JPH04337595A - Memory card - Google Patents

Memory card

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JPH04337595A
JPH04337595A JP3135246A JP13524691A JPH04337595A JP H04337595 A JPH04337595 A JP H04337595A JP 3135246 A JP3135246 A JP 3135246A JP 13524691 A JP13524691 A JP 13524691A JP H04337595 A JPH04337595 A JP H04337595A
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memory
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card
common
common memory
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昭裕 高橋
Hiroo Jofu
上符 浩男
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Abstract

PURPOSE:To develop a memory card capable of expanding a storage capacity logically unlimitedly without increasing the number of pins. CONSTITUTION:A memory card 1 is used connected to a certain information equipment. This memory card is provided with a common memory 3 capable of storing several kinds of data, an atribute memory 2 for storing the physical information of a card including the memory capacity of this common memory, an address register capable of specifying an address enabling accessing to the above-mentioned common memory 3 and a control circuit 4 capable of controlling the reading and writing of the atribute memory and the common memory. A necessary address is set on the address register by the control circuit 4 based on the memory capacity information of the common memory 3 from the atribute memory 2.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、電子スチルカ
メラ、パ−ソナルコンピュ−タ、ワ−ドプロセッサ等の
情報機器の外部メモリ装置として使用されるメモリカ−
ドに関し、特に、静止画像デ−タや多量のデ−タを記憶
できるメモリカ−ドに関する。
[Field of Industrial Application] The present invention relates to a memory card used as an external memory device for information equipment such as an electronic still camera, a personal computer, or a word processor.
The present invention relates to memory cards, and particularly to memory cards that can store still image data and large amounts of data.

【0002】0002

【従来の技術】最近、ICメモリカ−ドは、各種の技術
分野で多用されるようになってきており、例えば電子ス
チルカメラ、パ−ソナルコンピュ−タ、ワ−ドプロセッ
サ等の情報機器の外部メモリ装置として使用されている
。このICメモリカ−ドに関しては、例えば「社団法人
日本電子工業振興協会」から「ICメモリカ−ドガイド
ライン(パソコン用・メモリカ−ド/ピン・コネクタの
標準仕様)、バ−ジョン3(平成元年5月)」が最新の
ものとして提唱されている。従来、ICメモリカ−ドは
、その内部のICメモリチップの入出力ピンを直接イン
タ−フェ−ス信号として仕様できる直結バス方式と、マ
イクロコンピュ−タの入出力バスに容易に接続できるI
/Oバス方式とを採用しているが、前者はピン数が多い
ことと入出力バスとの接続が困難なことから、I/Oバ
ス方式がよく利用されている。
[Prior Art] Recently, IC memory cards have been widely used in various technical fields, such as external devices for information devices such as electronic still cameras, personal computers, and word processors. Used as a memory device. Regarding this IC memory card, for example, the ``IC Memory Card Guidelines (Standard Specifications for Personal Computers, Memory Cards/Pin Connectors)'', Version 3 (May 1989) was published by the ``Japan Electronics Industry Promotion Association''. ) has been proposed as the latest one. Conventionally, IC memory cards have either a direct bus system that allows the input/output pins of the internal IC memory chip to be used as direct interface signals, or an I/O bus system that can be easily connected to the input/output bus of a microcomputer.
However, since the former has a large number of pins and is difficult to connect to an input/output bus, the I/O bus method is often used.

