JPH04369616A - 短波長光源およびその製造方法 - Google Patents
短波長光源およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH04369616A JPH04369616A JP14748391A JP14748391A JPH04369616A JP H04369616 A JPH04369616 A JP H04369616A JP 14748391 A JP14748391 A JP 14748391A JP 14748391 A JP14748391 A JP 14748391A JP H04369616 A JPH04369616 A JP H04369616A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- light source
- optical substrate
- conversion element
- rare earth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- -1 thulium ion Chemical class 0.000 claims abstract description 38
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 52
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 23
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 22
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910010278 TiOPO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、コヒーレント光源を
応用した光情報処理または光応用計測制御の分野に用い
られる短波長光源およびその製造方法に関するものであ
る。
応用した光情報処理または光応用計測制御の分野に用い
られる短波長光源およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の赤外半導体レーザを用いた短波長
光源としては、主として２つの構成がある。１つの短波
長光源としては、赤外半導体レーザと、非線形光学効果
を持つ誘電体基板とから構成され、赤外半導体レーザに
より出射した赤外光を直接短波長に変換する、いわゆる
第２高調波発生（ＳＨＧ）を利用したものがある。この
技術について、詳しくは、”応用物理学会（１９８８）
，谷内他”等に述べられている。このような短波長光源
は、小型および軽量であり、赤外半導体レーザから出射
した赤外光を直接変調できるメリットがある。しかしな
がら、現状の半導体レーザは単一モード出力が１００〔
ｍＷ〕程度であり、波長変換の出力効率としては、１％
程度しか得られない。したがって、上記短波長光源の出
力は１〔ｍＷ〕程度に留まっている。また、赤外半導体
レーザが出射した赤外光を直接波長変換する際には、半
導体レーザの出射光の横モードが円形でないために、出
力された短波長光は円形ではなく、集光しにくいという
欠点もある。
光源としては、主として２つの構成がある。１つの短波
長光源としては、赤外半導体レーザと、非線形光学効果
を持つ誘電体基板とから構成され、赤外半導体レーザに
より出射した赤外光を直接短波長に変換する、いわゆる
第２高調波発生（ＳＨＧ）を利用したものがある。この
技術について、詳しくは、”応用物理学会（１９８８）
，谷内他”等に述べられている。このような短波長光源
は、小型および軽量であり、赤外半導体レーザから出射
した赤外光を直接変調できるメリットがある。しかしな
がら、現状の半導体レーザは単一モード出力が１００〔
ｍＷ〕程度であり、波長変換の出力効率としては、１％
程度しか得られない。したがって、上記短波長光源の出
力は１〔ｍＷ〕程度に留まっている。また、赤外半導体
レーザが出射した赤外光を直接波長変換する際には、半
導体レーザの出射光の横モードが円形でないために、出
力された短波長光は円形ではなく、集光しにくいという
欠点もある。
【０００３】また、もう１つの短波長光源としては、赤
外半導体レーザと、希土類をドープさせた光学基板と、
波長変換素子とを組み合わせたものがある。この技術に
ついては例えば“レーザハンドブック，レーザ学会編（
１９８２）”に詳しく紹介されている。この構成では、
赤外半導体レーザより出射された赤外光により光学基板
内の希土類イオンを励起させ、この希土類イオンが放射
する赤外光を基本波として波長変換素子に入射し、波長
変換素子により第２高調波の短波長のレーザ光を発生す
るものである。この従来技術の短波長光源の構成を図４
に示す。
外半導体レーザと、希土類をドープさせた光学基板と、
波長変換素子とを組み合わせたものがある。この技術に
ついては例えば“レーザハンドブック，レーザ学会編（
１９８２）”に詳しく紹介されている。この構成では、
赤外半導体レーザより出射された赤外光により光学基板
内の希土類イオンを励起させ、この希土類イオンが放射
する赤外光を基本波として波長変換素子に入射し、波長
変換素子により第２高調波の短波長のレーザ光を発生す
るものである。この従来技術の短波長光源の構成を図４
に示す。
【０００４】図４において、３１は半導体レーザ、３２
は希土類元素をドープした光学基板、３３はＫＴＰ（Ｋ
ＴｉＯＰＯ４ ）結晶より構成された波長変換素子、３
４，３５はミラーであり、レーザの共振器を構成する。 光学基板３２は、ＹＡＧ（Ｙ３ Ａｌ５ Ｏ１２） 結
晶により構成されたものであり、希土類としてＮｄイオ
ンが１〔％〕〜１０〔％〕ドーピングされており、これ
の励起波長は８０９〔ｎｍ〕である。
は希土類元素をドープした光学基板、３３はＫＴＰ（Ｋ
ＴｉＯＰＯ４ ）結晶より構成された波長変換素子、３
