JPH042907A - Ｘ線非破壊検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、空港等で用いられる荷物を検査するＸ線非破
壊検査装置に係り、特に爆薬物等の危険物の検査に好適
な装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、空港等における荷物の検査にはＸ線非破壊検査装
置が使用されていた。その一実施例を示すブロック図を
第５図に示す。Ｘ線管１から放射されたＸ線束２をコン
ベアベルト１０で搬送される荷物（被検査物）３に照射
し、被検査物３を透過したＸ線量を放射線検出器列４に
て検知する。

放射線検出器列４によって測定されるものは、被検査物
３によるＸ線減弱量の分布である。放射線検出器列４の
出力はＡ／Ｄ変換器５によりディジタル量に変換され、
補正回路６でデータの補正が行われ、順次主メモリ７に
蓄積される。補正回路６ではオフセラ１−補正や感度補
正が行われる。オフセット補正は温度上昇等によるＯレ
ベルの変化やバラツキを補正するものである。また、感
度補正は放射線検出器列４の素子毎の検出感度のバラツ
キやＸ線管のＸ線強度分布のバラツキ等を補正するもの
である。主メモリ７は表示画面１フレ一ム分以上の記憶
容量を備えたもので、放射線検出器列４からのデータを
１ラインずつ蓄積して行くものである。主メモリ７に蓄
積されたディジタルデータはＤ／Ａ変換器８に１ライン
ずつ読み出され、ビデオ信号に変換され、モニタ９に表
示される。モニタ９ではスクロール方式で逐次表示され
る。モニタ９に表示される画像は、被検査物３のＸ線減
弱量の大小を色の濃淡に変換したものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の技術では、上記の如く被検査物を透過したＸ線量
の大小を光の濃淡に変換して表示しているため、異なる
材質であっても透過Ｘ線による放射線検出器列からの出
力信号レベルが同じであれば同一の色としての表示とな
り、材質による区別をすることができなかった。

また、透過Ｘ線の検出器として放射線検出器列を使用し
ているので、検出素子数が増加したときには、検出され
た信号の処理のための電気回路数も増加し、処理時間も
長くなること、放射線検出器列自体の価格が高くなるこ
となどの問題があった。

本発明の目的は、上記の同等の出力信号レベルを有する
異なる材質に対しても、その材質に応じた色を付加する
ことにより区別をしようとするものである。

本発明の他の目的は、放射線検出器列の検出素子数を低
減することである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的の１つは、［異なるエネルギーをもつＸ線に対
する減弱係数の変化が物質によって異なる。」という原
理を応用することにより達成される。すなわち、２組の
並行して線状に配置された放射線検出器列の一方はフィ
ルタなし、他方にはフィルタを付加し、これに被検査物
を透過したＸ線を入射させ、各々の放射線検出器列には
異なったエネルギーのＸ線を入射させる。その結果、２
組の放射線検出器列の対向する素子の２個の出力信号は
被検査物のＸ線減弱率の変化に応した差が生ずるので、
その差をとり、上記の原理に基づいて色付けを行い表示
することにより達成される。

また、上記の他の目的は、色付は表示される画像の解像
度はフィルタなし放射線検出器列の出力信号からの画像
の解像度より低くても良いことを利用して、フィルタを
付加した放射線検出器列の検出素子数を減少させること
により達成される。

〔作用〕

第１図に示した如く、並列して設置された放射線検出器
列４Ａと４Ｂのうち、放射線検出器列４Ｂにはフィルタ
１１が付加されている。このため、放射線検出器列４Ｂ
には放射線検出器列４Ａとは線質（即ちエネルギー）の
異なったＸ線（高いエネルギーのＸ線）が入射すること
になる。第２図はＸ線のエネルギーと減弱係数の関係を
示したものであるが、エネルギーが変化すると減弱係数
が変化し、高原子番号物質と低原子番号物質との比較で
はエネルギーの変化に対する減弱係数の変化率（勾配）
が異なる。