【0003】このI/Oバス方式のメモリカ−ドは、そ
の内部のメモリチップの任意の番地を指し示すためにア
ドレス用のレジスタを内蔵している。上記したガイドラ
インのバ−ジョン3に示されたI/Oバス方式では、こ
のレジスタは3バイトあり、この3バイトのレジスタを
指定するために2ビツトが割り当てられていた。この2
ビットについて、メモリカ−ドの外部からみて第0番地
(“0”“0”)が下位アドレス用レジスタ、第1番地
(“0”“1”)が中位アドレス用レジスタ、第2番地
(“1”“0”)が上位アドレス用レジスタを指定する
ために使用されている。また、第3番地(“1”“1”
)は、メモリアクセス用のレジスタであって、このレジ
スタに対して「読み出し」、「書き込み」の指定を行う
ことによって、アドレス用レジスタで指示された番地の
メモリに対して読み出し、書き込みを行うことができる
This I/O bus type memory card has a built-in address register for pointing to an arbitrary address of the internal memory chip. In the I/O bus system shown in version 3 of the above-mentioned guidelines, this register has 3 bytes, and 2 bits are allocated to specify this 3-byte register. This 2
Regarding the bits, when viewed from the outside of the memory card, the 0th address (“0” “0”) is the register for the lower address, the first address (“0” “1”) is the register for the middle address, and the second address (“0”) is the register for the middle address. 1" and "0") are used to specify the upper address register. Also, the third address (“1” “1”
) is a register for memory access, and by specifying "read" or "write" to this register, you can read or write to the memory at the address specified by the address register. Can be done.

【0004】ところが、従来のアドレス用レジスタは上
述したように3バイト(1バイト=8ビツト)であるた
め、表現できる最大の番地は「2」の24乗であり、1
6,777,216番地までしか指定することができな
い。つまり、このメモリカ−ドでは、16メガバイトの
記憶容量のものしか搭載できない。なお、上述したよう
に上記3バイトのレジスタを指定するには、アドレス線
としては2本の線があればよいことになる。
However, as mentioned above, the conventional address register is 3 bytes (1 byte = 8 bits), so the maximum address that can be expressed is "2" to the 24th power, and 1
Only addresses up to 6,777,216 can be specified. In other words, this memory card can only be loaded with a storage capacity of 16 megabytes. Note that, as described above, in order to designate the 3-byte register, it is sufficient to have two lines as address lines.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このように上記したガ
イドラインにおける従来のI/Oバス方式のメモリカ−
ドの場合、最大16メガバイトの記憶容量しかないため
、例えば電子スチルカメラのように大容量のデ−タを記
憶する媒体として使用するときに容量不足になるという
欠点があった。そこで、最大16メガバイト以上の記憶
容量を確保するために、ICメモリカ−ド内にアドレス
用レジスタを増設することが考えられる。例えば、アド
レス用レジスタを4バイトにすれば、これより扱える最
大の番地は、2の32乗=4,294,967,296
番地までとなって多量のメモリ容量を扱えることになる
。しかしながら、このようにすると制御用レジスタの数
が5個必要となり、結局ピン数が3本必要となって、I
Cメモリカ−ドのピン数が増加してしまうという欠点が
あった。
[Problem to be Solved by the Invention] In this way, the conventional I/O bus type memory card according to the above guidelines
In the case of a hard disk, the maximum storage capacity is only 16 megabytes, so there is a drawback that when used as a medium for storing large amounts of data, such as in an electronic still camera, the capacity becomes insufficient. Therefore, in order to secure a maximum storage capacity of 16 megabytes or more, it is conceivable to add an address register within the IC memory card. For example, if the address register is 4 bytes, the maximum address that can be handled is 2 to the 32nd power = 4,294,967,296.
This means that a large amount of memory capacity can be handled. However, in this case, the number of control registers is 5, and the number of pins is 3.
This has the disadvantage that the number of pins on the C memory card increases.

