JPH04367238A - 気相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
気相エピタキシャル成長装置Info
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- JPH04367238A JPH04367238A JP14285491A JP14285491A JPH04367238A JP H04367238 A JPH04367238 A JP H04367238A JP 14285491 A JP14285491 A JP 14285491A JP 14285491 A JP14285491 A JP 14285491A JP H04367238 A JPH04367238 A JP H04367238A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気相エピタキシャル成長
装置に係り、特にエピタキシャル成長用の原料ガスとし
て有機金属ガスを用いたＭＯＣＶＤ装置に関する。
装置に係り、特にエピタキシャル成長用の原料ガスとし
て有機金属ガスを用いたＭＯＣＶＤ装置に関する。
【０００２】近年、半導体デバイスを製造する場合、サ
ファイアのような絶縁性基板上にカドミウムテルル（Ｃ
ｄＴｅ）より成る化合物半導体結晶を形成し、該結晶を
形成した基板上に素子形成用の水銀・カドミウム・テル
ル（ ＨｇＣｄＴｅ） の化合物半導体結晶をＭＯＣＶ
Ｄ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 法で形成し、こ
の材料を用いて赤外線検知装置のような半導体デバイス
を形成する方法を採っている。
ファイアのような絶縁性基板上にカドミウムテルル（Ｃ
ｄＴｅ）より成る化合物半導体結晶を形成し、該結晶を
形成した基板上に素子形成用の水銀・カドミウム・テル
ル（ ＨｇＣｄＴｅ） の化合物半導体結晶をＭＯＣＶ
Ｄ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 法で形成し、こ
の材料を用いて赤外線検知装置のような半導体デバイス
を形成する方法を採っている。
【０００３】このようなＭＯＣＶＤ法は、石英製の反応
管内にカーボン製の基板加熱台を設置し、この上にサフ
ァイア等のエピタキシャル成長用基板を載置し、該反応
管内にジメチルカドミウム［Ｃｄ（ＣＨ３）２］、およ
びジエチルテルル［Ｔｅ（Ｃ２Ｈ５）２］ 等の有機金
属化合物ガスのエピタキシャル成長用の原料ガスを導入
し、該反応管の周囲に設けた高周波誘導加熱用のコイル
に高周波電力を印加して、前記基板加熱台を加熱するこ
とで、その上の基板を加熱し、反応管内に導入された原
料ガスを前記基板上で加熱分解してＣｄＴｅのような化
合物半導体結晶を形成している。
管内にカーボン製の基板加熱台を設置し、この上にサフ
ァイア等のエピタキシャル成長用基板を載置し、該反応
管内にジメチルカドミウム［Ｃｄ（ＣＨ３）２］、およ
びジエチルテルル［Ｔｅ（Ｃ２Ｈ５）２］ 等の有機金
属化合物ガスのエピタキシャル成長用の原料ガスを導入
し、該反応管の周囲に設けた高周波誘導加熱用のコイル
に高周波電力を印加して、前記基板加熱台を加熱するこ
とで、その上の基板を加熱し、反応管内に導入された原
料ガスを前記基板上で加熱分解してＣｄＴｅのような化
合物半導体結晶を形成している。
【０００４】このような化合物半導体結晶の成長速度、
或いは形成される結晶の組成を該基板の全面の領域にわ
たって精度良く制御するためには、基板加熱台上に載置
されたエピタキシャル成長用の基板の全領域の温度が均
一な温度と成るように高精度に制御することが必要であ
る。
或いは形成される結晶の組成を該基板の全面の領域にわ
たって精度良く制御するためには、基板加熱台上に載置
されたエピタキシャル成長用の基板の全領域の温度が均
一な温度と成るように高精度に制御することが必要であ
る。
【０００５】
【従来の技術】従来のこのようなＭＯＣＶＤ装置に付い
て述べると、図３に示すように石英よりなる反応管１内
にカーボン製の基板加熱台２を設置し、この上にサファ
イア等のエピタキシャル成長用の基板３を載置し、該反
応管１内にジメチルカドミウム［Ｃｄ（ＣＨ３）２］、
