JPH04348006A - ノイズフィルタ - Google Patents
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- JPH04348006A JPH04348006A JP3035381A JP3538191A JPH04348006A JP H04348006 A JPH04348006 A JP H04348006A JP 3035381 A JP3035381 A JP 3035381A JP 3538191 A JP3538191 A JP 3538191A JP H04348006 A JPH04348006 A JP H04348006A
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Landscapes
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、スイッチング電源や
ＤＣコンバータなどに組み込まれるノイズフィルタに関
するものである。
ＤＣコンバータなどに組み込まれるノイズフィルタに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＯＡ機器の小型化・軽量化、低価
格化に伴い、これらの電源が機器に占める割合が著しく
大きくなってきているために、各種電源の小型化が急速
に進められている。このような背景の基に小型化が進め
られているスイッチング電源は、パワーエレクトロニク
スなどの分野においては、通常の５０Ｈｚ電源に置き換
わりつつある傾向にある。
格化に伴い、これらの電源が機器に占める割合が著しく
大きくなってきているために、各種電源の小型化が急速
に進められている。このような背景の基に小型化が進め
られているスイッチング電源は、パワーエレクトロニク
スなどの分野においては、通常の５０Ｈｚ電源に置き換
わりつつある傾向にある。
【０００３】ここで一般のスイッチング電源の構成部品
を検討してみると、ノイズフィルタ、メイントランス、
可飽和磁心、ノイズアブソーバ、平滑チョークなどの種
々の磁性部品を備えている。従ってこれらの磁性部品を
高周波数化することで、これらの磁性部品の小型化を実
現することができることが判る。このためスイッチング
電源に用いられている各種部品の小型化と高性能化が重
要な課題になってきている。
を検討してみると、ノイズフィルタ、メイントランス、
可飽和磁心、ノイズアブソーバ、平滑チョークなどの種
々の磁性部品を備えている。従ってこれらの磁性部品を
高周波数化することで、これらの磁性部品の小型化を実
現することができることが判る。このためスイッチング
電源に用いられている各種部品の小型化と高性能化が重
要な課題になってきている。
【０００４】以上のような傾向から最近のスイッチング
電源の運転周波数は５００ｋＨｚにも達しているが、今
後更にスイッチング電源を小型化するために１ＭＨｚで
の運転が目標にされている。
電源の運転周波数は５００ｋＨｚにも達しているが、今
後更にスイッチング電源を小型化するために１ＭＨｚで
の運転が目標にされている。
【０００５】以上のような背景があるためにスイッチン
グ電源に用いられる部品にあっては、高周波領域におけ
る渦電流損失を減少させることに従来から大きな努力が
払われてきた。
グ電源に用いられる部品にあっては、高周波領域におけ
る渦電流損失を減少させることに従来から大きな努力が
払われてきた。
【０００６】従来、この種のスイッチング電源に用いら
れているノイズフィルタの磁心の材料として主にＭｎ−
Ｚｎフェライトなどが使用されている。
れているノイズフィルタの磁心の材料として主にＭｎ−
Ｚｎフェライトなどが使用されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前述の従
来材料にあっては、飽和磁束密度と透磁率の両面に優れ
たものが見られなかった。また、従来、高周波数領域に
おいても磁心損失が小さいという特徴を有しているＣｏ
基などのアモルファス合金がスイッチング電源用の磁心
として注目され、可飽和磁心や平滑チョークなどの一部
の部品では広く利用されるようになってきている。
