JPH04308077A - Method for controlling irradiation by electron gun - Google Patents

Method for controlling irradiation by electron gun

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JPH04308077A
JPH04308077A JP982491A JP982491A JPH04308077A JP H04308077 A JPH04308077 A JP H04308077A JP 982491 A JP982491 A JP 982491A JP 982491 A JP982491 A JP 982491A JP H04308077 A JPH04308077 A JP H04308077A
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JP
Japan
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coordinate component
electron gun
source material
electron beam
constant speed
Prior art date
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Application number
JP982491A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Yamabe
真一 山辺
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Shinmaywa Industries Ltd
Original Assignee
Shin Meiva Industry Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To stabilize a vaporization pattern and to improve uniformity by forming the polar coordinates of the beam point of an electron gun with respect to the surface of a vapor-deposition material and changing the respective coordinate components to circularly sweep the material with the electron beam. CONSTITUTION:A vapor-deposition material 4 in a vacuum deposition device is irradiated by an electron gun 5, heated and vaporized. The polar coordinates of the beam point P are formed with respect to the surface of the material 4, and the distance R from the center 0 of the surface of the material 4 and its angle to the straight line passing through the center are used as the coordinate components. At least the coordinate component is changed at a set rate to circularly sweep the surface of the material 4 with an electron beam 6.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】この発明は、真空蒸着装置での蒸
着源材料を電子銃からの電子ビームの照射により加熱蒸
発させて蒸着源(蒸気流)を発生させる場合において、
電子銃の電子ビームを制御する方法に関する。
[Industrial Field of Application] This invention relates to heating and vaporizing a deposition source material in a vacuum evaporation apparatus by irradiating an electron beam from an electron gun to generate a deposition source (vapor flow).
This invention relates to a method for controlling an electron beam of an electron gun.

【0002】0002

【従来の技術】真空蒸着装置においては、真空空間内で
蒸着源材料を加熱して蒸発させ、この蒸気となった蒸着
源を基板等に付着させて成膜するようになされているが
、上記蒸着源材料を加熱する方法の1つとして、電子銃
から電子ビームを出力させ、これで蒸着源材料を照射し
て直接加熱する電子ビーム加熱法は一般によく知られて
いる。
2. Description of the Related Art In a vacuum evaporation apparatus, a evaporation source material is heated and evaporated in a vacuum space, and the vaporized evaporation source is deposited on a substrate or the like to form a film. As one method of heating a deposition source material, an electron beam heating method is generally well known in which an electron beam is output from an electron gun, and the deposition source material is directly heated by irradiation with the electron beam.

【0003】このような電子ビームで蒸着源材料をその
全体に亘り満遍なく蒸発させるために、電子ビームをス
イープさせることが行われる。このスイープを行う場合
、従来、特開平2―66166号公報に開示されるもの
では、蒸着源材料の表面を互いに直交するX方向及びY
方向の直角座標で座標化し、電子ビームをX方向に対し
ては高速でスイープさせ、Y方向については低速でスイ
ープさせることにより、蒸着源材料の矩形表面を一様に
照射する方法が行われている。
[0003] In order to evaporate the evaporation source material evenly over the entire surface with such an electron beam, the electron beam is swept. When performing this sweep, conventionally, in the method disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-66166, the surface of the vapor deposition source material is swept in the X and Y directions perpendicular to each other.
A method is used to uniformly irradiate the rectangular surface of the deposition source material by converting the electron beam into rectangular coordinates and sweeping the electron beam at high speed in the X direction and at low speed in the Y direction. There is.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】蒸着源材料からの蒸発
パターンは、近似点源からその上方の真空空間にコーン
状(円錐状)に放射する分布であるが、このパターンの
安定化のためには、蒸着源材料は円形の溶融部を持ち、
円形に加熱されるのが理想である。さらには、円形の外
周近傍及び中心部を分けて加熱制御することにより、蒸
発パターンは安定し、制御性が向上する。
[Problem to be Solved by the Invention] The evaporation pattern from the evaporation source material is a cone-shaped distribution that radiates from an approximate point source into the vacuum space above it, but it is necessary to stabilize this pattern. , the deposition source material has a circular melt zone,
Ideally, it should be heated in a circular manner. Furthermore, by separately controlling the heating near the outer periphery and the center of the circle, the evaporation pattern is stabilized and controllability is improved.