およびジエチルテルル［Ｔｅ（Ｃ２Ｈ５）２］ 等の有
機金属化合物ガスを水素ガスのキャリアガスで希釈した
エピタキシャル成長用の原料ガスを、原料ガス導入管４
より導入する。
て述べると、図３に示すように石英よりなる反応管１内
にカーボン製の基板加熱台２を設置し、この上にサファ
イア等のエピタキシャル成長用の基板３を載置し、該反
応管１内にジメチルカドミウム［Ｃｄ（ＣＨ３）２］、
およびジエチルテルル［Ｔｅ（Ｃ２Ｈ５）２］ 等の有
機金属化合物ガスを水素ガスのキャリアガスで希釈した
エピタキシャル成長用の原料ガスを、原料ガス導入管４
より導入する。
【０００６】そして該反応管１の周囲に設けた高周波誘
導加熱用のコイル５に高周波電力を印加し、前記基板加
熱台２を約４００ ℃の温度に加熱することで、その上
の基板３を加熱し、反応管１内に導入された原料ガスを
前記基板３上で加熱分解してＣｄ原子とＴｅ原子を発生
させ、両者の原子の化学反応によりＣｄＴｅのような化
合物半導体結晶をエピタキシャル成長して形成している
。
導加熱用のコイル５に高周波電力を印加し、前記基板加
熱台２を約４００ ℃の温度に加熱することで、その上
の基板３を加熱し、反応管１内に導入された原料ガスを
前記基板３上で加熱分解してＣｄ原子とＴｅ原子を発生
させ、両者の原子の化学反応によりＣｄＴｅのような化
合物半導体結晶をエピタキシャル成長して形成している
。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記した原料
ガスを希釈した水素ガスは、基板表面上を上流側より下
流側へ矢印Ａに示すようにして流れている。この水素ガ
スは反応管１内に導入された時点では室温であり、基板
加熱台２の温度に比較して低温である。そのためにこの
原料ガスを希釈した水素ガスにより、基板加熱台２のガ
ス上流側のＰ点は低温となり、ガスの流れる移動方向に
沿って基板加熱台の温度が高温側に移行し、Ｑ点は高温
となる。
ガスを希釈した水素ガスは、基板表面上を上流側より下
流側へ矢印Ａに示すようにして流れている。この水素ガ
スは反応管１内に導入された時点では室温であり、基板
加熱台２の温度に比較して低温である。そのためにこの
原料ガスを希釈した水素ガスにより、基板加熱台２のガ
ス上流側のＰ点は低温となり、ガスの流れる移動方向に
沿って基板加熱台の温度が高温側に移行し、Ｑ点は高温
となる。
【０００８】このため、基板３の温度が変動し、そのた
め、該基板上にエピタキシャル成長して形成するＣｄＴ
ｅ結晶の成長温度が基板加熱台２上で変動し、ＣｄＴｅ
のエピタキシャル結晶の組成が基板３上で変動したり、
或いはＣｄＴｅのエピタキシャル結晶の成長層の厚さが
基板３上で部分的に変動する欠点がある。
め、該基板上にエピタキシャル成長して形成するＣｄＴ
ｅ結晶の成長温度が基板加熱台２上で変動し、ＣｄＴｅ
のエピタキシャル結晶の組成が基板３上で変動したり、
或いはＣｄＴｅのエピタキシャル結晶の成長層の厚さが
基板３上で部分的に変動する欠点がある。
【０００９】上記した基板加熱台２の温度変動は、該反
応管１内に導入される原料ガスを希釈した水素ガスが室
温であるために生じる。従って、反応管１内に供給する
有機金属ガスより成る原料ガスを希釈した水素ガスの温
度を、予め加熱し、基板加熱台２の温度に略等しく成る
迄上昇させると、ガスの流れ方向での基板加熱台２内の
温度変動は生じない。
応管１内に導入される原料ガスを希釈した水素ガスが室
温であるために生じる。従って、反応管１内に供給する
有機金属ガスより成る原料ガスを希釈した水素ガスの温
度を、予め加熱し、基板加熱台２の温度に略等しく成る
迄上昇させると、ガスの流れ方向での基板加熱台２内の
温度変動は生じない。
【００１０】然し、このようにすると、反応管１内に供
給される水素ガスで希釈された原料ガスが、前記原料ガ
ス導入管４内で加熱分解して相互に反応して該原料ガス
導入管５の内壁内に付着して消費されるため、反応管１
内でＣｄＴｅ結晶が成長しないおそれがある。
給される水素ガスで希釈された原料ガスが、前記原料ガ
ス導入管４内で加熱分解して相互に反応して該原料ガス
導入管５の内壁内に付着して消費されるため、反応管１
内でＣｄＴｅ結晶が成長しないおそれがある。
【００１１】そのため、水素ガスで希釈された原料ガス
