JPH04295827A - Production of varistor element - Google Patents

Production of varistor element

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JPH04295827A
JPH04295827A JP3060159A JP6015991A JPH04295827A JP H04295827 A JPH04295827 A JP H04295827A JP 3060159 A JP3060159 A JP 3060159A JP 6015991 A JP6015991 A JP 6015991A JP H04295827 A JPH04295827 A JP H04295827A
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JP
Japan
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varistor
oxide
varistor element
liquid crystal
weight
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JP3060159A
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Japanese (ja)
Inventor
Shusuke Gamo
秀典 蒲生
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH04295827A publication Critical patent/JPH04295827A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide the process for producing the varistor element exhibiting good characteristics. CONSTITUTION:Glass frit consisting of 85 to 35 pts.wt. lead oxide, 6 to 25 pts.wt. boron oxide, 3 to 20 pts.wt. zinc oxide, 3 to 10 pts.wt. manganese oxide, and 3 to 10 pts.wt. cobalt oxide and org. binder are added to the powder of varistor particles formed by coating the surfaces of at least zinc oxide crystal particles with an inorg. insulating film and the mixture is made into paste. This paste is printed to prescribed shapes by screen printing on an insulating substrate disposed with electrodes and is then solidified at 440 deg.C to 520 deg.C calcination temp., by which the varistor element is obtd.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、例えば二端子素子型の
液晶表示装置の非線形素子として用いて好適なバリスタ
素子の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a varistor element suitable for use as a nonlinear element in, for example, a two-terminal element type liquid crystal display device.

【0002】0002

【従来の技術】現在、例えば液晶テレビの画像表示装置
には大別して単純マトリクス方式とアクティブマトリク
ス方式とがある。単純マトリクス方式は直角をなして設
けられた一対の帯状電極群(行電極群と列電極群)の間
に複数の液晶画素を行列状に配して接続したものであり
、これら帯状電極間に駆動回路によって所定の電圧を印
加して液晶画素を作動させる。この方式は、構造が簡単
なため低価格でシステムを実現できるという利点がある
が各液晶画素間でのクロストークが生じるため、画素の
コントラストが低く、液晶テレビの画像表示を行う際、
画質の低下は避けられないものであった。これに対し、
アクティブマトリクス方式は各液晶画素毎にスイッチン
グ素子を設けて電圧を保持するものであり、液晶表示装
置を時分割駆動しても液晶画素が選択時の電圧を保持す
る事ができるため、表示容量の増大が可能で、コントラ
スト等の画質に関する特性がよく、液晶テレビの高画質
表示を実現できるものである。しかしながら、アクティ
ブマトリクス方式にあっては構造が複雑になって製造コ
ストが高くなってしまうという欠点があった。例えば、
スイッチング素子として薄膜トランジスタを用いるTF
T型では、その製造工程において5層以上の薄膜を重ね
るため、製品歩留まりを上げる事が困難である。
2. Description of the Related Art Currently, image display devices for, for example, liquid crystal televisions are broadly classified into simple matrix type and active matrix type. In the simple matrix method, a plurality of liquid crystal pixels are arranged in a matrix and connected between a pair of band-shaped electrode groups (row electrode group and column electrode group) arranged at right angles. A driving circuit applies a predetermined voltage to operate the liquid crystal pixels. This method has the advantage of being able to realize a system at a low cost due to its simple structure, but crosstalk occurs between each LCD pixel, resulting in low pixel contrast, which makes it difficult to display images on an LCD TV.
Deterioration in image quality was inevitable. In contrast,
In the active matrix method, a switching element is provided for each liquid crystal pixel to maintain the voltage, and even if the liquid crystal display device is time-divisionally driven, the liquid crystal pixel can maintain the voltage at the time of selection, so the display capacity is reduced. It can be expanded, has good image quality characteristics such as contrast, and can realize high-quality display on liquid crystal televisions. However, the active matrix method has the disadvantage that the structure is complicated and the manufacturing cost is high. for example,
TF that uses thin film transistors as switching elements
In the T-type, five or more thin films are stacked in the manufacturing process, making it difficult to increase the product yield.