４，３５はミラーであり、レーザの共振器を構成する。 光学基板３２は、ＹＡＧ（Ｙ３ Ａｌ５ Ｏ１２） 結
晶により構成されたものであり、希土類としてＮｄイオ
ンが１〔％〕〜１０〔％〕ドーピングされており、これ
の励起波長は８０９〔ｎｍ〕である。
【０００５】このように構成された従来の短波長光源で
は、波長８０９〔ｎｍ〕で発振する半導体レーザ３１の
出射光を光学基板３１に入射すると、ドープしたＮｄイ
オンより波長１０６４〔ｎｍ〕の光が放射される。そし
て、この光学基板３１から放射した波長１０６４〔ｎｍ
〕の光が、共振器を構成するミラー３４，３５間に配置
された波長変換素子３３により第２高調波である波長５
３２〔ｎｍ〕の緑色レーザ光３６に変換された後、ミラ
ー３５より出射される。
は、波長８０９〔ｎｍ〕で発振する半導体レーザ３１の
出射光を光学基板３１に入射すると、ドープしたＮｄイ
オンより波長１０６４〔ｎｍ〕の光が放射される。そし
て、この光学基板３１から放射した波長１０６４〔ｎｍ
〕の光が、共振器を構成するミラー３４，３５間に配置
された波長変換素子３３により第２高調波である波長５
３２〔ｎｍ〕の緑色レーザ光３６に変換された後、ミラ
ー３５より出射される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された従来の短波長光源では、波長５３２〔ｎ
ｍ〕の緑色レーザ光３６より短い波長のレーザ光を発生
させることは困難である。光学基板３１にドープしたＮ
ｄイオンの発光順位としては波長１０６４〔ｎｍ〕以外
に波長９４６〔ｎｍ〕もあるが、波長９４６〔ｎｍ〕の
発光を波長１０６４〔ｎｍ〕の発光より効率良く得るこ
とは難しい。また、ＫＴＰ結晶からなる波長変換素子３
３では、波長１０００〔ｎｍ〕より短波長の光の効率良
い位相整合がきわめて困難である。
うに構成された従来の短波長光源では、波長５３２〔ｎ
ｍ〕の緑色レーザ光３６より短い波長のレーザ光を発生
させることは困難である。光学基板３１にドープしたＮ
ｄイオンの発光順位としては波長１０６４〔ｎｍ〕以外
に波長９４６〔ｎｍ〕もあるが、波長９４６〔ｎｍ〕の
発光を波長１０６４〔ｎｍ〕の発光より効率良く得るこ
とは難しい。また、ＫＴＰ結晶からなる波長変換素子３
３では、波長１０００〔ｎｍ〕より短波長の光の効率良
い位相整合がきわめて困難である。
【０００７】また、従来の短波長光源の製造方法では、
光学基板３２となるＹＡＧ結晶の成長時に希土類のＮｄ
イオンをドーピングしているため、Ｎｄイオンのドープ
量が不均一となったり、また、ＹＡＧ結晶の品質が劣化
する原因となった。これにより、共振器内で損失が生じ
、緑色レーザ光３６の出力効率が低下するという問題が
あった。また、共振器を構成するミラー３４，３５間に
波長変換素子３３を配置することにより、波長１０６４
〔ｎｍ〕の光と波長５３２〔ｎｍ〕の光との間でモード
コンペティション現象を起こし、緑色レーザ光３６の出
力が不安定となるという問題があった。
光学基板３２となるＹＡＧ結晶の成長時に希土類のＮｄ
イオンをドーピングしているため、Ｎｄイオンのドープ
量が不均一となったり、また、ＹＡＧ結晶の品質が劣化
する原因となった。これにより、共振器内で損失が生じ
、緑色レーザ光３６の出力効率が低下するという問題が
あった。また、共振器を構成するミラー３４，３５間に
波長変換素子３３を配置することにより、波長１０６４
〔ｎｍ〕の光と波長５３２〔ｎｍ〕の光との間でモード
コンペティション現象を起こし、緑色レーザ光３６の出
力が不安定となるという問題があった。
【０００８】この発明の目的は上記問題点に鑑み、基本
波を高効率かつ安定的に高調波に波長変換することがで
き、波長３７５〔ｎｍ〕〜４５０〔ｎｍ〕帯の短い波長
で発振させることのできる短波長光源およびその製造方
法を提供することである。
波を高効率かつ安定的に高調波に波長変換することがで
き、波長３７５〔ｎｍ〕〜４５０〔ｎｍ〕帯の短い波長
で発振させることのできる短波長光源およびその製造方
法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の短波長光
源は、赤色半導体レーザと、共振器と、この共振器内に
配置され光導波路を有し希土類イオンとして三価のツリ
ウム（Ｔｍ）イオンをドーピングした光学基板と、共振
器内で光学基板の後段に配置され光導波路を有した波長
変換素子とを備え、赤色半導体レーザより出射した励起
光を光学基板に入射し、この励起光により励起された希
土類イオンから放射した基本波を波長変換素子に入射し
て高調波に変換するようにしたものである。
源は、赤色半導体レーザと、共振器と、この共振器内に
配置され光導波路を有し希土類イオンとして三価のツリ
ウム（Ｔｍ）イオンをドーピングした光学基板と、共振
器内で光学基板の後段に配置され光導波路を有した波長
変換素子とを備え、赤色半導体レーザより出射した励起
光を光学基板に入射し、この励起光により励起された希
土類イオンから放射した基本波を波長変換素子に入射し
て高調波に変換するようにしたものである。
【００１０】請求項２記載の短波長光源は、請求項１記
載の短波長光源において、希土類イオンが、三価のツリ
ウム（Ｔｍ）イオンに三価のエルビウム（Ｅｒ）イオン
したものであることを特徴とする。請求項３記載の短波
長光源は、請求項１記載の短波長光源において、光学基
板がフッ化物ファイバーからなることを特徴とする。
載の短波長光源において、希土類イオンが、三価のツリ
ウム（Ｔｍ）イオンに三価のエルビウム（Ｅｒ）イオン
したものであることを特徴とする。請求項３記載の短波
長光源は、請求項１記載の短波長光源において、光学基
板がフッ化物ファイバーからなることを特徴とする。
【００１１】請求項４記載の短波長光源は、請求項１記
載の短波長光源において、波長変換素子の波長位相制御
方法が基本波の導波モードと高調波の放射モードとによ
ることを特徴とする。請求項５記載の短波長光源は、請
求項１の短波長光源において、波長変換素子の波長位相