が、原料ガス導入管４内で分解せずに、かつその原料ガ
スが反応管１内に導入された時点での温度を、基板加熱
台２の温度まで向上させることが必要となる。
が、原料ガス導入管４内で分解せずに、かつその原料ガ
スが反応管１内に導入された時点での温度を、基板加熱
台２の温度まで向上させることが必要となる。
【００１２】本発明は上記した事項に鑑みてなされたも
ので、水素ガスで希釈された有機金属の原料ガスが原料
ガス導入管内で分解せずに、かつ反応管１内に導入され
る前記原料ガスの温度が、基板加熱台２の温度に略等し
くなる迄向上させることが可能な気相エピタキシャル成
長装置の提供を目的とする。
ので、水素ガスで希釈された有機金属の原料ガスが原料
ガス導入管内で分解せずに、かつ反応管１内に導入され
る前記原料ガスの温度が、基板加熱台２の温度に略等し
くなる迄向上させることが可能な気相エピタキシャル成
長装置の提供を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の気相エピタキシ
ャル成長装置は、反応管内にエピタキシャル成長用の基
板を載置した基板加熱台を設置し、該反応管に連なるガ
ス導入管よりエピタキシャル成長用の原料ガスを導入し
、前記基板を加熱して反応管内に流入する原料ガスを加
熱分解して該基板上にエピタキシャル結晶を成長する装
置に於いて、前記原料ガスを導入する原料ガス導入管と
別個に前記反応管に連なり、管の外壁に加熱手段を備え
たガス流制御用ガス導入管を設ける。
ャル成長装置は、反応管内にエピタキシャル成長用の基
板を載置した基板加熱台を設置し、該反応管に連なるガ
ス導入管よりエピタキシャル成長用の原料ガスを導入し
、前記基板を加熱して反応管内に流入する原料ガスを加
熱分解して該基板上にエピタキシャル結晶を成長する装
置に於いて、前記原料ガスを導入する原料ガス導入管と
別個に前記反応管に連なり、管の外壁に加熱手段を備え
たガス流制御用ガス導入管を設ける。
【００１４】そして前記基板のガス上流側、およびガス
下流側の温度を検知する検知手段を備え、前記原料ガス
導入管、およびガス流制御用ガス導入管より反応管内に
ガスを導入し、前記基板のガス上流側、およびガス下流
側の温度を検知する検知手段で、前記基板のガス上流側
、およびガス下流側の温度を検知し、該検知した温度情
報に基づいて、前記ガス流制御用ガス導入管の加熱手段
を作動させることを特徴とするものである。
下流側の温度を検知する検知手段を備え、前記原料ガス
導入管、およびガス流制御用ガス導入管より反応管内に
ガスを導入し、前記基板のガス上流側、およびガス下流
側の温度を検知する検知手段で、前記基板のガス上流側
、およびガス下流側の温度を検知し、該検知した温度情
報に基づいて、前記ガス流制御用ガス導入管の加熱手段
を作動させることを特徴とするものである。
【００１５】また前記基板加熱台が回転可能であり、該
基板加熱台の回転中心と該回転中心よりガス上流側の基
板加熱台に前記温度検知手段を配置したことを特徴とす
る。また前記温度検知手段が光高温計であり、基板の回
転中心、および該基板の回転中心よりガス下流側の基板
の温度を、該反応管の外部より光高温計で検知したこと
を特徴とする。
基板加熱台の回転中心と該回転中心よりガス上流側の基
板加熱台に前記温度検知手段を配置したことを特徴とす
る。また前記温度検知手段が光高温計であり、基板の回
転中心、および該基板の回転中心よりガス下流側の基板
の温度を、該反応管の外部より光高温計で検知したこと
を特徴とする。
【００１６】更に原料ガス導入管を複数本設けたことを
特徴とする。またガス流制御用ガス導入管の加熱手段の
補助加熱手段として基板加熱台からの放射熱を用いたこ
とを特徴とするものである。
特徴とする。またガス流制御用ガス導入管の加熱手段の
補助加熱手段として基板加熱台からの放射熱を用いたこ
とを特徴とするものである。
【００１７】
【作用】本発明は、水素ガスで希釈された原料ガスの流
量を微量な状態とし、この原料ガスを反応管内に導入す
る原料ガス導入管とは別個に、該反応管に接続され、水
素ガスよりなるガス流制御用ガスを別個に流すガス流制
御用ガス導入管を新たに設ける。
量を微量な状態とし、この原料ガスを反応管内に導入す