【0003】上記のような事から、コントラスト等の画
質に関する特性がよくかつ構造簡単にして低コストな方
式の液晶表示装置の実現が望まれており、この様な要求
を実現する方式としてバリスタ素子を用いた二端子素子
型液晶表示装置が注目されている。
[0003] In view of the above, there is a desire to realize a liquid crystal display device that has good image quality characteristics such as contrast, has a simple structure, and is low in cost. Varistor elements have been developed as a method to meet these requirements. A two-terminal element type liquid crystal display device using a 2-terminal device is attracting attention.

【0004】二端子素子型の液晶表示装置は、単純マト
リクス方式に改良を加えて、図3に示すように行電極1
1と列電極15との間に液晶14と所定のしきい値電圧
で導通するバリスタ素子13とを電気的に直列に配して
接続したものであり、図4に示すようなバリスタ素子1
3の非線形な電流電圧特性を利用したものである。すな
わち、単純マトリクス方式における時分割駆動では、図
5に示すように液晶画素がオン(光透過率が90%)す
る電圧V90とオフ(光透過率が10%)する電圧V1
0との比γ(=V90/V10=(V10+ΔV)/V
10)から、各液晶画素間のクロストークを生ずること
なく許容される最大の走査線数Nmax は、Nmax
 =((γ2 +1)/(γ2 −1))2 であり、
γの値が小さい方が走査線数が多くなって液晶テレビ表
示に有利である。これに対し、二端子素子型では、バリ
スタ素子13によりそのしきい値電圧Vv を超えた分
の電圧が液晶画素に印加されるようにして、バリスタ素
子を設けない場合の液晶画素の動作電圧(図6参照)を
バリスタ素子を設けることによってそのしきい値電圧V
v だけ高くしている(図7参照)。この結果、前記γ
の値はV90/V10から(Vv +V90)/(Vv
 +V10)に改善され、γ値の低下によって最大走査
線数Nmax の増加が図られ、良質な液晶表示を実現
することができる。
The two-terminal element type liquid crystal display device is an improvement on the simple matrix method, and as shown in FIG.
A liquid crystal 14 and a varistor element 13 that conducts at a predetermined threshold voltage are electrically connected in series between the varistor element 1 and the column electrode 15 as shown in FIG.
This utilizes the nonlinear current-voltage characteristics of No. 3. In other words, in time-division driving in a simple matrix method, as shown in FIG. 5, a voltage V90 turns the liquid crystal pixel on (light transmittance is 90%) and a voltage V1 turns it off (light transmittance 10%).
0 ratio γ (=V90/V10=(V10+ΔV)/V
10), the maximum allowable number of scanning lines Nmax without causing crosstalk between each liquid crystal pixel is Nmax
= ((γ2 +1)/(γ2 -1))2,
The smaller the value of γ, the greater the number of scanning lines, which is advantageous for liquid crystal television display. On the other hand, in the two-terminal element type, the voltage exceeding the threshold voltage Vv is applied to the liquid crystal pixel by the varistor element 13, so that the operating voltage of the liquid crystal pixel without the varistor element ( By providing a varistor element, the threshold voltage V
v (see Figure 7). As a result, the γ
The value of is from V90/V10 to (Vv +V90)/(Vv
+V10), and by decreasing the γ value, the maximum number of scanning lines Nmax can be increased, making it possible to realize a high-quality liquid crystal display.

【0005】上記のように二端子素子型の液晶表示装置
の非線形素子として適用されるバリスタ素子の電流電圧
特性は、周知のように次式で示される。
As is well known, the current-voltage characteristics of the varistor element used as a nonlinear element in a two-terminal liquid crystal display device as described above are expressed by the following equation.