第２図において放射線検出器列４Ａに入射するＸ線はＥ
ｌのエネルギーに対応した減弱を受けたものであり、放
射線検出器列４Ｂに入射するＸ線はＥ２のエネルギーに
対応した減弱を受けたものである。両者の出力信号を正
規化して物質の厚さと出力信号の大きさとの関係を示す
と第３図の如き特性となる。図から解るように、低原子
番号物質ではエネルギーの違いに対して出力信号の変化
は小さいが、高原子番号物質では出力信号の変化が大き
い。この特性の差を用いることにより、対象物質が低原
子番号物質であるか、高原子番号物質であるかの粗い判
別をすることができる。

第４図の実線は出力信号の信号レベルと２種のエネルギ
ー（Ｅｌ、　Ｅ２）による減弱特性の差分信号との関係
を示したものである。低原子番号物質では信号レベルの
変化に対して差分信号の変化は小さいが、高原子番号物
質では差分信号の変化は大きい。このため、両者の中間
に弁別レベル（例えば第４図の一点鎖線）が来るように
区分レベルを設定すれば両者を分離できる。

また、差分信号は画像の材質分布の色分は表示に使用さ
れるものであるので、その解像度はフィルタなしの放射
線検出器列からの出力信号から生成されるＸ線透過画像
の解像度に比べて劣化しても実用上問題がない。（カラ
ーテレビ放送のＮＴＳＣ方式の原理からも明らかなよう
に、人間の目はカラー画像に対する空間識別分解能は、
白黒画像のそれに比して劣っており、更にここで対象と
しているＸ線非破壊検査装置の主用途である空港等にお
ける爆薬物、麻薬の検出にあたっては、検出しようとす
る対象物は形状が十分大きいため、差分信号を用いたカ
ラー画像の空間分解能（解像度）はフィルタなし放射線
検出器列からの出力信号による画像に比べて劣化させて
も実用上問題がない。）従って、差分信号のみを計測す
る系の放射線検出器列４Ｂの素子数は低減させても実用
上支障がないことが判り、放射線検出器列４Ｂの素子数
を低減することにより、後続する増幅器やマルチプレク
サ等の部品も低減することができ、価格低減と小形化に
寄与する。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。

第１図は本発明の一実施例を示すブロック構成図である
。Ｘ線ｖ１より放射されたＸ線束２は被検査物３を透過
して２組の放射線検出器列４Ａ及び４Ｂに入射する。放
射線検出器列４Ａはフィル夕のないもので、放射線検出
器列４Ｂにはフィルタ１１が付加されており、２組の放
射線検出器列には異なったエネルギーのＸ線が入射する
ことになる。放射線検出器列４Ａ、４ＢのＸ線検出部は
第１Ａ図に示す如く蛍光紙２０と半導体光ダイオード列
２１とから構成される。蛍光紙２０は被検査物３を透過
したＸ線を光に変換する。半導体光ダイオード列２１は
１画素を構成する光ダイオード２２を列状に並べたもの
で、蛍光紙２０からの光を電気信号に変換するものであ
る。フィルタ１１は銅などの重金属物質から成り、厚さ
はＩｍ程度のものが使用される。２３は半導体光ダイオ
ード列２１を支持する支持体である。また、被検査物３
はコンベアベルト１０に載せて搬送される。

放射線検出器列４Ａからは被検査物３により減弱された
Ｘ線量に応じた信号Ａが出力される。放射線検出器列４
Ｂからは被検査物３及びフィルタ１１により減弱された
Ｘ線量に応じた信号Ｂが出力される。信号Ａが低エネル
ギーのＸ線に対応するものであるのに対し、信号Ｂは高
エネルギーのＸ線に対応するものである。放射線検出器
列４Ａ。

