JPH04282912A - 同調回路 - Google Patents

同調回路

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JPH04282912A
JPH04282912A JP3245622A JP24562291A JPH04282912A JP H04282912 A JPH04282912 A JP H04282912A JP 3245622 A JP3245622 A JP 3245622A JP 24562291 A JP24562291 A JP 24562291A JP H04282912 A JPH04282912 A JP H04282912A
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JP
Japan
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transistor
capacitor
filter
circuit
resistance value
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Application number
JP3245622A
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English (en)
Inventor
Jean-Yves Michel
ジャン−イブ ミッシェル
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National Semiconductor Corp
Original Assignee
National Semiconductor Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/04Frequency selective two-port networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H19/00Networks using time-varying elements, e.g. N-path filters
    • H03H19/004Switched capacitor networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03JTUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J2200/00Indexing scheme relating to tuning resonant circuits and selecting resonant circuits
    • H03J2200/08Calibration of receivers, in particular of a band pass filter
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03JTUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J2200/00Indexing scheme relating to tuning resonant circuits and selecting resonant circuits
    • H03J2200/10Tuning of a resonator by means of digitally controlled capacitor bank
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03JTUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J2200/00Indexing scheme relating to tuning resonant circuits and selecting resonant circuits
    • H03J2200/18Tuning of a master filter in order to tune its slave filter

