JPH04310813A - X-ray inspection apparatus - Google Patents

X-ray inspection apparatus

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JPH04310813A
JPH04310813A JP7793491A JP7793491A JPH04310813A JP H04310813 A JPH04310813 A JP H04310813A JP 7793491 A JP7793491 A JP 7793491A JP 7793491 A JP7793491 A JP 7793491A JP H04310813 A JPH04310813 A JP H04310813A
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JP
Japan
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ray
inspected
inspection apparatus
emitting means
vacuum
Prior art date
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Application number
JP7793491A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Suzuki
伸二 鈴木
Moritoshi Ando
護俊 安藤
Satoshi Iwata
敏 岩田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To make it possible to enlarge the magnification of an X-ray transmission image by making an X-ray focus of an X-ray generating source approach a substance to be inspected and, besides, to enable application of an X-ray in an arbitrary direction, regarding an X-ray inspection apparatus being employed for automatic inspection of a printed circuit board after packaging, in particular. CONSTITUTION:An X-ray generating source comprising an electron emitting means 2, an acceleration electrode 3 accelerating an electron emitted from the electron emitting means 2 and a target 4 subjected to application of the electron accelerated by the acceleration electrode 3 and generating an X-ray, a stage 6 moving with a substance 5 to be inspected which is set thereon, and an X-ray detector 7 detecting the X-ray generated by the X-ray generating source and transmitted through the substance 5, are provided in a vacuum case body 1 having an exhaust port 8. A vacuum pump is provided so that it communicates with the exhaust port 8 of the vacuum case body 1.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、X線検査装置、特に、
実装後のプリント基板の自動検査に使用されるX線検査
装置に関する。
[Industrial Field of Application] The present invention relates to an X-ray inspection apparatus, in particular,
The present invention relates to an X-ray inspection device used for automatic inspection of printed circuit boards after mounting.

【0002】0002

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴って、プリ
ント基板の実装密度が高くなっており、また、大型計算
機の回路システムにおいてはLSI相互間を接続する配
線長を短くして信号伝播速度を向上させるために、LS
Iの入力端子をLSIチップサイズの範囲内に設けるこ
とが望まれており、この要望を満たす手段としてフリッ
プチップボンディング方式が注目されている。
[Background Art] In recent years, with the miniaturization of electronic devices, the mounting density of printed circuit boards has increased, and in circuit systems of large computers, the length of wiring connecting LSIs is shortened to propagate signals. To improve speed, LS
It is desired to provide the input terminal of I within the size range of the LSI chip, and the flip-chip bonding method is attracting attention as a means to meet this demand.

【0003】フリップチップボンディング方式とはLS
Iの電極パッド部に薄膜電極メタルを介して鉛・錫系半
田をボール状に形成し、これをリフローすることによっ
てプリント基板に形成されている電極に一括ボンディン
グする方式であり、高密度実装・高信頼性・高生産性の
点で優れている。
What is the flip chip bonding method?LS
This is a method in which lead/tin based solder is formed into a ball shape on the electrode pad part of the I through a thin film electrode metal, and by reflowing it, it is bonded all at once to the electrodes formed on the printed circuit board. Excellent in terms of high reliability and high productivity.

【0004】フリップチップのボンディングプロセスの
詳細を図2を参照して以下に説明する。
The details of the flip chip bonding process will be explained below with reference to FIG.

【0005】図2参照 同図(a)に示すように、半導体チップ31の電極上に
金等の薄膜電極32を形成する。
Referring to FIG. 2, as shown in FIG. 2(a), a thin film electrode 32 made of gold or the like is formed on the electrode of a semiconductor chip 31.

【0006】同図(b)に示すように、薄膜電極32上
に半田ボールを載置するかまたは蒸着法を使用して半田
を供給し、これを加熱溶融して半田バンプ33を形成す
る。
As shown in FIG. 2B, solder balls are placed on thin film electrodes 32 or solder is supplied using a vapor deposition method, and solder bumps 33 are formed by heating and melting the solder.

