし残留ドーピングが２×１０１５／ｃｍ３であるならば、全厚 さに対して約１μｍの制限を拘束する１００オングストロームのＡ　Ｉ、３Ｇａ 、７Ａｓのバリヤによって分離された１００オングストロームのＧａＡｓの約４ ５個のウェルを使用することが最良である。

ＭＱＷの厚さを増加させるに伴う第２の問題は、吸収の所定の変化を誘起するの に必要とする付加的なバイアス電圧である。これはまた例えば６０オングストロ ームの狭い量子ウェルを使用する主な欠点であり、その場合、吸収の変化は吸収 エツジにおける増加した０バイアス励起子発振器強度、および電界により励起し た広がりに対する励起子の大きい抵抗によりさらに大きくすることが可能である が、供給された電界を有する吸収エツジのシフトはさらに減少される。ＭＱＷ装 置は高い帯域幅の光相互接続を形成するためにＳＬベースのＬＳＩ電子装置によ って２次元アレイに集積されることが提案された。この場合、そのような変調器 または論理ゲートの駆動電圧は数ボルトまでに制限される。

変調を改良する１方法は、装置はその吸収装置の厚さの制限を有し、駆動電圧は ＭＱＷｐｉｎダイオードをファプリー・ベロー赤エタロンに結合することによっ て実効的光路長を増加することである。

低反射率の正面および高反射率の背面を有する反射変調器として動作する非対称 ファプリー・ベロー変調器が提案された（１９８９年２月、ＷｈＮ！ｈｅａｄ　 Ｍ、、　Ｐａｒｒ７　Ｇ、およびＷｈｕｔｌｅ７Ｐ６氏による”Ｉｎｙｅｓｔｉ ｇ＋＋目ｏｎ　ｏｆ　ｅｊｍｌｏｎ　ｅｆｆ！ｃｔｓ　ｉｎ　ＧａＡｓ−ＡｌＧ ａＡｓ　ｍｕｌｔｉｐｌｅ　ｑｕａｎｔｕｍ　ｗｅｌｌ　ｍｏｄｕｌａｔｏｒｓ ″、　ＩＥＥ　ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ、　Ｍｏ１．１３６．　ＰＣＪ、　Ｎｏ ｔ、　５２乃至２８頁参照）。

そのような装置のモデルは約８０％の反射率の最大変化を示した。しかしながら 、大きい絶対変化だけではなく大きい変調深度またはコントラスト比、すなわち 最大および最小反射率の比を有することは望ましい。本発明の目的は、改良され たコントラスト比を有する非対称ファプリー・ベロー変調器を提供することであ る。したがって、異なる反射率の正面および背面反射面により限定された共振空 洞を具備し、電気吸収手段を含み、吸収は空洞の反射率が空洞の共振周波数にお いて実質上ゼロであるような値に対して電気バイアス信号の供給によって増加さ れることが可能であるファプリー・ベロー変調器が提供される。

前述の高精度反射変調器とは異なり、本発明は空洞の非対称特性により０バイア スで高い反射状態を維持する哄振波長で動作するので、非共振装置と比較して改 良された挿入損失を与える。高いコントラストの変調は本発明にしたがい空洞中 の電気吸収手段を実質上Ｏの反射率の臨界値にバイアス同調することによって達 成される。

電気吸収手段は多量子ウェル（ＭＱＷ）構造が好ましく、特にＧａＡｓ−ＡｌＧ ａＡｓ　ＭＱＷ構造が好ましい。

空洞長は反射共振がバイアスされないＭＱＷ吸収エツジの数ナノメータの長波長 側に生じるように選択される。その場合、吸収係数αは初めは低く、共振反射は 高い。ＭＱＷの電気吸収特性は空洞を同調するために使用されることが可能であ るので、空洞の反射、すなわち空洞の正面に入射した光信号に与えられた反射率 はＭＱＷへの適切なバイアス信号の供給の際に０に近似するように変化する。

正面の反射率は理想的な表面の反射率からの変位およびＭＱＷの吸収係数の温度 効果に対する不感度率に関して高精度ＭＱＷファプリー・ベロー変調器で十分な 利点を得るために約４５％未満であることが好ましい。正面は通常ＭＱＷ変調器 の非処理表面である。