４Ｂの出力信号Ａ、Ｂは、Ａ／Ｄ変換器５Ａ。

５Ｂによりディジタル量に変換され、補正回路６Ａ、６
Ｂでオフセット補正及び感度補正が行われる。放射線検
出器列４Ａ、４Ｂの半導体光ダイオード列２１以降の部
分の詳細を第６図に示す。

２１Ａは放射線検出器列４Ａの半導体光ダイオード列で
、例えばｐ個の素子から成る。１２Ａは半導体光ダイオ
ード列２ＬＡの出力信号を増幅する増幅器で、半導体光
ダイオード列２１Ａの素子数ｐと同じ個数だけ備えてい
る。１３Ａは半導体光ダイオード列２１Ａの出力信号を
読出すために切換えを行うマルチプレクサで、このスイ
ッチの数も増幅器１２Ａと同様にｐ個だけ備えている。

２１Ｂは放射線検出器列４Ｂの半導体光ダイオード列で
、例えばｑ個の素子から成る。通常、放射線検出器列４
Ａと４Ｂは素子数を同じにしているのでｐ”ｑである。

増幅器１２Ｂ、マルチプレクサ１３Ｂも、上記の増幅器
１２Ａ、マルチプレクサ１３Ａと同じ機能を備え、個数
はｑ個ずつある。

第６図において、２１Ａｚ　、２１Ａｔはそれぞれ放射
線検出器列４Ａの１番目及びｉ番目の半導体光ダイオー
ド列の素子で各々放射線画像の１画素を構成する１個の
光ダイオードである。同様に、１２　Ａ１．１２　Ａ＋
は増幅器の、１３　Ａ１．１３　Ａ、ｔはマルチプレク
サのスイッチの１番目及びｉ番目のものを示している。

２１Ｂ１，２１８Ｊ、１．２Ｂ１゜１２　ＢＪ、　１３
　Ｂ１，１３　Ｂａはそれぞれ放射線検出器列４Ｂの１
番目及び８番目の半導体光ダイオード列の素子、増幅器
、マルチプレクサのスイッチを示している。］はｐまで
の値を、ｊはｑまでの値をとる。通常、Ｐ＋’Ｔは数百
から千数百の値をとる。

放射線検出器列４Ｂからの出力信号Ｂは、フィルタ１１
の分だけ減弱が大きくなっているので、放射線検出器列
４Ａからの出力信号Ａとレベルを合わせるために、正規
化補正を行っておく。フィルタ１１を通さない信号Ａは
インターフェース１４を経由してフレームメモリ７Ａに
蓄積される。

同時に、面補正回路６Ａ、６Ｂの出力信号を差分演算回
路１５に入力し、両信号の差分をとる。この差分信号を
補正回路６Ａからの出力信号とレベル比較を行う。この
レベル比較は、第４図に示す区分レベルに対し差分信号
の量が上側にあるか下側にあるかを分離するもので、上
側にあれば高原子番号物質、下側にあれば低原子番号物
質と判別される。その結果をもとにモニタ９Ｂ上で例え
ば高原子番号物質には青色を、低原子番号物質には赤色
を色付けして表示する。

以上のことから、差分演算回路１５では、差分信号に物
質区分のデータを付加された信号が作成される。このデ
ータはフレームメモリ７Ｂに蓄積される。

フレームメモリ７Ａに蓄積された信号のモニタ９Ａでの
表示は白黒表示とし、Ｘ線減弱の大きい部分は濃く、Ｘ
線減弱の小さい部分は淡くなるようにするため、モニタ
９Ａの表示での濃淡はフレームメモリ７Ａに蓄積された
信号レベルの高い方が淡く、低い方が濃くなるようにす
る。フレームメモリ７ＡのデータをＤ／Ａ変換器８Ａで
アナログ信号に変換しモニタ９Ａで表示する。フレーム
メモリ７ＢのデータについてもＤ／Ａ変換器８Ｂに送り
、アナログ信号に変換してモニタ９Ｂで表示する。モニ
タ９Ｂ上では、低原子番号物質は赤色で、高原子番号物
質は青色で表示される。観察者は、モニタ９Ｂで、高原
子番号物質が低原子番号物質かの判別を容易にできるの
で、低原子番号物質から成る爆発物等の検知は容易にな
る。

