JPH04367103A - 弾性表面波発振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、弾性表面波素子，増
幅器等から構成される弾性表面波発振器に関し、特に簡
単な回路構成で高い発振周波数の正弦波信号を出力する
弾性表面波発振器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図７は、従来のこの種の弾性表面波発振
器の一例を示しており、例えば、昭和５４年度電子通信
学会総合全国大会の２１０４のｐｐ．８−１２７または
ザ・ラジオ・アンド・エンジニア、ボリュム４７、ナン
バー５（Ｔｈｅ　　Ｒａｄｉｏａｎｄ　　Ｅｎｇｉｎｅ
ｅｒ，　　Ｖｏ１．４７，Ｎｏ．５）のｐｐ．２０９−
２１６もしくは１９７７または１９７６のウルトラソニ
ックス・シンポジウム　　プロシーディングス、アイイ
ーイーイー、カタログ・ナンバー７６（Ｕｌｔｒａｓｏ
ｎｉｃｓ　　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　　Ｐｒｏｃｅｅｄｉ
ｎｇｓ，ＩＥＥＥ，Ｃａｔ．Ｎｏ．７６）のＣＨ１１２
０−５ＳＵのｐｐ．２３４−２３９に記載されている。 図７において、１は弾性表面波素子であり、増幅器２と
共に正帰還回路３を構成している。４は移相器，５は基
準発振器，６は位相比較器であり、正帰還回路３の出力
の発振信号は、端子１１を介して取り出す。

【０００３】次に従来の技術の動作について説明すると
、周波数Ｆにおける弾性表面波素子１を通過する発振信
号の通過位相をφｓ、通過損失をＬｓ、増幅器２の通過
位相をφａ、利得をＧａ、移相器４の通過位相をφｐ、
通過損失をＬｐ、さらに、端子１１を介して正帰還回路
３の外部に発振電力を取り出すことにより生じる損失分
をＬｏとすると、正帰還回路３により構成される発振ル
ープのループ位相及びループ利得が、以下に示す２つの
条件を満足するときに、正帰還回路３で周波数Ｆの発振
が生じる。 条件１：φｓ＋φａ＋φｐ＝３６０・ｎ（単位：度）条
件２：Ｌｓ＋Ｌｐ＋Ｌｏ≦Ｇａ　　　　　　（単位：ｄ
Ｂ）ここで、ｎは整数である。

【０００４】弾性表面波素子１は、中心周波数Ｆｓ付近
に極めて狭い発振信号の通過域を有し、かつ、通過位相
が急峻に変化する特性を有している。通常、弾性表面波
素子１の負荷Ｑは数百から数千程度以上の値を有してい
るから、通過帯域幅は通過域を形勢する周波数Ｆｓの数
百分の１から数千分の１以下の値となる。したがって、
弾性表面波素子１の通過帯域幅程度の周波数範囲では、
増幅器２や移相器４のの周波数による通過位相φａ、φ
ｐの変化量は極めて小さく、ほとんど一定の値を示すと
考えることができる。一方、弾性表面波素子１の通過位
相φｓは通過帯域幅の中で、急峻な変化を示すため、正
帰還回路３の位相条件、すなわち、条件１を満足する発
振周波数Ｆも極めて狭い周波数の範囲に限定される。し
たがって、発振周波数Ｆは、弾性表面波素子１の中心周
波数Ｆｓに極めて近い範囲に限定される。そして、正帰
還回路３の移相器４の通過位相φｐを外部信号によって
可変させることにより、正帰還回路３での位相条件を満
足する発振周波数Ｆの値をわずかに変化させることがで
きる。

【０００５】正帰還回路３での発振信号の周波数Ｆは、
移相器４の通過位相φｐを一定値に固定させても、弾性
表面波素子１や増幅器２等のわずかな温度変化や経時変
化による通過位相φｓやφａの変化によって変化してし
まう。このため、このような発振周波数Ｆの不安定性を
解消するために、発振周波数の極めて安定した水晶発振
器などを用いて構成した基準発振器５０からの信号と正
帰還回路３の発振信号とを、位相比較器６に入力し、正
帰還回路３の発振信号の周波数Ｆが、基準発振器５から
の基準信号の周波数と同じになるように、位相同期制御
している。すなわち、正帰還回路３内の発振信号の位相
が、基準発振器５からの基準信号の位相とずれを生じた
場合に、そのずれ量に対応した制御信号を移相器４に印
加し、移相器４の通過位相φｐを変化させることにより
、正帰還回路３のループ位相を制御し、正帰還回路３の
発振信号の周波数Ｆが、基準発振器５からの基準信号に
一致するように制御している。