本発明の実施例は単なる例示であり添付図面を参照にして以下説明される。

第１図は、本発明によるモデル的なファプリー・ベロー変調器の概略図である。

第２図は、第１図の実施例の計算されたバイアスされた反射率およびバイアスさ れない反射率のグラフである。

第３図は、第１図の実施例の入力波長と対照的に計算された変化のグラフである 。

第４図は、第１図の例示的な実施例に対応する装置の実際のバイアスされた反射 率およびバイアスされない反射率のグラフである。

第５図は、第１図の模範的な構造を使用する第４図の装置の計算されたバイアス された反射率およびバイアスされない反射率のグラフである。

第６図は、本発明のさらに３つのシミュレートされた実施例のグラフである。

第１図を参照にすると、自然半導体表面よって形成された反射率Ｒの反射正面６ および反射率Ｒ６の反射背面８によって限定された共振空洞４を具備するファプ リー・ベロー変調器２が示されている。空洞４はＡｌＧａＡｓのＰ＋領域１０と 、１００オングストロームのＧａＡｓウェルおよび１００オンした単一の１２段 多層後方反射装置積層体１４から形成され、反射率Ｒ＝０１およびＲ，＝０．９ ５を有する多量子ウェルｐｉｎダイオードから構成されている。段数を少なくす ると、後方反射率が低くなり、段数が増加すると反射率は増加するが、反射率Ｒ １の実際値はまた相対屈折率によって積層の構成成分によって決定される。ＭＱ Ｗ装置の吸収係数は既知の方法でバイアス電圧の供給と共に変化されることがで きる。第１図の共振ＭＱＷエタロン変調器は簡単な方法で形成され、電界により 励起した吸収においてさらに増加が生じ、良好な重点およびＭＱＷ層の屈折率が 変化し、空洞を形成する多層の細部を詳しく検討するのではなく、基本共振空洞 の特性と組合わせる方法によって形成される。例えば、誘電体積層ミラーのスペ クトル反射率特性をシミュレートするのに必要な多重マトリックス式計算を避け ている。主な近似値は以下のように形成される： （ａ）スペクトル分散および０バイアスの空洞屈折率の空間的な変化は無視され る。「空間的な変化」とは空洞を形成することができるＧａＡｓおよびＡ　Ｉ　 ＧａＡｓの異なる層の屈折率を意味する。３．３７の加重された平均屈折率ｎ　 は典型的なＭＱＷｐｉｎ構造の実効的なＡｌＧａＡｓの内容および発表されたこ の材料の実験的な屈折率データに基づいて８５Ｑｎｍにおける空洞に対して計算 され、これは終始一定に保持された。これに対する理由は、装置動作について考 慮する小さい波長帯域において、屈折率のスペクトル変化は非常に小さいので変 調特性に大きい影響がないためである。さらに、計算された平均屈折率はおおよ そ動作波長におけるＧａＡｓの屈折率とＡｌＧａＡｓの屈折率の間に位置するか ぎり、所定の精度の空洞により達成できる変調の大きさに全く影響はない。供給 された電界によって生じた屈折率の変化の影響はより重要である。

（ｂ）空洞ミラーは「硬質」反射器であると仮定される、すなわち実用的な装置 に使用されるミラーの有限の厚さは無視され、全反射が空洞材料とミラーとの間 の境界面で生じると仮定する。これらは（高精度が必要とされるとき）異なる屈 折率の誘電体の１／４波長の多重倍のプラズマ付着（誘電体の場合において）か ら構成することが好ましく、ｐｉｎ構造のｐおよびｎ領域として蒸着或いはエピ タキシアル的に集積されることができる。正面および背面の反射率が達成される 方法の具体的な詳細は適切な装置変調特性の計算にとって臨界的ではない。

（ｃ）線形電気−光学（Ｌ　Ｅ　Ｏ）効果は含まれず、ここで検討された領域外 での長い波長でのみ電気屈折効果に匹敵することが予測される。変調へのＬＥＯ 貢献の偏光依存性は最近高精度装置によって観察された。

第１図の装置の空洞長はＬであり、約２，６μｍの値で設定され、関係する波長 領域内にＦ−Ｐ共振を位置させ、また典型的なエピタキシアル的な構造の厚さで 維持されている。ＭＱＷ活性層は厚さｄからなり、０，９６μｍの一定値に保持 され、前述のように電界により励起した広がりを検討する。これは電気吸収を決 定するために使用された装置中のＭＱＷの厚さである、したがって、それは電気 屈折スペクトルである。半波長の２０倍または任意の整数倍の空洞長の使用は上 記式によって説明されたようなシミュレーションを補正する。なぜなら所望の波 長においいてＦ−Ｐ共振を位置させるからである。