る原料ガス導入管とは別個に、該反応管に接続され、水
素ガスよりなるガス流制御用ガスを別個に流すガス流制
御用ガス導入管を新たに設ける。
【００１８】そしてこのガス流制御用ガス導入管の外壁
に加熱ヒータを配設する。そして該反応管内にエピタキ
シャル成長用の基板を載置した基板設置台を挿入した後
、該反応管内を排気しながら前記ガス流制御用ガス導入
管より水素ガスを反応管内に導入し、該反応管の周囲に
設けられた高周波誘導加熱コイルに通電した状態で、回
転可能な基板加熱台の回転中心の温度と、該回転中心よ
りも上流側の基板加熱台の温度とを測定し、この温度差
が零になるように、ガス流制御用ガス導入管の外壁に設
けられた加熱ヒータの温度を調節する。
に加熱ヒータを配設する。そして該反応管内にエピタキ
シャル成長用の基板を載置した基板設置台を挿入した後
、該反応管内を排気しながら前記ガス流制御用ガス導入
管より水素ガスを反応管内に導入し、該反応管の周囲に
設けられた高周波誘導加熱コイルに通電した状態で、回
転可能な基板加熱台の回転中心の温度と、該回転中心よ
りも上流側の基板加熱台の温度とを測定し、この温度差
が零になるように、ガス流制御用ガス導入管の外壁に設
けられた加熱ヒータの温度を調節する。
【００１９】このようにすると、基板加熱台の全領域の
加熱温度が均一な温度となり、そのため、該基板加熱台
上に載置されたエピタキシャル成長用の基板の温度も均
一となる。
加熱温度が均一な温度となり、そのため、該基板加熱台
上に載置されたエピタキシャル成長用の基板の温度も均
一となる。
【００２０】そしてこのように基板加熱台の温度が全領
域に渡って均一な温度になるように調節した後、微量な
水素ガスで希釈されたジメチルカドミウムガス、或いは
ジエチルテルルガスの有機金属ガスよりなるエピタキシ
ャル成長用の原料ガスを、原料ガス導入管より導入する
。
域に渡って均一な温度になるように調節した後、微量な
水素ガスで希釈されたジメチルカドミウムガス、或いは
ジエチルテルルガスの有機金属ガスよりなるエピタキシ
ャル成長用の原料ガスを、原料ガス導入管より導入する
。
【００２１】そしてこの微量な原料ガスを反応管内に導
入することで、基板加熱台の上流側と下流側では多少温
度がずれることもあるが、この温度のずれは、前記した
基板加熱台の上流側、および下流側に設置された温度検
知手段で検知し、この検知情報に基づいてガス流制御用
ガス導入管の外壁に設置した加熱ヒータの印加電力を制
御することで、基板加熱台の上流側、および下流側の温
度が均一な温度となる。このようにすれば、基板の加熱
温度が基板の全領域で均一となるため、その上にエピタ
キシャル成長により形成されるＣｄＴｅ結晶の組成、お
よび厚さが均一なＣｄＴｅのエピタキシャル結晶が得ら
れる。
入することで、基板加熱台の上流側と下流側では多少温
度がずれることもあるが、この温度のずれは、前記した
基板加熱台の上流側、および下流側に設置された温度検
知手段で検知し、この検知情報に基づいてガス流制御用
ガス導入管の外壁に設置した加熱ヒータの印加電力を制
御することで、基板加熱台の上流側、および下流側の温
度が均一な温度となる。このようにすれば、基板の加熱
温度が基板の全領域で均一となるため、その上にエピタ
キシャル成長により形成されるＣｄＴｅ結晶の組成、お
よび厚さが均一なＣｄＴｅのエピタキシャル結晶が得ら
れる。
【００２２】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。図１は本発明の気相エピタキシャル成長
装置の第１実施例の説明図で、図示するように、石英製
の反応管１内にエピタキシャル成長用のサファイア製の
基板３を載置したカーボン製の基板加熱台２を設置し、
該反応管１に連なる原料ガス導入管４より水素ガスに希
釈されたエピタキシャル成長用のジエチルテルルガス、
およびジメチルカドミウムガスより成る原料ガスを導入
している。
細に説明する。図１は本発明の気相エピタキシャル成長
装置の第１実施例の説明図で、図示するように、石英製
の反応管１内にエピタキシャル成長用のサファイア製の
基板３を載置したカーボン製の基板加熱台２を設置し、
該反応管１に連なる原料ガス導入管４より水素ガスに希
釈されたエピタキシャル成長用のジエチルテルルガス、