【0007】一方、同図(c)に示すように、プリント
基板34のフリップチップのバンプ33に対応する位置
に金等の電極35を形成する。
On the other hand, as shown in FIG. 3C, electrodes 35 made of gold or the like are formed on the printed circuit board 34 at positions corresponding to the bumps 33 of the flip chip.

【0008】同図(d)に示すように、半田バンプ形成
領域を囲む領域にガラスダム36を形成し、前記の半導
体チップ31の場合と同様の方法を使用して半田バンプ
37を形成する。
As shown in FIG. 1D, a glass dam 36 is formed in a region surrounding the solder bump forming region, and solder bumps 37 are formed using the same method as in the case of the semiconductor chip 31 described above.

【0009】同図(e)に示すように、プリント基板3
4に形成された半田バンプ37上に半導体チップ31の
バンプ33を重ね合わせる。
As shown in FIG. 3(e), the printed circuit board 3
The bumps 33 of the semiconductor chip 31 are superimposed on the solder bumps 37 formed on the semiconductor chip 31.

【0010】同図(f)に示すように、半田バンプ33
と37とを加熱溶融して一体のバンプ38となし、半導
体チップ31とプリント基板34とを接続する。この時
、溶融した半田の表面張力によって半導体チップのバン
プの位置とプリント基板のバンプの位置とは自動的に整
合される。 同図(g)は接続後の斜視図である。
As shown in FIG. 3(f), solder bumps 33
and 37 are heated and melted to form an integrated bump 38, and the semiconductor chip 31 and printed circuit board 34 are connected. At this time, the positions of the bumps on the semiconductor chip and the bumps on the printed circuit board are automatically aligned due to the surface tension of the molten solder. Figure (g) is a perspective view after connection.

【0011】ところで、このようにして接続された後の
半田バンプの形状の代表例を図3と図4とに示す。
By the way, typical examples of the shapes of solder bumps after being connected in this manner are shown in FIGS. 3 and 4.

【0012】図3・図4参照 図3に示すバンプ形状は正常と判定されるものであり、
図4に示すバンプ形状は下記のような欠陥を有する。す
なわち、同図(a)はバンプ間の融合が不十分であり、
同図(b)(c)(d)は局部的にくびれており、同図
(e)は内部にボイドがあり、同図(f)は位置ずれが
あり、同図(g)は上端が細くなっている。
Refer to FIGS. 3 and 4 The bump shape shown in FIG. 3 is determined to be normal;
The bump shape shown in FIG. 4 has the following defects. In other words, in Figure (a), the fusion between the bumps is insufficient;
Figures (b), (c, and d) are locally constricted, Figure (e) has a void inside, Figure (f) has a positional shift, and Figure (g) shows that the upper end is It's getting thinner.

【0013】したがって、フリップチップボンディング
後の各バンプのボンディング状態を検査することが必要
であるが、光学的手法を使用する場合には、フリップチ
ップの外周に形成されているバンプの検査は可能である
が、内側に形成されているバンプの検査は不可能である
。また、X線を使用して検査する場合、X線を真上から
照射したのでは、図3・4に示すようなバンプの輪郭を
正確に求めることができないという問題がある。この問
題を解決するには、X線をバンプに対して真横から照射
するようにしなければならない。
[0013] Therefore, it is necessary to inspect the bonding state of each bump after flip chip bonding, but when using an optical method, it is not possible to inspect the bumps formed on the outer periphery of the flip chip. However, it is impossible to inspect the bumps formed inside. Further, when inspecting using X-rays, there is a problem in that if the X-rays are irradiated from directly above, it is not possible to accurately determine the outline of the bump as shown in FIGS. 3 and 4. To solve this problem, it is necessary to irradiate the bumps with X-rays from right sideways.

【0014】ところで、従来のX線検査装置において使
用されているX線発生源について以下に説明する。
By the way, the X-ray generation source used in the conventional X-ray inspection apparatus will be explained below.