【0006】[0006]

【数1】[Math 1]

【0007】ここで、Iはバリスタ素子に流れる電流、
Vはバリスタ素子の電極間の電圧、Kは固有抵抗の抵抗
値に相当する定数、αは電圧非直線特性の指数を示して
おり、この電圧非直線指数α(通常α値と呼ばれる)は
大きいほど、バリスタ素子特性が優れていることになる
。バリスタ素子を液晶表示装置に適用した場合、α値が
大きいほど液晶のオンオフ特性も急峻となり、したがっ
てコントラスト比の高い高品質な液晶表示装置が得られ
る。
Here, I is the current flowing through the varistor element,
V is the voltage between the electrodes of the varistor element, K is a constant corresponding to the resistance value of the specific resistance, and α is the exponent of voltage nonlinear characteristics, and this voltage nonlinearity exponent α (usually called the α value) is large. The more excellent the varistor element characteristics are. When a varistor element is applied to a liquid crystal display device, the larger the α value, the steeper the on/off characteristics of the liquid crystal, and therefore a high quality liquid crystal display device with a high contrast ratio can be obtained.

【0008】図8に一般的な二端子素子型の液晶表示装
置を示す。ここに示すように、行電極11それぞれに対
して多数の画素電極12が一定の間隔dをもって設けら
れ、行電極11と画素電極12とは各バリスタ素子13
で一定のしきい値電圧Vvをもって接続されている。各
液晶画素は、図9および図10に示すように、下側ガラ
ス基板10上に行電極11と画素電極12とを所定の間
隔dを隔てて設け、これら行電極11と画素電極12と
を酸化亜鉛からなるバリスタ素子で接続してある。そし
て、これらの上部を液晶14で満たし、さらに、列電極
15、カラーフィルタ16、上側ガラス基板17を設け
てある。バリスタ素子13は、図11に詳示するように
、酸化亜鉛結晶粒子131 の表面をマンガン、コバル
ト酸化物等の無機質絶縁膜132 で被覆したバリスタ
粒子13a からなり、図12に詳示するように、これ
らバリスタ粒子13a をガラスフリット13b で焼
結固化したものである。
FIG. 8 shows a general two-terminal element type liquid crystal display device. As shown here, a large number of pixel electrodes 12 are provided for each row electrode 11 at a constant interval d, and the row electrode 11 and pixel electrode 12 are connected to each varistor element 13.
are connected with a constant threshold voltage Vv. As shown in FIGS. 9 and 10, each liquid crystal pixel includes a row electrode 11 and a pixel electrode 12 provided on a lower glass substrate 10 with a predetermined distance d between them. They are connected by a varistor element made of zinc oxide. The upper portions of these are filled with liquid crystal 14, and further provided with column electrodes 15, color filters 16, and an upper glass substrate 17. As shown in detail in FIG. 11, the varistor element 13 is composed of varistor particles 13a in which the surface of zinc oxide crystal particles 131 is coated with an inorganic insulating film 132 made of manganese, cobalt oxide, etc., as shown in detail in FIG. , these varistor particles 13a are sintered and solidified with a glass frit 13b.

