JPH04355731A - Directional coupler type optical functional element and its driving method - Google Patents

Directional coupler type optical functional element and its driving method

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JPH04355731A
JPH04355731A JP13116491A JP13116491A JPH04355731A JP H04355731 A JPH04355731 A JP H04355731A JP 13116491 A JP13116491 A JP 13116491A JP 13116491 A JP13116491 A JP 13116491A JP H04355731 A JPH04355731 A JP H04355731A
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optical
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麦 漢明
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Abstract

PURPOSE:To obtain a >=30dB high extinction ratio in both of a cross state and a through state. CONSTITUTION:The two-input, 2-output directional coupler optical functional element is constituted by providing a coupling part C0 where two optical waveguides A and B which are loaded with propagation constant control means F1, F2, F3, and F4 and equal in propagation constant are arranged in parallel, optically connecting the incidence ends A1 of only one of the two optical waveguides A and B, i.e., optical waveguide A to one straight optical waveguides E1 to form an incidence-side lead part C1, and also optically connecting the projection ends A2 and B2 of the two optical waveguides A and B to curved or straight optical waveguides D3 and D4 to form a projection- side lead part C2 connected to a through port E and a cross port E4; and mode coupling suppressing means F5 and F6 are arranged on the respective optical waveguides D3 and D4 of the projection-side lead part C2.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は新規構造の方向性結合器
型光機能素子とその駆動方法に関し、更に詳しくは、光
スイッチ,光偏波スプリッタ,光変調器,光合分波器な
どに用いて高消光比を実現できる方向性結合器型光機能
素子とその駆動方法に関する。
[Field of Industrial Application] The present invention relates to a directional coupler type optical functional element with a new structure and a method for driving the same. The present invention relates to a directional coupler type optical functional device that can achieve a high extinction ratio and a method for driving the same.

【0002】0002

【従来の技術】最近、導波路型の方向性結合器構造を有
する各種の光機能素子が開発され、それを用いた光スイ
ッチ,光偏波スプリッタ,光変調器,光合分波器などが
提案されている。従来の方向性結合器型の光機能素子例
の平面パターンを図6,図7にそれぞれ示す。図6で示
した素子は2入力・2出力の素子であり、図7で示した
素子は1入力・2出力の素子である。
[Background Art] Recently, various optical functional devices having a waveguide-type directional coupler structure have been developed, and optical switches, optical polarization splitters, optical modulators, optical multiplexers/demultiplexers, etc. using them have been proposed. has been done. Planar patterns of examples of conventional directional coupler type optical functional elements are shown in FIGS. 6 and 7, respectively. The element shown in FIG. 6 is a two-input/two-output element, and the element shown in FIG. 7 is a one-input/two-output element.

【0003】図6において、互いに等しい路幅Wを有す
る2本の光導波路A,Bがエバネッセント結合可能な間
隔Gを置いて互いに近接して平行配置されることにより
、長さLの結合部C0 が構成されている。結合部C0
 における光導波路A,Bのそれぞれ入射端A1 ,B
1 および出射端A2 ,B2 には、路幅がWで曲率
半径Rの曲線光導波路D1 ,D2 ,D3 ,D4 
がそれぞれ光接続されて入射側リード部C1 ,出射側
リード部C2を形成している。更に、曲線光導波路D1
 ,D2 ,D3 ,D4 には、それぞれ、路幅がW
の直線光導波路E1 ,E2 ,E3 ,E4 が互い
の路幅中心間の距離GF の間隔で光接続されている。 そして、結合部C0 における光導波路A,Bの上には
、電極F1 ,F2 ,F3 ,F4 が装荷されてい
る。これら電極F1 〜F4 は、ここから所定の電気
信号を導入することにより、それぞれの直下に位置する
光導波路の伝搬定数を必要な値に制御するための伝搬定
数制御手段として機能する。
In FIG. 6, two optical waveguides A and B having the same path width W are arranged close to each other in parallel with an interval G that allows evanescent coupling, thereby forming a coupling portion C0 of length L. is configured. Connecting part C0
The input ends A1 and B of the optical waveguides A and B at
1 and the output ends A2, B2 are curved optical waveguides D1, D2, D3, D4 with a path width W and a radius of curvature R.
are optically connected to form an input side lead portion C1 and an output side lead portion C2. Furthermore, the curved optical waveguide D1
, D2, D3, and D4 each have a road width of W.
The straight optical waveguides E1, E2, E3, and E4 are optically connected at intervals of a distance GF between the centers of their respective path widths. Electrodes F1, F2, F3, and F4 are loaded on the optical waveguides A and B in the coupling portion C0. These electrodes F1 to F4 function as a propagation constant control means for controlling the propagation constant of the optical waveguide located directly below each electrode to a required value by introducing a predetermined electric signal therefrom.

【0004】ここで、直線光導波路E1 を入射ポート
にすると、出射側リード部C2 に接続する直線光導波
路E3 ,E4 はそれぞれスルーポート,クロスポー
トになる。図7の1入力・2出力の素子の場合は、図6
の2入力・2出力の素子において、光導波路Aの入射端
A1 にのみ、直接1本の直線光導波路E0 を光接続
して入射側リード部C1 とした構造になっている。こ
の素子では、直線光導波路E0 が入射ポートであり、
出射側リード部C2 に接続する直線光導波路E3 ,
E4 がそれぞれスルーボート,クロスポートになって
いる。
[0004] Here, if the straight optical waveguide E1 is used as an input port, the straight optical waveguides E3 and E4 connected to the output side lead portion C2 become a through port and a cross port, respectively. In the case of the 1-input/2-output element in Fig. 7, Fig. 6
In this two-input/two-output device, one linear optical waveguide E0 is directly optically connected only to the input end A1 of the optical waveguide A to form the input side lead portion C1. In this device, the straight optical waveguide E0 is the input port,
Straight optical waveguide E3 connected to output side lead part C2,
E4 is a through boat and a cross port respectively.