制御方法が基本波の導波モードと高調波の導波モードと
によることを特徴とする。
載の短波長光源において、波長変換素子の波長位相制御
方法が基本波の導波モードと高調波の放射モードとによ
ることを特徴とする。請求項５記載の短波長光源は、請
求項１の短波長光源において、波長変換素子の波長位相
制御方法が基本波の導波モードと高調波の導波モードと
によることを特徴とする。
【００１２】請求項６記載の短波長光源は、請求項１記
載の短波長光源において、光学基板および波長変換素子
が同一基板であることを特徴とする。請求項７記載の短
波長光源の製造方法は、請求項１〜６記載の短波長光源
において、波長変換素子の光導波路を酸素（Ｏ）または
ヘリウム（Ｈｅ）イオンのイオン注入で形成することを
特徴とする。
載の短波長光源において、光学基板および波長変換素子
が同一基板であることを特徴とする。請求項７記載の短
波長光源の製造方法は、請求項１〜６記載の短波長光源
において、波長変換素子の光導波路を酸素（Ｏ）または
ヘリウム（Ｈｅ）イオンのイオン注入で形成することを
特徴とする。
【００１３】請求項８記載の短波長光源の製造方法は、
請求項１〜６記載の短波長光源および請求項７記載の短
波長光源の製造方法において、光学基板にイオン注入法
により希土類イオンをドーピングし、光学基板内にプロ
トン交換処理により光導波路を形成することを特徴とす
る。
請求項１〜６記載の短波長光源および請求項７記載の短
波長光源の製造方法において、光学基板にイオン注入法
により希土類イオンをドーピングし、光学基板内にプロ
トン交換処理により光導波路を形成することを特徴とす
る。
【００１４】
【作用】この発明の構成によれば、希土類イオンとして
三価のツリウム（Ｔｍ）イオンをドーピングした光学基
板に、赤色半導体レーザより出射した波長６５０〔ｎｍ
〕〜６９０〔ｎｍ〕の励起光を入射させたことにより、
希土類イオンを励起させて波長８００〔ｎｍ〕帯の基本
波を出射させる。この際、光学基板の光導波路は、赤色
半導体レーザより出射した励起光を閉じ込める。したが
って、高効率で希土類イオンの励起を行うことができ、
パワー密度の高い基本波を得ることができる。また、波
長８００〔ｎｍ〕帯の基本波を入射された波長変換素子
は、非線形光学効果により波長４００〔ｎｍ〕帯の高調
波を出射させる。この際、高調波は共振器内を共振する
ことがなく、波長変換素子の端面から出射される。した
がって、従来のようなモードコンペティション現象に起
因する出力不安定はなくなり、安定な出力が得ることが
できる。
三価のツリウム（Ｔｍ）イオンをドーピングした光学基
板に、赤色半導体レーザより出射した波長６５０〔ｎｍ
〕〜６９０〔ｎｍ〕の励起光を入射させたことにより、
希土類イオンを励起させて波長８００〔ｎｍ〕帯の基本
波を出射させる。この際、光学基板の光導波路は、赤色
半導体レーザより出射した励起光を閉じ込める。したが
って、高効率で希土類イオンの励起を行うことができ、
パワー密度の高い基本波を得ることができる。また、波
長８００〔ｎｍ〕帯の基本波を入射された波長変換素子
は、非線形光学効果により波長４００〔ｎｍ〕帯の高調
波を出射させる。この際、高調波は共振器内を共振する
ことがなく、波長変換素子の端面から出射される。した
がって、従来のようなモードコンペティション現象に起
因する出力不安定はなくなり、安定な出力が得ることが
できる。
【００１５】また、波長変換素子における位相整合は、
基本波の導波モードと高調波の放射モードとにより行う
。これにより、波長４００〔ｎｍ〕の高調波を高効率で
発生させることが可能となり、波長８００〔ｎｍ〕帯の
全領域で位相整合を行うことができるため、波長変換素
子の温度制御等を不要となる。また、光学基板内に希土
類イオンをイオン注入でドーピングすることにより希土
類イオンのドーピング量を制御することができ、また、
光学基板内にプロトン変換処理により光導波路を形成す
る。これにより、効率良く波長８００〔ｎｍ〕帯の基本
波を出射することのできる光学基板を得ることができる
。
基本波の導波モードと高調波の放射モードとにより行う
。これにより、波長４００〔ｎｍ〕の高調波を高効率で
発生させることが可能となり、波長８００〔ｎｍ〕帯の
全領域で位相整合を行うことができるため、波長変換素
子の温度制御等を不要となる。また、光学基板内に希土
類イオンをイオン注入でドーピングすることにより希土
類イオンのドーピング量を制御することができ、また、
光学基板内にプロトン変換処理により光導波路を形成す
る。これにより、効率良く波長８００〔ｎｍ〕帯の基本
波を出射することのできる光学基板を得ることができる
。
【００１６】
【実施例】図１はこの発明の一実施例の短波長光源の構
成を示す概略図である。なお、図１（ｂ） は波長変換
素子１３の詳細を示す図である。図１（ａ） ，（ｂ）
において、１１は赤色半導体レーザ、１２は光導波路
（図示せず）を有し希土類イオンとしてＴｍ３＋（ツリ
ウムイオン）をドーピングした光学基板、１３は光導波
路１３ａを有した波長変換素子、１４，１５はミラーで
あり共振器１５ａとなる。また、１６はレンズ、１７は
励起光（波長６８０〔ｎｍ〕）、１８は基本波となる波
長８００〔ｎｍ〕の光、１９は第２高調波となる波長４
００〔ｎｍ〕の光である。
成を示す概略図である。なお、図１（ｂ） は波長変換
素子１３の詳細を示す図である。図１（ａ） ，（ｂ）
において、１１は赤色半導体レーザ、１２は光導波路
（図示せず）を有し希土類イオンとしてＴｍ３＋（ツリ
ウムイオン）をドーピングした光学基板、１３は光導波
路１３ａを有した波長変換素子、１４，１５はミラーで
あり共振器１５ａとなる。また、１６はレンズ、１７は
励起光（波長６８０〔ｎｍ〕）、１８は基本波となる波
長８００〔ｎｍ〕の光、１９は第２高調波となる波長４
００〔ｎｍ〕の光である。
【００１７】図１（ａ） ，（ｂ） に示すように、赤
色半導体レーザ１１と、この赤色半導体レーザ１１の出
射した励起光１７を集光するレンズ１６と、共振器１５