【０００６】上記で示したような従来の弾性表面波発振
器では、正帰還回路３内の発振信号の周波数Ｆと弾性表
面波素子１が通過域を構成する周波数Ｆｓとは、ほとん
ど同じであることが必要である。したがって、弾性表面
波素子１の通過域の周波数Ｆｓの実現可能な範囲が、従
来のこの種の弾性表面波発振器における発振信号の周波
数Ｆの実現可能な範囲であった。弾性表面波素子１は、
通過域となる周波数Ｆｓにおける弾性表面波の波長に比
例した線幅を有する金属薄膜によって構成されるため、
弾性表面波素子１の通過域の周波数Ｆｓは、その金属薄
膜の線幅の加工限界によって、実現可能な周波数の範囲
が決まる。現在の技術では、上記金属薄膜の線幅は、１
μｍ前後が微細加工の限界であるため、弾性表面波素子
１の通過域の周波数Ｆｓは、１ＧＨｚから２ＧＨｚ程度
が実現可能な値の上限となる。

【０００７】さらに、基準発振器５を構成する水晶発振
器の発振周波数についても、加工上の理由から実現可能
な周波数に限界があり、２００ＭＨｚ程度が上限である
。位相比較器６で比較される正帰還回路３内の発振信号
の周波数と比較の基準とする基準発振器５からの安定し
た基準信号の周波数とは、上記位相同期回路が安定に動
作している状態では、同じ周波数となる。したがって、
正帰還回路３内の発振信号の周波数と、基準発振器５か
らの基準信号の周波数とは、ほぼ同じ値であることが必
要となる。しかし、弾性表面波素子１と基準発振器５を
構成する水晶発振器９とは、実現可能な周波数が異なる
。このため、実際の弾性表面波発振器では、図８に示す
ように、分周器７を用いて、正帰還回路３からの周波数
Ｆで発振している信号を基準発振器５からの基準信号と
同じ周波数まで分周して、移相器４に入力する方法、ま
たは、図９に示すように、逓倍器８を用いて水晶発振器
９からの信号を逓倍して、基準発振器５０を構成する方
法が用いられてきた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このため、従来のこの
種の弾性表面波発振器では、分周器７または逓倍器８の
ような回路要素が必要となるために、発振回路が複雑に
なる上、弾性表面波素子１、水晶発振器９、分周器７ま
たは逓倍器８等が機能することができる周波数の制限に
よって、高い周波数での発振回路を実現できない問題が
あった。

【０００９】この発明は、上記の問題点を解決するため
になされたものであり、分周器の分周次数または逓倍器
の逓倍次数を低くすること、もしくは分周器または逓倍
器をなくすことによって、分周器及び逓倍器によって発
振器の性能が制限されることを抑え、高い周波数での発
振回路を簡単な回路で構成できる弾性表面波発振器を提
供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この第１の発明に係る弾
性表面波発振器では、図１で示すように、弾性表面波素
子１における発信信号の通過周波数帯の周波数の通過を
阻止し、かつ弾性表面波素子１における発振信号の通過
周波数帯の２以上の整数倍の周波数を通過させるフィル
タ１０を正帰還回路３の出力側に設けた。第２の発明に
係る弾性表面波発振器では、図４で示すように、位相制
御手段（移相器４）に可変容量ダイオード１７を用いた
。第３の発明に係る弾性表面波発振器では、図５で示す
ように、位相制御手段及び増幅器を、ディアル電界効果
トランジスタ１８を用いた位相・増幅制御回路２１で構
成した。第４の発明に係る弾性表面波発振器では、図６
で示すように、第１の増幅器（増幅器２）にさらに第２
の増幅器（増幅器２０）を正帰還回路３内に直列に設け
た。