第１図の構造が全部の多層のマトリックス計算方法を使用することによって形成 されるとき、高精度の装置（単純なＡｌＧａＡｓ層の代りに上面に別の多重積層 を有する）の場合、空洞の厚さく長さ）ＬはＭＱＷの厚さによってのみ限定され る、すなわちＭＱＷ／ＭＬＳ境界面はミラー反射点を限定する。この場合、空洞 の厚さＬは実際１７２波長（動作波長）の整数倍である。しかしながら、非対称 構造を形成するとき、空洞は恐ら＜　ＭＱＷ＋Ａ　Ｉ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ上部層の 全厚さによって限定され、この場合、必要な波長にＦ、Ｐ、共振を位置するため に、厚さＬは１／４波長の奇数倍でなければならない。

非対称により、空洞は高精度の場合と微妙に異なるが、上記観察は多層シミュレ ーションプログラムへのアクセスによって他の研究者によって確認された。平均 屈折率ｎ　および線形吸収α（ＭＱＷ領域内のみ）を有する第１図のような空洞 に対して、垂直の入射における平面波近似値において、透過Ｔおよび反射Ｒは次 の式によって与えられる：Ｔ　”　Ａ　Ｒ＝　（Ｂ　＋　Ｆ　５ｉｎ２（ｓ）（ １＋　Ｆ　５ｉｎ２φ）　（１＋　Ｆ　５ｉｎ２φ）Ｒａ　”　（ＲｆＲｂ）ｅ −αｄφ：２１ｒｎｍＬ／λ空洞高精度　□　（ｙ／２）　Ｆｌ／”１００オン グストロームのＡＩ　Ｇａ　Ａｓバリヤと共０．４　０．６ に１００オングストロームのＧａＡｓ量子ウェルを含むＭＱＷｐｉｎダイオード の室温充電流測定から、波長範囲７５０乃至９２０ｎｍ内の一電気吸収スベクト ルが予め決定されている。このデータのクレーマφケーニッヒ（Ｋｒａｍｅｒｓ ４ｒ’ｏ’ｎｉｇ）積分を実行することによって、電気屈折に対応するスペクト ルを得る。波長範囲７８０乃至９００ｎｍ外側の吸収の極小変化によって、クレ ー７・ケーニッヒ積分の制限としてこれらを設定する。これらのスペクトルは実 際に電界により励起した「禁制」転移からの可能な影響を考慮する。それはｎ＝ ２の側帯エツジより低いエネルギでＭＱＷ吸収エツジより上で生じ、供給された 高い電界における吸収スペクトルを優勢に始める。

空洞長は反射共振がバイアスされないＭＱＷ吸収エツジの長い波長側面に対して 数ｎｍ生じるように選択され、その場合αは初めは低いならば、共振反射は高く 　（α−０のとき近似的に最大値０．８３）維持しなければならない。ＭＱＷの 電気吸収特性は空洞を同調するために使用されることが可能であるので、Ｒは０ にできるだけ近付く。これは以下示される条件を要求する： ａ　ｄ　−０，５１ｎ　（Ｒｂ　／　Ｒｔ　）　（１）ここで、選択された反射 率に対して、αｄは近似的に０．５８である。これは１（［）オングストローム のウェルおよびバリヤの１μｍより少く、ＭＱＷにおいて容易に達成できる。

第２図は、第１図の装置に対する１２Ｖのバイアスされた（オフ）反射率スペク トルおよびＯＶのバイアスされない（オン）反射率スペクトルを示す。バイアス されないスペクール励起子吸収はそれぞれほぼ８４４ｎｍおよびほぼ８５１ｎｍ において最小限として考えられることができる。空洞共振はほぼ８６２ｎｍにお いては不明瞭であり、領域内の波長が増加すると吸収の急速な減少によって強く 歪む。適切な動作波長は挿入損失（この場合３ｄＢ）の所定の上限に対して最大 コントラストを与えるために計算方式によって自動的に選択される。適切な波長 を発見した後は、空洞長はその波長に空洞共振を位置させるように設定される。

別々の多層反射率計算は、組合わされたＡｌＧａＡｓおよびＭＱＷの厚さが上記 詳細に説明されたような必要な地点に共振を位置するためにλ／４の奇数倍でな ければならないことを示した。ＭＱＷの厚さｄは１．２０μｍの値で任意に設定 され、６０階の１００オングストロームのＧａＡｓ＋１００オングストロームの ＡＩ、３Ｇａｏ、　７Ａ　Ｓを示す。８６２．８ｎｍの波長において、バイアス されない反射率は０．５５２でありバイアスされた反射率は［１，００２４２に 減少される。２２７　：　ｌのコントラストおよび２．６ｄＢの挿入損失である 。