ａと、この共振器１５ａ内に配置され光導波路を有し希
土類イオンとしてＴｍ３＋（ツリウムイオン）をドーピ
ングした光学基板１２と、共振器１５ａ内で光学基板１
２の後段（光の出射側）に配置され光導波路１３ａを有
した波長変換素子１３とからなる。そして、赤色半導体
レーザ１１より出射した波長６８０〔ｎｍ〕の励起光１
７を光学基板１２に入射し、この励起光１７により励起
された希土類イオンから放射した波長８００〔ｎｍ〕の
光を波長変換素子１３に基本波１８として入射し高調波
に変換して波長４００〔ｎｍ〕の第２高調波１９を出射
するようにしたものである。
色半導体レーザ１１と、この赤色半導体レーザ１１の出
射した励起光１７を集光するレンズ１６と、共振器１５
ａと、この共振器１５ａ内に配置され光導波路を有し希
土類イオンとしてＴｍ３＋（ツリウムイオン）をドーピ
ングした光学基板１２と、共振器１５ａ内で光学基板１
２の後段（光の出射側）に配置され光導波路１３ａを有
した波長変換素子１３とからなる。そして、赤色半導体
レーザ１１より出射した波長６８０〔ｎｍ〕の励起光１
７を光学基板１２に入射し、この励起光１７により励起
された希土類イオンから放射した波長８００〔ｎｍ〕の
光を波長変換素子１３に基本波１８として入射し高調波
に変換して波長４００〔ｎｍ〕の第２高調波１９を出射
するようにしたものである。
【００１８】このように構成した短波長光源の各部につ
いて詳細を説明する。先ず、光学基板１２について詳し
く述べる。光学基板１２は、希土類イオンであるＴｍ３
＋をドーピングしたＬｉＮｂＯ３ 結晶からなる。Ｔｍ
３＋のドーピング方法は、Ｔｍ３＋を含んだメタルイオ
ン源（図示せず）を用い、イオン注入法により、光学基
板１２であるＬｉＮｂＯ３ 結晶にＴｍ３＋を照射して
注入する。イオン注入はタンデム高速エネルギー装置を
用い、Ｔｍ３＋の照射エネルギーを３〔ＭｅＶ〕とした
。このような条件でイオン注入を行うことにより、光学
基板１２内にドーズ量１×１０１８〔ｃｍ−２〕のＴｍ
３＋を基板内深さ１〜１０〔μｍ〕の領域に注入し、そ
の後、温度２００〜４００〔°Ｃ〕の酸素雰囲気中で光
学基板１２にアニール処理を施すことにより、イオン注
入時に発生したデフェクトを取り除いた。光学基板１２
に対してイオン注入を行うと、注入領域の屈折率が低下
する。そこで、ピロ燐酸によるプロトン交換処理を行う
と、交換された領域の屈折率が向上する。したがって、
イオン注入で希土類イオンをドーピングした後、プロト
ン交換を行うと、ドーピングされた領域が光導波路とな
り、励起光となる赤色半導体レーザ１１から出射した波
長６８０〔ｎｍ〕の励起光を閉じ込めることができる。 その結果、パワー密度が高くなり、高効率で波長６８０
〔ｎｍ〕から波長７９０〔ｎｍ〕の励起を行うことがで
きる。
いて詳細を説明する。先ず、光学基板１２について詳し
く述べる。光学基板１２は、希土類イオンであるＴｍ３
＋をドーピングしたＬｉＮｂＯ３ 結晶からなる。Ｔｍ
３＋のドーピング方法は、Ｔｍ３＋を含んだメタルイオ
ン源（図示せず）を用い、イオン注入法により、光学基
板１２であるＬｉＮｂＯ３ 結晶にＴｍ３＋を照射して
注入する。イオン注入はタンデム高速エネルギー装置を
用い、Ｔｍ３＋の照射エネルギーを３〔ＭｅＶ〕とした
。このような条件でイオン注入を行うことにより、光学
基板１２内にドーズ量１×１０１８〔ｃｍ−２〕のＴｍ
３＋を基板内深さ１〜１０〔μｍ〕の領域に注入し、そ
の後、温度２００〜４００〔°Ｃ〕の酸素雰囲気中で光
学基板１２にアニール処理を施すことにより、イオン注
入時に発生したデフェクトを取り除いた。光学基板１２
に対してイオン注入を行うと、注入領域の屈折率が低下
する。そこで、ピロ燐酸によるプロトン交換処理を行う
と、交換された領域の屈折率が向上する。したがって、
イオン注入で希土類イオンをドーピングした後、プロト
ン交換を行うと、ドーピングされた領域が光導波路とな
り、励起光となる赤色半導体レーザ１１から出射した波
長６８０〔ｎｍ〕の励起光を閉じ込めることができる。 その結果、パワー密度が高くなり、高効率で波長６８０
〔ｎｍ〕から波長７９０〔ｎｍ〕の励起を行うことがで
きる。
【００１９】このような光学基板１２に赤色半導体レー
ザ１１より発振した波長６８０〔ｎｍ〕の励起光１７を
レンズ１６で集光させた後、光学基板１２内のイオン注
入領域に入射させる。すると、光学基板１２内にドーピ
ングしたＴｍ３＋が上記波長６８０〔ｎｍ〕の励起光１
７を吸収することにより、Ｔｍ３＋のエネルギー準位が
励起される。すなわち、Ｔｍ＋３の基底準位の ３Ｈ６
準位から ３Ｆ３ 準位に励起され、フォノンデケイ
により ３Ｈ４ 準位まで落ち、その準位と ３Ｈ６
準位でレーザ遷移となる。これにより、Ｔｍ＋３は波長
７９０〔ｎｍ〕の光を出射し、２つのミラー１４，１５
の間で共振して利得を得る。このように発振した光が基
本波１８となる。
ザ１１より発振した波長６８０〔ｎｍ〕の励起光１７を
レンズ１６で集光させた後、光学基板１２内のイオン注
入領域に入射させる。すると、光学基板１２内にドーピ
ングしたＴｍ３＋が上記波長６８０〔ｎｍ〕の励起光１
７を吸収することにより、Ｔｍ３＋のエネルギー準位が
励起される。すなわち、Ｔｍ＋３の基底準位の ３Ｈ６
準位から ３Ｆ３ 準位に励起され、フォノンデケイ
により ３Ｈ４ 準位まで落ち、その準位と ３Ｈ６
準位でレーザ遷移となる。これにより、Ｔｍ＋３は波長
７９０〔ｎｍ〕の光を出射し、２つのミラー１４，１５
の間で共振して利得を得る。このように発振した光が基
本波１８となる。
【００２０】次に、波長変換素子１３について詳しく述
べる。図１（ａ） および（ｂ） に示す波長変換素子
１３の光導波路１３ａは、強誘電体であるＬｉＮｂＯ３
結晶にプロトン交換処理を用いて形成したものであり
、ピロ燐酸を温度２３０℃で１時間の熱処理を施したも
のである。 また、光導波路１３ａの寸法は１〔μｍ〕×５〔μｍ〕
×２０〔ｍｍ〕である。
べる。図１（ａ） および（ｂ） に示す波長変換素子
１３の光導波路１３ａは、強誘電体であるＬｉＮｂＯ３
