JPH04320975A - 静電気監視装置 - Google Patents
静電気監視装置Info
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- JPH04320975A JPH04320975A JP18207491A JP18207491A JPH04320975A JP H04320975 A JPH04320975 A JP H04320975A JP 18207491 A JP18207491 A JP 18207491A JP 18207491 A JP18207491 A JP 18207491A JP H04320975 A JPH04320975 A JP H04320975A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可燃性の液体、蒸気あ
るいは微粉体等が存在し、静電気が爆発を引き起こす危
険性がある雰囲気において、帯電した静電気による電界
を安全に、且つ、正確に測定し爆発の危険を予知する静
電気監視装置に関するものである。
るいは微粉体等が存在し、静電気が爆発を引き起こす危
険性がある雰囲気において、帯電した静電気による電界
を安全に、且つ、正確に測定し爆発の危険を予知する静
電気監視装置に関するものである。
【０００２】
【従来技術】精製油類のタンカーへの積み込み、タンカ
ーから石油タンクへの荷揚げ、微粉体のダクト搬送、化
学プラントにおける可燃性液体または蒸気搬送において
は、流体が管壁と接触することにより帯電し、装置内に
電荷が蓄積されると、装置内の先鋭な突起物との間に、
火花放電を生じて液体、蒸気あるいは微粉体に着火し爆
発に至ることがよく知られている。このような可燃性流
体の搬送中における静電気電界強度を常時、安全に、か
つ正確に把握できれば、静電気を起因とする大事故は大
輻に削減できるものと予想される。このような社会的要
請により、従来から種々の静電気監視装置が発明されて
いる。代表的なものに電気光学効果（ポッケル効果）を
利用した静電気監視装置がある。図８にその代表的な構
成例を示す。
ーから石油タンクへの荷揚げ、微粉体のダクト搬送、化
学プラントにおける可燃性液体または蒸気搬送において
は、流体が管壁と接触することにより帯電し、装置内に
電荷が蓄積されると、装置内の先鋭な突起物との間に、
火花放電を生じて液体、蒸気あるいは微粉体に着火し爆
発に至ることがよく知られている。このような可燃性流
体の搬送中における静電気電界強度を常時、安全に、か
つ正確に把握できれば、静電気を起因とする大事故は大
輻に削減できるものと予想される。このような社会的要
請により、従来から種々の静電気監視装置が発明されて
いる。代表的なものに電気光学効果（ポッケル効果）を
利用した静電気監視装置がある。図８にその代表的な構
成例を示す。
【０００３】図８において、１５はセンサー部で静電気
の発生している可燃性流体中に置かれ、１６は制御部で
可燃性流体から離れた位置に置かれる。制御部１６は所
要の波長の光を発する発光素子１、光を電圧に変換する
フォトダイオードなどの受光素子９および増幅回路１０
から構成され、センサー部１５は、光ファイバーコリメ
ータ２、偏光子３、両側面に電極５を備えたポッケルス
素子４、１／４波長板６、検光子７から構成され、制御
部１６とセンサー部１５は光ファイバー８で接続されて
いる。ここで発光素子１を出た光は光ファイバー８を透
過し、端末の光ファイバーコリメータ２で集光し平行光
線として偏光子３に照射される。偏光子３を透過した光
は光軸に垂直な一方向成分のみの直線偏光として取り出
される。この直線偏光は、両側面の電極５により周囲の
液体中の静電気による電圧を印加されたポッケルス素子
４を通過するとき、印加電圧に応じた小さな位相差が生
じる。ポッケルス素子４を透過した光は、さらに１／４
波長板６を透過し、π／２の位相差が加えられた楕円偏
光となる。この楕円偏光は、検光子７により光軸に垂直
な直交した二成分のうちの一成分の直線偏光として取り
出され、光ファイバーコリメータ２、光ファイバー８を
経て、光−電圧変換素子９に照射され、照射された光の
強度に応じて得られた電圧は増輻回路で出力増幅され、