【0009】次に、バリスタ素子の従来の製法の一例を
述べる。酸化亜鉛の微粉末原料にドーパントとして微量
のアルミニウムを添加混合し、さらに加熱し焼結させて
多結晶化した後、当該焼結体を粉砕、分級して酸化亜鉛
結晶粒子粉末を得る。次に、当該酸化亜鉛結晶粒子を熱
処理して角取りした後、当該酸化亜鉛結晶粒子の表面を
マンガン、コバルト酸化物絶縁膜等の無機質絶縁膜で被
覆してバリスタ粒子粉末を形成する。次に、当該バリス
タ粒子粉末にガラスフリットと有機バインダーを加えて
ペースト化し、当該ペーストを電極を配した絶縁基板上
にスクリーン印刷により所定の形状に塗布した後に焼成
してバリスタ素子が得られる。
Next, an example of a conventional method for manufacturing a varistor element will be described. A small amount of aluminum is added and mixed as a dopant to a fine powder raw material of zinc oxide, and after further heating and sintering to polycrystallize, the sintered body is crushed and classified to obtain a zinc oxide crystal particle powder. Next, after the zinc oxide crystal particles are heat-treated and cornered, the surface of the zinc oxide crystal particles is coated with an inorganic insulating film such as a manganese or cobalt oxide insulating film to form varistor particle powder. Next, a glass frit and an organic binder are added to the varistor particle powder to form a paste, and the paste is applied in a predetermined shape by screen printing onto an insulating substrate on which electrodes are arranged, and then fired to obtain a varistor element.

【0010】0010

【発明が解決しようとする課題】特に、画質の良好な高
品質の二端子素子型液晶表示装置を実現するためには、
バリスタ素子は高性能を有し安定性が高くかつその性能
が素子間で一定していることが要求される。従来よりバ
リスタ素子を形成するバリスタ粒子の間に介在するガラ
スフリットには、低融点ガラスであるホウ酸鉛亜鉛ガラ
スが用いられていた。しかしながら、従来ではバリスタ
素子の性能の向上が図れず、液晶表示装置の高品質化が
困難であるという問題があった。
[Problems to be Solved by the Invention] In particular, in order to realize a high-quality two-terminal element type liquid crystal display device with good image quality,
Varistor elements are required to have high performance, high stability, and constant performance between elements. Conventionally, lead-zinc borate glass, which is a low-melting glass, has been used for the glass frit interposed between varistor particles forming a varistor element. However, in the past, there was a problem in that the performance of the varistor element could not be improved and it was difficult to improve the quality of the liquid crystal display device.

【0011】本発明は上記従来の事情に鑑みてなされた
もので、高性能なバリスタ素子の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a high-performance varistor element.

【0012】0012

【課題を解決するための手段】本発明に係るバリスタ素
子の製造方法は、少なくとも酸化亜鉛結晶粒子の表面を
無機質絶縁膜で被膜したバリスタ粒子の粉末と、酸化鉛
85〜35重量部、酸化ホウ素6〜25重量部、酸化亜
鉛3〜20重量部、酸化マンガン3〜10重量部、酸化
コバルト3〜10重量部から成るガラスフリットと有機
バインダーとを加えてペースト化し、当該ペーストを電
極を配した絶縁基板上にスクリーン印刷により所定の形
状に印刷した後、焼成温度440℃〜520℃で固化す
ることで上記問題点を解決した。
[Means for Solving the Problems] A method for manufacturing a varistor element according to the present invention includes powder of varistor particles in which the surface of at least zinc oxide crystal particles is coated with an inorganic insulating film, 85 to 35 parts by weight of lead oxide, and boron oxide. A glass frit consisting of 6 to 25 parts by weight, 3 to 20 parts by weight of zinc oxide, 3 to 10 parts by weight of manganese oxide, and 3 to 10 parts by weight of cobalt oxide and an organic binder were added to form a paste, and the paste was arranged with electrodes. The above problem was solved by printing a predetermined shape on an insulating substrate by screen printing and then solidifying it at a firing temperature of 440°C to 520°C.

【0013】[0013]

【作用】本発明は、結合剤であるガラスフリットをマン
ガン及びコバルトドープのほう酸鉛亜鉛ガラスとし、焼
成温度440℃〜520℃で固化することで高性能なバ
リスタ素子が提供され、したがって、高品質の液晶表示
装置を得ることが可能となる。
[Operation] The present invention provides a high-performance varistor element by using manganese and cobalt-doped lead-borate zinc glass as the binder glass frit and solidifying it at a firing temperature of 440°C to 520°C. It becomes possible to obtain a liquid crystal display device of.