結晶にプロトン交換処理を用いて形成したものであり
、ピロ燐酸を温度２３０℃で１時間の熱処理を施したも
のである。 また、光導波路１３ａの寸法は１〔μｍ〕×５〔μｍ〕
×２０〔ｍｍ〕である。
【００２１】波長変換素子１３となるＬｉＮｂＯ３ 結
晶の端面により基本波１８を入射すると、基本波１８は
光導波路１３ａ内を単一モードで伝播し、非線形光学効
果により第２高調波１９が発生する。この際の位相整合
を基本波１８の導波モードと第２高調波１９の放射モー
ドとの間で行うことにより、第２高調波１９は結晶内を
放射モードとして伝播し、結晶の端面より角度をもって
出射する。また、基本波１８は光導波路１３ａ内を伝播
し、この光導波路１３ａ内を伝播した基本波１８は、ミ
ラー１４，１５により共振するため、基本波１８のパワ
ー密度は３００〔ｍＷ〕の高いものとなる。また、非線
形光学効果による第２高調波発生は基本波１８のパワー
密度の２乗に比例するので、高効率な波長変換を実現す
ることができる。これにより、第２高調波のパワー密度
は１０〔ｍＷ〕となり、従来の１〔ｍＷ〕に比較して１
０倍となる。しかも、第２高調波１９はミラー１４，１
５で構成した共振器１５ａ内を共振することがないため
、従来のようなモードコンペティション現象に起因する
出力不安定性はなくなり、安定した第２高調波１８を得
ることができる。
晶の端面により基本波１８を入射すると、基本波１８は
光導波路１３ａ内を単一モードで伝播し、非線形光学効
果により第２高調波１９が発生する。この際の位相整合
を基本波１８の導波モードと第２高調波１９の放射モー
ドとの間で行うことにより、第２高調波１９は結晶内を
放射モードとして伝播し、結晶の端面より角度をもって
出射する。また、基本波１８は光導波路１３ａ内を伝播
し、この光導波路１３ａ内を伝播した基本波１８は、ミ
ラー１４，１５により共振するため、基本波１８のパワ
ー密度は３００〔ｍＷ〕の高いものとなる。また、非線
形光学効果による第２高調波発生は基本波１８のパワー
密度の２乗に比例するので、高効率な波長変換を実現す
ることができる。これにより、第２高調波のパワー密度
は１０〔ｍＷ〕となり、従来の１〔ｍＷ〕に比較して１
０倍となる。しかも、第２高調波１９はミラー１４，１
５で構成した共振器１５ａ内を共振することがないため
、従来のようなモードコンペティション現象に起因する
出力不安定性はなくなり、安定した第２高調波１８を得
ることができる。
【００２２】次に、図１（ａ） に示す光学基板１２に
希土類イオンとしてＴｍ３＋（ツリウムイオン）にＥｒ
３＋（エルビウムイオン）を添加したイオンをイオン注
入によりドープした場合を説明する。図２はＴｍ３＋お
よびＥｒ３＋の準位を示した図である。図２において、
４１は波長６５０〔ｎｍ〕の励起光源、４２はフォノン
デケイ、４３は７９０〔ｎｍ〕または８００〔ｎｍ〕の
レーザ遷移である。
希土類イオンとしてＴｍ３＋（ツリウムイオン）にＥｒ
３＋（エルビウムイオン）を添加したイオンをイオン注
入によりドープした場合を説明する。図２はＴｍ３＋お
よびＥｒ３＋の準位を示した図である。図２において、
４１は波長６５０〔ｎｍ〕の励起光源、４２はフォノン
デケイ、４３は７９０〔ｎｍ〕または８００〔ｎｍ〕の
レーザ遷移である。
【００２３】図２に示すように、光学基板１２にＴｍ３
＋およびＥｒ３＋をドープした場合、半導体レーザから
出射した励起光によりＥｒ３＋の ４Ｆ９／２ の準位
を励起し、フォノンデケイ４２によりＥｒ３＋の ４ｌ
９／２ 準位とＴｍ３＋の ３Ｆ３ 準位と ３Ｆ４
準位のエネルギー蓄積がエネルギートランスファーによ
り可能となるので、効率よい励起が可能となり、また、
Ｔｍ３＋によりＥｒ３＋のＥＳＡ（Ｅｘｃｉｔｅｄ Ｓ
ｔａｔｅ Ａｂｓｏｒｓｉｏｎ）によるグリーン光（５
５０〔ｎｍ〕）は抑えられる。
＋およびＥｒ３＋をドープした場合、半導体レーザから
出射した励起光によりＥｒ３＋の ４Ｆ９／２ の準位
を励起し、フォノンデケイ４２によりＥｒ３＋の ４ｌ
９／２ 準位とＴｍ３＋の ３Ｆ３ 準位と ３Ｆ４
準位のエネルギー蓄積がエネルギートランスファーによ
り可能となるので、効率よい励起が可能となり、また、
Ｔｍ３＋によりＥｒ３＋のＥＳＡ（Ｅｘｃｉｔｅｄ Ｓ
ｔａｔｅ Ａｂｓｏｒｓｉｏｎ）によるグリーン光（５
５０〔ｎｍ〕）は抑えられる。
【００２４】以上、実施例によれば、赤色半導体レーザ
１１により出射した波長６８０〔ｎｍ〕の励起光１７に
より光学基板１２内にドーピングした希土類イオンを励
起させることによって、波長８００〔ｎｍ〕帯の基本波
１８を出射させる。この際、光学基板１２の光導波路は
、赤色半導体レーザ１１より出射した励起光１７を閉じ
込める。したがって、高効率で希土類イオンの励起を行
うことができ、パワー密度の高い基本波１８を得ること
ができる。
１１により出射した波長６８０〔ｎｍ〕の励起光１７に
より光学基板１２内にドーピングした希土類イオンを励
起させることによって、波長８００〔ｎｍ〕帯の基本波
１８を出射させる。この際、光学基板１２の光導波路は
、赤色半導体レーザ１１より出射した励起光１７を閉じ
込める。したがって、高効率で希土類イオンの励起を行
うことができ、パワー密度の高い基本波１８を得ること
ができる。
【００２５】また、波長８００〔ｎｍ〕帯の基本波を入
射された波長変換素子１３は、非線形光学効果により波
長４００〔ｎｍ〕帯の第２高調波１９を出射させる。こ
の第２高調波１９はミラー１４，１５で構成した共振器
１５ａ内を共振することがなく、波長変換素子１３の端
面より出射される。したがって、従来のようなモードコ
ンペティション現象に起因する出力不安定はなくなり、
安定な出力が得ることができる。
射された波長変換素子１３は、非線形光学効果により波
長４００〔ｎｍ〕帯の第２高調波１９を出射させる。こ
の第２高調波１９はミラー１４，１５で構成した共振器
１５ａ内を共振することがなく、波長変換素子１３の端
面より出射される。したがって、従来のようなモードコ