来材料にあっては、飽和磁束密度と透磁率の両面に優れ
たものが見られなかった。また、従来、高周波数領域に
おいても磁心損失が小さいという特徴を有しているＣｏ
基などのアモルファス合金がスイッチング電源用の磁心
として注目され、可飽和磁心や平滑チョークなどの一部
の部品では広く利用されるようになってきている。
【０００８】ところが、従来知られているＣｏ基アモル
ファス合金にあっては、飽和磁束密度が１００００Ｇ未
満のものがほとんどであり、更なるノイズフィルタの高
性能化には特性不十分な問題がある。
ファス合金にあっては、飽和磁束密度が１００００Ｇ未
満のものがほとんどであり、更なるノイズフィルタの高
性能化には特性不十分な問題がある。
【０００９】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、高周波のスイッチング電源用に好適であって
、高い飽和磁束密度と透磁率を発揮するノイズフィルタ
を提供することを目的とする。
たもので、高周波のスイッチング電源用に好適であって
、高い飽和磁束密度と透磁率を発揮するノイズフィルタ
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために、インダクタとコンデンサとを接続してなる
ノイズフィルタにおいて、前記インダクタの磁心をＦｅ
８６−ｘＳｉ６Ｂ１０Ｎｂｘなる組成を有し、０．５原
子％≦ｘ≦６原子％であるＦｅ基アモルファス磁性材料
から構成してなるものである。
するために、インダクタとコンデンサとを接続してなる
ノイズフィルタにおいて、前記インダクタの磁心をＦｅ
８６−ｘＳｉ６Ｂ１０Ｎｂｘなる組成を有し、０．５原
子％≦ｘ≦６原子％であるＦｅ基アモルファス磁性材料
から構成してなるものである。
【００１１】
【作用】本発明に用いるＦｅ基アモルファス磁性材料は
特別の組成を有するので、１ＭＨｚなどの高周波領域に
おける渦電流損失が少なく、高い飽和磁束密度を有する
。従って高周波領域で損失の少ない飽和磁束密度の高い
ノイズフィルタが得られ、このノイズフィルタを用いる
ことでスイッチング電源が小型になる。
特別の組成を有するので、１ＭＨｚなどの高周波領域に
おける渦電流損失が少なく、高い飽和磁束密度を有する
。従って高周波領域で損失の少ない飽和磁束密度の高い
ノイズフィルタが得られ、このノイズフィルタを用いる
ことでスイッチング電源が小型になる。
【００１２】以下に本発明について更に詳細に説明する
。
。
【００１３】図１は本発明のノイズフィルタの一実施例
を示すもので、この実施例のノイズフィルタ１は、中央
部に設けられた端子ロッド２と、この端子ロッド２に挿
通されたパイプ３，４と、前記パイプ３，４を覆う被覆
層５と、この被覆層５の外部を覆うモールド層６と、モ
ールド層６内に埋設された円筒体７と、モールド層６の
外周部を覆って設けられた金属製のシールドケース８と
、前記モールド層６内に埋設されて円筒体７と端子ロッ
ド２とを接続した接続盤９とを具備して構成されている
。
を示すもので、この実施例のノイズフィルタ１は、中央
部に設けられた端子ロッド２と、この端子ロッド２に挿
通されたパイプ３，４と、前記パイプ３，４を覆う被覆
層５と、この被覆層５の外部を覆うモールド層６と、モ
ールド層６内に埋設された円筒体７と、モールド層６の
外周部を覆って設けられた金属製のシールドケース８と
、前記モールド層６内に埋設されて円筒体７と端子ロッ
ド２とを接続した接続盤９とを具備して構成されている
。
【００１４】前記端子ロッド２は、軟銅などの良導電性
の金属材料製であり、パイプ３，４は後述する磁性材料
からなり、被覆層５は絶縁体からなり、モールド層６は
樹脂からなり、円筒体７は誘電体からなり、シールドケ
ース８と接続片９は良導電性の金属からなる。
の金属材料製であり、パイプ３，４は後述する磁性材料
からなり、被覆層５は絶縁体からなり、モールド層６は
樹脂からなり、円筒体７は誘電体からなり、シールドケ
ース８と接続片９は良導電性の金属からなる。
【００１５】パイプ３，４を構成するＦｅ基アモルファ
ス磁性材料は、Ｆｅ８６−ｘＳｉ６Ｂ１０Ｎｂｘなる組
成を有するものであり、ＦｅとＮｂの含有量をそれぞれ
