JPH04320060A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】この発明は所定数のベーシックセ
ルの組み合わせからなり、所定の論理機能を有するマク
ロセルが複数個配置された半導体集積回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit comprising a combination of a predetermined number of basic cells and a plurality of macro cells each having a predetermined logical function.
【0002】0002
【従来の技術】図3及び図4は、所定数のベーシックセ
ルの組み合わせからなり、所定の論理機能を有するマク
ロセルが複数個配置された、従来のマスタスライス方式
で半導体集積回路装置を製造する際に用いられるLSI
(以下、単に「マスタスライスLSI」という)におけ
る1つのマクロセルの構成をそれぞれ示す回路図であり
、図3はシングル駆動の2入力ANDゲートを示し、図
4はダブル駆動の2入力ANDゲートを示している。2. Description of the Related Art FIGS. 3 and 4 show a case in which a semiconductor integrated circuit device is manufactured using the conventional master slicing method, in which a plurality of macro cells each consisting of a combination of a predetermined number of basic cells and having a predetermined logical function are arranged. LSI used for
(hereinafter simply referred to as "master slice LSI"). FIG. 3 shows a single-drive two-input AND gate, and FIG. 4 shows a double-drive two-input AND gate. ing.
【0003】図3に示すように、シングル駆動の2入力
ANDゲートは、電源,接地レベル間に形成される3つ
のベーシックセル1〜3から構成される。ベーシックセ
ル1〜3はそれぞれPチャネルトランジスタ1a〜3a
とNチャネルトランジスタ1b〜3bとからなる。As shown in FIG. 3, a single-drive two-input AND gate is composed of three basic cells 1 to 3 formed between a power supply and a ground level. Basic cells 1-3 are P-channel transistors 1a-3a, respectively.
and N-channel transistors 1b to 3b.
【0004】そして、ベーシックセル1と2とを組み合
わせることにより、入力端子A,Bより得られる信号を
入力とし、Pチャネルトランジスタ1a及び2a双方の
ドレインとNチャネルトランジスタ1bのドレインとの
間のノードN1を出力とした2入力NORゲートを構成
し、ベーシックセル3によりノードN1、つまり、2入
力NORゲートの出力を入力とし、Pチャネルトランジ
スタ3aのドレインとNチャネルトランジスタ3bのド
レインとの間のノードN2を出力端子Yに接続したイン
バータを構成する。By combining basic cells 1 and 2, signals obtained from input terminals A and B are input, and a node between the drains of both P-channel transistors 1a and 2a and the drain of N-channel transistor 1b is input. A 2-input NOR gate with N1 as an output is configured, and the basic cell 3 connects the node N1, that is, the output of the 2-input NOR gate, as an input, and the node between the drain of the P-channel transistor 3a and the drain of the N-channel transistor 3b. An inverter is configured in which N2 is connected to output terminal Y.
【0005】このように、2入力NORゲートの出力に
1つの駆動用のインバータの入力を接続することにより
、シングル駆動の2入力ANDゲートを構成する。[0005] In this manner, by connecting the input of one driving inverter to the output of the two-input NOR gate, a single-drive two-input AND gate is constructed.
【0006】一方、図4に示すように、ダブル駆動の2
入力ANDゲートは、電源,接地レベル間に形成される
4つのベーシックセル1〜4から構成される。ベーシッ
クセル1〜4はそれぞれPチャネルトランジスタ1a〜
4aとNチャネルトランジスタ1b〜4bとからなる。On the other hand, as shown in FIG.
The input AND gate is composed of four basic cells 1 to 4 formed between power and ground levels. Basic cells 1 to 4 are P channel transistors 1a to 4, respectively.
4a and N-channel transistors 1b to 4b.