信号として取り出される。このポッケルス素子４および
１／４波長板６を通過した楕円偏光は、ポッケルス素子
４への印加電圧に依存し、ある範囲のポッケルス素子４
への印加電圧においては、検光子７を透過した光の強度
は、印加電圧に比例することが知られている。従って、
増幅回路１０から出力される電圧も印加電圧に比例して
出力される。
の発生している可燃性流体中に置かれ、１６は制御部で
可燃性流体から離れた位置に置かれる。制御部１６は所
要の波長の光を発する発光素子１、光を電圧に変換する
フォトダイオードなどの受光素子９および増幅回路１０
から構成され、センサー部１５は、光ファイバーコリメ
ータ２、偏光子３、両側面に電極５を備えたポッケルス
素子４、１／４波長板６、検光子７から構成され、制御
部１６とセンサー部１５は光ファイバー８で接続されて
いる。ここで発光素子１を出た光は光ファイバー８を透
過し、端末の光ファイバーコリメータ２で集光し平行光
線として偏光子３に照射される。偏光子３を透過した光
は光軸に垂直な一方向成分のみの直線偏光として取り出
される。この直線偏光は、両側面の電極５により周囲の
液体中の静電気による電圧を印加されたポッケルス素子
４を通過するとき、印加電圧に応じた小さな位相差が生
じる。ポッケルス素子４を透過した光は、さらに１／４
波長板６を透過し、π／２の位相差が加えられた楕円偏
光となる。この楕円偏光は、検光子７により光軸に垂直
な直交した二成分のうちの一成分の直線偏光として取り
出され、光ファイバーコリメータ２、光ファイバー８を
経て、光−電圧変換素子９に照射され、照射された光の
強度に応じて得られた電圧は増輻回路で出力増幅され、
信号として取り出される。このポッケルス素子４および
１／４波長板６を通過した楕円偏光は、ポッケルス素子
４への印加電圧に依存し、ある範囲のポッケルス素子４
への印加電圧においては、検光子７を透過した光の強度
は、印加電圧に比例することが知られている。従って、
増幅回路１０から出力される電圧も印加電圧に比例して
出力される。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】上記の従来技術は、
一部実用化されているが次の問題点がある。まず、セン
サー部１５と制御部１６は光ファイバー８で接続され、
光は光ファイバー８内を屈折しながら進行する。この場
合、光ファイバー８に曲げ等により応力が生じると屈折
率が変化し光の透過率に影響を与える。この結果、ポッ
ケルス素子４に印加される電圧に変化がなくても増幅回
路１０から出力される電圧が変動することとなり、静電
気電界強度の監視装置としては非常に不都合である。ま
た、従来技術では、検光子７から取り出される直交する
二成分のうち一成分のみを光ファイバーコリメータ２を
介して取り出しているため、ポッケルス素子４に印加さ
れる電圧の変化は、取り出した一成分の光の強度のみに
依存することとなり、微小な電圧変化の完全な検出がで
きない問題点がある。また、従来技術では、光は発光素
子１から連続的に出射されるが、一般的にＢｉ１２Ｓｉ
Ｏ２０あるいはＢｉ１２ＧｅＯ２０ ような電気光学
効果を有するポッケルス素子に、光が照射されると体積
抵抗率が大きく減少することが知られている。例えばＢ
ｉ１２ＳｉＯ２０場合、暗状態で１０１４Ω・ｃｍであ
る体積抵抗率が、波長４５８ｍｍの光を２．５ｍＷ／ｃ
ｍ２の強度で照射すると１０８Ω・ｃｍに減少するとい
うデータが報告されている。体積抵抗率が減少するとポ
ッケルス素子４の両側面の電極５に印加された電荷はポ
ッケルス素子を透過して、漏洩しやすくなる。従って、
被測定雰囲気が高抵抗の物質で構成されている場合は、
漏洩する電荷量と、被測定雰囲気から電極に補充される
電荷量のバランスが崩れ、電極５、５間の電位差は徐々
に減少する結果、被測定雰囲気の静電気電界強度の正確
な測定が困難となる問題点がある。
一部実用化されているが次の問題点がある。まず、セン
サー部１５と制御部１６は光ファイバー８で接続され、
光は光ファイバー８内を屈折しながら進行する。この場
合、光ファイバー８に曲げ等により応力が生じると屈折
率が変化し光の透過率に影響を与える。この結果、ポッ
ケルス素子４に印加される電圧に変化がなくても増幅回