【００１１】

【作用】上記のように構成された弾性表面波発振器では
、正帰還回路内で弾性表面波素子の発振信号の通過域で
ある周波数Ｆで発振が生じている。このとき、位相制御
手段には、従来のこの種の弾性表面波発振器と同様に、
正帰還回路の発振信号と基準発振器からの基準信号を入
力する。このとき、正帰還回路内の増幅器では、常に発
振信号の周波数Ｆの整数倍の周波数の信号も高調波とし
て発生している。この第１の発明に係る弾性表面波発振
器では、上記弾性表面波素子における発信信号の通過周
波数帯の周波数の通過を阻止し、かつ、上記弾性表面波
素子の通過周波数帯の２以上の整数倍の周波数を通過さ
せるフィルタを正帰還回路の出力側に設け、このフィル
タを介して上記正帰還回路の発振信号を取り出している
。したがって、正帰還回路の周波数Ｆの発振信号は、基
準発振器からの基準信号と位相同期されて安定化され、
正帰還回路内で発振を継続する。このとき、増幅器で発
生した高調波も、安定化された周波数Ｆの発振信号と同
様に安定化されており、上記弾性表面波素子の通過周波
数帯の２以上の整数ｎ倍の周波数ｎ・Ｆを通過させるフ
ィルタで、通過可能な周波数の高調波のみを発振器出力
として取り出すことができる。このとき、発振器出力と
して取り出した信号の周波数を基準にすると、弾性表面
波素子の発振信号の通過域である周波数は、発振器出力
のｎ分の１の周波数であり、したがって、位相比較器へ
入力する信号の周波数も発振器出力のｎ分の１の周波数
を使用することになる。この第２の発明に係る弾性表面
波発振器では、位相制御手段に可変容量ダイオードを用
い、この可変容量ダイオードの静電容量を変化させるこ
とで、正帰還回路の発振信号の通過位相を変化させる。 この第３の発明に係る弾性表面波発振器では、位相制御
手段及び増幅器を、デュアル電界効果トランジスタを用
いた位相・増幅制御回路で構成している。このため、デ
ュアル電界効果トランジスタの一方のゲートに正帰還回
路の発振信号を入力して増幅器として動作させるととも
に、他方のゲートに制御信号を入力して位相制御手段と
して動作させる。この第４の発明に係る弾性表面波発振
器では、第１の増幅器に加えて、第２の増幅器を正帰還
回路内に直列に設けることにより、正帰還回路内の利得
を大きくして、高い周波数の大きな発振器出力を得る。

【００１２】

【実施例】図１は、第１の発明の弾性表面波発振器の一
実施例を示すブロック図である。図１において、４，５
，６は位相制御手段であり、１は弾性表面波素子、２は
増幅器、３は正帰還回路、４は移相器、５は基準発振器
、６は位相比較器、１０はフィルタである。弾性表面波
素子１は、従来と同様に増幅器２と、正帰還回路３を構
成している。基準発振器５は、水晶発振器のみから構成
されるか又は水晶発振器と逓倍次数の低い逓倍器とから
構成され、常に一定の周波数の基準信号を出力する。 位相比較器６は、基準発振器５からの基準信号と正帰還
回路３の発振信号との位相を比較して、移相器４を制御
する。移相器４は位相比較器６の出力に応じて正帰還回
路３のループ位相を制御する。

【００１３】フィルタ１０は、正帰還回路３の出力側に
設けられ、正帰還回路３の出力の端子１１からの、弾性
表面波素子１における発信信号の通過周波数帯の周波数
の通過を阻止し、かつ、弾性表面波素子１における発信
信号の通過周波数帯の２以上の整数倍の周波数を通過さ
せる。

【００１４】この弾性表面波発振器の、移相器４、増幅
器２、位相比較器６及び基準発振器５は、すべて弾性表
面波素子１における発信信号の通過周波数帯の周波数Ｆ
で動作している。また、正帰還回路３で発振している発
振信号は、端子１１、フィルタ１０を介して発振電力と
して取り出される。

【００１５】次に、第１の発明の実施例の動作について
説明する。上記のように構成された弾性表面波発振器で
は、周波数Ｆで発振している基準発振器５からの基準信
号と位相同期された信号とが、正帰還回路３内で発振信
号として存在している。正帰還回路３の発振信号を取り
出す端子１１には、周波数Ｆの発信信号を阻止するフィ
ルタ１０が接続されているため、周波数Ｆの発振信号は
正帰還回路３内に閉じ込められて発振を継続している。 この周波数Ｆの発振信号は、基準発振器５と位相同期し
ているため、周波数が安定している。このとき、正帰還
回路３内の増幅器２は、飽和状態で動作しているため、
強い非線形性があり、増幅器２では、周波数Ｆの発信信
号に対して整数倍の周波数の発信信号も、高調波として
発生している。例えば、これらの高調波のうち、周波数
Ｆの５倍の周波数の信号のみがフィルタ１０を通過でき
る場合、周波数５・Ｆの信号のみが発振器出力としてフ
ィルタ１０から取り出すことができる。この周波数５・
Ｆの高調波信号も、また、基準発振器５と位相同期され
た周波数Ｆの発振信号と、完全に同期して発生するため
に、周波数は安定化している。