示すｘの値は、０．５原子％≦ｘ≦６原子％の範囲とす
る。このパイプ３，４を端子ロッド２に挿通することで
インダクタが構成される。
ス磁性材料は、Ｆｅ８６−ｘＳｉ６Ｂ１０Ｎｂｘなる組
成を有するものであり、ＦｅとＮｂの含有量をそれぞれ
示すｘの値は、０．５原子％≦ｘ≦６原子％の範囲とす
る。このパイプ３，４を端子ロッド２に挿通することで
インダクタが構成される。
【００１６】前記組成において、Ｆｅは磁性を担うため
の中心元素である。飽和磁束密度はＮｂの添加量が増加
すると順次低下する傾向にあるので、飽和磁束密度を高
くするにはＮｂ含有量を少なくすることが好ましい。ま
た、Ｎｂ含有量によって透磁率は大幅に変化する。透磁
率を５００以上にするにはＮｂ含有量を０．５〜６原子
％にすることが必要である。更に、透磁率を１０００以
上に高くするためには、Ｎｂ含有量を１〜１．８原子％
の範囲内、あるいは、３．１〜５．３原子％の範囲内に
設定することが好ましい。
の中心元素である。飽和磁束密度はＮｂの添加量が増加
すると順次低下する傾向にあるので、飽和磁束密度を高
くするにはＮｂ含有量を少なくすることが好ましい。ま
た、Ｎｂ含有量によって透磁率は大幅に変化する。透磁
率を５００以上にするにはＮｂ含有量を０．５〜６原子
％にすることが必要である。更に、透磁率を１０００以
上に高くするためには、Ｎｂ含有量を１〜１．８原子％
の範囲内、あるいは、３．１〜５．３原子％の範囲内に
設定することが好ましい。
【００１７】被覆層５は熱収縮性のシリコン樹脂などか
らなる絶縁体である。
らなる絶縁体である。
【００１８】円筒体７は、ＢａＴｉＯ３系のセラミック
スなどからなる誘電体であり、円筒体７の上下両面には
銀薄膜などの電極が形成されている。この円筒体７をモ
ールド層６で覆うことでコンデンサが構成される。
スなどからなる誘電体であり、円筒体７の上下両面には
銀薄膜などの電極が形成されている。この円筒体７をモ
ールド層６で覆うことでコンデンサが構成される。
【００１９】ところで、前記Ｆｅ基アモルファス磁性材
料を製造するには、前記組成の金属の溶湯から急冷する
ことで製造することができる。前記溶湯を急冷するには
、前記溶湯を回転中の金属ロールの表面に落下させて急
冷し、リボン状態として得るロール急冷法を採用するこ
とができるが、アトマイズ法などを適用して溶湯を冷媒
中に噴出させて急冷した後に粉末状態として得ることも
できる。
料を製造するには、前記組成の金属の溶湯から急冷する
ことで製造することができる。前記溶湯を急冷するには
、前記溶湯を回転中の金属ロールの表面に落下させて急
冷し、リボン状態として得るロール急冷法を採用するこ
とができるが、アトマイズ法などを適用して溶湯を冷媒
中に噴出させて急冷した後に粉末状態として得ることも
できる。
【００２０】これらからパイプ３，４を形成するには、
前記のように得られたリボンを巻回してパイプ型に加工
すれば良い。また、前記アトマイズ法によって得られた
粉末をパイプ状に圧密して焼結することでパイプ３，４
を形成することもできる。
前記のように得られたリボンを巻回してパイプ型に加工
すれば良い。また、前記アトマイズ法によって得られた
粉末をパイプ状に圧密して焼結することでパイプ３，４
を形成することもできる。
【００２１】前記組成のＦｅ基アモルファス材料は、急
冷状態のままであっても十分に優れた飽和磁束密度と透
磁率を有するので、磁場中で特別な熱処理（焼鈍処理）
を行わなくともノイズフィルタのインダクタとして好適
であり、ノイズフィルタの高性能化を推進できる効果が
ある。なお、前記組成の合金を必要に応じて磁場中で熱
処理（焼鈍処理）するならば、磁気特性を更に改善する
ことができ、その場合は更に特性の優れたインダクタを
提供することができる。
冷状態のままであっても十分に優れた飽和磁束密度と透
磁率を有するので、磁場中で特別な熱処理（焼鈍処理）
を行わなくともノイズフィルタのインダクタとして好適
であり、ノイズフィルタの高性能化を推進できる効果が
ある。なお、前記組成の合金を必要に応じて磁場中で熱
処理（焼鈍処理）するならば、磁気特性を更に改善する
ことができ、その場合は更に特性の優れたインダクタを