【0005】ところが、上記従来の方法では、蒸着源材
料表面でのX方向及びY方向のスイープが独立して行わ
れて蒸着源材料表面が矩形状に照射されるので、上記の
狙いを達成できない。
However, in the above-mentioned conventional method, the sweep in the X direction and Y direction on the surface of the evaporation source material is performed independently, and the surface of the evaporation source material is irradiated in a rectangular shape, so that the above aim cannot be achieved. .

【0006】この発明の目的は、電子ビームの照射制御
方法を改良することにより、蒸着源材料の表面を円形に
スイープできるようにし、蒸発パターンの安定化を図り
、制御性を向上させることにある。
An object of the present invention is to improve the electron beam irradiation control method so that the surface of the evaporation source material can be swept circularly, thereby stabilizing the evaporation pattern and improving controllability. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この目的のために、請求
項1の発明では、電子ビームを極座標の照射制御パター
ンでスイープするようにする。
[Means for Solving the Problem] For this purpose, in the invention of claim 1, the electron beam is swept in a polar coordinate irradiation control pattern.

【0008】すなわち、この発明の電子銃の照射制御方
法では、蒸着源材料の表面に対する電子銃のビームポイ
ントを、蒸着源材料の表面の中心位置からの距離R(動
径)及び中心位置を通る所定の直線(原線)からの角度
θ(偏角)を座標成分とする極座標で表わし、少なくと
も上記座標成分θを設定速度で変化させることにより、
電子銃からの電子ビームを蒸着源材料の表面で略円形状
にスイープさせることを特徴とする。
That is, in the electron gun irradiation control method of the present invention, the beam point of the electron gun to the surface of the evaporation source material is set at a distance R (radius) from the center position of the surface of the evaporation source material and passing through the center position. By expressing it in polar coordinates whose coordinate component is an angle θ (declination) from a predetermined straight line (original line), and by changing at least the coordinate component θ at a set speed,
It is characterized in that the electron beam from the electron gun is swept in a substantially circular shape on the surface of the evaporation source material.

【0009】請求項2の発明では、上記座標成分θを一
定速度で変化させ、座標成分Rについては、この座標成
分θの変化に同期して最小値から最大値まで一定速度で
漸次増大させることにより、電子ビームを蒸着源材料の
表面で外向螺旋状にスイープさせる。
In the invention of claim 2, the coordinate component θ is changed at a constant speed, and the coordinate component R is gradually increased from the minimum value to the maximum value at a constant speed in synchronization with the change in the coordinate component θ. The electron beam is swept in an outward spiral over the surface of the source material.

【0010】請求項3の発明では、上記請求項2の発明
と同様に座標成分θを一定速度で変化させるが、座標成
分Rについては逆に、最大値から最小値まで一定速度で
漸次減少させることにより、電子ビームを蒸着源材料の
表面で内向螺旋状にスイープさせる。
In the invention of claim 3, the coordinate component θ is changed at a constant speed as in the invention of claim 2, but on the contrary, the coordinate component R is gradually decreased from the maximum value to the minimum value at a constant speed. This causes the electron beam to sweep in an inward spiral over the surface of the source material.

【0011】請求項4の発明では、座標成分θを一定速
度で変化させ、この座標成分θが所定値を越える都度、
座標成分Rを漸次変化させることにより、電子ビームを
蒸着源材料の表面で同心円状にスイープさせる。
In the invention of claim 4, the coordinate component θ is changed at a constant speed, and each time the coordinate component θ exceeds a predetermined value,
By gradually changing the coordinate component R, the electron beam is swept concentrically on the surface of the deposition source material.

【0012】請求項5の発明では、座標成分θを一定速
度で変化させ、この座標成分θの変化に同期して座標成
分Rを、式   (R2 ・cos 2 θ/a2 )+(R2 ・
sin 2 θ/b2 )=1    …■但しa≠b を満たす条件で変化させることにより、電子ビームを蒸
着源材料の表面で楕円状にスイープさせる。
In the invention of claim 5, the coordinate component θ is changed at a constant speed, and the coordinate component R is changed in synchronization with the change in the coordinate component θ using the formula (R2 ・cos 2 θ/a2 )+(R2 ・
sin 2 θ/b2 )=1...■ However, by changing the conditions such that a≠b is satisfied, the electron beam is swept in an elliptical shape on the surface of the evaporation source material.