【0014】[0014]

【実施例】本発明の実施例を図面を参照して詳述する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Examples of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0015】図1は、本発明の一実施例に係るバリスタ
素子作製の工程図である。
FIG. 1 is a process diagram for manufacturing a varistor element according to an embodiment of the present invention.

【0016】まず、造粒工程101において市販の酸化
亜鉛微粉末(粒径1μm以下)にドーパントとしてアル
ミニウム0.003 mol%をV型混合機を用い添加
混合した。次に焼結工程102において、1200℃で
1時間焼結し平均粒径6μm程度の結晶粒子を含む多結
晶体を形成した。次に粉砕工程103において前記多結
晶体を粉砕し、続いて分級工程104において、エアー
分級機を用いて分級し5μm〜8μmの粒径の酸化亜鉛
結晶粒子を得た。次に角取り焼成工程105において、
1000℃で1時間焼成して角取りを施し前記酸化亜鉛
結晶粒子を球状化した。次いで絶縁被膜形成工程106
において、硝酸コバルト0.25 mol%及び硝酸マ
ンガン0.05 mol%を水に溶解して水溶液とし、
この水溶液に前記酸化亜鉛結晶粒子粉末を分散し、まず
120℃で水分を蒸発させ前記酸化亜鉛結晶粒子に金属
被膜をコーティング後、200℃に昇温し金属被膜を酸
化し酸化物被膜を生成する。さらに1100℃で1時間
焼成し、酸化亜鉛結晶粒子の表面に無機質絶縁膜を形成
し、得られた粉末を乳鉢等で軽くほぐしバリスタ粒子と
した。
First, in a granulation step 101, 0.003 mol % of aluminum as a dopant was added and mixed to a commercially available zinc oxide fine powder (particle size of 1 μm or less) using a V-type mixer. Next, in a sintering step 102, the material was sintered at 1200° C. for 1 hour to form a polycrystalline body containing crystal grains with an average grain size of about 6 μm. Next, in a pulverizing step 103, the polycrystalline material was pulverized, and then in a classifying step 104, it was classified using an air classifier to obtain zinc oxide crystal particles having a particle size of 5 μm to 8 μm. Next, in the corner cutting firing step 105,
The zinc oxide crystal particles were spheroidized by firing at 1000° C. for 1 hour to round off the corners. Next, insulating film forming step 106
In this step, 0.25 mol% of cobalt nitrate and 0.05 mol% of manganese nitrate are dissolved in water to form an aqueous solution,
Disperse the zinc oxide crystal particles in this aqueous solution, first evaporate water at 120°C, coat the zinc oxide crystal particles with a metal film, and then raise the temperature to 200°C to oxidize the metal film to form an oxide film. . Further, it was fired at 1100° C. for 1 hour to form an inorganic insulating film on the surface of the zinc oxide crystal particles, and the obtained powder was lightly loosened in a mortar or the like to obtain varistor particles.

【0017】次にインキ化工程107において、前記バ
リスタ粒子16重量部に対しガラスフリットを4重量部
を加える。ここで、ガラスフリットはマンガンとコバル
トをドープしたホウ酸鉛亜鉛ガラスで、酸化鉛85〜3
5重量部、酸化ホウ素6〜25重量部、酸化亜鉛3〜2
0重量部、酸化マンガン3〜10重量部、酸化コバルト
3〜10重量部から成るの組成のものを用いた。上記バ
リスタ粒子とガラスフリットに対して、有機バインダー
としてエチルセルロース(粘度45cps )を1重量
部、有機溶剤としてカルビトールを8重量部加えて混練
しペースト化した。
Next, in the ink forming step 107, 4 parts by weight of glass frit is added to 16 parts by weight of the varistor particles. Here, the glass frit is lead-zinc borate glass doped with manganese and cobalt, and lead oxide is 85 to 3
5 parts by weight, 6 to 25 parts by weight of boron oxide, 3 to 2 parts by weight of zinc oxide
The composition used was 0 parts by weight, 3 to 10 parts by weight of manganese oxide, and 3 to 10 parts by weight of cobalt oxide. To the above varistor particles and glass frit, 1 part by weight of ethyl cellulose (viscosity: 45 cps) as an organic binder and 8 parts by weight of carbitol as an organic solvent were added and kneaded to form a paste.

