JPH04301790A - 常温核融合用パラジウム材料 - Google Patents
常温核融合用パラジウム材料Info
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- JPH04301790A JPH04301790A JP3091466A JP9146691A JPH04301790A JP H04301790 A JPH04301790 A JP H04301790A JP 3091466 A JP3091466 A JP 3091466A JP 9146691 A JP9146691 A JP 9146691A JP H04301790 A JPH04301790 A JP H04301790A
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- palladium
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- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、強力なエネルギを低温
で安価に、高効率に生み出す常温核融合装置に使用する
常温核融合用重水素吸蔵体としてのパラジウム材料に関
するものである。
で安価に、高効率に生み出す常温核融合装置に使用する
常温核融合用重水素吸蔵体としてのパラジウム材料に関
するものである。
【0002】
【従来の技術とその問題点】1989年3月Utah大
の化学者グループとBYUの物理学者グループが常温核
融合反応を発表して以来、その完全な再現に世界の科学
者が努力している。再現性は徐々に改善しており常温核
融合の方法として、最初の電解法から、ガス吸収法、放
電法、加圧電解法、溶融塩電解法等多くの方法が現象を
再現し、常温核融合の再現確率の向上、更に制御性の確
立がこの現象を産業へ応用するための課題となっている
。
の化学者グループとBYUの物理学者グループが常温核
融合反応を発表して以来、その完全な再現に世界の科学
者が努力している。再現性は徐々に改善しており常温核
融合の方法として、最初の電解法から、ガス吸収法、放
電法、加圧電解法、溶融塩電解法等多くの方法が現象を
再現し、常温核融合の再現確率の向上、更に制御性の確
立がこの現象を産業へ応用するための課題となっている
。
【0003】常温核融合におけるパラジウム材料は常温
核融合反応の場を提供するもので、高密度に重水素原子
を閉じ込めることがこの反応の最も重要なファクタであ
ると考えられ、それに適応するパラジウム材料の開発が
望まれている。
核融合反応の場を提供するもので、高密度に重水素原子
を閉じ込めることがこの反応の最も重要なファクタであ
ると考えられ、それに適応するパラジウム材料の開発が
望まれている。
【0004】
【発明の目的】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、重
水素吸蔵体としてのパラジウム材料の結晶状態を改善し
た常温核融合用パラジウム材料を提供することを目的と
するものである。
水素吸蔵体としてのパラジウム材料の結晶状態を改善し
た常温核融合用パラジウム材料を提供することを目的と
するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、電解法、ガス
吸収法、放電法等の常温核融合反応に用いる重水素吸蔵
体としてのパラジウム材料において、70%以上の断面
減少率の冷間加工が施された、硬化パラジウムであるこ
とを特徴とする常温核融合用パラジウム材料である。
吸収法、放電法等の常温核融合反応に用いる重水素吸蔵
体としてのパラジウム材料において、70%以上の断面
減少率の冷間加工が施された、硬化パラジウムであるこ
とを特徴とする常温核融合用パラジウム材料である。
【0006】上記のように70%以上の断面減少率の冷
間加工が施された、硬化パラジウム材料とすることで、
拡散係数が大きくなり、重水素の拡散速度、吸収速度、
透過速度を大きくすることになり、重水素をより多く吸
収させ、重水素イオンが流動し、格子欠陥で攪乱される
確立を大きくすることができるのである。
間加工が施された、硬化パラジウム材料とすることで、
拡散係数が大きくなり、重水素の拡散速度、吸収速度、
透過速度を大きくすることになり、重水素をより多く吸
収させ、重水素イオンが流動し、格子欠陥で攪乱される
確立を大きくすることができるのである。
【0007】図1の実験装置を使って測定したところ、
水素の透過速度はパラジウムの加工状態によって大きく
変化し、加工材の方が焼鈍材より優れていることを確認
した。また、銀23%−パラジウム77%合金より純パ
ラジウムがより透過しやすいものであった。その結果を
示したのが図2である。
水素の透過速度はパラジウムの加工状態によって大きく
変化し、加工材の方が焼鈍材より優れていることを確認
した。また、銀23%−パラジウム77%合金より純パ
ラジウムがより透過しやすいものであった。その結果を
示したのが図2である。
【0008】以上のことから、パラジウムを冷間で強加
工し、硬化させたパラジウム材料とするが、該パラジウ
ムを冷間としての温度は77°K〜370°Kが好まし
く、370°K以上ではパラジウムが再結晶するので好
ましくない。70%以上の断面減少率の加工とするのは
、70%以下では目的とする材料が得られないからであ
る。
工し、硬化させたパラジウム材料とするが、該パラジウ
ムを冷間としての温度は77°K〜370°Kが好まし
く、370°K以上ではパラジウムが再結晶するので好
ましくない。70%以上の断面減少率の加工とするのは
、70%以下では目的とする材料が得られないからであ
る。
【0009】以下、本発明に係わる実施例を記載するが
、該実施例は本発明を限定するものではない。
、該実施例は本発明を限定するものではない。
【0010】
【比較例1】純度99.97%のパラジウム地金6.5
kgを高周波真空溶解し、直径43mm、長さ370m
mのインゴットに鋳造した。次いで、このインゴットを
室温のスェージング加工で直径30mmに冷間加工して
、パラジウム棒とした。この時のパラジウム棒の表面温
度は340°Kであった。
kgを高周波真空溶解し、直径43mm、長さ370m
mのインゴットに鋳造した。次いで、このインゴットを
室温のスェージング加工で直径30mmに冷間加工して
、パラジウム棒とした。この時のパラジウム棒の表面温
度は340°Kであった。
【0011】
【実施例1】比較例1で作製した直径30mmのパラジ
ウム棒を更に室温でスェージング加工し直径20mmに