【0013】請求項6の発明では、座標成分Rに応じて
座標成分θの変化速度を異ならせることを特徴とする。
The invention according to claim 6 is characterized in that the rate of change of the coordinate component θ is made different depending on the coordinate component R.

【0014】[0014]

【作用】上記の構成により、請求項1の発明では、電子
銃からの電子ビームの照射は、蒸着源材料の表面におい
て中心位置からの距離Rと中心位置を通る直線からの角
度θとを座標成分とする極座標を基に制御され、少なく
とも座標成分θを変化させて、電子ビームを蒸着源材料
の表面でスイープさせるので、蒸着源は略円形にスイー
プされることとなり、その蒸発パターンが安定化し、均
一性も向上する。
[Operation] With the above configuration, in the invention of claim 1, the electron beam irradiation from the electron gun is performed on the surface of the evaporation source material at a distance R from the center position and an angle θ from a straight line passing through the center position. The electron beam is controlled based on the polar coordinate component, and at least the coordinate component θ is changed to sweep the electron beam over the surface of the evaporation source material, so the evaporation source is swept approximately circularly, and its evaporation pattern is stabilized. , uniformity is also improved.

【0015】請求項2の発明では、上記座標成分θが一
定速度で変化し、座標成分Rについては最小値から最大
値まで一定速度で漸次増大するので、電子ビームを蒸着
源材料の表面で外向螺旋状にスイープできる。また、請
求項3の発明では、上記座標成分θが一定速度で変化し
、座標成分Rについては最大値から最小値まで一定速度
で漸次増大するので、電子ビームを内向螺旋状にスイー
プすることができる。また、請求項4の発明では、座標
成分θが一定速度で変化し、この座標成分θが所定値を
越える都度、座標成分Rが漸次変化するので、電子ビー
ムは同心円状にスイープされる。さらに、請求項5の発
明では、座標成分θは一定速度で変化し、この座標成分
θの変化に同期して座標成分Rが上記■式を満たす条件
で変化するので、電子ビームが蒸着源材料の表面で楕円
状にスイープされる。よって、これら発明でも同様の作
用効果が得られる。
In the invention of claim 2, the coordinate component θ changes at a constant speed, and the coordinate component R gradually increases from the minimum value to the maximum value at a constant speed, so that the electron beam is directed outward at the surface of the evaporation source material. Can be swept in a spiral. Further, in the invention of claim 3, the coordinate component θ changes at a constant speed, and the coordinate component R gradually increases from the maximum value to the minimum value at a constant speed, so that the electron beam can be swept inwardly in a spiral manner. can. Further, in the invention of claim 4, the coordinate component θ changes at a constant speed, and each time the coordinate component θ exceeds a predetermined value, the coordinate component R gradually changes, so that the electron beam is swept concentrically. Furthermore, in the invention of claim 5, the coordinate component θ changes at a constant speed, and in synchronization with the change in the coordinate component θ, the coordinate component R changes under the condition that satisfies the above formula (■). is swept in an elliptical shape on the surface of Therefore, similar effects can be obtained with these inventions.

【0016】請求項6の発明では、座標成分Rに応じて
座標成分θの変化速度が異なるので、蒸着源材料表面の
内外周部で加熱能力を変えることができる。
In the sixth aspect of the invention, since the rate of change of the coordinate component θ differs depending on the coordinate component R, the heating capacity can be changed at the inner and outer peripheral portions of the surface of the vapor deposition source material.

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be explained based on the drawings.

【0018】図3は本発明の実施例1に係る真空蒸着装
置を示し、1は真空容器で、この内部下側には耐熱金属
製のるつぼ2と、その側方に位置し、電子ビーム6を発
生させる電子銃5と、この電子銃5からの電子ビーム6
を偏向させる偏向マグネット12とが配設されている。 一方、真空容器1内上部には上記るつぼ2の真上位置に
、蒸着しようとする基板(図示せず)を保持する基板ホ
ルダ16が配設され、この基板ホルダ16とるつぼ2と
の間には、後述の蒸着源材料4からの蒸気流4aを通過
又は遮断して蒸着源の基板に対する蒸着を制御するシャ
ッタ17が配置されている。
FIG. 3 shows a vacuum evaporation apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, in which 1 is a vacuum vessel, inside of which a crucible 2 made of heat-resistant metal is placed on the lower side, and an electron beam 6 is placed on the side of the crucible 2. and an electron beam 6 from this electron gun 5.
A deflection magnet 12 for deflecting is provided. On the other hand, a substrate holder 16 that holds a substrate (not shown) to be vapor-deposited is disposed in the upper part of the vacuum chamber 1 at a position directly above the crucible 2, and between the substrate holder 16 and the crucible 2. A shutter 17 is arranged to control vapor deposition from the vapor deposition source onto the substrate by passing or blocking a vapor flow 4a from the vapor deposition source material 4, which will be described later.