【0007】そして、図3で示したシングル駆動の2入
力ANDゲートと同様、ベーシックセル1と2とを組み
合わせることにより、入力端子A,Bより得られる信号
を入力信号とし、ノードN1を出力とした2入力NOR
ゲートを構成し、ベーシックセル3により、ノードN1
を入力としノードN2を出力端子Yに接続した第1のイ
ンバータを構成する。Similar to the single-drive two-input AND gate shown in FIG. 3, by combining basic cells 1 and 2, the signals obtained from input terminals A and B are used as input signals, and the node N1 is used as an output signal. 2 input NOR
The gate is configured and the basic cell 3 connects the node N1.
A first inverter is configured in which the input terminal N2 is connected to the output terminal Y and the node N2 is connected to the output terminal Y.
【0008】加えて、ベーシックセル4により、ノード
N1を入力とし、Pチャネルトランジスタ4aのドレイ
ンとNチャネルトランジスタ4bのドレインとの間のノ
ードN3を、ノードN2に接続した第2のインバータを
構成する。つまり、第1のインバータと第2のインバー
タとは、2入力NORゲートの出力と、出力端子Yとの
間に並列に設けられる。In addition, the basic cell 4 constitutes a second inverter which receives the node N1 as an input and connects the node N3 between the drain of the P-channel transistor 4a and the drain of the N-channel transistor 4b to the node N2. . That is, the first inverter and the second inverter are provided in parallel between the output of the two-input NOR gate and the output terminal Y.
【0009】このように、2入力NORゲートの出力に
、並列に接続された2つの駆動用のインバータの入力を
接続することにより、ダブル駆動の2入力ANDゲート
を構成する。In this way, by connecting the inputs of two drive inverters connected in parallel to the output of the two-input NOR gate, a double-drive two-input AND gate is constructed.
【0010】0010
【発明が解決しようとする課題】従来のマスタスライス
LSIは以上のように構成されており、内部に配置され
た複数のマクロセルそれぞれは、同じ論理機能を構成す
る場合でも、その駆動能力の違いにより、図3及び図4
で示したANDゲートのように、ベーシックセルの数が
異なるため、そのセルサイズが異なる。これは、マクロ
セルを必要最小限のベーシックセルで構成した方が集積
度を高めることができることに起因している。[Problems to be Solved by the Invention] Conventional master slice LSIs are configured as described above, and even if each of the plurality of macro cells arranged inside has the same logic function, it is difficult to solve the problem due to differences in their driving capabilities. , Figures 3 and 4
Like the AND gate shown in , since the number of basic cells is different, the cell size is different. This is because the degree of integration can be increased by configuring the macrocell with the minimum necessary basic cells.
【0011】しかしながら、CAD等の設計手段により
、上記したマスタスライスLSIを用いて、マスタスラ
イス方式で実際の半導体集積回路装置の設計を行う際、
あるマクロセルを用いて配置配線を行った後、このマク
ロセルにかかる負荷容量が該マクロセルの駆動能力を越
えることが判明した場合、同じ論理機能を有し、かつ駆
動能力がより大きなマクロセルに置き換える必要がある
。この時、図3、図4で示した2入力ANDゲートのよ
うに、セルサイズが異なれば、マクロセルの変更に伴い
、再度、全体の配置配線を行わなければならないという
問題点があった。また、配置配線を再実行しても、必ず
しも半導体集積回路装置の設計がうまく行えるとは限ら
ないという問題点もあった。However, when designing an actual semiconductor integrated circuit device using the master slice method using a design means such as CAD, using the above-mentioned master slice LSI,
After performing placement and wiring using a certain macrocell, if it is found that the load capacitance applied to this macrocell exceeds the driving capacity of the macrocell, it is necessary to replace it with a macrocell that has the same logic function and has a larger driving capacity. be. At this time, there is a problem that if the cell size is different, as in the two-input AND gate shown in FIGS. 3 and 4, the entire layout and wiring must be performed again as the macro cell is changed. Furthermore, there is also the problem that even if the layout and wiring are re-executed, it is not always possible to successfully design a semiconductor integrated circuit device.