【0005】上記したこれらの素子を現在実施段階に入
りつつあるファイバ通信システムに組込むためには、漏
話による誤り発生を防止することが必要になる。したが
って、低漏話、すなわち高消光比特性を有する素子が必
要になる。ところで、図6で示した素子の場合、電極F
1 ,F2 ,F3,F4 から適当な電気信号を導入
することによって、理論的には、完全なクロス状態を実
現することは可能である。
[0005] In order to incorporate these above-mentioned elements into fiber communication systems that are currently being implemented, it is necessary to prevent errors due to crosstalk. Therefore, a device with low crosstalk, ie, high extinction ratio characteristics, is required. By the way, in the case of the element shown in FIG.
By introducing appropriate electrical signals from 1, F2, F3, and F4, it is theoretically possible to achieve a complete cross state.

【0006】しかしながらスルー状態の場合は、入射側
リード部C1 ,出射側リード部C2 において、わず
かではあるが結合が生ずるため、完全なスルー状態を実
現することができず、消光比は高々25dB程度にしか
ならない。図7で示した素子の場合、スルー状態におい
ては図6の素子の場合よりも高い約35dB程度の消光
比を得ることができるが、しかし、クロス状態において
は対称性が崩れるため、高々20dB程度の消光比しか
得られない。
[0006] However, in the case of a through state, a small amount of coupling occurs in the input side lead part C1 and the output side lead part C2, so a complete through state cannot be realized, and the extinction ratio is about 25 dB at most. It only becomes. In the case of the element shown in Fig. 7, in the through state it is possible to obtain an extinction ratio of about 35 dB, which is higher than that in the case of the element in Fig. 6.However, in the cross state, the symmetry is broken, so the extinction ratio is about 20 dB at most. Only an extinction ratio of .

【0007】このように、従来の素子は、スルー状態ま
たはクロス状態のいずれかの状態で消光比が低くなり、
両方の状態で高い消光比特性を示すということはない。 そして、光機能素子における消光比特性は、スルー状態
またはクロス状態の消光比のうち低い消光比で規定され
るので、結局、素子全体の消光比としては低い値しか得
られないことになる。
[0007] As described above, the extinction ratio of the conventional element is low in either the through state or the cross state,
It is not the case that high extinction ratio characteristics are exhibited in both states. Since the extinction ratio characteristic of an optical functional element is defined by the lower extinction ratio of the through state or cross state extinction ratio, only a low value can be obtained as the extinction ratio of the entire element.

【0008】なお、ここでいう消光比とは、スルーポー
トの出力パワーを|r|2 とし、クロスポートの出力
パワーを|s|2 としたとき、次式: 101og10(  |r|2 /|s|2 )で算出
される値をいう。上記した構造の光機能素子においても
、比較的高い消光比特性を有するものとしては、例えば
、P. GranestrandらがTech Dig
. IGWO’86で発表した消光比27dB程度の光
スイッチや、H. M. Mak らが電子情報通信学
会1990秋季全国大会C−216で発表した消光比2
8dB程度の光偏波スプリッタなどが知られている。
[0008] The extinction ratio referred to here is expressed by the following formula: 101og10 ( |r|2 /| s|2). Among the optical functional elements having the above structure, for example, P. Granestrand et al.
.. The optical switch with an extinction ratio of about 27 dB announced at IGWO'86, and the H. M. Extinction ratio 2 presented by Mak et al. at the IEICE 1990 Autumn National Conference C-216
Optical polarization splitters of about 8 dB are known.

【0009】また、H. M. Mak らは、電子情
報通信学会1991春季全国大会C−224において、
図8で示したような構造の素子を提案した。この素子は
長さLの結合部C0 を、p1 ,p2 ,p3 がp
1 +p2 +p3 <1(ただし、p1 ≠0)を満
足する少数またはゼロであるとしたとき、長さp1 ×
Lの前段部分結合部C3 ,長さ(1−p1 −p2 
−p3 )×L/2の前段電極付き部分結合部C4 ,
長さp2 ×Lの中央部分結合部C5 ,前記前段電極
付き部分結合部と同じ長さの後段電極付き部分結合部C
6 ,長さp3 ×Lの後段部分結合部C7 で構成し
たものである。
[0009] Also, H. M. At the IEICE 1991 Spring National Conference C-224, Mak et al.
An element with a structure as shown in FIG. 8 was proposed. This element has a coupling part C0 of length L, and p1, p2, p3 are p
1 + p2 + p3 < 1 (however, p1 ≠ 0), assuming that it is a small number or zero, the length p1 ×
L's front partial joint C3, length (1-p1-p2
-p3)×L/2 partial coupling part C4 with front stage electrode,
a central partial joint part C5 with length p2×L; a partial joint part C with rear stage electrodes having the same length as the partial joint part with electrodes in the former stage;
6, and a rear partial connecting portion C7 having a length p3×L.