【0019】上記るつぼ2、電子銃5及び偏向マグネッ
ト12は周知の構造であり、これを図2により詳細に説
明すると、例えばるつぼ2の上面には収容部3が凹陥形
成され、この収容部3内に、基板に蒸着させる蒸着源材
料4が充填されている。電子銃5は、るつぼ2の側面に
絶縁体7aを介して取り付けられたカソード電極7と、
その側方に所定の間隔をあけて配置され、るつぼ2の一
部で構成された上下方向の板部からなる第1プレート電
極8と、この第1プレート電極8の斜め上方に配置され
、同様の構成の水平方向の板部からなる第2プレート電
極10とを有し、上記カソード電極7はフィラメントに
より加熱されるようになっている。各プレート電極8,
10にはそれぞれ開口9,11が形成されており、カソ
ード電極7に高圧直流電源の負極を、また両プレート電
極8,10(るつぼ2)に同電源の正極をそれぞれ接続
して、両電極7,8,10間に高圧直流電圧を印加する
ことにより、カソード電極7から飛び出した電子をプレ
ート電極8,10の電位により加速して電子ビーム6を
発生させるようにしている。
The crucible 2, the electron gun 5, and the deflection magnet 12 have well-known structures, which will be explained in detail with reference to FIG. A vapor deposition source material 4 to be vapor-deposited onto the substrate is filled inside. The electron gun 5 includes a cathode electrode 7 attached to the side surface of the crucible 2 via an insulator 7a,
A first plate electrode 8 is arranged at a predetermined interval on the side thereof, and is made of a vertical plate part made up of a part of the crucible 2; The cathode electrode 7 is heated by a filament. Each plate electrode 8,
Openings 9 and 11 are formed in each of the electrodes 10, and the negative electrode of a high-voltage DC power source is connected to the cathode electrode 7, and the positive electrode of the same power source is connected to both plate electrodes 8 and 10 (crucible 2), respectively. , 8, and 10, electrons ejected from the cathode electrode 7 are accelerated by the potential of the plate electrodes 8, 10, and an electron beam 6 is generated.

【0020】一方、偏向マグネット12はコア13と、
該コア13に巻き付けられたコイル14とからなり、コ
イル14へ偏向電流を供給することで、上記電子ビーム
6を偏向させるための偏向磁界を発生させ、この偏向に
より電子ビーム6を上記開口9,11を通過させて収容
部3内の蒸着源材料4に照射し該蒸着源材料4を加熱す
るとともに、コイル14への走査電流の供給によって、
電子ビーム6を収容部3内の蒸着源材料4の表面でスイ
ープさせることにより、蒸着源材料4を加熱してその蒸
発流4aを発生させるようにしている。15はるつぼ2
内に収容部3を囲むように形成された冷却水通路である
On the other hand, the deflection magnet 12 has a core 13 and
It consists of a coil 14 wound around the core 13, and by supplying a deflection current to the coil 14, a deflection magnetic field for deflecting the electron beam 6 is generated, and this deflection directs the electron beam 6 to the aperture 9, 11 to irradiate the evaporation source material 4 in the housing section 3 to heat the evaporation source material 4, and by supplying a scanning current to the coil 14,
By sweeping the electron beam 6 over the surface of the evaporation source material 4 in the storage section 3, the evaporation source material 4 is heated to generate an evaporation flow 4a. 15 Crucible 2
This is a cooling water passage formed so as to surround the accommodating portion 3 inside.