【0015】図5(a)(b)参照 図5(a)は、反射型X線発生源の構成図であり、図に
おいて、24は真空ポンプ25に接続され、内部が真空
に保持される筐体であり、21は電子を発生するフィラ
メントであり、22はバイアスカップであり、26はタ
ーゲットである。フィラメント21で発生した電子線が
ターゲット26に衝突して発生したX線はベリリウム窓
27を介して外部に取り出される。
Refer to FIGS. 5(a) and 5(b) FIG. 5(a) is a configuration diagram of a reflection type X-ray generation source. In the figure, 24 is connected to a vacuum pump 25, and the inside is maintained in a vacuum. 21 is a filament that generates electrons, 22 is a bias cup, and 26 is a target. X-rays generated when the electron beam generated by the filament 21 collides with the target 26 are extracted to the outside through the beryllium window 27.

【0016】図5(b)は、透過型X線発生源の構成図
であり、図5(a)で示したものと同一のものは同一記
号で示してある。X線はターゲット26の裏面から発生
する。
FIG. 5(b) is a block diagram of a transmission type X-ray generation source, and the same components as those shown in FIG. 5(a) are indicated by the same symbols. X-rays are generated from the back surface of the target 26.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】図6参照X線発生源の
X線焦点寸法が点に近いと仮定し、図6に示すように、
X線焦点51から被検査物52(52a・52b)まで
の距離をa(a1 ・a2 )とし、被検査物52(5
2a・52b)から検出器53までの距離をb(b1 
・b2 )とすると、X線透過画像の拡大率Mは、 M=(a+b)/a となる。したがって、X線焦点51と被検査物52との
距離aが短くなればなるほど、また、被検査物52と検
出器53との距離bが長くなればなるほど投影される画
像は大きくなり、拡大率が増大して検査精度が向上する
[Problem to be Solved by the Invention] Refer to FIG. 6 Assuming that the X-ray focal point size of the X-ray source is close to a point, as shown in FIG.
The distance from the X-ray focal point 51 to the object 52 (52a, 52b) is a (a1 ・a2), and the object 52 (52a, 52b) is
2a, 52b) to the detector 53 is b(b1
・b2), the magnification rate M of the X-ray transmission image is M=(a+b)/a. Therefore, the shorter the distance a between the X-ray focal point 51 and the object to be inspected 52, and the longer the distance b between the object to be inspected 52 and the detector 53, the larger the projected image becomes. increases, and inspection accuracy improves.

【0018】ところが、被検査物と検出器との距離を長
くする場合は、両者間に存在する空気によってX線が、
吸収・散乱され、S/N比が悪くなる。したがって、拡
大率を大きくするには、X線焦点51と被検査物52と
の距離aを短くすることが必要である。
However, when increasing the distance between the object to be inspected and the detector, the air that exists between them causes the X-rays to
It is absorbed and scattered, resulting in poor S/N ratio. Therefore, in order to increase the magnification, it is necessary to shorten the distance a between the X-ray focal point 51 and the object to be inspected 52.

【0019】ところが、図5(a)に示す従来の反射型
X線発生源を使用する場合には、X線焦点と被検査物と
の距離をX線発生源のターゲット26とベリリウム窓2
7との距離より短くすることはできない。
However, when using the conventional reflection type X-ray source shown in FIG. 5(a), the distance between the X-ray focal point and the object to be inspected is
It cannot be shorter than the distance from 7.