およびジメチルカドミウムガスより成る原料ガスを導入
している。
【００２３】そしてこの原料ガスを導入する原料ガス導
入管４とは別個に前記反応管１の側壁に接続され、管の
外壁に加熱ヒータ１１を備えたガス流制御用ガス導入管
１２を設ける。
入管４とは別個に前記反応管１の側壁に接続され、管の
外壁に加熱ヒータ１１を備えたガス流制御用ガス導入管
１２を設ける。
【００２４】また前記基板加熱台２のガス上流側の先端
部Ｒの近傍、および該基板加熱台の回転中心に該当する
位置Ｓに、石英製の熱電対保護管１３内に挿入された熱
電対１４の先端部のジャンクション位置が位置するよう
にする。そして上記反応管１内に前記ガス流制御用ガス
導入管１２より水素ガスを例えば１０リットル／分の流
量で流し、該反応管の側壁に設けた高周波誘導加熱用の
コイル５に通電し、前記したガスの上流側の位置Ｒと、
基板加熱台２の回転中心に該当するガス下流側の位置Ｓ
の温度を熱電対１４で測定し、上記したＲ点の温度とＳ
点の位置の温度が等しくなるように、加熱ヒータ１１の
温度を調節する。そしてこのＲ点の温度とＳ点の温度が
合致した時点で、原料ガス導入管４より水素ガスに希釈
されたジメチルカドミウムガス、およびジエチルテルル
ガスのエピタキシャル成長用の原料ガスを０．５リット
ル／分の極く微量な状態で流す。そしてこの原料ガスを
反応管内に流すことで、前記Ｒ点の温度とＳ点の基板加
熱台２の位置で温度変動が生じると、この温度変動に応
じて、加熱ヒータ１１に流す電流を調節して基板加熱台
２のガス上流側の位置、或いはガス下流側の位置で温度
が均一に成るように調節する。
部Ｒの近傍、および該基板加熱台の回転中心に該当する
位置Ｓに、石英製の熱電対保護管１３内に挿入された熱
電対１４の先端部のジャンクション位置が位置するよう
にする。そして上記反応管１内に前記ガス流制御用ガス
導入管１２より水素ガスを例えば１０リットル／分の流
量で流し、該反応管の側壁に設けた高周波誘導加熱用の
コイル５に通電し、前記したガスの上流側の位置Ｒと、
基板加熱台２の回転中心に該当するガス下流側の位置Ｓ
の温度を熱電対１４で測定し、上記したＲ点の温度とＳ
点の位置の温度が等しくなるように、加熱ヒータ１１の
温度を調節する。そしてこのＲ点の温度とＳ点の温度が
合致した時点で、原料ガス導入管４より水素ガスに希釈
されたジメチルカドミウムガス、およびジエチルテルル
ガスのエピタキシャル成長用の原料ガスを０．５リット
ル／分の極く微量な状態で流す。そしてこの原料ガスを
反応管内に流すことで、前記Ｒ点の温度とＳ点の基板加
熱台２の位置で温度変動が生じると、この温度変動に応
じて、加熱ヒータ１１に流す電流を調節して基板加熱台
２のガス上流側の位置、或いはガス下流側の位置で温度
が均一に成るように調節する。
【００２５】また本発明の第２実施例として、前記した
熱電対を用いてガスの上流側とガスの下流側の温度を検
知する代わりに、図２に示すようにエピタキシャル成長
用の基板３のガス上流側の位置Ｋとガス下流側の位置（
基板の回転中心に該当）Ｍとの温度を光高温計（パイロ
メータ）１５を用いて測定しても良い。
熱電対を用いてガスの上流側とガスの下流側の温度を検
知する代わりに、図２に示すようにエピタキシャル成長
用の基板３のガス上流側の位置Ｋとガス下流側の位置（
基板の回転中心に該当）Ｍとの温度を光高温計（パイロ
メータ）１５を用いて測定しても良い。
【００２６】この場合も、前記したように反応管１内に
前記ガス流制御用ガス導入管１２より水素ガスを例えば
１０リットル／分の流量で流し、該反応管１の側壁に設
けた高周波誘導加熱用のコイル５に通電し、前記した基
板３のガスの上流側の位置Ｋとガス下流側の位置（基板
の回転中心の位置）Ｍの温度をパイロメータで測定し、
上記したＫ点の温度とＭ点の位置の温度が等しくなるよ
うに、加熱ヒータ１１の温度を調節する。そしてこのＫ
点の温度とＭ点の温度が合致した時点で、原料ガス導入
管４より水素ガスに希釈されたジメチルカドミウムガス
、およびジエチルテルルガスのエピタキシャル成長用の
原料ガスを０．５ リットル／分の極く微量な状態で流
す。この原料ガスの流量は、前記したガス流制御用ガス
の流量に比較して極微量であるので、この原料ガスを反
応管１内に導入しても、上記基板のガス上流位置Ｋ、お