【0021】再び図3に戻り、上記電子銃5及び偏向マ
グネット12の作動は制御装置21によって制御される
ようになっている。この実施例では、収容部3内の蒸着
源材料4の表面での電子ビーム6のスイープを次のよう
に行う。すなわち、図1に示すように、蒸着源材料4の
表面に対する電子銃5のビームポイントPを、蒸着源材
料4の表面における所定の中心位置Oからの距離R及び
上記中心位置Oを通る所定の直線OXからの角度θを座
標成分とする極座標(R,θ)で表わし、上記座標成分
R,θを互いに同期して変化させることにより、電子銃
5からの電子ビーム6を蒸着源材料4の表面で円形状に
スイープさせる。
Returning to FIG. 3 again, the operations of the electron gun 5 and deflection magnet 12 are controlled by a control device 21. In this embodiment, the sweep of the electron beam 6 on the surface of the evaporation source material 4 in the housing section 3 is performed as follows. That is, as shown in FIG. 1, the beam point P of the electron gun 5 on the surface of the vapor deposition source material 4 is set at a distance R from a predetermined center position O on the surface of the vapor deposition source material 4 and a predetermined distance passing through the center position O. By expressing the angle θ from the straight line OX in polar coordinates (R, θ) as a coordinate component, and changing the coordinate components R and θ in synchronization with each other, the electron beam 6 from the electron gun 5 is directed to the evaporation source material 4. Sweep it in a circular pattern on the surface.

【0022】蒸着源材料4表面でのビームポイントPを
極座標(R,θ)、並びに互いに直交する2方向をそれ
ぞれX及びY成分とする直角座標(X,Y)で表わすと
き、極座標(R,θ)と直角座標(X,Y)とは、X=
Rcos θ    …■ Y=Rsin θ    …■ の関係があり、X,Y成分に代えて座標成分R,θを変
化させることで、ビームポイントPを変化させることが
できる。具体的には、この実施例では、図4に示すよう
に、上記極座標(R,θ)のうち、座標成分θを一定速
度で変化させ、座標成分Rについては、この座標成分θ
に同期して最小値Rmin から最大値Rmaxまで一
定速度で漸次増大させることにより、電子ビーム6を蒸
着源材料4の表面で外向螺旋状にスイープさせることを
特徴としている。
When the beam point P on the surface of the evaporation source material 4 is represented by polar coordinates (R, θ) and rectangular coordinates (X, Y) with X and Y components in two mutually orthogonal directions, polar coordinates (R, θ) and rectangular coordinates (X, Y) are X=
There is a relationship Rcos θ...■ Y=Rsin θ...■ The beam point P can be changed by changing the coordinate components R and θ instead of the X and Y components. Specifically, in this embodiment, as shown in FIG. 4, the coordinate component θ of the polar coordinates (R, θ) is changed at a constant speed, and the coordinate component θ of the coordinate component R is changed at a constant speed.
It is characterized in that the electron beam 6 is swept outwardly in a spiral shape on the surface of the evaporation source material 4 by increasing it gradually at a constant speed from the minimum value Rmin to the maximum value Rmax in synchronization with the .

【0023】したがって、この実施例では、電子銃5か
らの電子ビーム6は、蒸着源材料4の表面において中心
位置Oからの距離R及び直線OXからの角度θを座標成
分とする極座標(R,θ)を基に制御され、座標成分θ
は一定速度で増大変化するのに対し、座標成分Rについ
ては、座標成分Rの変化に時間的に同期して最小値Rm
in から最大値Rmax まで一定速度で漸次増大す
る。このため、電子銃5からの電子ビーム6は、図4に
示す如く収容部3内の蒸着源材料4の表面で外向螺旋状
にスイープされる。このようにして蒸着源材料4の表面
は円形にスイープされることとなり、その蒸発パターン
が安定化し、均一性が向上する。
Therefore, in this embodiment, the electron beam 6 from the electron gun 5 is distributed on the surface of the evaporation source material 4 in polar coordinates (R, θ), and the coordinate component θ
increases and changes at a constant speed, whereas the coordinate component R changes in time to the minimum value Rm in synchronization with the change in the coordinate component R.
It gradually increases from in to the maximum value Rmax at a constant speed. For this reason, the electron beam 6 from the electron gun 5 is swept in an outward spiral on the surface of the evaporation source material 4 in the housing section 3, as shown in FIG. In this way, the surface of the evaporation source material 4 is swept circularly, and the evaporation pattern is stabilized and its uniformity is improved.

【0024】図5は実施例2を示し、この実施例では、
電子銃5からの電子ビーム6のスイープパターンを決定
する極座標(R,θ)のうち、座標成分θは実施例1と
同様に一定速度で増大変化させるが、座標成分Rは逆に
最大値Rmaxから最小値Rmin まで一定速度で漸
次減少させる。
FIG. 5 shows Example 2, in which:
Of the polar coordinates (R, θ) that determine the sweep pattern of the electron beam 6 from the electron gun 5, the coordinate component θ is increased and changed at a constant speed as in Example 1, but the coordinate component R is, on the contrary, the maximum value Rmax. to the minimum value Rmin at a constant speed.