路１０から出力される電圧が変動することとなり、静電
気電界強度の監視装置としては非常に不都合である。ま
た、従来技術では、検光子７から取り出される直交する
二成分のうち一成分のみを光ファイバーコリメータ２を
介して取り出しているため、ポッケルス素子４に印加さ
れる電圧の変化は、取り出した一成分の光の強度のみに
依存することとなり、微小な電圧変化の完全な検出がで
きない問題点がある。また、従来技術では、光は発光素
子１から連続的に出射されるが、一般的にＢｉ１２Ｓｉ
Ｏ２０あるいはＢｉ１２ＧｅＯ２０ ような電気光学
効果を有するポッケルス素子に、光が照射されると体積
抵抗率が大きく減少することが知られている。例えばＢ
ｉ１２ＳｉＯ２０場合、暗状態で１０１４Ω・ｃｍであ
る体積抵抗率が、波長４５８ｍｍの光を２．５ｍＷ／ｃ
ｍ２の強度で照射すると１０８Ω・ｃｍに減少するとい
うデータが報告されている。体積抵抗率が減少するとポ
ッケルス素子４の両側面の電極５に印加された電荷はポ
ッケルス素子を透過して、漏洩しやすくなる。従って、
被測定雰囲気が高抵抗の物質で構成されている場合は、
漏洩する電荷量と、被測定雰囲気から電極に補充される
電荷量のバランスが崩れ、電極５、５間の電位差は徐々
に減少する結果、被測定雰囲気の静電気電界強度の正確
な測定が困難となる問題点がある。
【０００５】
【上記問題点を解決するための手段】本願第１発明は、
平行に配置した円板状の金属製静電気集電極と当該電極
との間に配置した円筒状の絶縁体で形成される内側中空
部に、前記偏光子、光学素子、１／４波長板、検光子を
一直線上に配置し、検光子の出口側に、検光子を透過し
た直交する２軸成分の直線偏光を各々別々に取り出すた
めの２個の光ファイバーコリメータをそれぞれ直角に配
置する。本願第２発明は、発光素子の前にパルス発生器
を設けて発光素子から発せられる光をパルス化し、光が
光学素子を透過する時に生じる光学素子の体積抵抗の減
少による印加電圧の低下を防止する。
平行に配置した円板状の金属製静電気集電極と当該電極
との間に配置した円筒状の絶縁体で形成される内側中空
部に、前記偏光子、光学素子、１／４波長板、検光子を
一直線上に配置し、検光子の出口側に、検光子を透過し
た直交する２軸成分の直線偏光を各々別々に取り出すた
めの２個の光ファイバーコリメータをそれぞれ直角に配
置する。本願第２発明は、発光素子の前にパルス発生器
を設けて発光素子から発せられる光をパルス化し、光が
光学素子を透過する時に生じる光学素子の体積抵抗の減
少による印加電圧の低下を防止する。
【０００６】
【実施例】以下、図１ないし図４を参照して本発明を実
施例に基づいて詳細に説明する。図１は、本願第１発明
の静電気監視装置の大要を示し、１２はセンサー部で静
電気が発生している可燃性流体中に置かれ、１３は制御
部で可燃性流体から離れた位置に置かれる。制御部１３
は、発光ダイオードなどの発光素子１、光を電圧に変換
するフォトダイオードなどの受光素子９、差分演算回路
１１、および増幅回路１０から構成され、センサー部１
２は、光ファイバーコリメータ２、偏光子３、両側面に
電極５を備えたポッケルス素子４、１／４波長板６、偏
光ビームスプリッタなどの検光子７から構成され、制御
部１３とセンサー部１２は光ファイバー８で接続されて
いる。ここで発光素子１を出た光は、光ファイバー８を
透過し、端末の光ファイバーコリメータ２で集光し平行
光として偏光子３に照射される。偏光子３を透過した光
は光軸に垂直な一方向成分のみの直線偏光として取り出
される。このような直線偏光は、両側面の電極５により
周囲の流体中の静電気による電圧を印加されたポッケル
ス素子４で、印加電圧に応じた小さな位相差が生じる。 ポッケルス素子４を透過した光は、さらに１／４波長板
６を透過し、π／２の位相差が加えられた楕円偏光とな
る。この楕円偏光は、検光子７で光軸に垂直な直交した
ｘ成分、ｙ成分の二成分として取り出される。ここで、
楕円偏光の各々の成分を、各々光ファイバーコリメータ
２、２および光ファイバー８、８を経て、受光素子９、
９に導き各々光−電圧変換したのち、差分演算回路１１
でｙ成分とｘ成分の出力電圧の差（Ｖ＝Ｖｙ−Ｖｘ）を
演算する。演算値を出力増幅し、出力値として取り出す