【００１６】したがって、この弾性表面波発振器の、弾
性表面波素子１、移相器４、位相比較器６及び基準発振
器５が周波数Ｆにて動作している場合でも、正帰還回路
３からの発振器出力は周波数Ｆの５倍の周波数５・Ｆを
得ることが可能であり、従来のこの種の弾性表面波発振
器に比較して、極めて高い周波数の発振器出力を得るこ
とが可能となる。例えば、弾性表面波発振器の発振器出
力が５００ＭＨｚである場合には、弾性表面波素子１や
基準発振器５の周波数は１００ＭＨｚでよいため、１０
０ＭＨｚの水晶発振器のみで基準発振器５を構成するこ
とができるようになり、基準発振器５内の水晶発振器と
直列に接続された逓倍器をなくすことが可能となる。こ
の結果、回路構成を簡単にすることも可能となり、弾性
表面波発振器における高い周波数の発振器出力を簡単な
構成で実現することが可能となる。

【００１７】また、逓倍器をなくすことができなくても
、従来のこの種の弾性表面波発振器と比べて、逓倍器の
逓倍次数を小さくすることができる。逓倍器は、高調波
を発生させる機構と所要の高調波のみを取り出すための
フィルタとから構成されているため、逓倍次数が小さく
なると、所要の高調波の周波数に対する他の高調波との
周波数の差を大きくすることが可能となり、所要の高調
波のみを取り出すためのフィルタの周波数帯域外での減
衰をゆるやかにすることができ、その結果、所要の高調
波のみを取り出すためのフィルタの段数を低減し、構成
を簡単にすることが可能となる。

【００１８】図２は図１の実施例の第１の応用例を示す
ブロック図である。この実施例では、正帰還回路３の発
振信号を分周器７を介して位相比較器６に入力している
。この場合には、分周器７の分周次数をｍとし、正帰還
回路３内の発振信号の周波数をＦとすると、位相比較器
と基準発振器５は周波数Ｆ／ｍにて動作している。この
ような構成の場合には、基準発振器５は、水晶発振器の
みから構成され、水晶発振器と直列に接続される逓倍器
を省略して、回路構成を簡単にする場合が多い。この発
明に係る弾性表面波発振器では、従来の技術のように、
たとえ分周器が必要な場合でも、分周器７の分周次数ｍ
を小さくすることが可能となるため、分周器７の回路構
成が簡単になり、この結果、弾性表面波発振器の構成を
簡単にすることができる。

【００１９】図３は図１の実施例の第２の応用例を示す
ブロック図である。この実施例では、位相比較器６に入
力する正帰還回路３の発振信号を、弾性表面波素子１の
出力から取り出しており、位相比較器６に入力する正帰
還回路３内の発振信号の取り出し位置は正帰還回路内の
任意の位置でよい。

【００２０】図４は、第２の発明の実施例を示す弾性表
面波発振器の移相器を、可変容量ダイオードを用いて構
成した場合の基本回路図であり、各ブロックの構成につ
いては図１と同じである。図４において、１２はバイポ
ーラトランジスタ、１３は抵抗、１４はコンデンサ、１
５はリアクトル、１６は電源、１７は可変容量ダイオー
ドである。増幅器２は、バイポーラトランジスタ１２と
、抵抗１３と、コンデンサ１４と、リアクトル１５と、
電源１６とから構成されている。バイポーラトランジス
タ１２は、高調波が発生しやすいように、バイアス条件
を設定している。すなわち、通常はベースに接続された
２つの抵抗１３によって、ベースの電位を電源１６の電
圧Ｖｃｃの約２分の１に設定することが多いが、ベース
の電位を電源１６の電圧Ｖｃｃの２分の１よりも少なく
したり、あるいは、より電源１６の電圧Ｖｃｃに近い値
に設定して、ベースに入力する信号が飽和しやすくなる
ようにして、高調波の電力レベルを大きくするように設
定する。これにより、正帰還回路３での弾性表面波素子
１の通過域の周波数Ｆの信号に対する、高調波ｎ・Ｆの
電力レベルが増大し、弾性表面波発振器の発振出力の電
力レベルを増大させることができる。