【0010】この素子の場合は、理論上は、少なくとも
40dB程度の消光比を得ることができる。
In the case of this element, it is theoretically possible to obtain an extinction ratio of at least about 40 dB.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】図8で示した素子は、
たしかに理論上は高消光比を実現することができるが、
それは、上記した各部分結合部の寸法パタメータ等が理
論値と略同一になっている場合のときに限られる。しか
しながら、実際に素子を製造するときには、これら各部
分結合部等は計算上の理論値通りの寸法精度で作成でき
るとは限らず、微妙に理論値からはずれることがある。
[Problem to be solved by the invention] The element shown in FIG.
It is certainly possible to achieve a high extinction ratio in theory, but
This is limited to the case where the dimensional parameters of each of the above-mentioned partial joints are approximately the same as the theoretical values. However, when actually manufacturing an element, it is not always possible to create each of these partial joints and the like with dimensional accuracy that corresponds to the calculated theoretical value, and there may be slight deviations from the theoretical value.

【0012】このような問題が起こると、各部分結合部
における光導波路間の実際の結合状態は、計算上求めら
れる理論的な結合状態から逸脱することになり、クロス
状態やスルー状態における消光比の低下は不可避となる
。本発明は、図8で示した素子において、製造時におけ
る上記した寸法パラメータの精度のばらつきが引き起こ
す問題を解決し、クロス状態,スルー状態のいずれにお
いても、消光比特性が30dB以上である新規構造の方
向性結合器型光機能素子の提供を目的とする。
[0012] When such a problem occurs, the actual coupling state between the optical waveguides at each partial coupling part deviates from the theoretical coupling state obtained by calculation, and the extinction ratio in the cross state or through state becomes A decline in The present invention solves the problems caused by variations in the precision of the dimensional parameters during manufacturing in the device shown in FIG. The purpose of the present invention is to provide a directional coupler type optical functional device.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、伝搬定数制御手段が装荷さ
れ、互いに等しい値の伝搬定数を有する2本の光導波路
を平行配置した結合部を備え、前記2本の光導波路のう
ち1本の光導波路のみがその入射端で1本の直線光導波
路と光接続して入射側リード部を形成し、前記2本の光
導波路の出射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路と
光接続してスルーポートおよびクロスポートに接続する
出射側リード部を形成している1入力・2出力方向性結
合器型光機能素子において、前記出射側リード部の各光
導波路にはモード結合抑圧手段がそれぞれ装置されてい
ることを特徴とする方向性結合器型光機能素子が提供さ
れ、前記伝搬定数制御手段に必要な駆動用電気信号を導
入し、かつ、前記出射端リード部におけるクロスポート
側のモード結合抑圧手段を動作して、高消光比のスルー
状態を実現することを特徴とする方向性結合器型光機能
素子の駆動方法、および、前記伝搬定数制御手段に必要
な駆動用電気信号を導入し、かつ、前記出射側リード部
におけるスルーポート側のモード結合抑圧手段を動作し
て、高消光比のクロス状態を実現することを特徴とする
方向性結合器型光機能素子の駆動方法が提供される。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides a coupling section in which two optical waveguides are loaded with a propagation constant control means and have propagation constants of the same value and are arranged in parallel. , only one of the two optical waveguides is optically connected to one straight optical waveguide at its input end to form an input side lead part, and the output end of the two optical waveguides is is a 1-input/2-output directional coupler type optical functional element, which forms an output side lead part that is optically connected to a curved or straight optical waveguide and connects to a through port and a cross port, respectively; A directional coupler type optical functional element is provided, characterized in that each optical waveguide is provided with a mode coupling suppressing means, and a driving electric signal necessary for the propagation constant controlling means is introduced, and , a method for driving a directional coupler type optical functional element, characterized in that a mode coupling suppressing means on the cross port side in the output end lead section is operated to realize a through state with a high extinction ratio; A direction characterized in that a necessary driving electric signal is introduced into the constant control means, and the mode coupling suppression means on the through port side of the output side lead section is operated to realize a cross state with a high extinction ratio. A method for driving a sexual coupler type optical functional device is provided.

【0014】本発明の光機能素子の基本構成を平面パタ
ーン図として図1に示す。図から明らかなように、本発
明の光機能素子の平面パターンは、結合部C0 、出射
側リード部C2 が後述するような構成をとることを除
いては、図7で示した従来の1入力・2出力方向性結合
器型光機能素子と変わることはない。まず、結合部C0
 においては、等幅(路幅W)の2本の光導波路A,B
が微小間隔Gで平行配置され、そのうちの1本の光導波
路Aの入射端A1 には路幅Wの直線光導波路E0 が
光接続されて入射側リード部C1 を構成している。ま
た、光導波路A,光導波路Bのそれぞれの出射端A2 
,B2 には曲率半径がRで路幅Wの曲線光導波路D3
 ,D4 が光接続されて出射側リード部C2 を構成
し、更にこれら曲線光導波路D3 ,D4 には、路幅
Wの直線光導波路E3 ,E4 が路幅中心間の距離G
F でそれぞれ光接続されて、スルーポート(E3 )
とクロスポート(E4 )を構成している。
The basic configuration of the optical functional element of the present invention is shown in FIG. 1 as a plan pattern diagram. As is clear from the figure, the planar pattern of the optical functional element of the present invention is different from that of the conventional one-input device shown in FIG. -No different from a 2-output directional coupler type optical functional device. First, the joint C0
, two optical waveguides A and B of equal width (path width W)
are arranged in parallel with a minute interval G, and a straight optical waveguide E0 having a path width W is optically connected to the input end A1 of one of the optical waveguides A, thereby forming an input side lead portion C1. In addition, each output end A2 of the optical waveguide A and the optical waveguide B
, B2 has a curved optical waveguide D3 with a radius of curvature R and a path width W.
, D4 are optically connected to form the output-side lead part C2, and these curved optical waveguides D3 and D4 are connected to straight optical waveguides E3 and E4 with a path width W, with a distance G between the centers of the path widths.
F is optically connected to each through port (E3)
and a cross port (E4).