【0020】また、図5(b)に示す透過型X線発生源
を使用する場合には、被検査物に対して垂直にX線を照
射する場合にはX線焦点に被検査物を限りなく近づける
ことが可能である。ところが、被検査物に対して斜めに
X線を照射する場合には、図7に示すように、被検査物
5にX線発生源の筐体24が接触してしまうため、X線
焦点まで被検査物5を近づけることができない。特に、
プリント基板のように二次元の板状で幅の大きな物体の
場合、この制約は大きくなる。
Furthermore, when using the transmission type X-ray source shown in FIG. 5(b), when irradiating X-rays perpendicularly to the object to be inspected, it is necessary to limit the object to the X-ray focal point. It is possible to get close without any problems. However, when the object to be inspected is irradiated with X-rays obliquely, the casing 24 of the X-ray source comes into contact with the object 5, as shown in FIG. The object to be inspected 5 cannot be brought close. especially,
In the case of a two-dimensional plate-shaped object with a large width, such as a printed circuit board, this restriction becomes more severe.

【0021】図7において、筐体24が仮に半径rの円
筒形状をなしているX線発生源を使用して、被検査物5
に照射角θをもってX線を照射する場合、被検査部がX
線焦点に近づきうる最小距離dは、 d=r/tan θ となる。
In FIG. 7, using an X-ray source whose housing 24 has a cylindrical shape with a radius r, the object 5 to be inspected is
When irradiating X-rays with an irradiation angle θ, the part to be inspected is
The minimum distance d that can approach the line focal point is d=r/tan θ.

【0022】したがって、照射角度θが小さくなればな
るほど、X線焦点と被検査物との距離dは長くなり、画
像拡大率が減少してしまう。すなわち、フリップチップ
ボンディングのバンプに対して真横からX線を照射しよ
うとすると十分な画像拡大率が得られないという欠点が
ある。
Therefore, as the irradiation angle θ becomes smaller, the distance d between the X-ray focal point and the object to be inspected becomes longer, and the image magnification ratio decreases. That is, if an attempt is made to irradiate a flip-chip bonding bump with X-rays from right side, there is a drawback that a sufficient image magnification cannot be obtained.

【0023】本発明の目的は、この欠点を解消すること
にあり、X線発生源のX線焦点を被検査物に接近させて
X線透過画像の拡大率を大きくすることができ、しかも
、任意の方向にX線を照射することが可能なX線検査装
置を提供することにある。
An object of the present invention is to eliminate this drawback, and it is possible to increase the magnification of an X-ray image by bringing the X-ray focal point of the X-ray source close to the object to be inspected, and furthermore, An object of the present invention is to provide an X-ray inspection device that can irradiate X-rays in any direction.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】上記の目的は、電子放出
手段(2)とこの電子放出手段(2)より放出された電
子を加速する加速電極(3)とこの加速電極(3)によ
って加速された電子を照射されてX線を発生するターゲ
ット(4)とからなるX線発生源と、被検査物(5)を
載置して移動するステージ(6)と被検査物(5)を透
過したX線発生源の発生するX線を検出するX線検出器
(7)とが、排気口(8)を有する真空筐体(1)内に
設けられており、前記の真空筐体(1)の排気口(8)
に連通して真空ポンプ(9)が設けられているX線検査
装置によって達成される。
[Means for Solving the Problems] The above object is to provide an electron emitting means (2), an accelerating electrode (3) for accelerating the electrons emitted from the electron emitting means (2), and an accelerating electrode (3) that accelerates the electrons emitted from the electron emitting means (2). an X-ray generation source consisting of a target (4) that is irradiated with electrons and generates X-rays; a stage (6) on which an object to be inspected (5) is placed and moves; An X-ray detector (7) for detecting X-rays generated by the transmitted X-ray source is provided in a vacuum housing (1) having an exhaust port (8). 1) Exhaust port (8)
This is achieved by an X-ray inspection device which is provided with a vacuum pump (9) in communication with the .

【0025】なお、前記のX線検出器(7)を真空筐体
(1)の外部に設け、真空筐体(1)のX線検出器(7
)に対向する領域にX線透過窓(10)を形成するよう
にしてもよい。
Note that the X-ray detector (7) is provided outside the vacuum casing (1), and the X-ray detector (7) of the vacuum casing (1) is
) may be formed with an X-ray transmitting window (10) in the area facing the area.