【0012】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、マスタスライス方式による半導体集積回
路装置の設計段階において、同一機能を有するマクロセ
ルの置き換えを簡単に行えるマクロセルを有する半導体
集積回路を得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is designed to provide a semiconductor integrated circuit having a macro cell that can easily replace a macro cell having the same function at the design stage of a semiconductor integrated circuit device using the master slice method. The purpose is to obtain.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
集積回路は、所定数のベーシックセルの組み合わせるか
らなり、所定の論理機能を有するマクロセルが複数個配
置されており、同一論理機能を実現するマクロセルをベ
ーシックセル数及び入出力端子の位置を統一して構成し
ている。[Means for Solving the Problems] A semiconductor integrated circuit according to the present invention is composed of a combination of a predetermined number of basic cells, in which a plurality of macro cells having a predetermined logic function are arranged, and the macro cells realize the same logic function. The number of basic cells and the positions of input/output terminals are unified.
【0014】[0014]
【作用】この発明においては、同一論理機能を実現する
マクロセルをベーシックセル数及び入出力端子の位置を
統一して構成しているため、異なる駆動能力を有する場
合でも、同一論理機能を有する場合は、マクロセルのセ
ルサイズ、入出力端子の位置に変化はない。[Operation] In this invention, the macro cells that realize the same logic function are configured with the same number of basic cells and the positions of input/output terminals, so even if they have different driving capacities, if they have the same logic function, , there is no change in the cell size of the macrocell or the position of the input/output terminals.
【0015】[0015]
【実施例】図1及び図2はこの発明の一実施例であるマ
スタスライスLSIの1つのマクロセルの構成をそれぞ
れ示す回路図であり、図1はシングル駆動の2入力AN
Dゲートを示し、図2はダブル駆動の2入力ANDゲー
トを示している。Embodiment FIGS. 1 and 2 are circuit diagrams showing the configuration of one macrocell of a master slice LSI which is an embodiment of the present invention, and FIG. 1 shows a single-drive two-input AN
FIG. 2 shows a double-driven two-input AND gate.
【0016】図1に示すように、シングル駆動の2入力
ANDゲートは、電源,接地レベル間に形成される4つ
のベーシックセル1〜3及び5から構成される。ベーシ
ックセル1〜3及び5はそれぞれPチャネルトランジス
タ1a〜3a及び5aとNチャネルトランジスタ1b〜
3b及び5bとからなる。As shown in FIG. 1, the single-drive two-input AND gate is composed of four basic cells 1 to 3 and 5 formed between the power supply and ground levels. Basic cells 1 to 3 and 5 are P channel transistors 1a to 3a and 5a and N channel transistors 1b to 5, respectively.
3b and 5b.
【0017】そして、ベーシックセル1と2とを組み合
わせることにより、入力端子A,Bより得られる信号を
入力信号とし、Pチャネルトランジスタ1a及び2a双
方のドレインとNチャネルトランジスタ1bのドレイン
との間のノードN1を出力とした2入力NORゲートを
構成し、ベーシックセル3によりノードN1、つまり、
2入力NORゲートの出力を入力とし、Pチャネルトラ
ンジスタ3aのドレインとNチャネルトランジスタ3b
のドレインとの間のノードN2を出力端子Yに接続した
インバータを構成する。By combining basic cells 1 and 2, the signals obtained from input terminals A and B are used as input signals, and the signal between the drains of both P-channel transistors 1a and 2a and the drain of N-channel transistor 1b is A two-input NOR gate is configured with the node N1 as the output, and the basic cell 3 outputs the node N1, that is,
The output of the 2-input NOR gate is input, and the drain of the P-channel transistor 3a and the N-channel transistor 3b are connected to each other.
An inverter is constructed in which a node N2 between the drain and the output terminal Y is connected to the output terminal Y.