【0015】なお本発明においては、出射側リード部C
2 は図のような曲線光導波路で構成することに限定さ
れることなく、例えば出射端A2 ,B2 から直線光
導波路E3 ,E4 までを微小テーパ角θから成る直
線光導波路を介装して構成してもよい。これら各光導波
路は、いずれも電気光学効果を発現する材料や電気信号
を導入してその屈折率制御が可能な構造の材料で構成さ
れていて、しかも、自然状態においては、互いの伝搬定
数は等しくなっている。例えばGaAs/AlGaAs
のような半導体材料をMOCVD法で多層に積層して形
成することができる。
Note that in the present invention, the output side lead portion C
2 is not limited to being constructed with a curved optical waveguide as shown in the figure, but may be constructed by interposing a straight optical waveguide with a minute taper angle θ from the output ends A2, B2 to the straight optical waveguides E3, E4. You may. Each of these optical waveguides is made of a material that exhibits an electro-optic effect or a material that has a structure that allows its refractive index to be controlled by introducing an electric signal, and in its natural state, the propagation constants of each other are are equal. For example, GaAs/AlGaAs
It can be formed by stacking semiconductor materials such as in multiple layers using the MOCVD method.

【0016】結合部C0 では、各光導波路A,Bに電
極F1 ,F2 ,F3 ,F4 を反転Δβ構造に装
荷することにより、これらで伝搬定数制御手段を構成し
ている。すなわち、これらの電極から所定の電気信号を
導入することにより、その直下に位置する光導波路の伝
搬定数を変化させることができるようになっている。例
えば、半導波路A,Bが半導体材料で構成されている場
合には、図2で示したように、電極F1 と電極F4 
,電極F2 と電極F3 をそれぞれ、リードf1 ,
f2 で接続すればよい。
In the coupling portion C0, electrodes F1, F2, F3, and F4 are loaded in each of the optical waveguides A and B in an inverted Δβ structure, thereby forming propagation constant control means. That is, by introducing predetermined electrical signals from these electrodes, it is possible to change the propagation constant of the optical waveguide located directly below them. For example, when the semi-waveguides A and B are made of semiconductor material, as shown in FIG.
, electrode F2 and electrode F3 are respectively connected to leads f1 ,
Just connect with f2.

【0017】本発明の光機能素子は、出射側リード部C
2 の光導波路D3 ,D4 にそれぞれ電極F5 ,
F6 を装荷することにより、モード結合抑圧手段が構
成されている。すなわち、電極F5 ,F6 のいずれ
かから例えば所定の順方向電流を注入すると、その電極
直下の光導波路D3 ,D4 においては、プラズマ効
果やバンドフィリング効果が発現して屈折率低下が引き
起こされるため、光導波路D3 ,D4 間における結
合が非対称になり、結果として、光導波路D3 ,D4
 間の光のモード結合は抑圧される。
The optical functional element of the present invention has an output side lead portion C.
2 optical waveguides D3 and D4 are provided with electrodes F5 and F5, respectively.
Loading F6 constitutes a mode coupling suppressing means. That is, when a predetermined forward current is injected from either electrode F5 or F6, a plasma effect or a band filling effect occurs in the optical waveguide D3 or D4 directly under the electrode, causing a decrease in the refractive index. The coupling between the optical waveguides D3 and D4 becomes asymmetric, and as a result, the optical waveguides D3 and D4
Mode coupling of light between the two is suppressed.

【0018】上記した順方向電流の注入値を変化させる
と、このモード結合の抑圧状態も変化し、例えばより一
層大きな順方向電流を注入していくと、あるレベルで光
導波路が等価的に存在しなくなる状態、すなわちモード
結合がゼロになる状態を得ることができる。このときの
状態は、モード結合抑圧の状態の極限状態であり、モー
ドカットオフ状態と呼ぶ。
When the injection value of the above-mentioned forward current is changed, the suppression state of this mode coupling also changes. For example, when a larger forward current is injected, an optical waveguide equivalently exists at a certain level. It is possible to obtain a state in which the mode coupling becomes zero, that is, a state in which the mode coupling becomes zero. This state is the ultimate state of mode coupling suppression and is called a mode cutoff state.

【0019】[0019]

【作用】本発明の光機能素子においては、入射リード部
C1 と出射リード部C2 は対称になっていないため
、結合部C0 の電極(反転Δβ構造)F1 〜F4 
に適当な電気信号を導入したとしても、完全なスルー状
態や完全なクロス状態を得ることはできない。そのため
、高消光比のスイッチング状態を得るためには、出射側
リード部C2 におけるわずかな結合を除去すること、
および、入射側リード部C1 と出射側リード部C2 
との結合を一致させること(結合が存在しない場合であ
っても)を実現することが必要になる。
[Operation] In the optical functional element of the present invention, since the input lead part C1 and the output lead part C2 are not symmetrical, the electrodes (inverted Δβ structure) of the coupling part C0 F1 to F4
Even if an appropriate electrical signal is introduced into the circuit, it is not possible to obtain a complete through state or a complete cross state. Therefore, in order to obtain a switching state with a high extinction ratio, it is necessary to remove the slight coupling at the output side lead part C2.
And the entrance side lead part C1 and the output side lead part C2
It is necessary to match the bond with (even if the bond does not exist).