提供することができる。
【００２２】ところで、本発明に用いるＦｅ基アモルフ
ァス材料においては、全体が完全なアモルファス相であ
る必要はなく、内部に少量の結晶相を含んでいても差し
支えなく、前記範囲の結晶相を含む材料も本発明材料と
同等とみなすことができる。
ァス材料においては、全体が完全なアモルファス相であ
る必要はなく、内部に少量の結晶相を含んでいても差し
支えなく、前記範囲の結晶相を含む材料も本発明材料と
同等とみなすことができる。
【００２３】以下に前記組成のＦｅ系軟磁性材料の薄帯
を製造した場合について説明する。Ｆｅ８６−ｘＳｉ６
Ｂ１０Ｎｂｘなる組成（ただしｘ＝１，２，３，４の各
値に設定）の金属の溶湯をるつぼからノズルを介して回
転中の金属ロールに噴出させて急冷することによってリ
ボン状の幅１ｍｍ、厚さ０．２５μｍの複数の試験片を
得た。ｘ＝１，２，３，４の各値に設定して製造した各
試験片のＸ線回折試験結果を図１に示す。回折試験には
、フィルタを通したＣｏのＫα放射線を用いるＸ線回折
法を採用した。
を製造した場合について説明する。Ｆｅ８６−ｘＳｉ６
Ｂ１０Ｎｂｘなる組成（ただしｘ＝１，２，３，４の各
値に設定）の金属の溶湯をるつぼからノズルを介して回
転中の金属ロールに噴出させて急冷することによってリ
ボン状の幅１ｍｍ、厚さ０．２５μｍの複数の試験片を
得た。ｘ＝１，２，３，４の各値に設定して製造した各
試験片のＸ線回折試験結果を図１に示す。回折試験には
、フィルタを通したＣｏのＫα放射線を用いるＸ線回折
法を採用した。
【００２４】図２から、Ｎｂ含有量のｘ値を１，２に設
定した試験片では、ｂｃｃ相の（１１０）面から回折さ
れる小さいピークが見られた。従ってこれらの組成のも
のは、結晶相を一部含み、他はアモルファスの基質から
なっていることが判明した。また、ｘ値を３，４に設定
した試験片では、アモルファスの単相構造であることが
判明した。
定した試験片では、ｂｃｃ相の（１１０）面から回折さ
れる小さいピークが見られた。従ってこれらの組成のも
のは、結晶相を一部含み、他はアモルファスの基質から
なっていることが判明した。また、ｘ値を３，４に設定
した試験片では、アモルファスの単相構造であることが
判明した。
【００２５】次に、前記組成の各試験片に対し、１ＭＨ
ｚにおける飽和磁束密度（Ｂｓ）の測定を行うとともに
、（有効）透磁率（μｅ）と保磁力（Ｈｃ）の測定を行
った。飽和磁束密度の測定は、適用磁場８００ｋＡ／ｍ
の下で振動サンプル磁力計を用いて行った。また、保磁
力は最大磁場が０．８ｋＡ／ｍの直流Ｂ−Ｈループから
評価した。更に、透磁率は０．８Ａ／ｍの駆動磁場の中
でベクトル・インピーダンス解析器を用い１ｋＨｚ〜１
０ＭＨｚの間の周波数範囲で測定した。それらの結果を
図３（ａ），（ｂ）に示す。
ｚにおける飽和磁束密度（Ｂｓ）の測定を行うとともに
、（有効）透磁率（μｅ）と保磁力（Ｈｃ）の測定を行
った。飽和磁束密度の測定は、適用磁場８００ｋＡ／ｍ
の下で振動サンプル磁力計を用いて行った。また、保磁
力は最大磁場が０．８ｋＡ／ｍの直流Ｂ−Ｈループから
評価した。更に、透磁率は０．８Ａ／ｍの駆動磁場の中
でベクトル・インピーダンス解析器を用い１ｋＨｚ〜１
０ＭＨｚの間の周波数範囲で測定した。それらの結果を
図３（ａ），（ｂ）に示す。
【００２６】図３（ａ）に示す結果から、飽和磁束密度
は磁気希釈の結果としてＮｂ含有量の増加とともに減少
する傾向にある。これに対し、図３（ｂ）に示す結果か
ら、透磁率は、Ｎｂ含有量０．５〜６原子％の範囲内で
２つのピークを有することが判明したが、０．５〜６原
子％の全範囲で５００以上の優れた透磁率を示した。な
お、透磁率を１０００以上にするためには、Ｎｂ含有量
を１〜１．８原子％の範囲と３．１〜５．３原子％の範
囲に設定することが好ましいことも判明した。
は磁気希釈の結果としてＮｂ含有量の増加とともに減少
する傾向にある。これに対し、図３（ｂ）に示す結果か
ら、透磁率は、Ｎｂ含有量０．５〜６原子％の範囲内で
２つのピークを有することが判明したが、０．５〜６原
子％の全範囲で５００以上の優れた透磁率を示した。な
お、透磁率を１０００以上にするためには、Ｎｂ含有量