【0025】したがって、この実施例では、座標成分θ
は一定速度で増大変化するのに対し、座標成分Rについ
ては、座標成分Rの変化に同期して最大値Rmax か
ら最小値Rmin まで一定速度で漸次減少するため、
電子ビーム6は、収容部3内の蒸着源材料4の表面で内
向螺旋状にスイープされる。よって、実施例1と同様の
作用効果を奏することができる。
Therefore, in this embodiment, the coordinate component θ
increases and changes at a constant speed, whereas the coordinate component R gradually decreases at a constant speed from the maximum value Rmax to the minimum value Rmin in synchronization with the change in the coordinate component R.
The electron beam 6 is swept in an inward spiral over the surface of the evaporation source material 4 in the housing 3 . Therefore, the same effects as in the first embodiment can be achieved.

【0026】図6は実施例3を示し、座標成分θを一定
速度で変化させ、この座標成分θが2nπ(nは整数)
を越える都度、座標成分Rを互いに異なる設定値R1 
,R2,…に漸次増大又は減少変化させる。
FIG. 6 shows Example 3, in which the coordinate component θ is changed at a constant speed, and this coordinate component θ is 2nπ (n is an integer).
Each time the coordinate component R is exceeded, the coordinate component R is set to a different set value R1.
, R2, . . . are gradually increased or decreased.

【0027】この実施例の場合、座標成分θが一定速度
で変化し、この座標成分θが2nπを越える都度、座標
成分Rが漸次変化するので、電子ビーム6は同心円状に
スイープされる。よって、この実施例でも同様の作用効
果が得られる。尚、座標成分Rを変えるときの座標成分
θの設定値は2nπに限らず、適宜変更することができ
る。
In this embodiment, the coordinate component θ changes at a constant speed, and each time the coordinate component θ exceeds 2nπ, the coordinate component R gradually changes, so that the electron beam 6 is swept concentrically. Therefore, similar effects can be obtained in this embodiment as well. Note that the set value of the coordinate component θ when changing the coordinate component R is not limited to 2nπ, and can be changed as appropriate.

【0028】図7は実施例4を示し、電子ビーム6を楕
円状にスイープさせるものである。すなわち、楕円は、
直角座標(X,Y)では、 (X2 /a2 )+(Y2 /b2 )=1  …■
但しa≠b で表わされ、この■式に上記■,■式を代入することで
、上記■式に示す楕円の極座標表示が得られる。
FIG. 7 shows a fourth embodiment, in which the electron beam 6 is swept in an elliptical shape. That is, the ellipse is
In rectangular coordinates (X, Y), (X2 / a2 ) + (Y2 / b2 ) = 1...■
However, it is expressed as a≠b, and by substituting the above equations (■) and (2) into this equation (2), the polar coordinate representation of the ellipse shown in the above equation (■) can be obtained.

【0029】したがって、■式を満たすように座標成分
R,θを変化させることで、電子ビーム6を蒸着源材料
4の表面で楕円状にスイープさせることができる。この
とき、上記実施例3と同様に、座標成分θが2nπ(n
は整数)を越える都度、座標成分Rを漸次増大又は減少
変化させることにより、同図で仮想線にて示すように電
子ビーム6を同心楕円状にスイープさせることもできる
Therefore, by changing the coordinate components R and θ so as to satisfy the equation (2), the electron beam 6 can be swept in an elliptical shape on the surface of the evaporation source material 4. At this time, similarly to the third embodiment, the coordinate component θ is 2nπ(n
By gradually increasing or decreasing the coordinate component R each time the coordinate component R exceeds an integer (integer), the electron beam 6 can be swept in a concentric ellipse as shown by the virtual line in the figure.

【0030】尚、上記各実施例とは異なり、座標成分θ
を可変とし、その変化速度を座標成分Rに応じて異なら
せると、蒸着源材料4表面の内外周部で電子ビーム6に
よる加熱能力を変えることができる。例えば、外周部に
パワーを集めたり、或いは逆に内周部にパワーを絞った
りすることができる。
Note that, unlike the above embodiments, the coordinate component θ
By making R variable and changing the rate of change depending on the coordinate component R, it is possible to change the heating ability of the electron beam 6 at the inner and outer peripheral portions of the surface of the vapor deposition source material 4. For example, power can be concentrated on the outer circumference, or conversely, power can be concentrated on the inner circumference.