よびガス下流位置Ｍの各々の温度は殆ど変動することは
無いので、第１実施例のような熱電対を用いる代わりに
パイロメータを用い、また加熱ヒータ１１の温度制御機
構も、反応管内の時々刻々に変動する温度に追随して比
例的に制御する複雑な温度制御機構を用い無くとも、エ
ピタキシャル成長前に定温に設定するだけで良くなり、
簡単な温度制御機構を用いても、エピタキシャル成長用
の基板の温度を均一な温度に調節することが可能となる
。
前記ガス流制御用ガス導入管１２より水素ガスを例えば
１０リットル／分の流量で流し、該反応管１の側壁に設
けた高周波誘導加熱用のコイル５に通電し、前記した基
板３のガスの上流側の位置Ｋとガス下流側の位置（基板
の回転中心の位置）Ｍの温度をパイロメータで測定し、
上記したＫ点の温度とＭ点の位置の温度が等しくなるよ
うに、加熱ヒータ１１の温度を調節する。そしてこのＫ
点の温度とＭ点の温度が合致した時点で、原料ガス導入
管４より水素ガスに希釈されたジメチルカドミウムガス
、およびジエチルテルルガスのエピタキシャル成長用の
原料ガスを０．５ リットル／分の極く微量な状態で流
す。この原料ガスの流量は、前記したガス流制御用ガス
の流量に比較して極微量であるので、この原料ガスを反
応管１内に導入しても、上記基板のガス上流位置Ｋ、お
よびガス下流位置Ｍの各々の温度は殆ど変動することは
無いので、第１実施例のような熱電対を用いる代わりに
パイロメータを用い、また加熱ヒータ１１の温度制御機
構も、反応管内の時々刻々に変動する温度に追随して比
例的に制御する複雑な温度制御機構を用い無くとも、エ
ピタキシャル成長前に定温に設定するだけで良くなり、
簡単な温度制御機構を用いても、エピタキシャル成長用
の基板の温度を均一な温度に調節することが可能となる
。
【００２７】また他の実施例として、前記原料ガス導入
管４は一本でなく複数本設けても良い。また前記ガス流
制御用ガス導入管１２の加熱ヒータ１１の補助加熱手段
として基板加熱台２からの放射熱を反射板（図示せず）
、或いは反射用レンズ（図示せず）を用いてガス流制御
用ガス導入管１２に当てるようにし、この放射熱を前記
加熱ヒータ１１の補助手段として用いても良い。
管４は一本でなく複数本設けても良い。また前記ガス流
制御用ガス導入管１２の加熱ヒータ１１の補助加熱手段
として基板加熱台２からの放射熱を反射板（図示せず）
、或いは反射用レンズ（図示せず）を用いてガス流制御
用ガス導入管１２に当てるようにし、この放射熱を前記
加熱ヒータ１１の補助手段として用いても良い。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の気相エピタ
キシャル成長装置によれば、原料ガスが反応管内に導入
される以前に分解されることなく、基板のガス上流側と
ガス下流側の温度を均一な状態に保つことが可能となり
、基板の温度が均一な状態でエピタキシャル結晶の成長
が行えるため、基板上に均一な組成、および均一な厚さ
のエピタキシャル結晶が得られる効果がある。
キシャル成長装置によれば、原料ガスが反応管内に導入
される以前に分解されることなく、基板のガス上流側と
ガス下流側の温度を均一な状態に保つことが可能となり
、基板の温度が均一な状態でエピタキシャル結晶の成長
が行えるため、基板上に均一な組成、および均一な厚さ
のエピタキシャル結晶が得られる効果がある。
【図１】 本発明の装置の第１実施例の説明図である
。
。
【図２】 本発明の装置の第２実施例の説明図である
。
。
【図３】 従来の装置の説明図である。
１ 反応管
２ 基板加熱台
３ 基板
４ 原料ガス導入管
５ コイル
１１ 加熱ヒータ
１２ ガス流制御用ガス導入管
１３ 熱電対保護管
１４ 熱電対
１５ 光高温計
Claims (5)
- 【請求項１】 反応管（１） 内にエピタキシャル成
長用の基板（３） を載置した基板加熱台（２） を設
置し、該反応管（１） に連なる原料ガス導入管（４）
よりエピタキシャル成長用の原料ガスを導入し、前記
基板（３） を加熱して反応管（１） 内に流入した原
料ガスを加熱分解して該基板（３） 上にエピタキシャ
ル結晶を成長する装置に於いて、前記原料ガスを導入す
る原料ガス導入管（４） とは別個に前記反応管（１）
に連なり、管の外壁に加熱手段（１１）を備えたガス