。
施例に基づいて詳細に説明する。図１は、本願第１発明
の静電気監視装置の大要を示し、１２はセンサー部で静
電気が発生している可燃性流体中に置かれ、１３は制御
部で可燃性流体から離れた位置に置かれる。制御部１３
は、発光ダイオードなどの発光素子１、光を電圧に変換
するフォトダイオードなどの受光素子９、差分演算回路
１１、および増幅回路１０から構成され、センサー部１
２は、光ファイバーコリメータ２、偏光子３、両側面に
電極５を備えたポッケルス素子４、１／４波長板６、偏
光ビームスプリッタなどの検光子７から構成され、制御
部１３とセンサー部１２は光ファイバー８で接続されて
いる。ここで発光素子１を出た光は、光ファイバー８を
透過し、端末の光ファイバーコリメータ２で集光し平行
光として偏光子３に照射される。偏光子３を透過した光
は光軸に垂直な一方向成分のみの直線偏光として取り出
される。このような直線偏光は、両側面の電極５により
周囲の流体中の静電気による電圧を印加されたポッケル
ス素子４で、印加電圧に応じた小さな位相差が生じる。 ポッケルス素子４を透過した光は、さらに１／４波長板
６を透過し、π／２の位相差が加えられた楕円偏光とな
る。この楕円偏光は、検光子７で光軸に垂直な直交した
ｘ成分、ｙ成分の二成分として取り出される。ここで、
楕円偏光の各々の成分を、各々光ファイバーコリメータ
２、２および光ファイバー８、８を経て、受光素子９、
９に導き各々光−電圧変換したのち、差分演算回路１１
でｙ成分とｘ成分の出力電圧の差（Ｖ＝Ｖｙ−Ｖｘ）を
演算する。演算値を出力増幅し、出力値として取り出す
。
【０００７】図３および図４は、センサー部１２の詳細
を示す断面図で、平行に配置した金属製の静電気集電極
２１、２２と当該電極間に配置した絶縁体２０で形成さ
れる空間内において一方の静電気集電極２２にセラミッ
クなどの絶縁体のベース１９を接着材などで固定し、当
該ベース上に偏光子３、両側面に電極５を備えたポッケ
ルス素子４、１／４波長板６、および検光子７を一列に
配置し、検光子７の出口側に検光子７の光軸上および直
角方向に光ファイバーコリメータ２、２を配置している
。各々の光ファイバーコリメータ２、２、２は、絶縁体
２０を貫通する防油、防水型のコネクター２５に光ファ
イバー８、８、８で接続されている。また、ポッケルス
素子４の両側面に蒸着された電極５、５の一方は上部静
電気集電極２１に、他方は下部静電気集電極２２に、電
線１７および１８で接続されている。なお、図３におい
て、２３はシール用の”Ｏ”リング、２４は固定ねじで
あり、図４において、２６は光ファイバー８、８、８を
収納する防油、防水型のケーブル、２９はレセプタクル
２７と絶縁体２０とをシールする”Ｏ”リング、２８は
ボルトである。
を示す断面図で、平行に配置した金属製の静電気集電極
２１、２２と当該電極間に配置した絶縁体２０で形成さ
れる空間内において一方の静電気集電極２２にセラミッ
クなどの絶縁体のベース１９を接着材などで固定し、当
該ベース上に偏光子３、両側面に電極５を備えたポッケ
ルス素子４、１／４波長板６、および検光子７を一列に
配置し、検光子７の出口側に検光子７の光軸上および直
角方向に光ファイバーコリメータ２、２を配置している
。各々の光ファイバーコリメータ２、２、２は、絶縁体
２０を貫通する防油、防水型のコネクター２５に光ファ
イバー８、８、８で接続されている。また、ポッケルス
素子４の両側面に蒸着された電極５、５の一方は上部静
電気集電極２１に、他方は下部静電気集電極２２に、電
線１７および１８で接続されている。なお、図３におい
て、２３はシール用の”Ｏ”リング、２４は固定ねじで
あり、図４において、２６は光ファイバー８、８、８を
収納する防油、防水型のケーブル、２９はレセプタクル
２７と絶縁体２０とをシールする”Ｏ”リング、２８は
ボルトである。
【０００８】つぎに、本願第１発明の作用効果を説明す
る。図５、図６を参照して、図５は、ポッケルス素子４
に印加される電圧と、出力電圧の測定例で、曲線Ｂは、
ｙ成分の出力特性、曲線Ｃは、ｘ成分の出力特性、曲線
Ａは、ｙ、ｘ成分出力の差の出力特性である。従来技術
では、曲線Ｂで表される出力を最終出力としており、本