【0020】本発明の光機能素子においては、結合部C
0 のスイッチング状態に対応して、例えばクロス状態
では出射側リード部C2 の光導波路D3 (スルーポ
ートE3 に接続)の、またスルー状態では出射側リー
ド部C2 の光導波路D4 (クロスポートE4 に接
続)の各モード結合抑圧手段F5 ,F6 を動作する
ことより、この出射側リード部C2 における結合を除
去することができる。
In the optical functional device of the present invention, the coupling portion C
Corresponding to the switching state of 0, for example, in the cross state, the optical waveguide D3 (connected to the through port E3) of the output side lead part C2 is switched, and in the through state, the optical waveguide D4 (connected to the cross port E4) of the output side lead part C2 is ) by operating the respective mode coupling suppressing means F5, F6, the coupling at the output side lead portion C2 can be removed.

【0021】したがって、この状態においては、出射側
リード部C2 におけるわずかな結合も除去され消光比
劣化の原因が除去されているので結合部C0 の電極F
1 〜F4 への電気信号の導入により、高消光比のク
ロス状態とスルー状態を実現することができるようにな
る。
Therefore, in this state, since the slight coupling at the output side lead portion C2 is also removed and the cause of extinction ratio deterioration is eliminated, the electrode F of the coupling portion C0 is removed.
By introducing electrical signals to F1 to F4, it becomes possible to realize a cross state and a through state with a high extinction ratio.

【0022】[0022]

【実施例】実施例1 図3の平面パターン図で示すような光機能素子を製造し
た。図において、結合部C0 の長さは6.0mm、光
導波路A,Bの間隔Gは3.5μm、スルーポートE3
 とクロスポートE4 の路幅中心間の距離GF は2
50μm、出射側リード部C2 を構成する曲線光導波
路D3 ,D4 の曲率半径Rはいずれも30μm、路
幅Wは7μmである。
EXAMPLES Example 1 An optical functional element as shown in the planar pattern diagram of FIG. 3 was manufactured. In the figure, the length of the coupling part C0 is 6.0 mm, the distance G between the optical waveguides A and B is 3.5 μm, and the through port E3
The distance GF between the center of road width and cross port E4 is 2
The radius of curvature R of the curved optical waveguides D3 and D4 constituting the output side lead portion C2 is both 30 μm and the path width W is 7 μm.

【0023】この結合部C0 、および出射側リード部
C2 は、それぞれ図3のIV−IV線に沿う断面図で
ある図4、V−V線に沿う断面図である図5で示したよ
うな構成になっている。すなわち、AuGeNi/Au
から成る下部電極1の上に、MOCVD法によって、n
+ GaAsから成る基板2,n+ GaAsから成る
厚み0.5μmのバッファ層3,n+ GaAlAsか
ら成る厚み3.0μmの下部クラッド層4,n− Ga
Asから成る厚み1.0μmのコア層5がこの順序で積
層されている。更にこのコア層5の上には、n−GaA
lAsから成るクラッド6a,p− GaAlAsから
成るクラッド6b,p+ GaAsから成るキャップ6
cが順次MOCVD法で積層されて上部クラッド層6を
形成し、その上面はSiO2 膜のような絶縁膜7で被
覆されることにより、路幅がWである2本の光導波路A
,Bが間隔Gでリッジ状に形成されている。
The coupling portion C0 and the output side lead portion C2 are as shown in FIG. 4, which is a cross-sectional view taken along line IV--IV in FIG. 3, and FIG. 5, which is a cross-sectional view taken along line V-V in FIG. It is configured. That is, AuGeNi/Au
On the lower electrode 1 consisting of n
A substrate 2 made of + GaAs, a 0.5 μm thick buffer layer 3 made of n+ GaAs, a 3.0 μm thick lower cladding layer 4 made of n+ GaAlAs, and n− Ga.
Core layers 5 made of As and having a thickness of 1.0 μm are laminated in this order. Further, on this core layer 5, n-GaA
A cladding 6a made of lAs, a cladding 6b made of p- GaAlAs, and a cap 6 made of p+ GaAs.
c are sequentially stacked by MOCVD to form an upper cladding layer 6, and its upper surface is covered with an insulating film 7 such as a SiO2 film, thereby forming two optical waveguides A with a path width of W.
, B are formed in a ridge shape with an interval G.

【0024】なお、各光導波路の高さhは、いずれの光
導波路においても1.0μmとした。また、各電極間の
ギャップgは3μmとした。電極F1 ,F2 ,F3
 ,F4 が装荷される個所は、図4で示したように、
光導波路A,Bを被覆する絶縁膜7の一部をスリット状
に除去して窓7a,7bを形成し、ここからキャップ6
cの上面にTi/Pt/Auを例えば、蒸着して電極F
3 ,F4 (F1 ,F2 )を形成する。そして電
極F3 と電極F2 をリードf1 で、電極F4 と
電極F1 をリードf2 でそれぞれ接続することによ
り反転Δβ構造とし、伝搬定数制御手段を構成する。
Note that the height h of each optical waveguide was 1.0 μm for each optical waveguide. Further, the gap g between each electrode was set to 3 μm. Electrodes F1, F2, F3
, F4 are loaded as shown in Figure 4.
A part of the insulating film 7 covering the optical waveguides A and B is removed in the form of slits to form windows 7a and 7b, from which the cap 6 is formed.
For example, Ti/Pt/Au is vapor-deposited on the upper surface of electrode F.
3, F4 (F1, F2). The electrode F3 and the electrode F2 are connected by the lead f1, and the electrode F4 and the electrode F1 are connected by the lead f2 to form an inverted Δβ structure, thereby forming a propagation constant control means.

【0025】出射側リード部C2 においては、図5で
示したように、光導波路D3 ,D4 を被覆する絶縁
膜7の一部をスリット状に除去して窓7a,7bを形成
して、ここからキャップ6cの上面にTi/Pt/Au
を蒸着して電極F5 ,F6 を形成する。そして、こ
れらの各電極F5 ,F6 は、それぞれ独立して電気
信号の導入システムと接続され、電極F5 は光導波路
D3 のモード結合抑圧手段,電極F6 は光導波路D
4 のモード結合抑圧手段として構成されている。
In the output side lead part C2, as shown in FIG. 5, a part of the insulating film 7 covering the optical waveguides D3 and D4 is removed in the form of slits to form windows 7a and 7b. Ti/Pt/Au on the top surface of the cap 6c.
are deposited to form electrodes F5 and F6. Each of these electrodes F5 and F6 is independently connected to an electric signal introduction system, with electrode F5 being a mode coupling suppressing means for optical waveguide D3, and electrode F6 being a means for suppressing mode coupling of optical waveguide D3.
4 as mode coupling suppression means.

【0026】このようにして形成された光導波路におい
ては、クラッド6aとクラッド6bの界面がpn接合界
面6dになっている。したがって、今、電極F1 ,F
2 ,F3 ,F4 から所定の電気信号を導入すると
、pn接合界面では電気光学効果、プラズマ効果やバン
ドフィリング効果などが発現して電極直下に位置するコ
ア層5の屈折率が変化して、光導波路A,B間に伝搬定
数差Δβが生じ、光の結合状態が変化する。
In the optical waveguide thus formed, the interface between the cladding 6a and the cladding 6b is a pn junction interface 6d. Therefore, now the electrodes F1, F
When a predetermined electric signal is introduced from 2, F3, and F4, an electro-optic effect, a plasma effect, a band filling effect, etc. occur at the p-n junction interface, and the refractive index of the core layer 5 located directly under the electrode changes, causing light guide. A propagation constant difference Δβ occurs between wave paths A and B, and the coupling state of light changes.

【0027】この素子において、入射ポートE0 に波
長1.3μmのTEモード光を励起し、電極F1 〜F
4 に逆バイアス電圧を印加して電気光学効果のみを発
現せしめた場合、理論計算によると、クロス状態では1
8dB程度、スルー状態では37dB程度のスイッチン
グ特性が得られる。しかしながら、実際には、逆バイア
ス電圧印加して結合部C0 を駆動した場合、クロス状
態における駆動電圧が−7Vのときは消光比17dB程
度であり、またスルー状態における駆動電圧が−15V
のときは消光比26dB程度であり、とくにスルー状態
での消光比劣化が大きくなった。
In this device, TE mode light with a wavelength of 1.3 μm is excited at the input port E0, and the electrodes F1 to F
According to theoretical calculations, if a reverse bias voltage is applied to 4 and only the electro-optic effect is produced, 1 in the cross state.
A switching characteristic of about 8 dB is obtained, and about 37 dB in the through state. However, in reality, when the coupling part C0 is driven by applying a reverse bias voltage, the extinction ratio is about 17 dB when the drive voltage in the cross state is -7V, and the drive voltage in the through state is -15V.
In this case, the extinction ratio was about 26 dB, and the deterioration of the extinction ratio was particularly large in the through state.

【0028】そこで、駆動電圧が−7Vの前記クロス状
態において、出射側リード部C2 の光導波路D3 (
スルーポートE3 に接続)側の電極F5 から適当な
値の順方向電流を注入したところ、消光比特性は30d
B以上へと向上し、極めて高消光比のクロス状態を実現
することができた。また、駆動電圧が−15Vの前記ス
ルー状態において、出射側リード部C2 の光導波路D
4 (クロスポートE4 に接続)側の電極F6 から
適当な値の順方向電流を注入したところ、消光比特性は
30dB以上へと向上し、極めて光消光比のスルー状態
を実現することができた。
Therefore, in the crossed state where the driving voltage is -7V, the optical waveguide D3 (
When a suitable value of forward current was injected from electrode F5 on the side (connected to through port E3), the extinction ratio characteristic was 30d.
It was possible to achieve a cross state with an extremely high extinction ratio. In addition, in the through state where the drive voltage is -15V, the optical waveguide D of the output side lead portion C2
4 When an appropriate value of forward current was injected from electrode F6 on the side (connected to cross port E4), the extinction ratio characteristic improved to over 30 dB, making it possible to achieve an extremely high optical extinction ratio through state. .

【0029】実施例2 Rを50mmにしたことを除いて、他のパラメータ設定
は実施例1と同様にして光機能素子を製造した。この素
子において、入射ポートE0 に波長1.3μmのTE
モード光を励起し、電極F1 〜F4 に逆バイアス電
圧を印加して電気光学効果のみを発現せしめた場合、理
論計算によると、光導波路D3 ,D4 の曲率半径が
実施例1のものに比べて大きいため、クロス状態では1
8dB程度、スルー状態では33.8dB程度のスイッ
チング特性が得られる。
Example 2 An optical functional element was manufactured in the same manner as in Example 1, except that R was 50 mm. In this device, there is a TE with a wavelength of 1.3 μm at the entrance port E0.
When mode light is excited and a reverse bias voltage is applied to the electrodes F1 to F4 to produce only the electro-optic effect, theoretical calculations show that the radius of curvature of the optical waveguides D3 and D4 is greater than that of Example 1. Because it is large, it is 1 in the cross state.
A switching characteristic of about 8 dB is obtained, and about 33.8 dB in the through state.

【0030】しかしながら、実際には、逆バイアス電圧
印加して結合部C0を駆動した場合、クロス状態におけ
る駆動電圧が−8Vのときは消光比16.5dB程度で
あり、またスルー状態における駆動電圧が−16Vのと
きは消光比24dB程度であり、実施例1に比べて消光
比は劣化した。そこで、駆動電圧が−8Vの前記クロス
状態において、出射側リード部C2 の光導波路D3 
(スルーポートE3 に接続)側の電極F5 から適当
な値の順方向電流を注入したところ、消光比特性は30
dB以上へと向上し、極めて高消光比のクロス状態を実
現することができた。
However, in reality, when the coupling part C0 is driven by applying a reverse bias voltage, when the drive voltage in the cross state is -8V, the extinction ratio is about 16.5 dB, and the drive voltage in the through state is about 16.5 dB. At −16 V, the extinction ratio was about 24 dB, which was worse than in Example 1. Therefore, in the crossed state where the driving voltage is -8V, the optical waveguide D3 of the output side lead portion C2
When an appropriate value of forward current was injected from electrode F5 on the side (connected to through port E3), the extinction ratio characteristic was 30.
It was possible to realize a cross state with an extremely high extinction ratio.

【0031】また、駆動電圧が−16Vの前記スルー状
態において、出射側リード部C2 の光導波路D4 (
クロスポートE4 に接続)側の電極F6 から適当な
値の順方向電流を注入したところ、消光比特性は30d
B以上へと向上し、極めて光消光比のスルー状態を実現
することができた。
Furthermore, in the through state where the driving voltage is -16V, the optical waveguide D4 (
When a suitable value of forward current was injected from electrode F6 on the side (connected to cross port E4), the extinction ratio characteristic was 30d.
The optical extinction ratio was improved to B or higher, and a through state with an extremely high optical extinction ratio could be realized.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
方向性結合器型光機能素子は、伝搬定数制御手段が装荷
され、互いに等しい値の伝搬定数を有する2本の光導波
路を平行配置した結合部を備え、前記2本の光導波路の
うち1本の光導波路のみがその入射端で1本の直線光導
波路と光接続して入射側リード部を形成し、前記2本の
光導波路の出射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路
と光接続してスルーポートおよびクロスポートに接続す
る出射側リード部を形成している1入力・2出力方向性
結合器型光機能素子において、前記出射側リード部の各
光導波路にはモード結合抑圧手段がそれぞれ装荷されて
いることを特徴とするので、前記モード結合抑圧手動を
動作することにより、出射側リード部におけるわずかな
結合も除去することができる。その結果、クロス状態、
スルー状態のいずれにおいても30dB以上の高消光比
特性を実現することができる。
Effects of the Invention As is clear from the above description, the directional coupler type optical functional device of the present invention is equipped with a propagation constant control means and connects two optical waveguides having the same propagation constant in parallel. only one optical waveguide among the two optical waveguides is optically connected to one straight optical waveguide at its input end to form an input-side lead portion, and the two optical waveguides In the 1-input/2-output directional coupler type optical functional element, the output end of the waveguide is optically connected to a curved or straight optical waveguide to form an output side lead part connected to a through port and a cross port, as described above. Each of the optical waveguides in the output side lead section is equipped with a mode coupling suppression means, so that by operating the mode coupling suppression manual, even a slight coupling in the output side lead section can be removed. Can be done. As a result, the cross state,
A high extinction ratio characteristic of 30 dB or more can be achieved in any through state.

【0033】また、実施例1と実施例2の素子で明らか
なように、素子の設計パラメータが変化しても、消光比
はそれに依存することがなく、30dB以上の高消光比
である。したがって、本発明の素子は寸法パラメータを
高精度で厳格に管理することなく製造しても高消光比特
性が得られるので、製造が容易でありその工業的価値は
大である。
Furthermore, as is clear from the devices of Examples 1 and 2, even if the design parameters of the device change, the extinction ratio does not depend on it, and is a high extinction ratio of 30 dB or more. Therefore, the device of the present invention can obtain high extinction ratio characteristics even if manufactured without strictly controlling the dimensional parameters with high precision, and therefore is easy to manufacture and has great industrial value.

【0034】なお、実施例では光スイッチとして駆動さ
せる場合を説明したが、本発明の光機能素子は、例えば
電極から順方向電流の注入と逆電圧の印加を同時に行な
ってTEモード光とTMモード光の分離を行なう光偏波
スプリッタとして使用することもできる。更に、光変調
器や光合分波器として使用した時に、高消光比特性が得
られる。
[0034] In the embodiment, a case was explained in which the optical functional element of the present invention is driven as an optical switch. However, the optical functional element of the present invention can be operated, for example, by simultaneously injecting a forward current from an electrode and applying a reverse voltage to generate TE mode light and TM mode light. It can also be used as an optical polarization splitter that separates light. Furthermore, when used as an optical modulator or optical multiplexer/demultiplexer, high extinction ratio characteristics can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の光機能素子の基本構成を示す平面パタ
ーン図である。
FIG. 1 is a plan pattern diagram showing the basic configuration of an optical functional element of the present invention.

【図2】電極の接続例を示す平面パターン図である。FIG. 2 is a plan pattern diagram showing an example of electrode connection.

【図3】実施例の光機能素子を示す平面パターン図であ
る。
FIG. 3 is a plan pattern diagram showing an optical functional element of an example.