【0031】また、座標成分R,θで設定されるビーム
ポイントと電子銃5の出力とを予め組み合わせてパター
ン化しておいてもよい。
Furthermore, the beam point set by the coordinate components R and θ and the output of the electron gun 5 may be combined in advance to form a pattern.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よると、蒸着源材料の表面に対する電子銃のビームポイ
ントを極座標化し、少なくとも座標成分θを変化させて
、電子銃からの電子ビームを蒸着源材料の表面でスイー
プさせることにより、蒸着源表面は電子ビームにより円
形にスイープされ、その本来コーン状となる蒸発パター
ンの安定化及び均一性の向上を図ることができる。
As described above, according to the first aspect of the invention, the beam point of the electron gun with respect to the surface of the evaporation source material is made into polar coordinates, and at least the coordinate component θ is changed, so that the electron beam from the electron gun is By sweeping the surface of the evaporation source material, the surface of the evaporation source is swept circularly by the electron beam, making it possible to stabilize and improve the uniformity of the evaporation pattern, which is originally cone-shaped.

【0033】また、請求項2の発明によれば、上記座標
成分θを一定速度で変化させ、座標成分Rについては最
小値から最大値まで一定速度で漸次増大させるので、電
子ビームを蒸着源材料の表面で外向螺旋状にスイープさ
せることができる。また、請求項3の発明によると、上
記座標成分θを一定速度で変化させ、座標成分Rについ
ては最大値から最小値まで一定速度で漸次増大させるの
で、電子ビームを内向螺旋状にスイープさせることがで
きる。また、請求項4の発明によると、座標成分θを一
定速度で変化させ、この座標成分θが所定値を越える都
度、座標成分Rを漸次変化させるので、電子ビームポイ
ントを同心円状にスイープさせることができる。請求項
5の発明では、座標成分R,θを■式に応じて変化させ
るので、電子ビームを楕円状にスイープさせることがで
きる。
According to the second aspect of the invention, the coordinate component θ is changed at a constant speed, and the coordinate component R is gradually increased from the minimum value to the maximum value at a constant speed. can be swept in an outward spiral on the surface of the Further, according to the third aspect of the invention, the coordinate component θ is changed at a constant speed, and the coordinate component R is gradually increased from the maximum value to the minimum value at a constant speed, so that the electron beam is swept in an inward spiral. Can be done. Further, according to the invention of claim 4, the coordinate component θ is changed at a constant speed, and each time the coordinate component θ exceeds a predetermined value, the coordinate component R is gradually changed, so that the electron beam point can be swept concentrically. Can be done. In the fifth aspect of the invention, since the coordinate components R and θ are changed according to the equation (2), the electron beam can be swept in an elliptical shape.

【0034】請求項6の発明では、座標成分Rに応じて
座標成分θの変化速度を異ならせるので、蒸着源材料表
面の内外周部での加熱能力の変更を図ることができる。
According to the sixth aspect of the invention, since the rate of change of the coordinate component θ is varied depending on the coordinate component R, it is possible to change the heating capacity at the inner and outer peripheral portions of the surface of the vapor deposition source material.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】実施例1において蒸着源材料表面に対する電子
ビームの照射パターンの基本原理を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing the basic principle of an electron beam irradiation pattern on the surface of a vapor deposition source material in Example 1.

【図2】蒸着源発生機構の構成を示す一部破断斜視図で
ある。
FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing the configuration of a deposition source generation mechanism.

【図3】真空蒸着装置の構成を示す概略的に示す正面図
である。
FIG. 3 is a front view schematically showing the configuration of a vacuum evaporation apparatus.

【図4】実施例1での実際の照射パターンを示す平面図
である。
FIG. 4 is a plan view showing an actual irradiation pattern in Example 1.

【図5】実施例2における実際の照射パターンを示す平
面図である。
FIG. 5 is a plan view showing an actual irradiation pattern in Example 2.

【図6】実施例3における実際の照射パターンを示す平
面図である。
FIG. 6 is a plan view showing an actual irradiation pattern in Example 3.