【0018】また、ベーシックセル5はトランジスタブ
ロックとし、内部のPチャネルトランジスタ5aとNチ
ャネルトランジスタ5bとを電気的に浮いた状態として
、マクロセルの論理機能に全く関与させない。Furthermore, the basic cell 5 is a transistor block, and the internal P-channel transistor 5a and N-channel transistor 5b are kept in an electrically floating state, so that they are not involved in the logic function of the macro cell at all.
【0019】このように、2入力NORゲートの出力に
1つの駆動用のインバータの入力を接続することにより
、シングル駆動の2入力ANDゲートを構成する。In this manner, by connecting the input of one driving inverter to the output of the two-input NOR gate, a single-drive two-input AND gate is constructed.
【0020】一方、図2に示すように、ダブル駆動の2
入力ANDゲートは、図1で示したシングル駆動の2入
力ANDゲートと同様、電源,接地レベル間に形成され
る4つのベーシックセル1〜3及び5から構成される。
ベーシックセル1〜3及び5はそれぞれPチャネルトラ
ンジスタ1a〜3a及び5aとNチャネルトランジスタ
1b〜3b及び5bとからなる。On the other hand, as shown in FIG.
The input AND gate, like the single-drive two-input AND gate shown in FIG. 1, is composed of four basic cells 1 to 3 and 5 formed between the power supply and ground levels. Basic cells 1-3 and 5 each include P-channel transistors 1a-3a and 5a and N-channel transistors 1b-3b and 5b.
【0021】そして、図1で示したシングル駆動のAN
Dゲートと同様、ベーシックセル1と2とを組み合わせ
ることにより、入力端子A,Bより得られる信号を入力
信号とし、ノードN1を出力とした2入力NORゲート
を構成し、ベーシックセル3により、ノードN1を入力
とし、ノードN2を出力端子Yに接続した第1のインバ
ータを構成する。ここで、入力端子A,B及び出力端子
Yの位置は、図1で示したシングル駆動のANDゲート
の入力端子A,B及び出力端子Yの位置と一致させる。[0021]The single drive AN shown in FIG.
Similar to the D gate, by combining basic cells 1 and 2, a 2-input NOR gate is configured with the signals obtained from input terminals A and B as input signals and the node N1 as an output. A first inverter is configured in which N1 is input and node N2 is connected to output terminal Y. Here, the positions of the input terminals A, B and the output terminal Y are made to match the positions of the input terminals A, B and the output terminal Y of the single-drive AND gate shown in FIG.
【0022】加えて、ベーシックセル5により、ノード
N1を入力とし、Pチャネルトランジスタ5aのドレイ
ンとNチャネルトランジスタ5bのドレインとの間のノ
ードN4をノードN2に接続した第2のインバータを構
成する。つまり、第1のインバータと第2のインバータ
とは、2入力NORゲートの出力と、出力端子Yとの間
に並列に設けられる。In addition, the basic cell 5 constitutes a second inverter having the node N1 as an input and the node N4 between the drain of the P-channel transistor 5a and the drain of the N-channel transistor 5b connected to the node N2. That is, the first inverter and the second inverter are provided in parallel between the output of the two-input NOR gate and the output terminal Y.
【0023】このように、2入力NORゲートの出力に
、並列に接続された2つの駆動用のインバータの入力を
接続することにより、ダブル駆動の2入力ANDゲート
を構成する。In this way, by connecting the inputs of two drive inverters connected in parallel to the output of the two-input NOR gate, a double-drive two-input AND gate is constructed.
【0024】上記したように、本実施例のマスタスライ
スLSI内に配置されたマクロセルは、同一論理機能を
有する場合、駆動能力の大小に関係なく同一数のベーシ
ックセルで構成することにより、セルサイズを統一し、
さらに、入出力位置を一致させている。As described above, if the macro cells arranged in the master slice LSI of this embodiment have the same logic function, the cell size can be reduced by configuring them with the same number of basic cells regardless of the magnitude of their driving capacity. unify the
Furthermore, the input and output positions are matched.