【0026】また、前記の真空筐体(1)に連接して少
なくとも1の低真空室(41)を設けるようにするとよ
い。
[0026] Furthermore, it is preferable that at least one low vacuum chamber (41) is provided in connection with the vacuum casing (1).

【0027】さらに、前記のターゲット(4)と前記の
電子放出手段(2)と前記のX線検出器(7)とはそれ
ぞれ移動可能とされ、また、前記のX線発生源はマイク
ロフォーカスタイプであることが好ましい。
Furthermore, the target (4), the electron emitting means (2), and the X-ray detector (7) are each movable, and the X-ray source is a micro focus type. It is preferable that

【0028】[0028]

【作用】図1に原理説明図を示す。[Operation] Fig. 1 shows a diagram explaining the principle.

【0029】図1参照 図において、1は真空筐体であり、真空ポンプ9によっ
て真空に保持される。筐体1内には電子を発生するフィ
ラメント21と電子量を制御するバイアスカップ22と
電子を偏向・集束する電子レンズ23とからなる電子放
出手段2と電子放出手段2から放出された電子を加速す
る加速電極3と加速された電子を照射されてX線を発生
するターゲット4と被検査物5を載置して移動するステ
ージ6とが装備されており、被検査物5を透過したX線
はベリリウム窓10を介してX線イメージインテンシフ
ァイヤ等のX線検出器7によって検出される。11は電
子を加速する電源である。なお、被検査物5に対するX
線照射方向によってはX線検出器7を筐体1の内部に設
ける場合がある。
Referring to FIG. 1, reference numeral 1 denotes a vacuum casing, which is maintained in a vacuum by a vacuum pump 9. As shown in FIG. Inside the housing 1 is an electron emitting means 2 consisting of a filament 21 that generates electrons, a bias cup 22 that controls the amount of electrons, and an electron lens 23 that deflects and focuses the electrons, and an electron emitting means 2 that accelerates the electrons emitted from the electron emitting means 2. It is equipped with an accelerating electrode 3, a target 4 that is irradiated with accelerated electrons to generate X-rays, and a stage 6 on which an object to be inspected 5 is placed and moves. is detected through the beryllium window 10 by an X-ray detector 7 such as an X-ray image intensifier. 11 is a power source that accelerates electrons. In addition, X with respect to the inspected object 5
Depending on the radiation direction, the X-ray detector 7 may be provided inside the housing 1.

【0030】このように、被検査物5とターゲット4と
を同一真空筐体内に設けることによって、ターゲット4
のX線焦点を被検査物5に近づけることができ、S/N
比を悪くすることなく拡大率を上げることができる。ま
た、実装されたプリント基板のチップとチップとの間に
ターゲット4を挿入することができるので、実装部品に
対して真横からX線を照射することが容易に可能である
In this way, by providing the object to be inspected 5 and the target 4 in the same vacuum housing, the target 4
The X-ray focus can be brought closer to the inspected object 5, and the S/N
It is possible to increase the magnification without deteriorating the ratio. Further, since the target 4 can be inserted between the chips of the mounted printed circuit board, it is possible to easily irradiate the mounted components with X-rays from right side.

【0031】なお、X線発生源にマイクロフォーカスタ
イプを使用することによってX線画像の解像度は向上す
る。
Note that the resolution of the X-ray image is improved by using a microfocus type X-ray generation source.

【0032】[0032]

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
係るX線検査装置について説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An X-ray inspection apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0033】図8参照 図8にX線検査装置の構成図を示す。図中、図1におい
て示したものと同一のものは同一記号で示してある。な
お、図面が複雑になるのを避けるため、真空筐体は省略
してある。
Refer to FIG. 8 FIG. 8 shows a configuration diagram of the X-ray inspection apparatus. In the figure, the same parts as those shown in FIG. 1 are indicated by the same symbols. Note that the vacuum casing is omitted to avoid complicating the drawing.