第３図は、コントラストが２．５６０μｍの固定した空洞長に対して入力波長と 共に変化する形態を示す。変調スペクトルは２ｎｍのＦＷＨＭを有する。これは 非常に高いコントラストを達成することは実際にはより難しい高精度対称空洞に 対してほぼＱ、５ｎｍ未満で有利に比較される。これはバイアスされない反射率 ゼロ法を行うために、ＭＱＷ吸収エツジから離れて動作する、或いはバイアスさ れない空洞吸収を考慮して正確に整合されなければ、ミラー反射率は共に高く且 つほぼ著しくしなければならない。

装置に関して、バイアスを変化させることは可能である、すなわち吸収エツジに 近い波長範囲内の最小値により反射率を同調することは可能であることがここで 説明された。したがって、成長または設計の不正確性による反射共振の位置にお けるエラーはある程度補償されることが可能である。バイアス電圧の最適化によ り少なくとも２０：１のコントラストが最長波長における１、３ｄＢに減少する 挿入損失によって８５５乃至８６５ｎｍの範囲内で達成されることができること を計算の範囲が示している。

ＭＱＷのｐｉｎ構造内の後方反射積層のエピタキシアル的な集積は第１図の非対 称ファプリー・ペロー変調器（ＡＦＰＭ）を製造する最適な方法である。装置の 基本動作特性を示すために、初めに正面において自然半導体：空気反射率を残す ように、高反射金被覆を背面に適用することによって現在あるＭＱＷのｐｉｎ透 過変調器を変更した。これは上述の仕様に近似する薄い非対称空洞（く３μｍ） を与える。ＭＱＷ構造はＭＯＶＰＥによって成長され、６０オングストロームの ＡＩ　Ｇａ　Ａｓバリヤを有する５０Ｘ９０オンゲストローＯｊ　Ｏ，７ ムのＧａＡｓｆ１子ウェルを含む。完全な構造は最適にされないが、達成された 反射率変調はＩＶ当りのコントラストに関して結果的に従来得られたものに対し て著しく改善された。

第４図は、７，６ｖの適切なバイアスに対するオン：オフスペクトルを示す。８ ６１ｎｍにおいて、コントラストは６ｄＢ（４：ｌ　）であり、挿入損失はほぼ ２．４ｄＢである。９ｄＢに及ぶ所定のコントラストを与える８０乃至１００の 量子ウェルを含む共振反射変調器はＡＦＰＭのバイアスの２倍以上のバイアスを 必要とする。

実験の結果と試験構造の形成された特性との非常に良好な一致が第５図に示され ている。達成されたコントラストはＭＱＷ吸収エツジかられずかに離れるＦ−Ｐ 共振と結合されるように、上記式（１）を満足する空洞中のＭＱＷ材料が不十分 であるために制限される。共振波長における挿入損失は恐らく過少評価される吸 収後部によって計算された損失よりも高い。

Ｍ、　Ｗｈｉｌ！ｈｅａｄ　Ａ、　ＲｉｖｅｒｓＳＧ、　Ｐａｒｒｌ　１．　Ｓ 、　Ｒｏｂｅｒ４ｓ　、Ｃ，Ｂｕｔｔｏｎ氏による論文（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓ　Ｌｅ目ｅｒｓ　Ｖｏｌ　２５　Ｎｏ、　１５．１９８９年７月２０日、　” Ｌｏｗ　Ｖｏｙａｇｅ　Ｍｕｌｔｉｐｌｅ　Ｑｕｇｎｊｕｍ　Ｗｅｌｌ　ＲＣｆ ｌｅｃｊｉｏｎ　Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ　ｗｉｔｈ　ｏｎ：ｏｆｆ　ｒａｊｉｏ　 ＞　１００ニド）では、高いコントラストの論証が報告されている。本発明によ る低電圧多量子ウェル反射変調器は、活性ＭＱＷ層と、後方ミラーとしての半導 体の１／４波長反射装置積層体とを有するエピタキシアル的に積分された非対称 ファプリー・ベロー変調器を具備し、前方ミラーは半導体／空気境界によって簡 単に限定される。これは約３．５ｄＢの挿入損失およびわずか９Ｖのバイアスに より垂直入射において１００；１より多いコントラスト率を達成する。４０％以 上の反射率変化は７ｎｍの光学帯域幅内で得られる。

特定の構造および製造方法の詳細および実験は上記項目に含まれ、その全内容は ここでは参照として示されている。

ＭＱＷ変調器は大規模電子プロセッサ間の光相互接続のための魅力的な境界装置 であることが示唆された。たった５Ｖバイアスで動作するＡＦＰＭに対する予想 を決定するためのシミュレーションを実行した。これは現在のＣＭＯ３に匹敵す る。計算は実験と良好に一致している標準構造を使用して９−１０Ｖのバイアス で２０ｄＢより多いコントラストを示す。

バイアスを５ｖまで減少することは適切な装置に対して約１５ｄＢのコントラス トを許容するべきである。その場合共振波長はＭＱＷ吸収エツジにより接近する ように移動される。さらに３ｄＢの挿入損失の上限において約３，３ｖに過ぎな いバイアスで１０ｄＢのコントラストを得ることが可能である。

全計算および実験による結果は１００オングストロームのＧａＡｓウェルおよび ６０オングストロームのＡ　Ｉ　ＧａＡｓバリヤを有するＭＱＷ構造を含む装置 によるものであることに注意すべきである。ＡｌＧａＡｓバリヤは光学的に不活 性であり（ウェル吸収のみ）、装置のバイアス電圧を減少するためにその厚さを さらに約４０オングストロームまで減少することも技術的範囲にある。

５Ｖに固定されたバイアス電圧によって、ＭＱＷ領域を横切る電界は厚さが増加 すると共に減少する。０．５μｍのＭＱＷに対して、電界は吸収エツジのかなり のシフトを誘起させるように十分に高いので、コントラストは範囲内で完全に均 一に維持される。もっと厚いＭＱＷ領域に対しては、吸収エツジに接近する波長 におけるコントラストが改良されるだけであり、その場合減少しいた電界はなお 効果がある。コントラストの減少はＭＱＷの厚さが増加する（電界が減少する） と共により急速になる。損失は動作波長およびＭＱＷの厚さの両方に対してかな り不感であることにさらに注意しなければならない。

他の電気吸収材料はＭＱＷの代りに例えばバルクＧａＡｓまたはＩｎＰに代用で きる。しかしながら、必要に応じて厚い活性層に対して増加したバイアス電圧を 必要とする。本発明によるファプリー・ペロー形態はまた波長選択性で高い量子 効率光検出器として潜在的に利用される。ＡＦＰＭに対して、反射されない共振 波長におけるバイアスは吸収され、この場合Ｒ１は１に近くされ（０，９５より 大）、ＴとＲの合計はたりた約ｌθ％であり、最適化によってより少ない（一般 に、反射されない高精度構造は透過され或いはその反対である）。

実験はこれを確認している。〜８６５ｎｍにおいて、バイアスにより、光電流は 第４図の装置に対して約１０倍増加する。

波長　（ｎｍｌ 波長　（ｎｍｌ 波長　（ｎｍ） ζ座長　（ｎｍｌ 異なるＭＱＷ厚さの５Ｖの固定バイアスで国際調査報告

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. １．異なる反射率の反射正面および背面によって限定された共振空洞を具備し、 電気吸収手段を含み、その吸収は空洞の反射率が空洞の共振周波数において実質 上ゼロまで低下するような値までのバイアス信号の供給によって増加されること ができるファプリー・ペロー変調器。
2. ２．多量子ウエル構造を具備している請求項１記載の変調器。
3. ３．ＧａＡｓ−ＡｌＧａＡｓ多量子ウエル構造を具備している請求項２記載の変 調器。
4. ４．複数の１００オングストロームのＧａＡｓウエル、および１００オングスト ロームのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓバリヤ真性領域を具備している請求項３記載 の変調器。
5. ５．複数の９０オングストロームのＧａＡｓウエルおよび６０オングストローム のＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓバリヤ真性領域を具備している請求項３記載の変調 器。
6. ６．多量子ウエル構造は６０オングストローム以下の厚さのバリヤ真性領域を有 している請求項２乃至５のいずれか１項記載の変調器。
7. ７．多量子ウエル構造は４０オングストローム以下の厚さのバリヤ真性領域を有 している請求項２乃至５のいずれか１項記載の変調器。
8. ８．多量子ウエル構造は０．５μｍ以上の厚さである請求項２乃至７のいずれか １項記載の変調器。
9. ９．ＧａＡｓ　ｎ＋基体上にエピタキシアル的に成長した多層後方反射装置積層 体を含む請求項１乃至８のいずれか１項記載の変調器。
10. １０．反射正面は多量子ウエル構造の表面を備えている請求項２乃至９のいずれ か１項記載の変調器。
11. １１．多量子ウエル構造はｐｉｎダイオードの一部分である請求項２乃至１０の いずれか１項記載の変調器。
12. １２．正面の反射率は４５％未満である請求項１乃至１１のいずれか１項記載の 変調器。