冷間加工した。
ウム棒を更に室温でスェージング加工し直径20mmに
冷間加工した。
【0012】
【実施例2】純度99.95%のパラジウム地金6.5
kgを高周波大気溶解し、直径43mm長さ370mm
のインゴットに鋳造した。次いで、このインゴットを液
体窒素中に浸し、沸騰現象が静まるのを待った後に液体
窒素から取り出しスェージング加工で直径10mmに加
工して、パラジウム棒とした。この時パラジウム棒の表
面に白く霜が付着した。
kgを高周波大気溶解し、直径43mm長さ370mm
のインゴットに鋳造した。次いで、このインゴットを液
体窒素中に浸し、沸騰現象が静まるのを待った後に液体
窒素から取り出しスェージング加工で直径10mmに加
工して、パラジウム棒とした。この時パラジウム棒の表
面に白く霜が付着した。
【0013】
【実施例3】実施例2で作った材料の一部を、同じよう
に液体窒素中に浸し、沸騰現象がおさまるのを待った後
に液体窒素から取り出し、ダイス伸線加工を行った。こ
の作業を繰り返し直径2.0mmまで加工した。
に液体窒素中に浸し、沸騰現象がおさまるのを待った後
に液体窒素から取り出し、ダイス伸線加工を行った。こ
の作業を繰り返し直径2.0mmまで加工した。
【0014】
【比較例2】直径5.0mm長さ200mmのパラジウ
ム棒を集光型単結晶作製装置を使い単結晶とした。ここ
で作製したものを断面金属組織検査の結果、結晶粒界は
存在しなかった。
ム棒を集光型単結晶作製装置を使い単結晶とした。ここ
で作製したものを断面金属組織検査の結果、結晶粒界は
存在しなかった。
【0015】
【比較例3】実施例3で作製した直径2.0mmのパラ
ジウムを1000℃真空中で60分間加熱焼鈍した。
ジウムを1000℃真空中で60分間加熱焼鈍した。
【0016】
【比較例4】純度99.8%のパラジウム地金200g
を真空遠心鋳造機を使い、直径5.0mm長さ50mm
のパラジウム棒に鋳造した。
を真空遠心鋳造機を使い、直径5.0mm長さ50mm
のパラジウム棒に鋳造した。
【0017】上記実施例1〜3と比較例1〜4で作製し
たパラジウム材料を用いて、常温核融合反応実験を図3
に示すような装置として、行ったところ表に示す結果で
あった。
たパラジウム材料を用いて、常温核融合反応実験を図3
に示すような装置として、行ったところ表に示す結果で
あった。
【0018】
【表1】
【0019】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の冷間で強加工が施された、硬化パラジウム材料を用い
、常温核融合反応実験を行うことで、再現性の向上をは
かれることを可能とした、画期的なものといえる。
の冷間で強加工が施された、硬化パラジウム材料を用い
、常温核融合反応実験を行うことで、再現性の向上をは
かれることを可能とした、画期的なものといえる。
【0020】
【図1】本発明のパラジウム材料の水素透過速度の実験
装置である。
装置である。
【図2】本発明のパラジウム材料と銀−パラジウム合金
材料との水素透過速度の比較を表すグラフである。
材料との水素透過速度の比較を表すグラフである。
【図3】本発明の実施例1〜3と比較例1〜4で作製し
たパラジウム材料を用いての、常温核融合反応実験装置
である。
たパラジウム材料を用いての、常温核融合反応実験装置
である。
1 Pt陽極
2 0.3モルKOH溶液
3 シリコンゴムパッキン(内径42mm)4 ア
ドバンティックフィルターホルダ(47mm)5 P
d又はAgPd陰極 6 ビーカ 7 水 8 気泡 9 定電圧電流源 10 レコーダ 11 バブルディテクター 12 空気入りビニール袋 13 直径1mmのPt線 14 水中 15 直径1mmのPt線(テフロンチューブ入り)
16 冷却ゾーン 17 FC用ガス拡散電極(円筒状)(Pt0.56
mg/cm2 担持) 18 重水 19 ガラスセパレータ枠 20 Pd(直径10mm、長さ30mm)21
100cc メスシリンダ
ドバンティックフィルターホルダ(47mm)5 P
d又はAgPd陰極 6 ビーカ 7 水 8 気泡 9 定電圧電流源 10 レコーダ 11 バブルディテクター 12 空気入りビニール袋 13 直径1mmのPt線 14 水中 15 直径1mmのPt線(テフロンチューブ入り)
16 冷却ゾーン 17 FC用ガス拡散電極(円筒状)(Pt0.56
mg/cm2 担持) 18 重水 19 ガラスセパレータ枠 20 Pd(直径10mm、長さ30mm)21
100cc メスシリンダ
Claims (1)
- 【請求項1】 電解法、ガス吸収法、放電法等の常温
核融合反応に用いる重水素吸蔵体としてのパラジウム材
料において、70%以上の断面減少率の冷間加工が施さ
れた、硬化パラジウムであることを特徴とする常温核融
合用パラジウム材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3091466A JPH04301790A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 常温核融合用パラジウム材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3091466A JPH04301790A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 常温核融合用パラジウム材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04301790A true JPH04301790A (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=14027160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3091466A Pending JPH04301790A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 常温核融合用パラジウム材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04301790A (ja) |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3091466A patent/JPH04301790A/ja active Pending
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