上記の色表示については、上記の色に限定されることな
く、他の色を使用したり、色の濃淡を他の表現にしても
良いし、又、白黒の濃淡を逆にしても良いことは言うま
でもない。

他の実施例を第７図に示す。この実施例は、第１図の実
施例に対しモニタ表示が異なるものである。フレームメ
モリ７Ａに蓄積した放射線検出器列４Ａからの出力信号
Ａを処理したデータと、フレームメモリ７Ｂに蓄積した
差分信号を処理したデータを重畳してモニタ９に一つの
画像として表示するものである。フレームメモリ７Ａか
らのデータは上記の如く白黒の濃淡で表示される被検査
物の画像であり、フレームメモリ７Ｂからのデータは高
原子番号物質を青色に、低原子番号物質は赤色に色付け
した被検査物の画像である。両者のデータをＤ／Ａ変換
器８Ａで重畳し、モニタ９に表示する。モニタ９上には
、低原子番号物質は赤の淡い色で、高原子番号物質は青
の濃い色で表示される。従って、プラスチック爆弾等は
赤の淡い色で表示されるので、検知が容易となる。

第１図の実施例では、放射線検出器列４Ａと４Ｂが並列
に配置された場合のものが示されているが、この部分の
詳細は第８図の如くなる。（ａ）は平面図で、光ダイオ
ードの配置を解り易くするため蛍光紙２ｏとフィルタ１
１を取り除いた状態の図を示している。以降に示す第９
図、第１０図。

第１３図、第１４図についても同様に同示しである。（
ｂ）はＡ、−Ａ断面を示したものである。

第９図に第３の実施例の要部である放射線検出器列の図
を示す。第９図は放射線検出器列４Ａと４Ｂとが重ねて
配置されたものである。（ａ）は平面図、（ｂ）はＢ−
Ｂ断面図である。フィルタなしの放射線検出器列４Ａが
Ｘ線管１に近い側に配置される。この場合、放射線検出
器列４Ｂに入射するＸ線は放射線検出器列４Ａを透過し
た後のものであるため、第８図の場合より線質が少し硬
くなるので、フィルタ１１の厚さを少し薄くするなどの
補正が必要になる場合がある。

第１０図に第４の実施例の要部である放射線検出器列の
図を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）はＣＣ断面図である
。第１０図において、放射線検出器列４Ａは第８図の場
合と同様な配置をし、放射線検出器列４Ｂは半導体光ダ
イオード列２１Ｂの光ダイオード素子の数ｑを減らして
配置したものである。本例はｐ　：　ｑ＝４　：　１の
場合である。

この場合、増幅器１２Ｂ及びマルチプレクサ１３Ｂのス
イッチの数も、同じ比率で低減している。第１０図の放
射線検出器４Ｂの光ダイオード素子数を減らしたことに
より、放射線検出器列４Ｂがらの出力信号数が減少する
ので、差分演算回路１５では放射線検出器列４Ｂの光ダ
イオード素子２２ＢＪに対応する放射線検出器列４Ａの
光ダイオード素１６−１卦 子２２Ａ、の出力信号のみを読込んで差分演算を行い、
データの作成を行う。差分信号と放射線検出器列４Ａの
出力信号Ａとレベル比較２仏付は等は第１図の実施例と
同様に行う。色付はデータを表示する場合には、例えば
、各放射線検出器列の光ダイオードが２２Ａ＋　と２２
Ｂ」が対応するとしたとき、２２　Ａ＋＋＋、　２２　
Ａｔ＋２．２２　Ａｔ”ａに対応する放射線検出器列４
Ｂの光ダイオード素子はないので、この部分に対応する
フレームメモリ７Ｂのデータとしては、光ダイオード２
２Ｂ、に対応する色付はデータを蓄積し、モニタに表示
する。上記のデータをもとにモニタに表示した場合、放
射線検出器列４Ｂからの色付は表示の分解能は約１７４
に低下するが、〔作用〕の欄で説明した如くカラー画像
に対する人間の空間識別分解能が白黒画像に対して劣っ
ているので、特に問題とならない。