を１〜１．８原子％の範囲と３．１〜５．３原子％の範
囲に設定することが好ましいことも判明した。
【００２７】なお、Ｆｅ８３Ｓｉ６Ｂ１０Ｎｂ１なる組
成の試料片は、１．４４Ｔの飽和磁束密度を示し、Ｆｅ
８０Ｓｉ６Ｂ１０Ｎｂ４なる組成の試験片は１．１７Ｔ
の飽和磁束密度を示した。また、Ｆｅ８２．５Ｓｉ６Ｂ
１０Ｎｂ１．５なる組成の試験片は、透磁率１６５０を
示し、Ｆｅ８０Ｓｉ６Ｂ１０Ｎｂ４なる組成の試験片は
透磁率１８００を示した。
成の試料片は、１．４４Ｔの飽和磁束密度を示し、Ｆｅ
８０Ｓｉ６Ｂ１０Ｎｂ４なる組成の試験片は１．１７Ｔ
の飽和磁束密度を示した。また、Ｆｅ８２．５Ｓｉ６Ｂ
１０Ｎｂ１．５なる組成の試験片は、透磁率１６５０を
示し、Ｆｅ８０Ｓｉ６Ｂ１０Ｎｂ４なる組成の試験片は
透磁率１８００を示した。
【００２８】更に、Ｆｅ８１Ｓｉ６Ｂ１０Ｎｂ３なる組
成のアモルファス材料とＦｅ８０Ｓｉ６Ｂ１０Ｎｂ４な
る組成のアモルファス材料について磁束密度と磁場強さ
の関係を示すＢ−Ｈループを得た。その結果を図４（ａ
），（ｂ）に示す。Ｈｃの値はそれぞれ前者が３．４Ａ
／ｍであり、後者が５．８Ａ／ｍであった。更に、２つ
のアモルファス合金の間でＢ−Ｈループの形が図４（ａ
），（ｂ）に示すように全く異なっており、ΔＢの値が
大きく異なっている。この原因は、誘導磁気異方性Ｋｕ
の高い値がＦｅ８０Ｓｉ６Ｂ１０Ｎｂ４なる組成の合金
の斜めループ、並びに、保磁力値の増加に著しく影響す
るためであると推定できる。
成のアモルファス材料とＦｅ８０Ｓｉ６Ｂ１０Ｎｂ４な
る組成のアモルファス材料について磁束密度と磁場強さ
の関係を示すＢ−Ｈループを得た。その結果を図４（ａ
），（ｂ）に示す。Ｈｃの値はそれぞれ前者が３．４Ａ
／ｍであり、後者が５．８Ａ／ｍであった。更に、２つ
のアモルファス合金の間でＢ−Ｈループの形が図４（ａ
），（ｂ）に示すように全く異なっており、ΔＢの値が
大きく異なっている。この原因は、誘導磁気異方性Ｋｕ
の高い値がＦｅ８０Ｓｉ６Ｂ１０Ｎｂ４なる組成の合金
の斜めループ、並びに、保磁力値の増加に著しく影響す
るためであると推定できる。
【００２９】なお、Ｆｅ８０Ｓｉ６Ｂ１０Ｎｂ４なる組
成の試験片において、Ｂｍは１．１７Ｔであり、Ｂｒは
０．０６Ｔであるので、ΔＢの値は１．１１Ｔであって
、十分に大きな値であることが判明した。また、Ｎｂ含
有量４原子％におけるμｅ値の著しい増加は図３（ｂ）
で判明するような優れた直流磁気特性に密接に関係して
いると考えられる。このことから、極端に低い残留磁気
比（Ｂｒ／Ｂｓ）を持つ直流Ｂ−ＨループからＭＨｚ領
域において損失の著しい低下を実現できる。
成の試験片において、Ｂｍは１．１７Ｔであり、Ｂｒは
０．０６Ｔであるので、ΔＢの値は１．１１Ｔであって
、十分に大きな値であることが判明した。また、Ｎｂ含
有量４原子％におけるμｅ値の著しい増加は図３（ｂ）
で判明するような優れた直流磁気特性に密接に関係して
いると考えられる。このことから、極端に低い残留磁気
比（Ｂｒ／Ｂｓ）を持つ直流Ｂ−ＨループからＭＨｚ領
域において損失の著しい低下を実現できる。
【００３０】ところで、前記試験片は特別な熱処理を行
っていないが、未熱処理状態であってもノイズフィルタ
１のインダクタとして十分な磁気特性を発揮しているこ
とが判明した。
っていないが、未熱処理状態であってもノイズフィルタ
１のインダクタとして十分な磁気特性を発揮しているこ
とが判明した。
【００３１】また、前記の実施例で得られたＦｅ８０Ｓ
ｉ６Ｂ１０Ｎｂ４なる組成の試験片（実施例１）と、（
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍｎ−Ｍｏ）７７（Ｓｉ−Ｂ）２３なる組
成のアモルファス材料（比較例１）とＭｎ−Ｚｎフェラ
イト（比較例２）の各々について、飽和磁束密度Ｂｒと
ＢｓとΔＢ［Ｂｓ−Ｂｒ］とＢｒ／Ｂｓと保磁力Ｈｃと
透磁率を測定した結果を第１表に示す。
ｉ６Ｂ１０Ｎｂ４なる組成の試験片（実施例１）と、（
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍｎ−Ｍｏ）７７（Ｓｉ−Ｂ）２３なる組
成のアモルファス材料（比較例１）とＭｎ−Ｚｎフェラ