【0034】実装されたプリント基板のフリップチップ
ボンディング結果を検査する場合を例として以下に説明
する。
An example of inspecting the results of flip-chip bonding of a mounted printed circuit board will be described below.

【0035】ステージコントローラ12によってステー
ジ駆動モータ12aを駆動して、プリント基板34に実
装されているチップ31とチップ31との間にターゲッ
ト4がくるようにステージ6を移動する。
The stage controller 12 drives the stage drive motor 12a to move the stage 6 so that the target 4 is located between the chips 31 mounted on the printed circuit board 34.

【0036】ターゲットコントローラ13によってター
ゲット駆動モータ13aを駆動してターゲット4をチッ
プ31とチップ31との間に挿入する。
The target controller 13 drives the target drive motor 13a to insert the target 4 between the chips 31.

【0037】電子放出手段コントローラ14によって電
子放出手段駆動モータ14aを駆動して電子放出手段を
移動し、電子ビームがターゲット4を照射するようにす
る。
The electron emitting means controller 14 drives the electron emitting means drive motor 14a to move the electron emitting means so that the target 4 is irradiated with the electron beam.

【0038】ターゲット4から発生したX線は被検査物
であるバンプ38をほゞ真横から照射し、バンプ38を
透過したX線画像はX線検出器7によって検出される。 なお、X線はバンプ相互の重なりが少なくなる方向に照
射されることが好ましい。
The X-rays generated from the target 4 irradiate the bump 38 , which is the object to be inspected, from almost directly sideways, and the X-ray image transmitted through the bump 38 is detected by the X-ray detector 7 . Note that it is preferable that the X-rays be irradiated in a direction that reduces the overlap between the bumps.

【0039】X線検出器7によって検出された画像はA
/D変換器15によってデジタル信号に変換され、濃淡
画像として画像入力回路16を介してメモリ17に入力
された後、CPU18によってエッジ抽出されてバンプ
の輪郭が出力される。このバンプの輪郭を評価してボン
ディングの良否を判定する。なお、検査したバンプがど
のバンプであるかは、I/Oボード19を介して入力さ
れるステージ6の移動方向、移動距離、及び、X線画像
拡大率によって求められる。
The image detected by the X-ray detector 7 is A
The signal is converted into a digital signal by the /D converter 15, and is input to the memory 17 via the image input circuit 16 as a gray scale image, after which edges are extracted by the CPU 18 and the outline of the bump is output. The outline of this bump is evaluated to determine whether the bonding is good or bad. Note that which bump was inspected is determined by the moving direction and moving distance of the stage 6, which are input via the I/O board 19, and the X-ray image magnification.

【0040】1チップの検査が終了したら、プリント基
板34をステージ6を使用して移動し、次のチップにつ
いて前記の検査工程を繰り返し実行する。
When the inspection of one chip is completed, the printed circuit board 34 is moved using the stage 6, and the above-mentioned inspection process is repeated for the next chip.

【0041】図9参照 被検査物を筐体1内に搬入したり搬出したりするときに
、筐体1内の真空度が低下するという問題があるが、こ
れを避けるため、図9(a)に示すように、高真空の筐
体1に連接して低真空室41・42を設ける。低真空室
41・42はロータリーポンプ43によって低真空に保
持され、筐体1はターボポンプ44によって高真空に保
持される。
Refer to FIG. 9 There is a problem that the degree of vacuum inside the casing 1 decreases when the object to be inspected is carried into and out of the casing 1. ), low vacuum chambers 41 and 42 are provided in connection with the high vacuum casing 1. The low vacuum chambers 41 and 42 are maintained at a low vacuum by a rotary pump 43, and the casing 1 is maintained at a high vacuum by a turbo pump 44.