【0025】したがって、CAD等の設計手段により、
本実施例のマスタスライスLSIを用いて、マスタスラ
イス方式で実際の半導体集積回路装置の設計を行う際、
本実施例のマクロセルを用いて配置配線を行った後、こ
のマクロセルにかかる負荷容量がその駆動能力を越えた
と判断され、同じ論理機能を有しかつ駆動能力がより大
きなマクロセルに置き換える必要があっても、セルサイ
ズが同一でかつ入出力端子の位置が同一であるマクロセ
ルに置き換えるだけで設計変更できるため、同一論理機
能のマクロセル変更に伴い配置配線の変更を行う必要は
なくなる。[0025] Therefore, by design means such as CAD,
When designing an actual semiconductor integrated circuit device using the master slice method using the master slice LSI of this embodiment,
After performing placement and wiring using the macrocell of this example, it was determined that the load capacitance applied to this macrocell exceeded its driving capacity, and it was necessary to replace it with a macrocell that had the same logic function and had a larger driving capacity. However, the design can be changed simply by replacing the macrocell with a macrocell that has the same cell size and input/output terminal positions, so there is no need to change the layout and wiring when changing the macrocell with the same logic function.
【0026】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
、同一論理機能を実現するマクロセルをベーシックセル
数及び入出力端子の位置を統一して構成しているため、
異なる駆動能力を有する場合でも、同一論理機能を有す
る場合は、そのセルサイズ、入出力位置に変化はない。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, macro cells realizing the same logical function are configured with the same number of basic cells and the positions of input/output terminals.
Even if they have different driving capabilities, if they have the same logic function, there will be no change in their cell size and input/output positions.
【0027】したがって、本発明のマスタスライスLS
Iを用いて、マスタスライス方式で実際の半導体集積回
路装置の設計を行う際、設計途中で、論理機能を変更す
ることなく駆動能力を変更したい場合、単にマクロセル
の置き換えだけですみ、同一論理機能を有するマクロセ
ルの変更に伴い、配置配線の変更を行う必要はなくなる
効果がある。Therefore, the master slice LS of the present invention
When designing an actual semiconductor integrated circuit device using the master slice method using I, if you want to change the driving capacity without changing the logic function during the design process, you can simply replace the macro cell, and the same logic function There is an effect that there is no need to change the layout and wiring as the macro cell having the structure changes.
【図1】この発明の一実施例であるマスタスライスLS
Iにおける1つのマクロセルの構成を示す回路図である
。FIG. 1: A master slice LS that is an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of one macrocell in I. FIG.
【図2】この発明の一実施例であるマスタスライスLS
Iにおける1つのマクロセルの構成を示す回路図である
。FIG. 2: Master slice LS which is an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of one macrocell in I. FIG.
【図3】従来のマスタスライスLSIにおける1つのマ
クロセルの構成を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of one macrocell in a conventional master slice LSI.
【図4】従来のマスタスライスLSIにおける1つのマ
クロセルの構成を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing the configuration of one macrocell in a conventional master slice LSI.
Claims (1)
からなり、所定の論理機能を有するマクロセルが複数個
配置された半導体集積回路において、同一論理機能を実
現する前記マクロセルを前記ベーシックセルの数及び入
出力端子の位置を統一して構成したことを特徴とする半
導体集積回路。Claim 1: In a semiconductor integrated circuit in which a plurality of macro cells are arranged, each consisting of a combination of a predetermined number of basic cells and having a predetermined logic function, the macro cells realizing the same logic function are arranged according to the number of basic cells and input/output. A semiconductor integrated circuit characterized by having a configuration in which the positions of terminals are unified.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8704791A JPH04320060A (en) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8704791A JPH04320060A (en) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04320060A true JPH04320060A (en) | 1992-11-10 |
Family
ID=13904030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8704791A Pending JPH04320060A (en) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04320060A (en) |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP8704791A patent/JPH04320060A/en active Pending
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