発明では、曲線Ａで表される出力を最終出力としている
。図５から明らかな様に、最終出力は、従来技術に比べ
て、２倍の出力値を取り出すことができる。図６は、光
ファイバー８に外部から応力を加えた時の出力特性例で
、曲線Ｂ’は、ｙ成分の出力特性、曲線Ｃ’は、ｘ成分
の出力特性、曲線Ａ’は、ｙ、ｘ成分出力の差の出力特
性である。外部から応力が加わった場合、透過率の減少
に伴い、ｘ成分、ｙ成分とも出力が変化する。従って、
従来技術のように一成分だけを取り出している場合は、
外部からの応力の影響が、そのまま出力に影響するが、
曲線Ａ’に見られるように、、ｙ、ｘ成分出力の差は、
全く変化しない。つまり外部からの応力の影響を受けな
いものである。、
る。図５、図６を参照して、図５は、ポッケルス素子４
に印加される電圧と、出力電圧の測定例で、曲線Ｂは、
ｙ成分の出力特性、曲線Ｃは、ｘ成分の出力特性、曲線
Ａは、ｙ、ｘ成分出力の差の出力特性である。従来技術
では、曲線Ｂで表される出力を最終出力としており、本
発明では、曲線Ａで表される出力を最終出力としている
。図５から明らかな様に、最終出力は、従来技術に比べ
て、２倍の出力値を取り出すことができる。図６は、光
ファイバー８に外部から応力を加えた時の出力特性例で
、曲線Ｂ’は、ｙ成分の出力特性、曲線Ｃ’は、ｘ成分
の出力特性、曲線Ａ’は、ｙ、ｘ成分出力の差の出力特
性である。外部から応力が加わった場合、透過率の減少
に伴い、ｘ成分、ｙ成分とも出力が変化する。従って、
従来技術のように一成分だけを取り出している場合は、
外部からの応力の影響が、そのまま出力に影響するが、
曲線Ａ’に見られるように、、ｙ、ｘ成分出力の差は、
全く変化しない。つまり外部からの応力の影響を受けな
いものである。、
【０００９】図２は、本願第２発明の構成図で、制御部
１３内で発光素子１の前にパルス発生器１４を設けるこ
と以外は、図１の実施例と同じ構成である。ここで、発
光素子１は、パルス発生器１４から発するパルスによっ
て一定周期の光を出射する。従って、光ファイバー８、
光ファイバーコリメータ２、偏光子３を通ってポッケル
ス素子４に照射される光も断続的であり、１／４波長板
６、検光子７、光ファイバーコリメータ２、２、光ファ
イバー８、８を通って受光素子９、９で出力される電圧
も断続となるよう構成されている。
１３内で発光素子１の前にパルス発生器１４を設けるこ
と以外は、図１の実施例と同じ構成である。ここで、発
光素子１は、パルス発生器１４から発するパルスによっ
て一定周期の光を出射する。従って、光ファイバー８、
光ファイバーコリメータ２、偏光子３を通ってポッケル
ス素子４に照射される光も断続的であり、１／４波長板
６、検光子７、光ファイバーコリメータ２、２、光ファ
イバー８、８を通って受光素子９、９で出力される電圧
も断続となるよう構成されている。
【００１０】つぎに、図７を参照して、本願第２発明の
作用効果を説明する。図７は高抵抗の物質で構成される
被測定雰囲気が、ある一定の静電気電界強度に達した時
からの経過時間ｔに対するｙ成分、ｘ成分出力の差の出
力特性を示している。曲線ａはポッケルス素子４に連続
的に光が照射される場合の出力特性で体積抵抗の減少に
伴ってポッケルス素子４を通して漏洩する電荷量と被測
定雰囲気から電極５、５に補充される電荷量とのバラン
スがくずれ、出力電圧は時間の経過とともに徐々に低下
する。従って、測定値は時間の経過とともに被測定雰囲
気の真の電界強度を示さなくなる。曲線ｂ、ｂ、・・・
ｂは、第２発明の出力特性で、光の照射を断続的にした
結果、照射中の出力低下率は同じであるが、光照射を止
めている時間内は、ポッケルス素子４の体積抵抗率が回
復し電荷の漏洩もなく、電極５、５の電荷量は回復する
。従って、再度、光の照射を開始したときの出力電圧は
元の値となるので、時間を経過しても全体の出力特性は
、被測定雰囲気の電界強度を示すこととなる。
作用効果を説明する。図７は高抵抗の物質で構成される
被測定雰囲気が、ある一定の静電気電界強度に達した時
からの経過時間ｔに対するｙ成分、ｘ成分出力の差の出
力特性を示している。曲線ａはポッケルス素子４に連続
的に光が照射される場合の出力特性で体積抵抗の減少に
伴ってポッケルス素子４を通して漏洩する電荷量と被測