【0018】ここで使用したガラスフリットの製法は、
従来良く知られている方法を用いた。すなわち所定のガ
ラス組成分を配合し、高温で溶融させた後、水中にいれ
て急冷した後所要の粒径まで微粉砕する。ガラスフリッ
トの粒径も電気特性に影響を与えるので、その平均径は
5μm以下が望ましい。
The manufacturing method of the glass frit used here is as follows:
A well-known method was used. That is, a predetermined glass composition is blended, melted at high temperature, quenched in water, and then pulverized to a desired particle size. Since the particle size of the glass frit also affects the electrical properties, it is desirable that the average particle size is 5 μm or less.

【0019】次に印刷工程108において、図10に示
したようにクロムからなる行電極11及び酸化インジウ
ム・酸化スズ(ITO)からなる画素電極12が予め設
けられているガラス基板10上に、上記ペーストを25
0メッシュのスクリーン印刷版を用いて所定形状に塗布
し印刷基板を得た。最後に焼成工程109において、3
80℃〜520℃で1時間焼成して固化させバリスタ素
子を得た。
Next, in a printing step 108, as shown in FIG. 10, the above-mentioned film is printed on a glass substrate 10 on which row electrodes 11 made of chromium and pixel electrodes 12 made of indium oxide/tin oxide (ITO) are provided in advance. 25 paste
A printing board was obtained by coating in a predetermined shape using a 0 mesh screen printing plate. Finally, in the firing step 109, 3
It was baked at 80° C. to 520° C. for 1 hour to solidify and obtain a varistor element.

【0020】図2は、本実施例により得たバリスタ素子
の特性と、従来法のバリスタ素子の特性を比較し示した
ものである。図中の実線1は上記製造方法の焼成工程1
09における焼成温度を、380℃〜520℃の範囲で
可変させて得たバリスタ素子のα値を示している。また
、波線2は従来のバリスタ素子のα値を示している。図
2より明らかなように焼成温度を440℃〜520℃の
範囲とすることで、従来より大きなα値をもつバリスタ
素子を得ることが可能となる。さらに、焼成温度480
℃でα値は極大値をもち、α=40と従来より遥かに高
性能なバリスタ素子が得られることがわかる。
FIG. 2 shows a comparison between the characteristics of the varistor element obtained in this example and the characteristics of a conventional varistor element. The solid line 1 in the figure is the firing step 1 of the above manufacturing method.
The α value of the varistor element obtained by varying the firing temperature in 09 in the range of 380°C to 520°C is shown. Moreover, the wavy line 2 indicates the α value of the conventional varistor element. As is clear from FIG. 2, by setting the firing temperature in the range of 440° C. to 520° C., it is possible to obtain a varistor element having a larger α value than the conventional one. Furthermore, the firing temperature is 480
It can be seen that the α value has a maximum value at ℃, and α=40, which means that a varistor element with much higher performance than the conventional one can be obtained.

【0021】なお本発明は、液晶表示装置用のバリスタ
素子のみならず、一般的に用いられる厚膜バリスタとし
ても勿論適用することができる。
The present invention can of course be applied not only to varistor elements for liquid crystal display devices, but also to generally used thick film varistors.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、高性能なバリスタ素子の製造が可能となり、した
がって、高品質の液晶表示装置を得ることが可能となる
As described above in detail, according to the present invention, it is possible to manufacture a high-performance varistor element, and therefore it is possible to obtain a high-quality liquid crystal display device.