流制御用ガス導入管（１２）を設けるとともに、前記基
板（３） 、或いは基板加熱台（２） のガス上流側、
およびガス下流側の温度を検知する検知手段（１４，１
５） を備え、前記原料ガス導入管（４） 、およびガ
ス流制御用ガス導入管（１２）より反応管（１） 内に
ガスを導入し、前記検知手段（１４，１５） で、前記
基板（３） 、或いは基板加熱台（２） のガス上流側
、およびガス下流側の温度を検知し、該検知情報に基づ
いて、前記ガス流制御用ガス導入管（１２）の加熱手段
（１１）を作動させることを特徴とする気相エピタキシ
ャル成長装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の基板加熱台（２） が
回転可能であり、該基板加熱台（２） の回転中心（Ｓ
） と、該回転中心（Ｓ） よりガス上流側の基板加熱
台の位置（Ｒ） に前記温度検知手段（１４）を配置し
たことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の温度検知手段が光高温
計（１５）であり、基板の回転中心（Ｍ） 、および該
基板の回転中心（Ｍ） よりガス上流側の基板の位置（
Ｋ） の温度を、該反応管１の外部より光高温計（１５
）で検知したことを特徴とする気相エピタキシャル成長
装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の原料ガス導入管（４）
を複数本設けたことを特徴とする気相エピタキシャル
成長装置。 - 【請求項５】 請求項１記載のガス流制御用ガス導入
管（１２）の加熱手段（１１）の補助加熱手段として基
板加熱台（２） からの放射熱を用いたことを特徴とす
る気相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14285491A JPH04367238A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14285491A JPH04367238A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04367238A true JPH04367238A (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=15325166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14285491A Withdrawn JPH04367238A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04367238A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294942A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置 |
| US8888913B2 (en) | 2006-03-30 | 2014-11-18 | Sumco Techxiv Corporation | Method of manufacturing epitaxial silicon wafer and apparatus therefor |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP14285491A patent/JPH04367238A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294942A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置 |
| US8888913B2 (en) | 2006-03-30 | 2014-11-18 | Sumco Techxiv Corporation | Method of manufacturing epitaxial silicon wafer and apparatus therefor |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |