JPH044350Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH044350Y2 JPH044350Y2 JP6764685U JP6764685U JPH044350Y2 JP H044350 Y2 JPH044350 Y2 JP H044350Y2 JP 6764685 U JP6764685 U JP 6764685U JP 6764685 U JP6764685 U JP 6764685U JP H044350 Y2 JPH044350 Y2 JP H044350Y2
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- JP
- Japan
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- grid
- electron beam
- cathode
- control grid
- electron
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 21
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、グリツド制御マイクロ波管のグリツ
ド構造に関するものである。
ド構造に関するものである。
近年、レーダ用もマイクロ波管は、レーダの性
能、特にECM機能を向上させるため、発振管で
あるマグネトロンから増幅管である進行波管やク
ライストロンに移行する傾向にある。
能、特にECM機能を向上させるため、発振管で
あるマグネトロンから増幅管である進行波管やク
ライストロンに移行する傾向にある。
従来マイクロ波管を動作させる変調器は、カソ
ード変調方式を利用していたが、小電力でパルス
制御のできるグリツド変調方式の採用が増加して
いる。しかるにグリツド変調方式で動作させるマ
イクロ波管においては、管球のカソードと陽極あ
るいはボデイ電極(遅延回路)の間に電子ビーム
制御用のグリツド電極が必要である。
ード変調方式を利用していたが、小電力でパルス
制御のできるグリツド変調方式の採用が増加して
いる。しかるにグリツド変調方式で動作させるマ
イクロ波管においては、管球のカソードと陽極あ
るいはボデイ電極(遅延回路)の間に電子ビーム
制御用のグリツド電極が必要である。
〔考案が解決しようとする問題点〕
上述したグリツド電極は、電子ビームを小電力
(数百ボルト)でパルス制御するコントロールグ
リツドと電子ビームがコントロールグリツドに直
接注入することを防止するためのシヤドウグリツ
ドで構成されている。これらのグリツド電極は、
およそ1050℃の高温のカソードに非常に近接して
おり、また、各々のグリツドどうしの間隔は0.3
〜0.5mm程度に設けられているため、カソードか
らの電子放射物質、例えばバリウム、カルシウム
などが付着し易く、突起を生じその部分に電界が
集中してグリツド間でスパーク(放電絶縁破壊)
を生じ管球に致命的な破損をもたらす危険があつ
た。
(数百ボルト)でパルス制御するコントロールグ
リツドと電子ビームがコントロールグリツドに直
接注入することを防止するためのシヤドウグリツ
ドで構成されている。これらのグリツド電極は、
およそ1050℃の高温のカソードに非常に近接して
おり、また、各々のグリツドどうしの間隔は0.3
〜0.5mm程度に設けられているため、カソードか
らの電子放射物質、例えばバリウム、カルシウム
などが付着し易く、突起を生じその部分に電界が
集中してグリツド間でスパーク(放電絶縁破壊)
を生じ管球に致命的な破損をもたらす危険があつ
た。
本考案の目的は、上記の欠点を除去し長期間に
わたつて安定に動作するグリツド制御マイクロ波
管の電子銃装置を提供することである。
わたつて安定に動作するグリツド制御マイクロ波
管の電子銃装置を提供することである。
本考案は、電子ビームを放出する陰極と、電子
ビームをパルス制御するコントロールグリツド
と、陰極とコントロールグリツドとの間に設置さ
れたシヤドウグリツドと、電子ビームを集束する
集束電極と、電子ビームを加速する電極とを備え
たグリツド制御マイクロ波管の電子銃装置におい
て、電子ビームを小電力でパルス制御するグリツ
ド電極の内、シヤドウグリツドと対向する側のコ
ントロールグリツドのビーム通過孔にテーパを設
けることによりカソードからの電子放射物質等の
付着による電界集中を低減させるようにしたこと
を特徴とする。
ビームをパルス制御するコントロールグリツド
と、陰極とコントロールグリツドとの間に設置さ
れたシヤドウグリツドと、電子ビームを集束する
集束電極と、電子ビームを加速する電極とを備え
たグリツド制御マイクロ波管の電子銃装置におい
て、電子ビームを小電力でパルス制御するグリツ
ド電極の内、シヤドウグリツドと対向する側のコ
ントロールグリツドのビーム通過孔にテーパを設
けることによりカソードからの電子放射物質等の
付着による電界集中を低減させるようにしたこと
を特徴とする。
本考案について図面を参照して詳細に説明す
る。第1図は、本考案の電子銃装置の断面図でグ
リツド制御マイクロ波管の電子銃1は、球面状の
カソード2に近接して同じく球面上のシヤドウグ
リツド3およびコントロールグリツド4がありヒ
ータ5によつて加熱されてカソード2から電子ビ
ームが2個のグリツド3,4のそれぞれ目合せし
て設けられたビーム通過孔13,14を通り抜け
集束電極6および陽極7で静電集束され更に軸方
向の磁界により磁界集束されて、ドリフト管8を
通つてコレクタ(図示せず)に到達する。また、
電子ビームをパルス制御するために設けられたシ
ヤドウグリツド3は、カソード2と同電位になつ
ており電子ビームがコントロールグリツド4へ衝
突するのを防止する。コントロールグリツド4
は、シヤドウグリツド3と0.3〜0.5mm程度の間隔
で配置され、絶縁体9によつてカソード2と絶縁
しカソード電位に対しプラス数百ボルトのパルス
電圧が加えられ、このパルス電圧に同期した電子
ビームがカソード2から取り出される。