【図7】実施例4における実際の照射パターンを示す平
面図である。
7 is a plan view showing an actual irradiation pattern in Example 4. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…真空容器 2…るつぼ 4…蒸着源材料 5…電子銃 6…電子ビーム 16…基板ホルダ 21…制御装置 R,θ…極座標成分 1...Vacuum container 2... Crucible 4...Vapor deposition source material 5...Electron gun 6...Electron beam 16...Substrate holder 21...Control device R, θ...polar coordinate components

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  真空蒸着装置内の蒸着源材料を加熱蒸
発させるために電子銃により照射する方法であって、蒸
着源材料の表面に対する電子銃のビームポイントを、蒸
着源材料の表面の中心位置からの距離R及び上記中心位
置を通る直線からの角度θを座標成分とする極座標で表
わし、少なくとも上記座標成分θを設定速度で変化させ
ることにより、電子銃からの電子ビームを蒸着源材料の
表面で略円形状にスイープさせることを特徴とする電子
銃の照射制御方法。
1. A method of irradiating a deposition source material with an electron gun in order to heat and evaporate a deposition source material in a vacuum evaporation apparatus, the beam point of the electron gun relative to the surface of the deposition source material being set at the center position of the surface of the deposition source material. Expressed in polar coordinates whose coordinate components are a distance R from the center and an angle θ from a straight line passing through the center position, and by changing at least the coordinate component θ at a set speed, the electron beam from the electron gun is directed to the surface of the evaporation source material. An electron gun irradiation control method characterized by sweeping the electron gun in a substantially circular shape.
【請求項2】  座標成分θを一定速度で変化させ、こ
の座標成分θの変化に同期して座標成分Rを最小値から
最大値に向かって一定速度で漸次増大させることにより
、電子ビームを蒸着源材料の表面で外向螺旋状にスイー
プさせることを特徴とする請求項1記載の電子銃の照射
制御方法。
2. The electron beam is deposited by changing the coordinate component θ at a constant speed and gradually increasing the coordinate component R from a minimum value to a maximum value at a constant speed in synchronization with the change in the coordinate component θ. 2. The electron gun irradiation control method according to claim 1, wherein the electron gun irradiation is swept in an outward spiral on the surface of the source material.
【請求項3】  座標成分θを一定速度で変化させ、こ
の座標成分θの変化に同期して座標成分Rを最大値から
最小値に向かって一定速度で漸次減少させることにより
、電子ビームを蒸着源材料の表面で内向螺旋状にスイー
プさせることを特徴とする請求項1記載の電子銃の照射
制御方法。
3. Evaporating the electron beam by changing the coordinate component θ at a constant speed and gradually decreasing the coordinate component R from the maximum value to the minimum value at a constant speed in synchronization with the change in the coordinate component θ. 2. The electron gun irradiation control method according to claim 1, wherein the electron gun irradiation is swept in an inward spiral on the surface of the source material.
【請求項4】  座標成分θを一定速度で変化させ、こ
の座標成分θが所定値を越える都度、座標成分Rを変化
させることにより、電子ビームを蒸着源材料の表面で同
心円状にスイープさせることを特徴とする請求項1記載
の電子銃の照射制御方法。
4. The electron beam is swept concentrically on the surface of the evaporation source material by changing the coordinate component θ at a constant speed and changing the coordinate component R each time the coordinate component θ exceeds a predetermined value. The electron gun irradiation control method according to claim 1, characterized in that:
【請求項5】  座標成分θを一定速度で変化させ、こ
の座標成分θの変化に同期して座標成分Rを、式  (
R2 ・cos 2 θ/a2 )+(R2 ・sin
 2 θ/b2 )=1但しa≠b を満たす条件で変化させることにより、電子ビームを蒸
着源材料の表面で楕円状にスイープさせることを特徴と
する請求項1記載の電子銃の照射制御方法。
5. The coordinate component θ is changed at a constant speed, and the coordinate component R is changed in synchronization with the change in the coordinate component θ using the formula (
R2 ・cos 2 θ/a2 )+(R2 ・sin
The electron gun irradiation control method according to claim 1, characterized in that the electron beam is swept in an elliptical shape on the surface of the evaporation source material by changing the condition such that 2 θ/b2 )=1, but a≠b. .
【請求項6】  座標成分Rに応じて座標成分θの変化
速度を異ならせることを特徴とする請求項1記載の電子
銃の照射制御方法。
6. The electron gun irradiation control method according to claim 1, wherein the rate of change of the coordinate component θ is varied depending on the coordinate component R.
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