【００２１】移相器４は、２つのリアクトル１５と、可
変容量ダイオード１７の簡単な回路で構成され、この可
変容量ダイオード１７のカソード側は位相比較器６及び
２つのリアクトル１５の接続点と接続され、可変容量ダ
イオード１７のアノード側は設置されている。この移相
器４は、位相比較器６からの制御信号により、可変容量
ダイオード１７の静電容量を変化させることで、発振信
号の通過位相を変化させる。フィルタ１０は、コンデン
サ１４と、リアクトル１５とから構成される帯域通過形
のフィルタである。ここで位相比較器６や基準発振器５
は、従来のこの種の弾性表面波発振器に使用されている
ものを用いる。

【００２２】図５は第３の発明の実施例を示す弾性表面
波発振器にデュアル電界効果トランジスタ（ディアルＦ
ＥＴ）を用いて構成した場合の基本回路図である。図５
において、１８はデュアル電界効果トランジスタであり
、２１は位相・増幅制御回路である。位相・増幅制御回
路２１は抵抗１３と、コンデンサ１４と、リアクトル１
５と、デュアル電界効果トランジスタ１８とから構成さ
れている。デュアル電界効果トランジスタ１８の第１の
ゲートは位相比較器６と接続され、第２のゲートはコン
デンサ１４を介して弾性表面波素子１及び位相比較器６
と接続され、ソースは抵抗１３とコンデンサ１４との並
列回路を介して接地され、ドレインはコンデンサ１４を
介して弾性表面波素子１及びフィルタ１０と接続されて
いる。この実施例では、正帰還回路３のループ位相を制
御する方法として、デュアルゲート電界効果トランジス
タ１８を用いている。デュアルゲート電界効果トランジ
スタ１８は、第１と第２の２つのゲートを有するもので
あり、それぞれのゲートに入力した信号を増幅する機能
を有する。同時に、ゲートに印加する信号によって、第
２のゲートとソース間及び第１のゲートとドレイン間に
存在する静電容量を変化させることができるため、これ
らの静電容量の変化により、デュアルゲート電界効果ト
ランジスタ１８を通過する信号の位相を変化させること
ができる。すなわち、第２のゲートに正帰還回路３の発
振信号を入力して増幅器として動作させ、第１のゲート
に位相比較器６からの制御信号を入力して移相器４とし
て動作させることにより、正帰還回路３のループ位相を
制御することができる。したがって、この第３の発明で
は、正帰還回路内の位相を制御する手段は、移相器４に
限らず、任意の場合に適用できる。

【００２３】なお、上記説明では、弾性表面波素子の発
振信号の周波数Ｆの通過域に対して周波数Ｆの５倍の周
波数に通過域を有するフィルタ１０を介して、正帰還回
路３内の発振出力を取り出す場合について説明したが、
この第３の発明は上記説明の場合に限らない。したがっ
て、フィルタ１０の通過周波数は、弾性表面波素子の２
以上の整数倍であれば効果は同じである。さらに、フィ
ルタ１０は、コンデンサ１４とインダクタ１５とから構
成される場合のみではなく、弾性表面波素子１の通過域
の周波数を阻止し、弾性表面波発振器として必要な周波
数を通過させる機能を有するフィルタであれば、いかな
る構成のフィルタでも適用できる。また、この第３の発
明に係る弾性表面波発振器では、弾性表面波素子１を圧
電体基板表面にエネルギーを集中させて伝搬する弾性波
を用いた素子を総称して指しており、例えば、レーリー
波以外にも、ＳＨ波，漏洩弾性表面波，基板表面にエネ
ルギーを集中させて伝搬するバルク波を用いた素子のこ
とをまとめて総称している。

【００２４】図６は第４の発明の実施例を示す弾性表面
波発振器に増幅器を追加した場合のブロックである。図
６において、２０は第２の増幅器としての増幅器であり
、第１の増幅器としての増幅器２と同様に、信号を増幅
する機能をもつ。増幅器２０は弾性表面波素子１の出力
と移相器４との間に直列に設けられている。この実施例
では、弾性表面波素子１からの出力信号は、増幅器２０
を介して移相器４に入力され、再び、増幅器２に入力さ
れている。この場合、弾性表面波素子１と位相器４との
間にある増幅器２０は、高調波を発生させなくてもよく
、正帰還回路３内の利得を大きくする。このように、こ
の第４の発明に係る弾性表面波発振器では、正帰還回路
３内の増幅器２は複数個の場合にも適用することができ
、増幅器２と移相器４と弾性表面波素子１の配置順序が
任意の場合に適用できる。また、増幅器２０は信号を増
幅する機能があればよく、増幅器の形式が任意の場合に
適用できる。