る。第1図は、本考案の電子銃装置の断面図でグ
リツド制御マイクロ波管の電子銃1は、球面状の
カソード2に近接して同じく球面上のシヤドウグ
リツド3およびコントロールグリツド4がありヒ
ータ5によつて加熱されてカソード2から電子ビ
ームが2個のグリツド3,4のそれぞれ目合せし
て設けられたビーム通過孔13,14を通り抜け
集束電極6および陽極7で静電集束され更に軸方
向の磁界により磁界集束されて、ドリフト管8を
通つてコレクタ(図示せず)に到達する。また、
電子ビームをパルス制御するために設けられたシ
ヤドウグリツド3は、カソード2と同電位になつ
ており電子ビームがコントロールグリツド4へ衝
突するのを防止する。コントロールグリツド4
は、シヤドウグリツド3と0.3〜0.5mm程度の間隔
で配置され、絶縁体9によつてカソード2と絶縁
しカソード電位に対しプラス数百ボルトのパルス
電圧が加えられ、このパルス電圧に同期した電子
ビームがカソード2から取り出される。
本考案は、第2図の拡大図に示すように電子銃
のシヤドウグリツド3と対向する側のコントロー
ルグリツド4の電子ビーム通過孔14の孔径をテ
ーパを付けて広げた構造としたことを特徴として
いる。カソードからの電子放射物質は、コントロ
ールグリツド4の電子ビーム通過孔14のテーパ
部に主として付着するのでエツジが生じず、した
がつて、電界が集中するのを避けることができ
る。なお、コントロールグリツド4の電子ビーム
通過孔14の外側の端部は急峻となつており、そ
こにも電子放射物質が付着するが、シヤドウグリ
ツド3の電子ビーム通過孔の内側の端部との距離
が相当あるので電界はそれほど強くならない。こ
の構造により、カソードからの電子放射物質等が
両グリツドの電子ビーム通過孔13,14の端部
に付着しその部分に電界が集中してグリツド間で
スパーク現象を起こすことを低減できる。また、
この構造によれば、電子銃装置の電気的特性を変
化なく動作できることになる。
のシヤドウグリツド3と対向する側のコントロー
ルグリツド4の電子ビーム通過孔14の孔径をテ
ーパを付けて広げた構造としたことを特徴として
いる。カソードからの電子放射物質は、コントロ
ールグリツド4の電子ビーム通過孔14のテーパ
部に主として付着するのでエツジが生じず、した
がつて、電界が集中するのを避けることができ
る。なお、コントロールグリツド4の電子ビーム
通過孔14の外側の端部は急峻となつており、そ
こにも電子放射物質が付着するが、シヤドウグリ
ツド3の電子ビーム通過孔の内側の端部との距離
が相当あるので電界はそれほど強くならない。こ
の構造により、カソードからの電子放射物質等が
両グリツドの電子ビーム通過孔13,14の端部
に付着しその部分に電界が集中してグリツド間で
スパーク現象を起こすことを低減できる。また、
この構造によれば、電子銃装置の電気的特性を変
化なく動作できることになる。
以上説明したように、本考案の電子銃構造によ
り、構造を複雑にすることなしにグリツド間のス
パークを防止し安定なグリツド制御マイクロ波管
を提供できる。
り、構造を複雑にすることなしにグリツド間のス
パークを防止し安定なグリツド制御マイクロ波管
を提供できる。
第1図は、本考案の1実施例の縦断面図、第2
図はグリツド部分の拡大図である。 1……電子銃、2……カソード、3……シヤド
ウグリツド、4……コントロールグリツド、5…
…ヒータ、6……集束電極、7……陽極、8……
ドリフト管、9……絶縁体、13……シヤドウグ
リツドのビーム通過孔、14……コントロールグ
リツドのビーム通過孔。
図はグリツド部分の拡大図である。 1……電子銃、2……カソード、3……シヤド
ウグリツド、4……コントロールグリツド、5…
…ヒータ、6……集束電極、7……陽極、8……
ドリフト管、9……絶縁体、13……シヤドウグ
リツドのビーム通過孔、14……コントロールグ
リツドのビーム通過孔。
Claims (1)
- 電子ビームを放出する陰極と、電子ビームをパ
ルス制御するコントロールグリツドと、前記陰極
とコントロールグリツドの間に設置されたシヤド
ウグリツドと、電子ビームを集束する集束電極
と、この集束電極に対向して設けられた前記電子
ビームを加速する加速電極とを有するグリツド制
御マイクロ波管の電子銃装置において、前記シヤ
ドウグリツドと対向する側のコントロールグリツ
ドのビーム通過孔の孔径をテーパを付けて広げた
ことを特徴とするマイクロ波管用電子銃装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6764685U JPH044350Y2 (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6764685U JPH044350Y2 (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61184266U JPS61184266U (ja) | 1986-11-17 |
JPH044350Y2 true JPH044350Y2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=30601659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6764685U Expired JPH044350Y2 (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH044350Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-05-08 JP JP6764685U patent/JPH044350Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61184266U (ja) | 1986-11-17 |
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