【0006】本発明の目的は、上記欠点を解消し、ピン
数を増すことなく、記憶容量を大幅に増加させることの
できるメモリカ−ドを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a memory card that eliminates the above-mentioned drawbacks and can significantly increase storage capacity without increasing the number of pins.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明では、一定の情報機器に接続されて使用さ
れるメモリカ−ドにおいて、各種のデ−タを記憶できる
コモンメモリと、このコモンメモリのメモリ容量を含む
カ−ドの物理的な情報を格納するアトリビュ−トメモリ
と、前記コモンメモリをアクセスできるアドレスを指定
可能なアドレス用レジスタを含み、かつ、アトリビュ−
トメモリ及びコモンメモリの読み出し、書き込み制御の
できる制御回路とを備え、制御回路は、アトリビュ−ト
メモリからのコモンメモリのメモリ容量の情報を基に必
要なアドレスをアドレス用レジスタに設定できるように
したことを特徴とするメモリカ−ドを提案する。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides a common memory capable of storing various data in a memory card used while being connected to a certain information device. an attribute memory that stores physical information of the card including the memory capacity of the common memory; and an address register that can specify an address that can access the common memory;
and a control circuit capable of controlling reading and writing of the attribute memory and the common memory, and the control circuit is capable of setting a necessary address in the address register based on information about the memory capacity of the common memory from the attribute memory. We propose a memory card featuring:

【0008】[0008]

【作用】本発明では、制御信号の組合せを代え、アトリ
ビュ−トメモリにコモンメモリの容量を含むカ−ドの物
理的な情報を予め格納しておき、コモンメモリを読み出
しあるいは書き込みのアクセスをするときに、前記アト
リビュ−トメモリから物理的な情報を基にコモンメモリ
のアドレスを設定できるアドレス用レジスタにアドレス
を設定する。また、アドレス用レジスタは、それらメモ
リ容量に応じたバスと等しいビツト幅としてある。した
がって、コモンメモリが論理的に無限のメモリ容量でも
、外部からアクセスできることになる。
[Operation] In the present invention, the physical information of the card including the capacity of the common memory is stored in the attribute memory in advance by changing the combination of control signals, and when accessing the common memory for reading or writing. Next, an address is set in an address register in which a common memory address can be set based on physical information from the attribute memory. Further, the address register has the same bit width as the bus depending on the memory capacity. Therefore, even if the common memory has a logically infinite memory capacity, it can be accessed from the outside.

【0009】[0009]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面に沿って
説明する。図1は、本発明のメモリカ−ドの内部構造を
示すブロック図である。図2は同メモリカ−ドのピンに
対する信号の対応図であって、基本的には上記したガイ
ドラインに沿ったものである。
Embodiments Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the internal structure of the memory card of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing the correspondence of signals to pins of the same memory card, and basically follows the above-mentioned guidelines.

【0010】図1に示すメモリカ−ド1は、アトリビュ
−トメモリ2、コモンメモリ3、これらを制御する制御
回路4、電源制御回路5、バックアップ電池6からなる
。アトリビュ−トメモリ2は、例えば、アトリビュ−ト
メモリ2及びコモンメモリ3のメモリの種類(ROM、
RAM、EEPROMなど)、読み書きの速度、コモン
メモリ3の容量等のカ−ドの物理的な情報を格納するメ
モリであり、制御回路4に対して制御線、アドレス線、
デ−タバスラインで接続されている。
The memory card 1 shown in FIG. 1 includes an attribute memory 2, a common memory 3, a control circuit 4 for controlling these, a power supply control circuit 5, and a backup battery 6. The attribute memory 2 stores, for example, the memory types (ROM,
This memory stores physical information of the card, such as RAM, EEPROM, etc.), read/write speed, and capacity of the common memory 3, and connects the control circuit 4 to control lines, address lines,
Connected by data bus line.