【0042】被検査物を搬入するには、図9(b)に示
すように、まず低真空室41のロータリーポンプ43の
コック45を閉じ、シャッター46を開いて被検査物5
1を低真空室41内に搬入した後、シャッター46を閉
じ、コック45を開いて低真空室41を真空にする。
To carry in the object to be inspected, first close the cock 45 of the rotary pump 43 in the low vacuum chamber 41, open the shutter 46, and move the object 5 to be inspected.
1 into the low vacuum chamber 41, the shutter 46 is closed and the cock 45 is opened to evacuate the low vacuum chamber 41.

【0043】図9(c)に示すように、コック45を閉
じ、シャッター47を開いてX線検査装置の筐体1内に
被検査物51を搬入する。このとき、低真空室42をロ
ータリーポンプを使用して真空にしておく。
As shown in FIG. 9(c), the cock 45 is closed, the shutter 47 is opened, and the object 51 to be inspected is carried into the housing 1 of the X-ray inspection apparatus. At this time, the low vacuum chamber 42 is evacuated using a rotary pump.

【0044】X線検査終了後、図9(d)に示すように
、低真空室42のコック48を閉じ、シャッター49を
開いて被検査物51を低真空室42に移し、シャッター
49を閉じる。
After the X-ray inspection is completed, as shown in FIG. 9(d), the cock 48 of the low vacuum chamber 42 is closed, the shutter 49 is opened, the object to be inspected 51 is moved to the low vacuum chamber 42, and the shutter 49 is closed. .

【0045】最後に、図9(e)に示すように、シャッ
ター50を開いて被検査物51を搬出する。
Finally, as shown in FIG. 9(e), the shutter 50 is opened and the object to be inspected 51 is carried out.

【0046】なお、低真空室は1室のみ設け、被検査物
の搬入と搬出とに同一の低真空室を使用するようにして
もよい。
[0046] Note that only one low vacuum chamber may be provided, and the same low vacuum chamber may be used for carrying in and carrying out the object to be inspected.

【0047】このようにすれば、X線検査装置の装備さ
れた筐体1内の真空低下を少なくし、検査のスループッ
トを高めることができる。
[0047] In this way, it is possible to reduce the vacuum drop in the housing 1 equipped with the X-ray inspection apparatus and increase the inspection throughput.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るX線
検査装置においては、X線発生源と被検査物を載置して
移動するステージとが同一の真空筐体内に設けられてお
り、X線発生用のターゲットを被検査物に接近させるこ
とができるので、S/N比を悪くすることなくX線透過
画像の拡大率を大きくして検査精度を高めることができ
る。また、ターゲットを移動することによって被検査物
に対して任意の方向にX線を照射することが可能であり
、実装プリント基板のフリップチップボンディングの検
査等に極めて有効である。
[Effects of the Invention] As explained above, in the X-ray inspection apparatus according to the present invention, the X-ray generation source and the stage on which the object to be inspected is placed and moved are provided in the same vacuum housing. Since the target for generating X-rays can be brought close to the object to be inspected, it is possible to increase the magnification of the X-ray transmission image and improve inspection accuracy without degrading the S/N ratio. Furthermore, by moving the target, it is possible to irradiate the object to be inspected with X-rays in any direction, which is extremely effective for inspecting flip-chip bonding of mounted printed circuit boards.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention.

【図2】フリップチップボンディングの工程図である。FIG. 2 is a process diagram of flip chip bonding.

【図3】正常バンプの形状図である。FIG. 3 is a shape diagram of a normal bump.

【図4】不良バンプの形状図である。FIG. 4 is a shape diagram of a defective bump.

【図5】X線発生源構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of an X-ray generation source.

【図6】X線透過画像の拡大率を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating the magnification ratio of an X-ray transmission image.

【図7】従来技術の問題点説明図である。FIG. 7 is a diagram illustrating problems in the prior art.

【図8】本発明に係るX線検査装置の構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram of an X-ray inspection apparatus according to the present invention.