上記の如く構成した場合、光ダイオード素子２２Ｂ、増
幅器１２Ｂ、マルチプレクサ１３Ｂのスイッチ数が１／
４に低減すると共に、Ａ／Ｄ変換以降の演算その他の処
理工数も低減でき、その結果、部品点数の低減によるコ
スト低減及び装置の小形化９画像処理時間の短縮等の効
果が得られる。放射線検出器列４Ｂの光ダイオード素子
の数ｑについては、本実施例では放射線検出器列４Ａの
光ダイオード素子数ｐの１７４の場合について示したが
、この比率ｑ／ｐは１より小さければ放射線検出器列４
Ｂの光ダイオード素子の数が低減するので効果が認めら
れるが、ｑ／ｐが１／２以下にならないと大きな低減効
果は得られない。また、ｑ／ｐが１／１０以下になると
、色付き表示画像の分解能低下が人間の目でも目立つよ
うになるので画質の問題が生じる。このため、ｑ／ｐの
比率は実用的には、１７２〜］／１０の間にあるのが好
ましい。

第１１図に第５の実施例の要部である放射線検出器列の
図を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）はＤ−Ｄ断面図であ
る。第１１図の放射線検出器列は、第８図のものと同じ
機能を持つものであるが、本実施例の場合放射線検出器
列４Ａと４Ｂとを分離せずに、半擲体集積回路製造技術
を用いて半導体光ダイオード列を同一の半導体基板上に
構成したものである。光ダイオード素子２２Ａｌ、２２
Ｂ１は同一基板２２Ｃに形成されている。

第１２図及び第１３図は第６の実施例を説明する図であ
る。第１２図は放射線検出器列の構成図で、（ａ）は平
面図、（ｂ）はＥ−Ｅ断面、（ｃ）はＦ−Ｆ断面である
。第１３図は第１２図の放射線検出器列を使用した場合
の装置の要部を示す図である。本実施例では、放射線検
出器列を１本にし、この中にフィルタの付かない光ダイ
オード素子とフィルタの付いた光ダイオード素子を一定
比で設けたもので、第１２図の例では３：１の比率で設
けている。フィルタの付いていない光ダイオード２２Ａ
、からの出力信号は上記の出力信号Ａに相当し、フィル
タの付いている光ダイオード２２ＢＪからの出力信号は
上記の出力信号Ｂに相当する。この場合、光ダイオード
２２Ｂ、の所では出力信号Ａに相当する信号が出力され
ないので、この点のデータとしては補間法によりデータ
を作１９−ご 成する。例えば、光ダイオード２２Ｂ、の１つ前の光ダ
イオード２２Ａ、の出力信号を利用するとか、光ダイオ
ード２２Ｂ、の前後の光ダイオード２２　Ａｔ、　２２
　Ａｉ＋１の出力信号の平均値をとって利用するとかし
て、データを作成する。以上の如くデータの補充をする
ことにより、第１０図の放射線検出器列の場合と同様に
処理することができる。第１３図においては、光ダイオ
ード素子からの出力信号をＡ／Ｄ変換、補正処理した後
にマルチプレクサ２４によりフィルタ１１の無し、有り
の区分でデータの補間処理回路２５と、データ保持回路
２６とに分配する。データ補間処理回路２５では上記の
如く出力信号Ａの不足データを補間法等で作成する処理
を行う。データ保持回路２６では出力信号Ｂが間欠的に
入力されるので、そのデータを次のデータが入力される
まで保持しておくものである。インターフェース１４及
び差分演算回路１５以降の処理は第９図の場合と同じで
ある。