【0011】コモンメモリ3は、主にデ−タを格納する
メモリであり、上記同様に制御回路4に対して制御線、
アドレス線、デ−タバスラインで接続されている。制御
回路4は、外部回路(例えば、カ−ドコントロ−ラ)に
、カ−ドイネ−ブルCE、制御信号C0、C1、読み出
し信号RD、書き込み信号WR、レディ信号RDY/B
SY、書き込み禁止信号WP、デ−タ・アドレスバスD
0〜D7が入出力できるように接続されている。また、
この制御回路4は、上記コモンメモリ3の容量に応じた
アドレスを設定できるアドレス用レジスタを備えている
The common memory 3 is a memory that mainly stores data, and similarly to the above, the common memory 3 is connected to the control circuit 4 by a control line,
They are connected by address lines and data bus lines. The control circuit 4 sends a card enable CE, control signals C0 and C1, a read signal RD, a write signal WR, and a ready signal RDY/B to an external circuit (for example, a card controller).
SY, write inhibit signal WP, data address bus D
0 to D7 are connected for input/output. Also,
The control circuit 4 includes an address register that can set an address according to the capacity of the common memory 3.

【0012】ここで、上記メモリカ−ド1は、図2に示
すように、ピン番号「1、20」にGND、番号「2〜
9」にデ−タ・アドレスバスD0〜D7、番号「10」
に電源Vcc、番号「11」にプログラムサプライVp
p、番号「12」にレディ信号RDY/BSY、番号「
13」にカ−ドイネ−ブルCE、番号「14、15」に
制御信号C0、C1、番号「16」に読み出し信号RD
、番号「17」に書き込み信号WR、番号「18」に書
き込み禁止信号WP、番号「19」にバッテリチェック
Vbatが割当てられている。また、図2において、番
号「14、15」の制御信号C0、C1が本発明の実施
例で使用する制御信号であり、以下の図4の説明におい
てその制御内容の詳細を説明する。なお、電源制御回路
5は、外部電源に電源線VccとGNDで接続され、ま
た、バッテリの状態を示す信号Vbatを外部回路に与
えられるようになっており、さらに、内部でバツクアッ
プ電池6と接続されていて、アトリビュ−トメモリ2、
コモンメモリ3、制御回路4に電力を供給する。
Here, as shown in FIG. 2, the memory card 1 has pin numbers "1, 20" connected to GND, and pin numbers "2 to 20" connected to GND.
9”, data address bus D0 to D7, number “10”
Power supply Vcc to number “11”, program supply Vp to number “11”
p, ready signal RDY/BSY to number "12", number "
Card enable CE to "13", control signals C0, C1 to numbers "14, 15", read signal RD to number "16"
, the write signal WR is assigned to the number "17", the write inhibit signal WP is assigned to the number "18", and the battery check Vbat is assigned to the number "19". Further, in FIG. 2, control signals C0 and C1 numbered "14, 15" are control signals used in the embodiment of the present invention, and details of the control contents will be explained in the explanation of FIG. 4 below. The power supply control circuit 5 is connected to an external power supply through a power supply line Vcc and GND, and is also configured to be able to give a signal Vbat indicating the battery status to the external circuit, and further internally connects to a backup battery 6. connected, attribute memory 2,
Power is supplied to the common memory 3 and the control circuit 4.

【0013】図3は、本発明の実施例を模式的に示す説
明図である。図3に示す回路は制御回路4の内部で構成
されており、コモンメモリ3の容量に応じた複数個のア
ドレス用レジスタ41、42、43・・・・・とからな
る。このアドレス用レジスタ41、42、43・・・・
は、コモンメモリ3の容量のアドレスを指定できるだけ
の大きさを持っている。
FIG. 3 is an explanatory diagram schematically showing an embodiment of the present invention. The circuit shown in FIG. 3 is configured inside the control circuit 4, and includes a plurality of address registers 41, 42, 43, . . . corresponding to the capacity of the common memory 3. These address registers 41, 42, 43...
has a size large enough to specify the address of the capacity of the common memory 3.

【0014】図4は、本発明の制御信号C0、C1の機
能割当を説明するために示す説明図である。制御信号C
1が「“0”」でアトリビュ−トメモリ2を指定し、「
“1”」でコモンメモリ3を指定できるようになってい
る。そして、制御信号C0、C1、R/Wが「“0”“
0”“R”」でアトリビュ−トメモリ2のアドレス用レ
ジスタを読み出し、制御信号C0、C1、R/Wが「“
0”“0”“W”」でアトリビュ−トメモリ2のアドレ
ス用レジスタに書き込みできる。また、制御信号C0、
C1、R/Wが「“1”“0”“R”」でアトリビュ−
トメモリ2からデ−タを読み出し、制御信号C0、C1
、R/Wが「“1”“0”“W”」でアトリビュ−トメ
モリ2にデ−タを書き込む。さらに、制御信号C0、C
1、R/Wが「“0”“1”“R”」なら、コモンメモ
リ3のアドレス用レジスタを読み出し、制御信号C0、
C1、R/Wが「“0”“1”“W”」ならばコモンメ
モリ3のアドレス用レジスタに書き込みできる。 制御信号C0、C1、R/Wが「“1”“1”“R”」
ならばコモンメモリ3からデ−タを読み出し、制御信号
C0、C1、R/Wが「“1”“1““W”」ならば、
コモンメモリ3にデ−タを書き込むことができる。
FIG. 4 is an explanatory diagram shown to explain the functional assignment of control signals C0 and C1 of the present invention. Control signal C
1 is “0” and attribute memory 2 is specified, and “
Common memory 3 can be specified with “1”. Then, the control signals C0, C1, R/W are “0”
0” “R””, the address register of attribute memory 2 is read, and the control signals C0, C1, R/W are ““
0", "0", and "W"" can be written to the address register of the attribute memory 2. In addition, the control signal C0,
C1, R/W is attribute with “1” “0” “R”
Reads data from memory 2 and sends control signals C0 and C1.
, R/W writes data to the attribute memory 2 with "1", "0", and "W". Furthermore, control signals C0, C
1. If R/W is "0""1""R", read the address register of common memory 3 and send control signal C0,
If C1 and R/W are "0", "1", and "W", it can be written to the address register of the common memory 3. Control signals C0, C1, and R/W are ““1” “1” “R”
Then, data is read from the common memory 3, and if the control signals C0, C1, and R/W are "1", "1", and "W", then
Data can be written to the common memory 3.

【0015】このような実施例の作用を説明する。図5
はメモリカ−ドのアトリビュ−トメモリ2の読み出しタ
イミングを、図6はメモリカ−ドのアトリビュ−トメモ
リ2の書き込みタイミングを各々説明するために示した
タイムチャ−トである。また、図7はメモリカ−ドのコ
モンメモリ3の読み出しタイミングを示すタイムチャ−
トであり、図8はメモリカ−ドのコモンメモリ3の書き
込みタイミングを示すタイムチャ−トである。
The operation of such an embodiment will be explained. Figure 5
6 is a time chart showing the read timing of the attribute memory 2 of the memory card, and FIG. 6 is a time chart showing the write timing of the attribute memory 2 of the memory card. Also, FIG. 7 is a time chart showing the read timing of the common memory 3 of the memory card.
FIG. 8 is a time chart showing the write timing of the common memory 3 of the memory card.

【0016】{アトリビュ−トメモリ2の読み出し動作
}先ず、図5を参照しながらアトリビュ−トメモリ2の
読み出し動作について説明する。カ−ドコントロ−ラ(
図示せず)は、メモリカ−ド1に対してカ−ドイネ−ブ
ルCE“1”を入力する(時点t0)。
{Reading operation of attribute memory 2} First, the reading operation of attribute memory 2 will be explained with reference to FIG. Card controller (
(not shown) inputs card enable CE "1" to the memory card 1 (time t0).

【0017】続いて、そのカ−ドコントロ−ラは、図5
に示すように制御信号C0、C1、R/Wを「“0”“
0”“WR(図4も参照、以下同じ)」とすることによ
り、(時点t1〜t2)、アトリビュ−トメモリ2のア
ドレス用レジスタ41、42にアドレスを設定する(時
点t1〜t2)。
Next, the card controller is shown in FIG.
As shown in the figure, the control signals C0, C1, and R/W are set to “0”.
0""WR (see also FIG. 4, the same applies hereinafter)" (times t1 to t2) and sets addresses in the address registers 41 and 42 of the attribute memory 2 (times t1 to t2).

【0018】続いて、カ−ドコントロ−ラは、制御信号
C0、C1、R/Wが「“0”“1”“R”」とし((
時点t3〜)、アトリビュ−トメモリ2の内容を前記設
定されたアドレスから順次読み出す(時点t3〜)。こ
れにより、カ−ドコントロ−ラは、アトリビュ−トメモ
リ2及びコモンメモリ3の容量、種類、読み書き等の速
度を知ることができる。
Next, the card controller sets the control signals C0, C1, and R/W to "0", "1", and "R" ((
From time t3), the contents of the attribute memory 2 are sequentially read from the set address (from time t3). This allows the card controller to know the capacity, type, read/write speed, etc. of the attribute memory 2 and common memory 3.

【0019】{アトリビュ−トメモリ2の書き込み動作
}カ−ドコントロ−ラは、上記情報からアトリビュ−ト
メモリ2に対して書き込みが必要なときには、図6に示
すように、メモリカ−ド1に対してカ−ドイネ−ブルC
E“1”を入力する(時点t10)。
{Write operation of attribute memory 2} When it is necessary to write to the attribute memory 2 based on the above information, the card controller performs a write operation on the memory card 1 as shown in FIG. -Doenable C
E "1" is input (time t10).

【0020】続いて、そのカ−ドコントロ−ラは、図6
に示すように制御信号C0、C1、R/Wを「“0”“
0”“W”」(図4も参照、以下同じ)」とすることに
より、(時点t11〜t12)、アトリビュ−トメモリ
2のアドレス用レジスタ41、42、43・・・・にア
ドレスを設定する(時点t11〜t12)。
Next, the card controller is shown in FIG.
As shown in the figure, the control signals C0, C1, and R/W are set to “0”.
0""W"" (see also FIG. 4, the same applies hereinafter)" (times t11 to t12), the address is set in the address registers 41, 42, 43, etc. of the attribute memory 2. (Time t11-t12).

【0021】続いて、カ−ドコントロ−ラは、制御信号
C0、C1、R/Wを「“1”“0”“W”」とし、(
時点t13〜)、アトリビュ−トメモリ2に対して前記
設定されたアドレスから順次書き込み制御する。(時点
t13〜)。これより、アトリビュ−トメモリ2には、
必要なデ−タが書き込まれる。
Next, the card controller sets the control signals C0, C1, and R/W to "1", "0", and "W", and (
From time t13), writing is controlled to the attribute memory 2 sequentially from the set address. (Time point t13~). From this, attribute memory 2 has
Necessary data is written.

【0022】{コモンメモリ3の読み出し動作}次に、
図7を参照しながらコモンメモリ3の読み出し動作につ
いて説明する。カ−ドコントロ−ラ(図示せず)は、メ
モリカ−ド1に対してカ−ドイネ−ブルCE“1”を入
力する(時点t20)。
{Reading operation of common memory 3} Next,
The read operation of the common memory 3 will be explained with reference to FIG. The card controller (not shown) inputs card enable CE "1" to the memory card 1 (time t20).

【0023】続いて、そのカ−ドコントロ−ラは、図7
に示すように制御信号C0、C1、R/Wを「“0”“
1”“R”(図4も参照、以下同じ)」とすることによ
り(時点t21〜t22)、コモンメモリ3のアドレス
用レジスタ41、42、43・・・・にアドレスを設定
する(時点t21〜t22)。これにより、アドレス用
レジスタ41、42、43・・・・のいずれかが指定さ
れる。
Next, the card controller is shown in FIG.
As shown in the figure, the control signals C0, C1, and R/W are set to “0”.
1""R" (see also FIG. 4, the same applies hereinafter)" (times t21 to t22), addresses are set in the address registers 41, 42, 43, etc. of the common memory 3 (times t21 to t22). ~t22). As a result, one of the address registers 41, 42, 43, . . . is designated.

【0024】続いて、カ−ドコントロ−ラにより、図7
に示すように制御信号C0、C1、R/Wが「“1”“
1”“R”」になると(時点t23〜)、アドレス用レ
ジスタ41、42、43・・・・に書き込まれたアドレ
スにしたがって、コモンメモリ3からデ−タが読み出さ
れる(時点t23〜)。これにより、アトリビュ−トメ
モリ2に記憶されているコモンメモリ3の容量のデ−タ
により、アドレス用レジスタ41、42、43・・・・
・に必要なアドレスを設定できるから、理論的に容量を
無限に拡張できる。このとき、アドレス用レジスタ41
、42、43・・・・・は、そのアドレスを指定できる
だけの個数が必要である。
[0024] Next, by the card controller, the
As shown in , the control signals C0, C1, and R/W are “1”.
1""R"" (from time t23), data is read from the common memory 3 according to the addresses written in the address registers 41, 42, 43, . . . (from time t23). As a result, the address registers 41, 42, 43, . . .
・Since you can set the necessary address for , the capacity can theoretically be expanded infinitely. At this time, address register 41
, 42, 43, . . . must have a sufficient number to specify the address.

【0025】{メモリカ−ドのコモンメモリ3への書き
込み動作}次に、図8を参照しながらメモノカ−ド1の
コモンメモリ3の書き込み動作について説明する。カ−
ドコントロ−ラ(図示せず)は、図8に示すようにメモ
リカ−ド1にカ−ドイネ−ブルCE“1”を入力する(
時点t30)。
{Write operation to the common memory 3 of the memory card} Next, the write operation to the common memory 3 of the memo card 1 will be explained with reference to FIG. Car
The card controller (not shown) inputs card enable CE "1" to the memory card 1 as shown in FIG.
Time t30).

【0026】続いて、そのカ−ドコントロ−ラは、図8
に示すように制御信号C0、C1、R/Wを「“0”“
1”“W”(図4も参照、以下同じ)」とすることによ
り(時点t31〜t32)、アドレス用レジスタ41、
42、43・・・・にアドレスが書き込まれる(時点t
31〜t32)。それは、大きなメモリ容量ほど、8ビ
ット単位で何回も書き込む必要があるからである。
Next, the card controller is shown in FIG.
As shown in the figure, the control signals C0, C1, and R/W are set to “0”.
1""W" (see also FIG. 4, the same applies hereinafter)" (times t31 to t32), the address register 41,
Addresses are written to 42, 43, etc. (at time t
31-t32). This is because the larger the memory capacity, the more times it is necessary to write in 8-bit units.

【0027】続いて、カ−ドコントロ−ラにより、図8
に示すように制御信号C0、C1、R/Wが「“1”“
1”“W”」とし(時点t33〜)、アドレス用レジス
タ41、42、43・・・・に書き込まれているアドレ
スにしたがって、コモンメモリ3に対してデ−タを書き
込む(時点33〜)。
Next, by the card controller, the image shown in FIG.
As shown in , the control signals C0, C1, and R/W are “1”.
1""W"" (from time t33), and writes data to the common memory 3 according to the addresses written in the address registers 41, 42, 43, etc. (from time 33). .

【0028】このようにコモンメモリ3のアドレスを設
定するのに、アトリビュ−トメモリ2からの情報により
そのコモンメモリ3の容量が分かっており、その容量に
応じたアドレス用レジスタ41、42、43・・・・に
必要なアドレスを、その大きさに応じて複数回に分割し
て書き込むことができるようにしたので、コモンメモリ
3の容量が論理的に無限であってもコモンメモリ3をア
クセスすることができる。
In order to set the address of the common memory 3 in this way, the capacity of the common memory 3 is known from the information from the attribute memory 2, and the address registers 41, 42, 43, . Since the address necessary for ... can be written multiple times depending on its size, common memory 3 can be accessed even if the capacity of common memory 3 is logically infinite. be able to.

【0029】本実施例はこのように動作し、ピン数を増
加させることなく、また、電気的になんら問題なく、理
論的に無限大までメモリ容量を拡張することができる。
The present embodiment operates as described above, and the memory capacity can be theoretically expanded to infinity without increasing the number of pins and without causing any electrical problems.

【0030】[0030]

【発明の効果】上記した通り、本発明によれば、制御信
号の組合せを代え、アトリビュ−トメモリにコモンメモ
リの容量を記憶させておき、そのメモリ容量をアクセス
できるアドレス用レジスタが用意されているので、メモ
リカ−ドのピン数を増加させることなく、理論的に無限
のメモリ容量まで増加することができるという効果があ
る。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the combination of control signals is changed, the capacity of the common memory is stored in the attribute memory, and an address register is provided that can access the memory capacity. Therefore, there is an effect that the memory capacity can be theoretically increased to an infinite limit without increasing the number of pins of the memory card.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本発明のメモリカ−ドの実施例を示すブロック
図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a memory card of the present invention.

【図2】本発明のメモリカ−ドのピンに対する信号の対
応関係を説明するための説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining the correspondence of signals to pins of the memory card of the present invention.

【図3】本発明の実施例の要部を説明するための図であ
る。
FIG. 3 is a diagram for explaining main parts of an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例に使用する制御信号の構成例を
示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a configuration example of a control signal used in an embodiment of the present invention.

【図5】アトリビュ−トメモリの書き込み動作を説明す
るためのタイムチャ−ト図である。
FIG. 5 is a time chart diagram for explaining a write operation of an attribute memory.

【図6】アトリビュ−トメモリの読み出し動作を説明す
るためのタイムチャ−ト図である。
FIG. 6 is a time chart diagram for explaining the read operation of the attribute memory.

【図7】コモンメモリの書き込み動作を説明するための
タイムチャ−ト図である。
FIG. 7 is a time chart diagram for explaining a write operation of the common memory.

【図8】コモンメモリの読み出し動作を説明するための
タイムチャ−ト図である。
FIG. 8 is a time chart diagram for explaining the read operation of the common memory.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  メモリカ−ド 2  アトリビュ−トメモリ 3  コモンメモリ 4  制御回路 5  電源制御回路 6  バックアップ電池 1 Memory card 2 Attribute memory 3 Common memory 4 Control circuit 5 Power control circuit 6 Backup battery

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  一定の情報機器に接続されて使用され
るメモリカ−ドにおいて、各種のデ−タを記憶できるコ
モンメモリと、このコモンメモリのメモリ容量を含むカ
−ドの物理的な情報を格納するアトリビュ−トメモリと
、前記コモンメモリをアクセスできるアドレスを指定可
能なアドレス用レジスタを含み、かつ、アトリビュ−ト
メモリ及びコモンメモリの読み出し、書き込み制御ので
きる制御回路とを備え、制御回路は、アトリビュ−トメ
モリからのコモンメモリのメモリ容量の情報を基に必要
なアドレスをアドレス用レジスタに設定できるようにし
たことを特徴とするメモリカ−ド。
[Claim 1] A memory card used by being connected to a certain information device includes a common memory that can store various data, and physical information of the card including the memory capacity of this common memory. The control circuit includes an attribute memory for storing an attribute memory and an address register capable of specifying an address at which the common memory can be accessed, and is capable of controlling reading and writing of the attribute memory and the common memory. - A memory card characterized in that a necessary address can be set in an address register based on information about the memory capacity of a common memory from a host memory.
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