ンペティション現象に起因する出力不安定はなくなり、
安定な出力が得ることができる。
【００２６】また、光学基板１２内に希土類イオンをイ
オン注入でドーピングすることにより希土類イオンのド
ーピング量を制御することができ、また、光学基板１２
内にプロトン変換処理により光導波路を形成する。これ
により、効率良く波長８００〔ｎｍ〕帯の基本波を出射
することのできる光学基板１２を得ることができる。ま
た、波長変換素子１３による位相整合法は、基本波１８
の導波モードと第２高調波１９の放射モードとの間で行
う。これにより、波長４００〔ｎｍ〕の第２高調波１９
を高効率で発生することが可能となり、８００〔ｎｍ〕
帯の全領域で位相整合が取れるため、波長変換素子１３
の温度制御等は不要となる。
オン注入でドーピングすることにより希土類イオンのド
ーピング量を制御することができ、また、光学基板１２
内にプロトン変換処理により光導波路を形成する。これ
により、効率良く波長８００〔ｎｍ〕帯の基本波を出射
することのできる光学基板１２を得ることができる。ま
た、波長変換素子１３による位相整合法は、基本波１８
の導波モードと第２高調波１９の放射モードとの間で行
う。これにより、波長４００〔ｎｍ〕の第２高調波１９
を高効率で発生することが可能となり、８００〔ｎｍ〕
帯の全領域で位相整合が取れるため、波長変換素子１３
の温度制御等は不要となる。
【００２７】また、従来の半導体レーザの出射光を直接
波長変換することより得た出射光に比べると、実施例の
短波長光源は出射光のスペクトル線幅が狭く、コヒーレ
ント性に優れている。また、光学基板１２にＴｍ３＋お
よびＥｒ３＋をドープすることにより、Ｔｍ３＋により
Ｅｒ３＋からのグリーン光（５５０〔ｎｍ〕）の発生を
抑制し、高効率に励起することができる。
波長変換することより得た出射光に比べると、実施例の
短波長光源は出射光のスペクトル線幅が狭く、コヒーレ
ント性に優れている。また、光学基板１２にＴｍ３＋お
よびＥｒ３＋をドープすることにより、Ｔｍ３＋により
Ｅｒ３＋からのグリーン光（５５０〔ｎｍ〕）の発生を
抑制し、高効率に励起することができる。
【００２８】なお、波長変換素子１３は、位相整合を基
本波の導波モードと第２高調波の放射モードとの間で行
うものを用いたが、イオン注入により光導波路を形成し
、位相整合を基本波の導波モードと、高調波の導波モー
ドとの間で行うものを用いても良い。このような構造の
波長変換素子を図３に示す。図３に示すように、ＬｉＮ
ｂＯ３ 結晶のｚ面５０に、高速イオン発生装置（例え
ば、ＴＡＮＤＥＭ ＩＯＮ ＡＣＣＥＬＥＲＡＴＯ
Ｒ等）より出射されるエネルギー１〔ＭｅＶ〕〜３〔Ｍ
ｅＶ〕のＯまたはＨｅイオン５１を照射する。これによ
り、表面より深さ１〔μｍ〕〜２〔μｍ〕の領域で低屈
折領域５２が形成でき、この低屈折領域５２と表面との
間の領域が高屈折領域５３となり、基本波５４がこの領
域内に効率良く閉じ込められる。この際、結晶の複屈折
を温度コントローラなどで調整することにより、基本波
５４の位相と高調波５５の位相とが整合し、効率良く高
調波５５が発生する。
本波の導波モードと第２高調波の放射モードとの間で行
うものを用いたが、イオン注入により光導波路を形成し
、位相整合を基本波の導波モードと、高調波の導波モー
ドとの間で行うものを用いても良い。このような構造の
波長変換素子を図３に示す。図３に示すように、ＬｉＮ
ｂＯ３ 結晶のｚ面５０に、高速イオン発生装置（例え
ば、ＴＡＮＤＥＭ ＩＯＮ ＡＣＣＥＬＥＲＡＴＯ
Ｒ等）より出射されるエネルギー１〔ＭｅＶ〕〜３〔Ｍ
ｅＶ〕のＯまたはＨｅイオン５１を照射する。これによ
り、表面より深さ１〔μｍ〕〜２〔μｍ〕の領域で低屈
折領域５２が形成でき、この低屈折領域５２と表面との
間の領域が高屈折領域５３となり、基本波５４がこの領
域内に効率良く閉じ込められる。この際、結晶の複屈折
を温度コントローラなどで調整することにより、基本波
５４の位相と高調波５５の位相とが整合し、効率良く高
調波５５が発生する。
【００２９】また、この実施例では光学基板１２および
波長変換素子１３を別々に構成したが、これら光学基板
および波長変換素子を同一基板上に形成しても良い。こ
れにより、光学基板と波長変換素子との間の結合ロスを
なくすことができ、さらに基本波のパワー密度を高める
ことができ、光源の作成工程数が少なくなる。また、こ
の実施例では、光学基板１２としてＬｉＮｂＯ３ 結晶
を用いたが、フッ化物ファイバーでも良く、これにより
、赤色半導体レーザが出射した光の閉じ込め効果を向上
させ高効率で波長８００〔ｎｍ〕の光を発生させること
ができる。
波長変換素子１３を別々に構成したが、これら光学基板
および波長変換素子を同一基板上に形成しても良い。こ
れにより、光学基板と波長変換素子との間の結合ロスを
なくすことができ、さらに基本波のパワー密度を高める
ことができ、光源の作成工程数が少なくなる。また、こ
の実施例では、光学基板１２としてＬｉＮｂＯ３ 結晶
を用いたが、フッ化物ファイバーでも良く、これにより
、赤色半導体レーザが出射した光の閉じ込め効果を向上
させ高効率で波長８００〔ｎｍ〕の光を発生させること
ができる。
【００３０】また、この実施例では、波長変換素子１３
の光導波路１３ａはプロトン交換処理を用いて形成した
ものであるが、Ｏ（酸素）イオンまたはＨｅ（ヘリウム
）イオンのイオン注入法により形成しても良い。
の光導波路１３ａはプロトン交換処理を用いて形成した
ものであるが、Ｏ（酸素）イオンまたはＨｅ（ヘリウム
）イオンのイオン注入法により形成しても良い。
【００３１】
【発明の効果】この発明の短波長光源およびその製造方
法によれば、光導波路を有し希土類イオンとして三価の
ツリウム（Ｔｍ）イオンドーピングした光学基板に、赤
色半導体レーザより出射した波長６５０〔ｎｍ〕〜６９
０〔ｎｍ〕の励起光を入射したことにより、光導波路内
に励起光を閉じ込めて希土類イオンを励起させることが
できる。したがって、高効率で希土類イオンの励起を行