第１４図は、第７の実施例の要部である放射線検出器列
の図を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）はＧ−Ｇ断面図で
ある。本実施例の場合も第１］図と同様に放射線検出器
列４Ａと４Ｂとを分離せず、同一の半導体基板２２Ｃの
上に構成したもので、放射線検出器列４Ｂの光ダイオー
ドの素子数ｑを減少させ、光ダイオード素子個々の受光
面積を拡げたものである。第１４図では、ｑ／ｐが１／
４であるので、放射線検出器列４Ｂの光ダイオード素子
の受光面積を４倍に拡げているが、この拡大率は、ｑ／
ｐの逆数以下の適当な数を選ぶことができる。放射線検
出器列４Ｂにはフィルタ１１が付加されるため入射Ｘ線
が試射されるので、受光面積を拡げることにより感度を
上げることができる。分解能については、第１０図の場
合と同様である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、同一の透過Ｘ線量を示す異なる原子番
号の２物質を、フィルタを通してエネルギー差をつけた
Ｘ線を利用することにより、原子番号の異なる物質とし
て区別して表示することができるので、プラスチック爆
弾などの低原子番号物質をモニタ面上で容易に見分ける
ことかできるという効果かある。

また、放射線検出器列のフィルタを付加した素子の数を
フィルタをイ」加しない素子の数に比し低減させること
により、画質を低下させることなく、コストの低減、装
置の小形化、検査時間の短縮等の効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成を示すブロック図、第
１Ａ図は、放射線検出器列の構成を示す図、第２図は高
原子番号物質及び低原子番号物質のＸ線のエネルギーと
減弱係数との関係を示す図、第３図は高原子番号物質と
低原子番号物質の厚さと放射線検出器列の出力信号の大
きさとの関係を示す図、第４図は放射線検出器列の出力
信号レベルと２種類のエネルギーによる試別特性の差分
信号との関係を示す図、第５図は従来技術の一実施例の
構成を示すブロック図、第６図は第１図の放射線検出器
列以降の部分の詳細を示した図、第７図は他の実施例の
要部構成を示すブロック図、第８図は第１図の実施例の
放射線検出器列の詳細を示した図、第９図、第１０図、
第１１図は第３、第４、第５の実施例の要部である放射
線検出器列の図、第１２図は第６の実施例の要部である
放射線検出器列の図、第１３図は第６の実施例の装置の
要部を示す図、第１４図は第７の実施例の要部である放
射線検出器列の図である。 ４Ａ、４Ｂ・・放射線検出器列、５．５Ａ、５Ｂ・・・
Ａ／Ｄ変換器、６．６Ａ、６Ｂ・・・補正回路、７．７
Ａ、７Ｂ・・フレームメモリ、８．８Ａ。 ８Ｂ・Ｄ／Ａ変換器、９．９Ａ、９Ｂ・・・モニタ、１
１・・フィルタ、ｌ　２，１２Ａ、］、２Ａ、。 １２Ａ、、１２Ｂ、１２Ｂ、、１２Ｂ、・・・増幅器、
１３、　１３Ａ、　　ｌ　３ＡＩ、　　１３Ａ、、、　
　１３　Ｂ。 １３Ｂ、、１３Ｉ３．・・マルチプレクサ、１４・・・
インターフェース、１５・・・差分演算回路、２０・蛍
光紙、２１．２１Ａ、２１Ｂ　　半導体光ダイオード列
、２２，２２Ａ、、２２Ａｉ、２２Ｂ＋。 ２２Ｂ、・・光ダイオード素子、２３・・・支持体、２
４・・マルチプレクサ、２５・・・データ補間処理回路
、 ２６・・データ保持回路。 第３０ 第４図 ＼計 ＼ｒ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線発生装置と、被検査物を透過したＸ線量を検出