イト（比較例２）の各々について、飽和磁束密度Ｂｒと
ＢｓとΔＢ［Ｂｓ−Ｂｒ］とＢｒ／Ｂｓと保磁力Ｈｃと
透磁率を測定した結果を第１表に示す。
【００３２】
【００３３】第１表に示す結果から、実施例１の合金は
、比較例１，２の合金よりも飽和磁束密度（Ｂｓ）が大
きいとともに、ΔＢの値も大きく、保磁力（Ｈｃ）は中
間値であり、透磁率も優秀な値となっている。また、１
ＭＨｚでの透磁率の値はＣｏ基アモルファス合金及びＭ
ｎ−Ｚｎ粉末フェライトと比較してもある程度大きい。 前述のように、本発明に係る磁性材料が高いΔＢをもた
らす大きな飽和磁束密度を有し、小さいＢｒ／Ｂｓ値を
有する。更に、透磁率が１８００と大きいので、１ＭＨ
ｚのような高い周波数で使用し、渦電流損失が、ある程
度増大することがあっても、発熱を低く抑えることがで
き、十分な性能を確保することができる。
、比較例１，２の合金よりも飽和磁束密度（Ｂｓ）が大
きいとともに、ΔＢの値も大きく、保磁力（Ｈｃ）は中
間値であり、透磁率も優秀な値となっている。また、１
ＭＨｚでの透磁率の値はＣｏ基アモルファス合金及びＭ
ｎ−Ｚｎ粉末フェライトと比較してもある程度大きい。 前述のように、本発明に係る磁性材料が高いΔＢをもた
らす大きな飽和磁束密度を有し、小さいＢｒ／Ｂｓ値を
有する。更に、透磁率が１８００と大きいので、１ＭＨ
ｚのような高い周波数で使用し、渦電流損失が、ある程
度増大することがあっても、発熱を低く抑えることがで
き、十分な性能を確保することができる。
【００３４】以上のことから本発明に用いる磁性材料は
、１ＭＨｚの運転周波数で使用されるフォワードコンバ
ータのノイズフィルタとして好適であることが明らかに
なった。
、１ＭＨｚの運転周波数で使用されるフォワードコンバ
ータのノイズフィルタとして好適であることが明らかに
なった。
【００３５】なお、先の実施例においてはコンデンサと
インダクタを樹脂モールドした構成のノイズフィルタ１
に本発明を適用した例について説明したが、樹脂モール
ドしていない構造であって、インダクタと導電体からな
るコンデンサを単に接続した構成のノイズフィルタに本
発明を適用しても良いのは勿論である。
インダクタを樹脂モールドした構成のノイズフィルタ１
に本発明を適用した例について説明したが、樹脂モール
ドしていない構造であって、インダクタと導電体からな
るコンデンサを単に接続した構成のノイズフィルタに本
発明を適用しても良いのは勿論である。
【発明の効果】以上説明したように本願発明は、Ｆｅ８
６−ｘＳｉ６Ｂ１０Ｎｂｘなる組成を有するＦｅ基アモ
ルファス材料でインダクタの磁心を構成してあるので、
十分に優れた飽和磁束密度と透磁率を有する。また、透
磁率が十分に高いので１ＭＨｚなどの高周波領域におい
て多少渦電流損失を生じても温度上昇を低く抑え、十分
に高い磁気特性を維持することができる。従って本発明
により、高性能なノイズフィルタを提供することができ
、ノイズフィルタの高性能化を推進でき、スイッチング
電源の小型化をなしえる。また、本発明に用いるＦｅ基
アモルファス材料は、磁場中で特別な熱処理（焼鈍処理
）を行わなくともノイズフィルタの磁心として好適な軟
磁気特性を発揮するので、熱処理が必要な従来材料より
も製造が容易にできる効果がある。なお、前記組成の合
金を必要に応じて磁場中で熱処理（焼鈍処理）するなら
ば、磁気特性を更に改善することができ、その場合は更
に特性の優れたノイズフィルタを提供することができる
。
６−ｘＳｉ６Ｂ１０Ｎｂｘなる組成を有するＦｅ基アモ
ルファス材料でインダクタの磁心を構成してあるので、
十分に優れた飽和磁束密度と透磁率を有する。また、透
磁率が十分に高いので１ＭＨｚなどの高周波領域におい
て多少渦電流損失を生じても温度上昇を低く抑え、十分
に高い磁気特性を維持することができる。従って本発明
により、高性能なノイズフィルタを提供することができ
、ノイズフィルタの高性能化を推進でき、スイッチング
電源の小型化をなしえる。また、本発明に用いるＦｅ基
アモルファス材料は、磁場中で特別な熱処理（焼鈍処理
）を行わなくともノイズフィルタの磁心として好適な軟
磁気特性を発揮するので、熱処理が必要な従来材料より