うことができ、パワー密度の高い波長８００〔ｎｍ〕帯
の基本波を得ることができる。また、波長８００〔ｎｍ
〕帯の基本波を入射された波長変換素子は、非線形光学
効果により波長４００〔ｎｍ〕帯の高調波を出射させる
。この際、高調波は共振器内を共振することがなく、波
長変換素子の端面から出射される。したがって、従来の
ようなモードコンペティション現象に起因する出力不安
定はなくなり、安定な出力が得ることができる。
法によれば、光導波路を有し希土類イオンとして三価の
ツリウム（Ｔｍ）イオンドーピングした光学基板に、赤
色半導体レーザより出射した波長６５０〔ｎｍ〕〜６９
０〔ｎｍ〕の励起光を入射したことにより、光導波路内
に励起光を閉じ込めて希土類イオンを励起させることが
できる。したがって、高効率で希土類イオンの励起を行
うことができ、パワー密度の高い波長８００〔ｎｍ〕帯
の基本波を得ることができる。また、波長８００〔ｎｍ
〕帯の基本波を入射された波長変換素子は、非線形光学
効果により波長４００〔ｎｍ〕帯の高調波を出射させる
。この際、高調波は共振器内を共振することがなく、波
長変換素子の端面から出射される。したがって、従来の
ようなモードコンペティション現象に起因する出力不安
定はなくなり、安定な出力が得ることができる。
【００３２】また、波長変換素子における位相整合は、
基本波の導波モードと高調波の放射モードとにより行う
。これにより、波長４００〔ｎｍ〕の高調波を高効率で
発生させることが可能となり、波長８００〔ｎｍ〕帯の
全領域で位相整合を行うことができるため、波長変換素
子の温度制御等を不要となる。また、光学基板内に希土
類イオンをイオン注入でドーピングすることにより希土
類イオンのドーピング量を制御することができ、また、
光学基板内にプロトン変換処理により光導波路を形成す
る。これにより、効率良く波長８００〔ｎｍ〕帯の基本
波を出射することのできる光学基板を得ることができる
。
基本波の導波モードと高調波の放射モードとにより行う
。これにより、波長４００〔ｎｍ〕の高調波を高効率で
発生させることが可能となり、波長８００〔ｎｍ〕帯の
全領域で位相整合を行うことができるため、波長変換素
子の温度制御等を不要となる。また、光学基板内に希土
類イオンをイオン注入でドーピングすることにより希土
類イオンのドーピング量を制御することができ、また、
光学基板内にプロトン変換処理により光導波路を形成す
る。これにより、効率良く波長８００〔ｎｍ〕帯の基本
波を出射することのできる光学基板を得ることができる
。
【００３３】その結果、基本波を高効率かつ安定的に高
調波に波長変換することができ、波長３７５〔ｎｍ〕〜
４５０〔ｎｍ〕帯の青色の出射光を得ることができる。
調波に波長変換することができ、波長３７５〔ｎｍ〕〜
４５０〔ｎｍ〕帯の青色の出射光を得ることができる。
【図１】図１はこの発明の一実施例の短波長光源の構成
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図２】図２はＴｍ３＋およびＥｒ３＋の準位を示した
図である。
図である。
【図３】図３はこの発明の一実施例の波長変換素子の構
成を示す概略図である。
成を示す概略図である。
【図４】図４は従来の短波長光源の構成を示す概略図で
ある。
ある。
１１ 赤色半導体レーザ
１２ 光学基板
１３ 波長変換素子
１３ａ 光導波路
１５ａ 共振器
１７ 励起光
１８ 基本波
１９ 第２高調波（高調波）
Claims (8)
- 【請求項１】 赤色半導体レーザと、共振器と、この
共振器内に配置され光導波路を有し希土類イオンとして
三価のツリウム（Ｔｍ）イオンをドーピングした光学基
板と、前記共振器内で前記光学基板の後段に配置され光
導波路を有した波長変換素子とを備え、前記赤色半導体
レーザより出射した励起光を前記光学基板に入射し、こ
の励起光により励起された前記希土類イオンから放射し
た基本波を前記波長変換素子に入射して高調波に変換す
るようにした短波長光源。 - 【請求項２】 前記希土類イオンが、三価のツリウム
（Ｔｍ）イオンに三価のエルビウム（Ｅｒ）イオンを添
加したものであることを特徴とする請求項１記載の短波
長光源。 - 【請求項３】 前記光学基板がフッ化物ファイバーか
らなることを特徴とする請求項１記載の短波長光源。 - 【請求項４】 前記波長変換素子の波長位相制御方法
が前記基本波の導波モードと前記高調波の放射モードと
によることを特徴とする請求項１記載の短波長光源。 - 【請求項５】 前記波長変換素子の波長位相制御方法
が前記基本波の導波モードと前記高調波の導波モードと
によることを特徴とする請求項１記載の短波長光源。 - 【請求項６】 前記光学基板および前記波長変換素子
が同一基板であることを特徴とする請求項１記載の短波
長光源。 - 【請求項７】 前記波長変換素子の前記光導波路を酸
素（Ｏ）またはヘリウム（Ｈｅ）イオンのイオン注入で
形成することを特徴とする請求項１〜６記載の短波長光
源の製造方法。 - 【請求項８】 前記光学基板にイオン注入法により前
記希土類イオンをドーピングし、前記光学基板内にプロ
トン交換処理により前記光導波路を形成することを特徴
とする請求項１〜７記載の短波長光源の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14748391A JPH04369616A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 短波長光源およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14748391A JPH04369616A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 短波長光源およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04369616A true JPH04369616A (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=15431419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14748391A Pending JPH04369616A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 短波長光源およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04369616A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06112576A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光増幅器 |