   し電気信号に変換する装置と、該電気信号を信号処理し
   て画像表示する装置とから構成されるＸ線非破壊検査装
   置において、 前記Ｘ線量を検出し電気信号に変換する装置は列状に配
   列された複数の素子から成り、該素子の一部はＸ線の波
   長選択性を有する層で被覆されており、前記Ｘ線の波長
   選択性を有する層で被覆されていない素子からの電気信
   号Ａと、該電気信号Ａと前記Ｘ線の波長選択性を有する
   層で被覆されている素子からの電気信号Ｂとの差分信号
   とを用いて、被検査物が低原子番号物質であるか、高原
   子番号物質であるかを選別し、前記原子番号物質区分に
   従つて色付けを施した被検査物の画像を画像表示装置に
   表示することを特徴とするＸ線非破壊検査装置。 ２、前記画像表示装置を２台用いて、一方にＸ線の波長
   選択性を有する層で被覆されていない素子からの電気信
   号Ａを信号処理した画像を表示し、他方に前記差分信号
   を処理して色付けを施した画像を表示することを特徴と
   する請求項１記載のＸ線非破壊検査装置。 ３、前記Ｘ線の波長選択性を有する層で被覆されていな
   い素子からの電気信号Ａを信号処理した白黒画像に、前
   記差分信号を処理して色付けを施した画像を重畳して画
   像表示装置に表示したことを特徴とする請求項１記載の
   Ｘ線非破壊検査装置。 ４、前記Ｘ線量を検出し電気信号に変換する装置が、Ｘ
   線の波長選択性を有する層で被覆されている部分と、被
   覆されていない部分が並列に配置されていることを特徴
   とする請求項１乃至３記載のＸ線非破壊検査装置。 ５、前記Ｘ線量を検出し電気信号に変換する装置が、Ｘ
   線の波長選択性を有する層で被覆されている部分と、被
   覆されていない部分とを重ねて配置し、後者を被検査物
   に近い側に配置されていることを特徴とする請求項１乃
   至３記載のＸ線非破壊検査装置。 ６、前記Ｘ線量を検出し電気信号に変換する装置が、半
   導体光センサ素子列と、そのＸ線入射側に設置された蛍
   光紙とから構成されることを特徴とする請求項１乃至５
   記載のＸ線非破壊検査装置。 ７、前記Ｘ線量を検出し電気信号に変換する装置の半導
   体光センサ素子列を同一の半導体基板上に設けたことを
   特徴とする請求項１乃至４および６記載のＸ線非破壊検
   査装置。 ８、前記Ｘ線量を検出し電気信号に変換する装置の前記
   Ｘ線の波長選択性を有する層で被覆されていない素子の
   数ｐと、被覆されている素子の数ｑとの比ｑ／ｐが１よ
   り小さいことを特徴とする請求項１乃至７記載のＸ線非
   破壊検査装置。 ９、前記ｑ／ｐが１／２〜１／１０の範囲にあることを
   特徴とする請求項１乃至７記載のＸ線非破壊検査装置。 １０、前記Ｘ線の波長選択性を有する層で被覆されてい
   る半導体光センサ素子の受光面積を、前記Ｘ線の波長選
   択性を有する層で被覆されていない半導体光センサ素子
   の受光面積より前記ｑ／ｐの逆数以下の拡大率で拡げた
   ことを特徴とする請求項８および９記載のＸ線非破壊検
   査装置。 １１、前記Ｘ線量を検出し電気信号に変換する装置の半
   導体光センサ素子列を１列とし、該素子列を構成する半
   導体光センサ素子の一部素子にＸ線の波長選択性を有す
   る層で被覆したことを特徴とする請求項１乃至３、６、
   ８および９記載のＸ線非破壊検査装置。