も製造が容易にできる効果がある。なお、前記組成の合
金を必要に応じて磁場中で熱処理（焼鈍処理）するなら
ば、磁気特性を更に改善することができ、その場合は更
に特性の優れたノイズフィルタを提供することができる
。
【図１】図１は本発明のノイズフィルタの一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図２は本発明に係るＦｅ８６−ｘＳｉ６Ｂ１０
Ｎｂｘなる組成の合金のＸ線回折図形を示すグラフであ
る。
Ｎｂｘなる組成の合金のＸ線回折図形を示すグラフであ
る。
【図３】図３（ａ）は同合金におけるＮｂ含有量と飽和
磁束密度の関係を示すグラフである。図３（ｂ）は同合
金におけるＮｂ含有量と透磁率の関係を示すグラフであ
る。
磁束密度の関係を示すグラフである。図３（ｂ）は同合
金におけるＮｂ含有量と透磁率の関係を示すグラフであ
る。
【図４】図４（ａ）はＦｅ８１Ｓｉ６Ｂ１０Ｎｂ３なる
組成の合金のＢ−Ｈループを示すグラフである。
組成の合金のＢ−Ｈループを示すグラフである。
【図５】図５（ｂ）はＦｅ８０Ｓｉ６Ｂ１０Ｎｂ３なる
組成の合金のＢ−Ｈループを示す線図である。
組成の合金のＢ−Ｈループを示す線図である。
１ ノイズフィルタ、
２ 端子ロッド、
３，４ パイプ、
５ 被覆層、
６ モールド層、
７ 円筒体、
８ シールドケース、
９ 接続盤。
Claims (1)
- 【請求項１】 インダクタとコンデンサとを接続して
なるノイズフィルタにおいて、前記インダクタの磁心が
、 Ｆｅ８６−ｘＳｉ６Ｂ１０Ｎｂｘ なる組成を
有し、０．５原子％≦ｘ≦６原子％であるＦｅ基アモル
ファス磁性材料からなることを特徴とするノイズフィル
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3035381A JPH04348006A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | ノイズフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3035381A JPH04348006A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | ノイズフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348006A true JPH04348006A (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=12440322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3035381A Withdrawn JPH04348006A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | ノイズフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04348006A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6377152B1 (en) * | 1998-06-23 | 2002-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Bead inductor and method of manufacturing same |
-
1991
- 1991-02-05 JP JP3035381A patent/JPH04348006A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6377152B1 (en) * | 1998-06-23 | 2002-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Bead inductor and method of manufacturing same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |