JPH04325686A - Heater for heating cvd device - Google Patents
Heater for heating cvd deviceInfo
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Landscapes
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハー等の表面にタ
ングステン膜やシリコン膜を成膜する減圧ＣＶＤ装置に
関し、とくに加熱源としてランプを使用する急速加熱型
ＣＶＤ装置での加熱ヒータの構造に関する。[Field of Industrial Application] The present invention relates to a low pressure CVD apparatus for forming a tungsten film or a silicon film on the surface of a wafer, etc., and more particularly to the structure of a heater in a rapid heating type CVD apparatus that uses a lamp as a heat source. .
【０００２】0002
【従来技術】従来、ランプを加熱源とした急速加熱型Ｃ
ＶＤ装置として、減圧チャンバー内に配置されたリング
状ホルダーに被加熱物を支持し、この被加熱物に対向さ
せて加熱用ランプのランプユニットを配置し、このラン
プユニットから照射した熱線を被加熱物に作用させるこ
とにより被加熱物を６００〜１０００℃に加熱するよう
に構成し、減圧チャンバー内に処理ガスを供給して被加
熱物の表面に金属薄膜を成膜するように構成したものが
提供されている。[Prior art] Conventionally, rapid heating type C using a lamp as a heating source
As a VD device, an object to be heated is supported on a ring-shaped holder placed in a decompression chamber, a lamp unit of a heating lamp is placed facing the object, and the heat rays emitted from this lamp unit are used to heat the object. A device configured to heat an object to 600 to 1000°C by acting on the object, and to form a thin metal film on the surface of the object by supplying processing gas into a reduced pressure chamber. provided.
【０００３】ＣＶＤ装置では、被加熱物を均一に加熱す
ることが要求されることから、従来、ＣＶＤ装置の加熱
源として使用するランプユニットとして、図４（Ａ）あ
るいは図４（Ｂ）に示すものが知られている。図４（Ａ
）に示すものは、ランプハウジング（５０）の内面（５
１）を曲面に形成し、この曲面に対応させて複数の直管
ハロゲンランプ（５２）を平行に配置して、ランプユニ
ットから出射する熱光線を平行光束に形成するようにし
たものである。また、図４（Ｂ）に示すものは、ランプ
ハウジング（５０）の内面（５１）に半円筒状の凹嵌部
（５３）を複数平行に形成し、この凹嵌部（５３）にそ
れぞれ直管ハロゲンランプ（５２）を配置して、ランプ
ユニットから出射する熱光線を平行光束に形成するよう
にしたものである。[0003] Since CVD equipment is required to uniformly heat the object to be heated, a lamp unit as shown in FIG. 4(A) or 4(B) has conventionally been used as a heat source for CVD equipment. something is known. Figure 4 (A
) is the inner surface (5) of the lamp housing (50).
1) is formed into a curved surface, and a plurality of straight tube halogen lamps (52) are arranged in parallel to correspond to the curved surface, so that the heat rays emitted from the lamp unit are formed into a parallel luminous flux. Furthermore, in the lamp housing (50) shown in FIG. A tube halogen lamp (52) is arranged to form the heat rays emitted from the lamp unit into a parallel light beam.
【０００４】0004
【発明が解決しようとする課題】この種装置のランプハ
ウジングは、反射効率を高めるため、その内面を鏡面に
仕上げ、さらに鏡面が曇らないように内面を金メッキし
ているのであるが、前記両従来のランプハウジングでは
、曲面部分を形成することから、その製作が困難なうえ
、均一な金メッキを施すことが困難であるという問題が
あった。また、ＣＶＤ装置で処理するウエハやガラス基
板等の被加熱物は周縁部からの放熱が大きいことから、
被加熱物での熱分布が中央部が中高放物線状になる。こ
のため、従来のランプユニットでは、各ランプの出力を
ゾーン制御しなければならないという不便さもあった。
本発明は、このような点に着目してなされたもので、被
加熱物を均一に加熱することのできる加熱装置を提供す
ることを目的とする。[Problems to be Solved by the Invention] The lamp housing of this type of device has its inner surface finished with a mirror finish to increase reflection efficiency, and the inner surface is further plated with gold to prevent the mirror surface from becoming cloudy. Since the lamp housing has a curved surface, it is difficult to manufacture, and it is also difficult to apply uniform gold plating. In addition, since objects to be heated such as wafers and glass substrates processed by CVD equipment have a large amount of heat dissipated from the periphery,
The heat distribution in the object to be heated becomes a parabola with medium height at the center. For this reason, the conventional lamp unit has the inconvenience of having to perform zone control on the output of each lamp. The present invention has been made with attention to such points, and an object of the present invention is to provide a heating device that can uniformly heat an object to be heated.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、ランプユニットの内壁面を金メッキし
た平面で構成するとともに、ランプユニット内に複数の
直管ランプを平行に配置することにより構成したランプ
列を複数段に配置し、上下に位置するランプ列をその直
管ランプ同士が交叉する状態に位置させ、各ランプ列で
の直管ランプの配列ピッチをその中央部が粗になるよう
に配置したことを特徴としている。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above-mentioned object, the present invention comprises a lamp unit having an inner wall surface plated with gold and a plurality of straight tube lamps arranged in parallel within the lamp unit. The lamp rows constructed by this method are arranged in multiple stages, and the lamp rows located above and below are positioned so that the straight tube lamps intersect with each other, and the arrangement pitch of the straight tube lamps in each lamp row is set so that the center part is coarse. It is characterized by being arranged so that
【０００６】[0006]
【作用】本発明では、ランプユニットの内壁面を金メッ
キした平面で構成しているので、ランプハウジングの製
作及び金メッキを楽にしかも高精度に行える。また、ラ
ンプユニット内に複数の直管ランプを平行に配置するこ
とにより構成したランプ列を複数段に配置し、上下に位
置するランプ列をその直管ランプ同士が交叉する状態に
位置させ、各ランプ列での直管ランプの配列ピッチをそ
の中央部が粗になるように配置しているので、各ランプ
の出力を個々に制御することなく被加熱物の中央部で高
温になり過ぎるのを防止して、被加熱物全体を均一に加
熱する。[Function] In the present invention, since the inner wall surface of the lamp unit is made of a gold-plated flat surface, the lamp housing can be easily manufactured and gold-plated with high precision. In addition, lamp rows configured by arranging a plurality of straight tube lamps in parallel within a lamp unit are arranged in multiple stages, and the lamp rows located above and below are positioned so that the straight tube lamps intersect with each other. The straight tube lamps in the lamp row are arranged at a coarse pitch in the center, which prevents the heated object from becoming too hot in the center without individually controlling the output of each lamp. To prevent this, the entire object to be heated can be heated evenly.
【０００７】[0007]
【実施例】図面は本発明の実施例を示し、図１はランプ
ユニットでのランプ配置を示す底面図、図２はＣＶＤ装
置のチャンバー部断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The drawings show an embodiment of the present invention, with FIG. 1 being a bottom view showing the arrangement of lamps in a lamp unit, and FIG. 2 being a sectional view of a chamber portion of a CVD apparatus.
【０００８】このＣＶＤ装置は、減圧チャンバー（１）
の上方にランプユニット（２）を配置し、このランプユ
ニット（２）から熱線を減圧チャンバー（１）内に表面
を下向きにした状態で支持させたウエハー基板等の被加
熱物（３）に照射することにより被加熱物（３）を裏面
側から加熱するように構成し、減圧チャンバー（１）内
にシランガス等の処理ガスを下側から噴出供給して、被
加熱物（３）の表面に薄膜を成膜するに構成した急速加
熱型ＣＶＤ装置である。[0008] This CVD apparatus has a reduced pressure chamber (1)
A lamp unit (2) is placed above, and a hot ray is irradiated from this lamp unit (2) to an object to be heated (3) such as a wafer substrate supported in a reduced pressure chamber (1) with its surface facing downward. By doing this, the object to be heated (3) is heated from the back side, and a processing gas such as silane gas is ejected from the lower side into the reduced pressure chamber (1) and is heated on the surface of the object to be heated (3). This is a rapid heating type CVD apparatus configured to form thin films.
【０００９】減圧チャンバー（１）内は伏椀状に形成し
た石英製の隔壁（４）で上下二室に区画してあり、この
隔壁（４）に頂部に開口部（５）が開設してある。そし
て、この開口部（５）に被加熱物（３）を支持するリン
グ状ホルダー（６）が安定に設置してある。このリング
状ホルダー（６）は石英等の耐熱材料で形成してあり、
被加熱物（３）を表面（処理面）を下向きにした状態で
装着することにより、リング状ホルダー（６）に支持さ
れた被加熱物（３）の表面が隔壁（４）で区画された下
側の部屋に露出するように構成してある。The inside of the decompression chamber (1) is divided into upper and lower two chambers by a quartz partition wall (4) formed in the shape of a bowl, and an opening (5) is opened at the top of this partition wall (4). be. A ring-shaped holder (6) that supports the object to be heated (3) is stably installed in this opening (5). This ring-shaped holder (6) is made of a heat-resistant material such as quartz.
By mounting the object to be heated (3) with its surface (processed surface) facing downward, the surface of the object to be heated (3) supported by the ring-shaped holder (6) is partitioned by the partition wall (4). It is configured so that it is exposed to the room below.
【００１０】そして、減圧チャンバー（１）内での隔壁
（４）の上側に位置する部屋（７）でのチャンバー周側
壁に被加熱物（３）を給排する開口部（８）を開設し、
この開口部（８）を被加熱物（３）の搬送装置（９）が
出退移動するようにしてある。また、この隔壁（４）よ
りも上側に位置する部屋（７）に窒素や水素等のパージ
用ガスを導入する導入路（１０）と室内気体を外部に排
出するための排気路とが連通させてある。[0010] Then, an opening (8) for supplying and discharging the object to be heated (3) is opened in the circumferential side wall of the chamber (7) located above the partition wall (4) in the decompression chamber (1). ,
A conveying device (9) for the object to be heated (3) moves in and out of this opening (8). In addition, an introduction passage (10) for introducing a purge gas such as nitrogen or hydrogen into the room (7) located above the partition wall (4) is connected to an exhaust passage for discharging indoor gas to the outside. There is.
【００１１】一方、減圧チャンバー（１）内での隔壁（
４）よりも下側に位置する部屋（１１）でのチャンバー
周側壁に被加熱物（３）をリング状ホルダー（６）に案
内装着するための被加熱物装着具（１２）の差し込み口
（１３）が開口しており、この差し込み口（１３）に被
加熱物装着具（１２）が装着してある。この被加熱物装
着具（１２）はロッドの先端部をリング部分（１４）に
形成し、このリング部分（１４）に周方向適当間隔おき
にピン（１５）を立設形成してあり、このピン（１５）
の上端部分はリング状ホルダー（６）の被加熱物支持台
（１７）部分に形成した孔に進退昇降可能に装着してあ
る。
また、被加熱物装着具（１２）は昇降機構（１６）の作
動で上下に移動して、上側室（７）に被加熱物搬送装置
（９）で搬入された被加熱物（３）をリング状ホルダー
（６）に位置決め装着、或いはリング状ホルダー（６）
から被加熱物搬送装置（９）に受け渡すように構成して
ある。また、この隔壁（７）よりも下側に位置する部屋
（１１）にシランガス等の処理ガスの供給路（１８）と
排気路が連通させてあり、反応用ガス導入路（１８）の
先端部はリング状ホルダー（６）よりも下側部分で、噴
出させた反応用ガスが被加熱物（３）の表面に接触でき
る適当な個所に位置して開口している。On the other hand, the partition wall (
An insertion port (12) for guiding the heated object (3) to the ring-shaped holder (6) is provided on the circumferential side wall of the chamber (11) located below the chamber (11). 13) is open, and a heated object attachment device (12) is attached to this insertion port (13). This heated object attachment device (12) has a rod tip formed into a ring portion (14), and pins (15) are formed upright on this ring portion (14) at appropriate intervals in the circumferential direction. Pin (15)
The upper end portion of the ring-shaped holder (6) is attached to a hole formed in the heated object support portion (17) so as to be movable up and down. In addition, the heated object attachment device (12) moves up and down by the operation of the lifting mechanism (16), and carries the heated object (3) carried into the upper chamber (7) by the heated object conveying device (9). Positioning and mounting on ring-shaped holder (6), or ring-shaped holder (6)
The heated object is transferred from the heating object to the heating object conveying device (9). In addition, a supply path (18) for a processing gas such as silane gas and an exhaust path are communicated with the chamber (11) located below the partition wall (7), and the tip of the reaction gas introduction path (18) is located below the ring-shaped holder (6) and is opened at a suitable location where the ejected reaction gas can come into contact with the surface of the object to be heated (3).
【００１２】したがって、本実施例の減圧チャンバー（
１）では隔壁（４）の下側に位置する部屋（１１）が反
応室となり、隔壁（４）の上側に位置する部屋（７）が
加熱室となる。そして、成膜作業時には、加熱室（７）
側の内圧を１．０〜数十Ｔｏｒｒ程度になるように減圧
するとともに、反応室（１１）側での内圧を０．１〜１
０Ｔｏｒｒ程度になるように減圧して、加熱室（７）と
反応室（１１）とで内圧差を持たせる。このように両室
（７）（１１）の内圧に圧力差を持たせることにより、
反応室（１１）内の処理ガスが加熱室（７）側に流れ込
むことがなくなる。Therefore, the reduced pressure chamber of this embodiment (
In 1), the chamber (11) located below the partition wall (4) becomes the reaction chamber, and the room (7) located above the partition wall (4) becomes the heating chamber. During the film forming process, the heating chamber (7)
While reducing the internal pressure on the reaction chamber (11) side to about 1.0 to several tens of Torr, the internal pressure on the reaction chamber (11) side is reduced to 0.1 to 1 Torr.
The pressure is reduced to about 0 Torr to create an internal pressure difference between the heating chamber (7) and the reaction chamber (11). By creating a pressure difference between the internal pressures of both chambers (7) and (11) in this way,
Processing gas in the reaction chamber (11) no longer flows into the heating chamber (7).
【００１３】また、加熱室（７）の被加熱物（３）と対
向する上壁に石英ガラスを嵌め込んだクオーツウインド
ウ（１９）が形成してあり、このクオーツウインドウ（
１９）に臨む状態で前述のランプユニット（２）が配置
してある。このランプユニット（２）は、箱型に形成し
たランプハウジング（２０）と、このランプハウジング
（２０）内に２段に配置したランプ列（２１）とで構成
してある。そして、ランプハウジング（２０）の内面壁
は鏡面仕上げを施した平面で構成してあり、この内面壁
の表面には金メッキが施してある。
また、図示は省略したが、金メッキを作業時での高温か
ら保護するために、ランプハウジング（２０）を水冷で
きるようにしてある。Furthermore, a quartz window (19) in which quartz glass is fitted is formed on the upper wall of the heating chamber (7) facing the object to be heated (3).
The above-mentioned lamp unit (2) is placed facing the lamp unit (19). This lamp unit (2) is comprised of a box-shaped lamp housing (20) and lamp rows (21) arranged in two stages within this lamp housing (20). The inner wall of the lamp housing (20) is a mirror-finished flat surface, and the surface of the inner wall is plated with gold. Although not shown, the lamp housing (20) can be water-cooled to protect the gold plating from high temperatures during work.
【００１４】ランプハウジング（２０）内に配置した各
ランプ列（２１）は、複数の直管ハロゲンランプ（２２
）を平行に配置することにより構成してあり、上段に位
置するランプ列（２１ａ）と下段に位置するランプ列（
２１ｂ）とは各直管ハロゲンランプ（２２）が直交する
状態に配置されている。そして、各ランプ列（２１）で
は、図１に示すように中央部でのランプ配列密度を他の
部分でのランプ配列密度より粗く形成してある。Each lamp row (21) arranged in the lamp housing (20) includes a plurality of straight tube halogen lamps (22).
) are arranged in parallel, with the lamp row (21a) located in the upper stage and the lamp row (21a) located in the lower stage.
21b), the straight tube halogen lamps (22) are arranged in a state that they are orthogonal to each other. In each lamp row (21), as shown in FIG. 1, the lamp arrangement density in the central part is made coarser than in the other parts.
【００１５】ランプユニット（２）での加熱ランプ（２
２）の配列をこのように構成することにより、放熱量の
少ない被加熱物での中央部での加熱量を少なくして中央
部での温度が高くなり過ぎることを防止するとともに、
放熱量の多い周側縁部を中央部よりも強力に加熱するこ
とができ、被加熱物での温度分布を均一に維持すること
ができるようになる。また、ランプハウジング（２０）
の内壁面を平面で形成することにより、加工及びメッキ
作業が容易となり、ランプハウジング（２０）での反射
率を９８％まで上昇させることができる。Heat lamp (2) in lamp unit (2)
By configuring the arrangement in 2) in this way, the amount of heating in the center part of the heated object with a small amount of heat dissipation is reduced, and the temperature in the center part is prevented from becoming too high.
It is possible to heat the peripheral edge portion, where a large amount of heat is radiated, more strongly than the central portion, and it becomes possible to maintain a uniform temperature distribution in the object to be heated. Also, lamp housing (20)
By forming the inner wall surface of the lamp housing (20) into a flat surface, processing and plating work are facilitated, and the reflectance of the lamp housing (20) can be increased to 98%.
【００１６】図３は本発明の別実施例を示し、これは、
ランプハウジング（２０）を六角形に形成するとともに
、ランプハウジング（２０）内にランプ列（２１）を三
段に配置し、中段に配置したランプ列（２１ｃ）に対し
て上下に位置するランプ列（２１ａ）（２１ｂ）を逆方
向に６０度位相を換えて配置したものであり、この場合
にも各ランプ列（２１）でのランプ配列密度は中央部が
粗くなるように構成してある。FIG. 3 shows another embodiment of the invention, which includes:
The lamp housing (20) is formed into a hexagonal shape, and lamp rows (21) are arranged in three stages within the lamp housing (20), and the lamp rows are located above and below the lamp row (21c) arranged in the middle stage. (21a) and (21b) are arranged in opposite directions with a phase shift of 60 degrees, and in this case as well, the lamp arrangement density in each lamp row (21) is configured such that the central portion is coarse.
【００１７】[0017]
【発明の効果】本発明では、ランプユニットの内壁面を
金メッキした平面で構成しているので、ランプハウジン
グの製作及び金メッキ作業を楽にしかも高精度に行える
ことになり、ランプハウジングでの反射効率を高めて被
加熱物に高エネルギーを付与することができる。[Effects of the Invention] In the present invention, since the inner wall surface of the lamp unit is composed of a gold-plated flat surface, the production of the lamp housing and the gold plating work can be performed easily and with high precision, and the reflection efficiency of the lamp housing can be improved. It is possible to apply high energy to the object to be heated.
【００１８】また、ランプユニット内に複数の直管ラン
プを平行に配置することにより構成したランプ列を複数
段に配置し、上下に位置するランプ列をその直管ランプ
同士が交叉する状態に位置させ、各ランプ列での直管ラ
ンプの配列ピッチをその中央部が粗になるように配置し
ているので、各ランプの出力を個々に制御することなく
被加熱物の中央部で高温になり過ぎるのを防止して、被
加熱物全体を均一に加熱することができる。[0018] Furthermore, lamp rows formed by arranging a plurality of straight tube lamps in parallel within a lamp unit are arranged in multiple stages, and the lamp rows located above and below are positioned so that the straight tube lamps intersect with each other. The arrangement pitch of the straight tube lamps in each lamp row is arranged so that the central part is coarse, so that high temperatures can be generated in the central part of the heated object without having to individually control the output of each lamp. It is possible to prevent overheating and uniformly heat the entire object to be heated.
【図１】ランプユニットの底面図である。FIG. 1 is a bottom view of a lamp unit.
【図２】ＣＶＤ装置のチャンバー部断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a chamber portion of the CVD apparatus.
【図３】別実施例のランプユニットの底面図である。FIG. 3 is a bottom view of a lamp unit according to another embodiment.
【図４】従来のランプ配置を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a conventional lamp arrangement.
１…減圧チャンバー、
２…ランプユニット、３…被加熱物、１９…クオ
ーツウインド、２０…ランプユニット、
２１…ランプ列、２２…直管ラ
ンプ。1...decompression chamber,
2... Lamp unit, 3... Heated object, 19... Quartz window, 20... Lamp unit,
21... Lamp row, 22... Straight tube lamp.
Claims (3)
加熱物（３）をランプユニット（２）からの熱線を照射
することにより加熱するとともに、減圧チャンバー（１
）内に処理ガスを供給して、被加熱物（３）の表面に薄
膜を成膜するように構成したＣＶＤ装置において、減圧
チャンバー（１）とランプユニット（２）とをクオーツ
ウインド（１９）を介して連結し、ランプユニット（２
）の内壁面を金メッキした平面で構成するとともに、ラ
ンプユニット（２０）内に複数の直管ランプ（２２）を
平行に配置することにより構成したランプ列（２１）を
複数段に配置し、上下に位置するランプ列（２１）をそ
の直管ランプ（２２）が交叉する状態に位置させ、各ラ
ンプ列（２１）での直管ランプ（２２）の配列ピッチを
その中央部が粗になるように配置したことを特徴とする
ＣＶＤ装置の加熱ヒータ。1. The object to be heated (3) supported in the reduced pressure chamber (1) is heated by irradiating the heated object (3) with heat rays from the lamp unit (2).
) In a CVD apparatus configured to supply a processing gas to form a thin film on the surface of an object to be heated (3), a vacuum chamber (1) and a lamp unit (2) are connected to a quartz window (19). The lamp unit (2
) is made of a gold-plated flat surface, and lamp rows (21) are arranged in multiple stages, each consisting of a plurality of straight tube lamps (22) arranged in parallel inside the lamp unit (20). The lamp rows (21) located in A heater for a CVD apparatus, characterized in that the heater is arranged in a.
、上段のランプ列（２１ａ）を構成する直管ランプ（２
２）と下段のランプ列（２１ｂ）を構成する直管ランプ
（２２）とを直交する状態で配置してある請求項１に記
載したＣＶＤ装置の加熱ヒータ。2. Lamp rows (21) are arranged in two stages, upper and lower, and straight tube lamps (2
2) and a straight tube lamp (22) constituting the lower lamp row (21b) are arranged in a state that they are perpendicular to each other.
、中段に位置するランプ列（２１ｃ）に対して上下に位
置するランプ列（２１ａ）（２１ｂ）をそれぞれ逆方向
に６０度ずつ位相を変えて配置してある請求項１に記載
したＣＶＤ装置の加熱ヒータ。3. The lamp rows (21) are arranged in three stages, one above the other, and the lamp rows (21a) and (21b) located above and below the lamp row (21c) located in the middle stage are arranged in opposite directions by 60 degrees. The heater for a CVD apparatus according to claim 1, wherein the heaters are arranged with different phases.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124991A JPH0737669B2 (en) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | Heater for CVD equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124991A JPH0737669B2 (en) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | Heater for CVD equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04325686A true JPH04325686A (en) | 1992-11-16 |
| JPH0737669B2 JPH0737669B2 (en) | 1995-04-26 |
Family
ID=14899204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3124991A Expired - Lifetime JPH0737669B2 (en) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | Heater for CVD equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737669B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008182180A (en) * | 2006-12-26 | 2008-08-07 | Epicrew Inc | Heating apparatus and semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2013149347A (en) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Covalent Materials Corp | Heater |
| US11015244B2 (en) | 2013-12-30 | 2021-05-25 | Advanced Material Solutions, Llc | Radiation shielding for a CVD reactor |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3124991A patent/JPH0737669B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008182180A (en) * | 2006-12-26 | 2008-08-07 | Epicrew Inc | Heating apparatus and semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2013149347A (en) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Covalent Materials Corp | Heater |
| US11015244B2 (en) | 2013-12-30 | 2021-05-25 | Advanced Material Solutions, Llc | Radiation shielding for a CVD reactor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0737669B2 (en) | 1995-04-26 |
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