| WO2014080520A1 (ja) * | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置 |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP14748391A patent/JPH04369616A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06112576A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光増幅器 |
| WO2014080520A1 (ja) * | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置 |
| JP5826409B2 (ja) * | 2012-11-26 | 2015-12-02 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Setzler et al. | Resonantly pumped eyesafe erbium lasers | |
| KR100283829B1 (ko) | 광소자, 레이저 광원 및 레이저 장치와 광소자의 제조방법 | |
| Digonnet | Theory of superfluorescent fiber lasers | |
| Soh et al. | A 980-nm Yb-doped fiber MOPA source and its frequency doubling | |
| US5157674A (en) | Second harmonic generation and self frequency doubling laser materials comprised of bulk germanosilicate and aluminosilicate glasses | |
| US5233621A (en) | Second harmonic generation and self frequency doubling laser materials comprised of bulk germanosilicate and aluminosilicate glasses | |
| JPH0242778A (ja) | レーザ共振装置 | |
| US6510276B1 (en) | Highly doped fiber lasers and amplifiers | |
| US9667021B2 (en) | Phosphate photonic crystal fiber and converter for efficient blue generation | |
| US6614815B1 (en) | Blue laser based on interactions in fiber | |
| JP2000340865A (ja) | レーザ発振器及びレーザ増幅器 | |
| JPH08334803A (ja) | 紫外レーザー光源 | |
| JPH04369616A (ja) | 短波長光源およびその製造方法 | |
| Cantelar et al. | Modelling of optical amplification in Er/Yb co-doped LiNbO3 waveguides | |
| Jiang et al. | High-performance diode-end-pumped Nd: YLF laser operating at 1314 nm | |
| US6360040B1 (en) | Method for coupling of laser beams into waveguides | |
| CN110048294B (zh) | 一种产生高功率中红外超快脉冲激光的方法 | |
| Domenech et al. | Continuous-wave laser operation at 1.3 μm in Nd 3+-doped Zn: LiNbO 3 channel waveguides | |
| JPH06283798A (ja) | ファイバレーザ及び光ファイバ増幅器 | |
| JP3091329B2 (ja) | 固体レーザー装置 | |
| Huber | Visible cw solid-state lasers | |
| JPH08307000A (ja) | 希土類イオン添加短波長レーザ装置、希土類イオン添加光増幅器及び希土類イオン添加波長変換器 | |
| Hodgson | Stimulated electronic Raman scatterng from the 6 s 2 S 1/2 to the 5 d 2 D 5/2 state of cesium | |
| Gusev et al. | Continuous-wave laser utilizing F2− centers in an LiF crystal | |
| JP2989454B2 (ja) | 希土類イオン添加短波長レーザ光源装置 |