【図4】図3のIV−IV線に沿う断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3;

【図5】図3のV−V線に沿う断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along line V-V in FIG. 3;

【図6】従来の2入力・2出力方向性結合器の平面パタ
ーン図である。
FIG. 6 is a plan pattern diagram of a conventional 2-input/2-output directional coupler.

【図7】従来の1入力・2出力方向性結合器の平面パタ
ーン図である。
FIG. 7 is a plan pattern diagram of a conventional 1-input/2-output directional coupler.

【図8】電子情報通信学会1991年春季全国大会C−
224で発表された光機能素子の平面パターン図である
[Figure 8] IEICE 1991 Spring National Conference C-
224 is a planar pattern diagram of an optical functional element announced at 224.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  下部電極 2  基板 3  バッファ層 4  下部クラッド層 5  コア層 6  上部クラッド層 6a,6b  クラッド 6c  キャップ 6d  pn接合界面 7  絶縁膜 7a,7b  窓 A  光導波路 A1   光導波路Aの入射端 A2   光導波路Aの出射端 B  光導波路 B1   光導波路Bの入射端 B2   光導波路Bの出射端 D1 ,D2 ,D3 ,D4   曲線光導波路E0
   直線光導波路(入射ポート)E1   直線光導
波路(入射ポート)E3   直線光導波路(スルーポ
ート)E4   直線光導波路(クロスポート)C0 
  結合部 C1   入射側リード部 C2   出射側リード部 F1 ,F2 ,F3 ,F4   電極(伝搬定数制
御手段)F5 ,F6   電極(モード結合抑圧手段
)f1 ,f2   リード h  光導波路の高さ g  ギャップ W  光導波路の路幅 GF   光導波路A,Bの間隔
1 Lower electrode 2 Substrate 3 Buffer layer 4 Lower cladding layer 5 Core layer 6 Upper cladding layer 6a, 6b Cladding 6c Cap 6d PN junction interface 7 Insulating film 7a, 7b Window A Optical waveguide A1 Incident end A2 of optical waveguide A Optical waveguide A Output end B of optical waveguide B1 Input end B2 of optical waveguide B Output end D1, D2, D3, D4 of optical waveguide B Curved optical waveguide E0
Straight optical waveguide (input port) E1 Straight optical waveguide (input port) E3 Straight optical waveguide (through port) E4 Straight optical waveguide (cross port) C0
Coupling section C1 Incident side lead section C2 Output side lead section F1, F2, F3, F4 Electrodes (propagation constant control means) F5, F6 Electrodes (mode coupling suppressing means) f1, f2 Lead h Optical waveguide height g Gap W Optical guide Wavepath width GF Distance between optical waveguides A and B

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  伝搬定数制御手段が装荷され、互いに
等しい値の伝搬定数を有する2本の光導波路を平行配置
した結合部を備え、前記2本の光導波路のうち1本の光
導波路のみがその入射端で1本の直線光導波路と光接続
して入射側リード部を形成し、前記2本の光導波路の出
射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路と光接続して
スルーポートおよびクロスポートに接続する出射側リー
ド部を形成している1入力・2出力方向性結合器型光機
能素子において、前記出射側リード部の各光導波路には
モード結合抑圧手段がそれぞれ装荷されていることを特
徴とする方向性結合器型光機能素子。
1. A coupling section in which a propagation constant control means is loaded and two optical waveguides having the same propagation constant are arranged in parallel, and only one of the two optical waveguides is connected. The input end is optically connected to one straight optical waveguide to form an input side lead part, and the output ends of the two optical waveguides are optically connected to a curved or straight optical waveguide, respectively, to form a through port and a cross port. In the one-input/two-output directional coupler type optical functional device forming the output side lead section connected to the output side lead section, each optical waveguide of the output side lead section is loaded with mode coupling suppressing means. Characteristic directional coupler type optical functional device.
【請求項2】  前記光導波路は電気光学効果またはバ
ンドフィリング効果を発現する材料から成る請求項1の
方向性結合器型光機能素子。
2. The directional coupler type optical functional device according to claim 1, wherein the optical waveguide is made of a material that exhibits an electro-optic effect or a band filling effect.
【請求項3】  請求項1の光機能素子の前記伝搬定数
制御手段に必要な駆動用電気信号を導入し、かつ、前記
出射端リード部におけるクロスポート側のモード結合抑
圧手段を動作して、高消光比のスルー状態を実現するこ
とを特徴とする方向性結合器型光機能素子の駆動方法。
3. Introducing a necessary driving electric signal to the propagation constant control means of the optical functional element according to claim 1, and operating the mode coupling suppression means on the cross port side in the output end lead part, A method for driving a directional coupler-type optical functional device characterized by realizing a through state with a high extinction ratio.
【請求項4】  請求項1の光機能素子の前記伝搬定数
制御手段に必要な駆動用電気信号を導入し、かつ、前記
出射側リード部におけるスルーポート側のモード結合抑
圧手段を動作して、高消光比のクロス状態を実現するこ
とを特徴とする方向性結合器型光機能素子の駆動方法。
4. Introducing a necessary driving electric signal to the propagation constant control means of the optical functional element according to claim 1, and operating the mode coupling suppression means on the through port side of the output side lead part, A method for driving a directional coupler type optical functional device characterized by realizing a cross state with a high extinction ratio.
【請求項5】  前記モード結合抑圧手段を、モード結
合がゼロになる状態で動作させる請求項3または4の方
向性結合器型光機能素子の駆動方法。
5. The method of driving a directional coupler type optical functional element according to claim 3, wherein the mode coupling suppressing means is operated in a state where mode coupling becomes zero.
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