【図9】低真空室を設けた場合の被検査物搬入・搬出方
法の説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram of a method for carrying in and out an object to be inspected when a low vacuum chamber is provided.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  真空筐体 2  電子放出手段 3  加速電極 4  ターゲット 5  被検査物 6  ステージ 7  X線検出器 8  排気口 9  真空ポンプ 10  X線透過窓 11  加速電源 1 Vacuum housing 2 Electron emission means 3 Accelerating electrode 4 Target 5 Object to be inspected 6 Stage 7 X-ray detector 8 Exhaust port 9 Vacuum pump 10 X-ray transmission window 11 Acceleration power supply

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  電子放出手段(2)と該電子放出手段
(2)より放出された電子を加速する加速電極(3)と
該加速電極(3)によって加速された電子を照射されて
X線を発生するターゲット(4)とからなるX線発生源
と、被検査物(5)を載置して移動するステージ(6)
と前記被検査物(5)を透過した前記X線発生源の発生
するX線を検出するX線検出器(7)とが、排気口(8
)を有する真空筐体(1)内に設けられてなり、前記真
空筐体(1)の前記排気口(8)に連通して真空ポンプ
(9)が設けられてなることを特徴とするX線検査装置
1. An electron emitting means (2), an accelerating electrode (3) for accelerating the electrons emitted from the electron emitting means (2), and an X-ray beam irradiated with the electrons accelerated by the accelerating electrode (3). an X-ray generation source consisting of a target (4) that generates
and an X-ray detector (7) that detects the X-rays generated by the X-ray source that have passed through the object to be inspected (5).
), and a vacuum pump (9) is provided in communication with the exhaust port (8) of the vacuum housing (1). Line inspection equipment.
【請求項2】  請求項1記載のX線検査装置において
、X線検出器(7)は真空筐体(1)の外部に設けられ
、該真空筐体(1)の前記X線検出器(7)に対向する
領域にX線透過窓(10)が形成されてなることを特徴
とするX線検査装置。
2. The X-ray inspection apparatus according to claim 1, wherein the X-ray detector (7) is provided outside the vacuum housing (1), and the X-ray detector (7) of the vacuum housing (1) 7) An X-ray inspection apparatus characterized in that an X-ray transmission window (10) is formed in a region facing the.
【請求項3】  前記真空筐体(1)に連接して少なく
とも1の低真空室(41)が設けられてなることを特徴
とする請求項1または2記載のX線検査装置。
3. The X-ray inspection apparatus according to claim 1, further comprising at least one low vacuum chamber (41) connected to the vacuum housing (1).
【請求項4】  前記ターゲット(4)と前記電子放出
手段(2)と前記X線検出器(7)とはそれぞれ移動可
能とされてなることを特徴とする請求項1、2、または
、3記載のX線検査装置。
4. The target (4), the electron emitting means (2), and the X-ray detector (7) are each movable. The X-ray inspection device described.
【請求項5】  前記X線発生源はマイクロフォーカス
タイプであることを特徴とする請求項1、2、3、また
は、4記載のX線検査装置。
5. The X-ray inspection apparatus according to claim 1, wherein the X-ray generation source is of a micro focus type.
JP7793491A 1991-04-10 1991-04-10 X-ray inspection apparatus Withdrawn JPH04310813A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5754621A (en) * 1993-03-15 1998-05-19 Hitachi, Ltd. X-ray inspection method and apparatus, prepreg inspecting method, and method for fabricating multi-layer printed circuit board
US6072899A (en) * 1997-01-23 2000-06-06 Hitachi, Ltd. Method and device of inspecting three-dimensional shape defect
JP2009059745A (en) * 2007-08-30 2009-03-19 Kyocera Corp Light emitting device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5754621A (en) * 1993-03-15 1998-05-19 Hitachi, Ltd. X-ray inspection method and apparatus, prepreg inspecting method, and method for fabricating multi-layer printed circuit board
US6072899A (en) * 1997-01-23 2000-06-06 Hitachi, Ltd. Method and device of inspecting three-dimensional shape defect
JP2009059745A (en) * 2007-08-30 2009-03-19 Kyocera Corp Light emitting device

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