定雰囲気から電極５、５に補充される電荷量とのバラン
スがくずれ、出力電圧は時間の経過とともに徐々に低下
する。従って、測定値は時間の経過とともに被測定雰囲
気の真の電界強度を示さなくなる。曲線ｂ、ｂ、・・・
ｂは、第２発明の出力特性で、光の照射を断続的にした
結果、照射中の出力低下率は同じであるが、光照射を止
めている時間内は、ポッケルス素子４の体積抵抗率が回
復し電荷の漏洩もなく、電極５、５の電荷量は回復する
。従って、再度、光の照射を開始したときの出力電圧は
元の値となるので、時間を経過しても全体の出力特性は
、被測定雰囲気の電界強度を示すこととなる。
【００１１】
【発明の効果】本願第１発明は、光ファイバーに対する
外部要因による出力の変動をなくすことができて、信頼
性の高い静電気監視装置を得ることができる。本願第２
発明は、光学素子の特性による出力の低下を防止できて
、光学素子を用いた静電気監視装置の静電気電界強度の
測定精度を高めることができる。
外部要因による出力の変動をなくすことができて、信頼
性の高い静電気監視装置を得ることができる。本願第２
発明は、光学素子の特性による出力の低下を防止できて
、光学素子を用いた静電気監視装置の静電気電界強度の
測定精度を高めることができる。
【図１】平面図本願第１発明の実施例を示す静電気監視
装置の大要図
装置の大要図
【図２】本願第２発明の実施例を示す静電気監視装置の
大要図
大要図
【図３】センサー部の縦断面図
【図４】センサー部の横断面図
【図５】ポッケルス素子の出力特性を示すグラフ
【図６
】光ファイバーに外力を加えた時の出力特性を示すグラ
フ
】光ファイバーに外力を加えた時の出力特性を示すグラ
フ
【図７】被測定雰囲気がある一定の静電気電界強度に達
した時からの経過時間ｔに対するｙ成分、ｘ成分出力の
差の出力特性を示すグラフ
した時からの経過時間ｔに対するｙ成分、ｘ成分出力の
差の出力特性を示すグラフ
【図８】従来技術の静電気監視装置の大要図
１ 発光素子
２ 光ファイバーコリメータ
３ 偏光子
４ ポッケルス素子
５ 電極
７ 検光子
８ 光ファイバー
１１ 差分演算回路
１２ センサー部
１３ 制御部
１４ パルス発生器
Claims (3)
- 【請求項１】電気光学効果を有する単結晶の光学素子に
、発光素子から発せられた所要の波長の光を光ファイバ
ー、光ファイバーコリメータ、偏光子を介して入射し、
さらに、１／４波長板、検光子、光ファイバーコリメー
タ、光ファイバーを透過させて得られる、当該光学素子
に印加される静電気電界強度の強さに応じてその光量が
変化する透過光を、当該透過光の量に応じた電気信号を
出力する受光素子に導き、当該電気信号により静電気電
界強度を検出する静電気監視装置において、前記偏光子
、前記光学素子、前記１／４波長板、前記検光子を、平
行に配置した円板状の金属製静電気集電極と当該電極と
の間に配置した円筒状の絶縁体で形成される内側中空部
に、一直線上に配置し、さらに検光子を透過した直交す
る２軸成分の直線偏光を各々別々に取り出すための２個
の光ファイバーコリメータを直角に配置したことを特徴
とする静電気監視装置 - 【請求項２】検光子を透過した２軸成分の直線偏光を各
々光ファイバーコリメータ、光ファイバーを介して導入
する一対の受光素子を設け、光−電圧変換した前記一対
の受光素子の出力信号の電圧の差を演算する回路を設け
たことを特徴とする請求項１の静電気監視装置。 - 【請求項３】電気光学効果を有する単結晶の光学素子に
、発光素子から発せられた所要の波長の光を光ファイバ
ー、光ファイバーコリメータ、偏向子を介して入射し、
さらに、１／４波長板、検光子、光ファイバーコリメー
タ、光ファイバーを透過させて得られる、当該光学素子
に印加される静電気電界強度の強さに応じてその光量が
変化する透過光を、当該透過光の量に応じた電気信号を
出力する受光素子に導き、当該電気信号により静電気電
界強度を検出する静電気監視装置において、発光素子か
ら発せられる光をパルス化し、光が光学素子を透過する
時に生じる光学素子の体積抵抗の減少による印加電圧の
低下を防止したことを特徴とする静電気監視装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18207491A JPH04320975A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 静電気監視装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18207491A JPH04320975A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 静電気監視装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04320975A true JPH04320975A (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=16111895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18207491A Pending JPH04320975A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 静電気監視装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04320975A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001298425A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Ntt Docomo Inc | 通信システム |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917170A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | Hitachi Ltd | 光方式電界強度測定器 |
| JPS59147274A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Hitachi Ltd | 光方式電界測定装置 |
| JPS6318276A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-26 | Natl Space Dev Agency Japan<Nasda> | 衛星用帯電電位センサ |
| JPS63273075A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光応用計測装置 |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP18207491A patent/JPH04320975A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917170A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | Hitachi Ltd | 光方式電界強度測定器 |
| JPS59147274A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Hitachi Ltd | 光方式電界測定装置 |
| JPS6318276A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-26 | Natl Space Dev Agency Japan<Nasda> | 衛星用帯電電位センサ |
| JPS63273075A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光応用計測装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001298425A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Ntt Docomo Inc | 通信システム |
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