【0023】[0023]

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の一実施例に係るバリスタ素子の製造方
法の工程図である。
FIG. 1 is a process diagram of a method for manufacturing a varistor element according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例により得られたバリスタ素子
のα値の焼成温度特性を示すグラフ図である。
FIG. 2 is a graph showing the firing temperature characteristics of the α value of a varistor element obtained according to an example of the present invention.

【図3】二端子素子型液晶表示装置の概略構成図である
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a two-terminal element type liquid crystal display device.

【図4】一般的なバリスタ素子の電圧電流特性を示すグ
ラフ図である。
FIG. 4 is a graph diagram showing voltage-current characteristics of a general varistor element.

【図5】液晶画素の動作特性を示すグラフ図である。FIG. 5 is a graph diagram showing operating characteristics of a liquid crystal pixel.

【図6】バリスタ素子の作用を説明する液晶画素の動作
特性を示すグラフ図である。
FIG. 6 is a graph diagram showing operating characteristics of a liquid crystal pixel and explaining the action of a varistor element.

【図7】バリスタ素子の作用を説明する液晶画素の動作
特性を示すグラフ図である。
FIG. 7 is a graph diagram showing operating characteristics of a liquid crystal pixel and explaining the action of a varistor element.

【図8】一般的な液晶表示装置の構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram of a general liquid crystal display device.

【図9】一般的な液晶表示装置の平面図である。FIG. 9 is a plan view of a general liquid crystal display device.

【図10】図9中のIV−IV矢視断面図である。10 is a sectional view taken along the line IV-IV in FIG. 9. FIG.

【図11】バリスタ粒子の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a varistor particle.

【図12】従来法によるバリスタ素子の図10中の要部
の拡大図である。
FIG. 12 is an enlarged view of the main part in FIG. 10 of a varistor element according to a conventional method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    本発明のバリスタ素子のα値の焼成温度特性
2    従来のバリスタ素子のα値 11    行電極 12    画素電極 13    バリスタ素子 13a  バリスタ粒子 13b  ガラスフリット 14    液晶 15    列電極 131    酸化亜鉛結晶粒子 132    無機質絶縁膜
1 Firing temperature characteristics of α value of varistor element of the present invention 2 α value of conventional varistor element 11 Row electrode 12 Pixel electrode 13 Varistor element 13a Varistor particles 13b Glass frit 14 Liquid crystal 15 Column electrode 131 Zinc oxide crystal particles 132 Inorganic insulating film

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも酸化亜鉛結晶粒子の表面を無機
質絶縁膜で被膜したバリスタ粒子の粉末と、酸化鉛85
〜35重量部、酸化ホウ素6〜25重量部、酸化亜鉛3
〜20重量部、酸化マンガン3〜10重量部、酸化コバ
ルト3〜10重量部から成るガラスフリットと有機バイ
ンダーとを加えてペースト化し、当該ペーストを電極を
配した絶縁基板上にスクリーン印刷により所定の形状に
印刷した後、焼成温度440℃〜520℃で固化するこ
とを特徴とするバリスタ素子の製造方法。
Claim 1: Powder of varistor particles in which at least the surface of zinc oxide crystal particles is coated with an inorganic insulating film, and lead oxide 85
~35 parts by weight, 6 to 25 parts by weight of boron oxide, 3 parts by weight of zinc oxide
A glass frit consisting of ~20 parts by weight, 3 to 10 parts by weight of manganese oxide, and 3 to 10 parts by weight of cobalt oxide and an organic binder are added to form a paste, and the paste is screen printed onto an insulating substrate on which electrodes are arranged in a predetermined shape. A method for manufacturing a varistor element, which comprises printing a shape and then solidifying it at a firing temperature of 440°C to 520°C.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183370A (en) * 2003-12-16 2005-07-07 Samsung Sdi Co Ltd Forming method of carbon nanotube emitter

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