【００２５】

【発明の効果】以上のように第１の発明によれば、弾性
表面波素子の発振信号の通過周波数帯の周波数通過を阻
止し、かつ、上記弾性表面波素子の通過周波数帯におけ
る２以上の整数倍の周波数を通過させるフィルタを具備
しているので、発振器出力の周波数の整数分の１の周波
数で動作する弾性表面波素子、位相比較器及び基準発振
器を用いて構成することができ、基準発振器の周波数と
正帰還回路内の発振信号とを位相同期させる周波数を低
く設定することができるため、分周器の分周次数または
逓倍器の逓倍次数を低くすること、分周器又は、逓倍器
をなすことが可能となり、分周器や逓倍器によって発振
器の性能が制限されることを抑え、所要の特性を簡単な
回路で実現できる効果がある。第２の発明によれば、位
相制御手段に可変容量ダイオードを用いたため、位相制
御手段を簡単な回路で構成できる効果がある。第３の発
明によれば、位相制御手段の一部と増幅器とをデュアル
電界効果トランジスタを用いた位相・増幅制御回路とし
たため、位相制御手段及び増幅器を少ない部品で構成で
きる効果がある。第４の発明によれば、正帰還回路にさ
らに増幅器を直列に設けることにより、高い周波数で大
きな発振器出力が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この第１の発明の弾性表面波発振器の一実施例
を示すブロック図である。

【図２】図１の実施例の第１の応用例を示すブロック図
である。

【図３】図１の実施例の第２の応用例を示すブロック図
である。

【図４】この第２の発明の弾性表面波発振器における移
相器に可変容量ダイオードを用いた場合の基本回路図で
ある。

【図５】この第３の発明の弾性表面波発振器における増
幅器，移相器に電界効果トランジスタを用いた場合の基
本回路図である。

【図６】この第４の発明の弾性表面波発振器における正
帰還回路にさらに増幅器を加えた場合の基本回路図であ
る。

【図７】従来の弾性表面波発振器を示すブロック図であ
る。

【図８】分周器を使用した従来の弾性表面波発振器を示
すブロック図である。

【図９】図８の基準発振器を詳細に示す図である。

【符号の説明】

１　　弾性表面波素子 ２　　増幅器 ３　　正帰還回路 ４　　移相器 ５　　基準発振器 ６　　位相比較器 １０　　フィルタ １７　　可変容量ダイオード

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　弾性表面波素子と増幅器とで構成した
   正帰還回路と、基準発振器の基準信号と上記正帰還回路
   の発振信号との位相を位相比較器で比較して、上記位相
   比較器の出力に応じて上記正帰還回路のループ位相を変
   化させる位相制御手段とを備えた弾性表面波発振器にお
   いて、上記弾性表面波素子における発信信号の通過周波
   数帯の周波数の通過を阻止し、かつ、上記弾性表面波素
   子における発振信号の通過周波数帯の２以上の整数倍の
   周波数を通過させるフィルタを出力側に設けたことを特
   徴とする弾性表面波発振器。
2. 【請求項２】　　上記位相制御手段に、可変容量ダイオ
   ードを用いたことを特徴とする請求項１記載の弾性表面
   波発振器。
3. 【請求項３】　　上記位相制御手段及び上記増幅器を、
   デュアル電界効果トランジスタを用いた位相・増幅制御
   回路で構成したことを特徴とする請求項１記載の弾性表
   面波発振器。
4. 【請求項４】　　弾性表面波素子と第１の増幅器とで構
   成した正帰還回路と、基準発振器の基準信号と上記正帰
   還回路の発振信号との位相を位相比較器で比較して、上
   記位相比較器の出力に応じて上記正帰還回路のループ位
   相を変化させる位相制御手段とを備えた弾性表面波発振
   器において、発振信号を増幅する第２の増幅器を上記正
   帰還回路内に直列に設けたことを特徴とする弾性表面波
   発振器。