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、大略、フィルタ回路に
関するものであって、更に詳細には、連続時間MOSF
ET−Cフィルタを使用する同調回路に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】連続時間MOSFET−Cフィルタは最
近使用されるようになっている。連続時間という用語は
、例えばスイッチトキャパシタフィルタ処理などのよう
なデータサンプリング技術を使用するその他のタイプの
フィルタから本フィルタを区別するために使用されてい
る。連続時間フィルタは、例えばスイッチトキャパシタ
などのようなその他のタイプのフィルタ及びその他のタ
イプのサンプルデータフィルタと比較して多数の利点を
有している。しかしながら、連続時間MOSFET−C
フィルタの周波数応答は、製造処理公差、動作温度変動
及びエージングによって影響を受ける。
【0003】この問題に対する一つの解決方法は、連続
時間フィルタの間接的同調を与えるオンチップ自動同調
回路を使用することである。主要な連続時間フィルタに
加えて、該集積回路は同調回路を有している。典型的に
、この同調回路の特性は、該フィルタのものと同等のも
のであり、従って該同調回路及びフィルタの特性は互い
に追従する。
【0004】例示的な従来の同調回路は、MOSトラン
ジスタの形態でのオンチップ抵抗を有する場合があり、
このMOSトランジスタは該フィルタ回路を構成するM
OSトランジスタと同一の特性を有している。該同調回
路は、該MOSトランジスタによって形成されるオンチ
ップ抵抗の抵抗値と外部抵抗とを比較する比較回路を有
している。該外部抵抗は、低温度係数を有するべく選択
された高品質抵抗である。これら二つの抵抗値の間に不
一致がある場合には、該比較回路は、MOSトランジス
タの抵抗値を変化させる制御電圧を発生する。
【0005】該同調回路によって発生される制御電圧は
、関連する連続時間フィルタを同調するために使用され
る。連続時間フィルタを形成するMOSトランジスタは
、幅W及び長さLにおいて、同調回路のMOSトランジ
スタに対してレシオがマッチされている。従って、フィ
ルタのMOSトランジスタに影響を与えるような、例え
ば製造処理公差、動作温度変動、エージングなどを包含
する種々のパラメータは、同調回路のMOSトランジス
タにも影響を与え、従ってその影響は相殺される傾向と
なる。
【0006】連続時間MOSFET−Cフィルタにおい
て使用されるコンデンサ値は、製造期間中に正確に制御
することは不可能である。従って、外部基準抵抗を使用
するこの様な連続フィルタは、該フィルタが初期的に外
部的に同調されることを必要とする。更に、このアプロ
ーチは、フィルタ容量における大きな変化を補償するも
のではない。
【0007】外部抵抗値を使用することが適用可能でな
い場合には、単に抵抗値のみでなくRCの積を自動的に
同調させることが可能である。このことは、外部の正確
なクロック信号又は正確なオンチップクロックが存在す
る場合に、それを使用して達成される。基準回路はチッ
プ上に設けられ、それはメインのフィルタと同一のタイ
プの基本的な構造を使用して構成される。該基準回路は
、該フィルタの複製物とするか、又は該フィルタの1個
の基本セルの複製物とすることが可能である。位相比較
器が基準「フィルタ」出力の位相と該クロックの位相と
を比較する。該比較器は、位相差が所定値であるように
基準「フィルタ」を調節する制御電圧を出力する。この
ことは、基準フィルタ内のRC部品をして固定した所定
値を得るようにさせる。
【0008】該フィルタの抵抗及びコンデンサは、基準
回路のものに対してレシオ整合されており、従って、該
フィルタの周波数応答特性の如く、該基準回路内のRC
部品も安定化される。このアプローチは、抵抗値及び容
量値の両方の変動を自動的に補正し、且つ周波数応答の
初期的調節を何ら必要とすることはない。
【0009】前述した同調回路の一つの変形例として、
基準回路として電圧制御オシレータを有するものがある
。このオシレータは、該フィルタと同一の基本的構造か
ら構成されている。位相比較器が、該オシレータの出力
をクロックと比較して、オシレータ出力をして該クロッ
クに追従させる制御電圧を発生する。該オシレータ及び
フィルタのRC部品は、該フィルタの周波数応答と同じ
く、該制御電圧によって安定化される。
【0010】連続フィルタの間接的同調に対する前述し
た技術は全て顕著な欠点を有している。前述した如く、
外部基準抵抗を使用する同調回路は、初期的調節を必要
とし、且つR及びCの両方の値における変動に対して適
切に補償を与えるものではない。前述した如く、外部ク
ロックを有する同調回路は、そのクロック周波数が該フ
ィルタの通過帯域の外側のものであることを必要とする
。更に、外部クロック基準回路が位相比較器である場合
には、比較器におけるオフセットが周波数同調エラーを
発生する。外部クロック基準回路が電圧制御オシレータ
である場合には、該フィルタは、高周波数適用には適し
たものではない。なぜならば、関連するフィルタに対し
て良好にマッチした高周波数電圧制御オシレータを構成
することは通常困難だからである。更に、高調波歪及び
トランスコンダクタンス非線形性が、オシレータ出力の
振幅が注意深く制御されない限り、該オシレータの周波
数をシフトさせる場合がある。
【0011】間接的な自動的同調に対する更に別のアプ
ローチでは、基準回路として積分器を使用するものがあ
る。正弦波の形態での基準入力が該積分器の入力端へ印
加される。該積分器の出力及び該基準入力は両方共整流
され且つ比較回路を使用して比較される。該比較器は、
制御電圧を発生し、該制御電圧は、該制御器の整流され
た出力の大きさが整流された基準入力の大きさとマッチ
するまで、積分器の利得を変化させる。
【0012】該積分器は、フィルタのトランジスタ及び
コンデンサとマッチするトランジスタ及びコンデンサを
使用して形成される。該積分器のフィードバック要素は
コンデンサであり、且つその入力要素はMOSトランジ
スタの形態での抵抗である。該制御電圧が該トランジス
タのゲート電極へ印加され、その際に該積分器の利得を
変化させる。
【0013】この利得制御型積分器同調回路の主要な欠
点は、比較的多数のビルディングブロックが必要とされ
るということである。更に、該回路は、集積回路の形態
で実現するのには幾分複雑である。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、利得制御型
積分器を使用する前述した従来の同調回路の利点を有す
る間接的同調回路を提供している。しかしながら、本発
明の同調回路は、集積回路の形態で容易に実現すること
が可能であり、且つ比較的少数のビルディングブロック
を必要とするに過ぎない。
【0015】
【課題を解決するための手段】連続時間MOSFET−
Cフィルタなどのようなモノリシック集積回路フィルタ
を同調する装置及び方法が提供される。本フィルタは、
少なくとも1個のトランジスタ及び1個のコンデンサを
有している。本同調回路は、集積回路内に設けられるコ
ンデンサの関数である実効第一抵抗値を発生する第一抵
抗値手段を有している。好適には、この第一抵抗値手段
は、可変のレートでクロック動作され且つフィルタのコ
ンデンサとマッチするコンデンサを持ったスイッチトキ
ャパシタ回路網を有している。
【0016】本同調回路は、更に、集積回路内に設けら
れている同調回路トランジスタの抵抗値の関数である実
効第二抵抗値を与える第二抵抗値手段を有している。こ
のトランジスタは、好適には、フィルタのトランジスタ
とマッチするMOSトランジスタである。
【0017】更に、フィルタを同調するために使用され
る制御信号を与えるための制御手段が同調回路内に設け
られている。この制御信号は、第一及び第二抵抗値の比
の関数であり、それは、好適には、1である。
【0018】該フィルタは、好適には、実効第一抵抗値
を変化させるスイッチトキャパシタ回路網へ供給される
クロックの周波数を変化させることによって同調される
。該制御手段は、該制御信号を変更させることによって
応答し、そのことは、好適には、第二実効抵抗値を変化
させる。該制御信号における変化は、フィルタ回路の周
波数応答特性を変化させる。フィルタのトランジスタ及
びコンデンサが温度、エージングなどにより変化する場
合には、この様な変化は同調回路において反映され、こ
の様な変化を補償するように該制御信号の大きさが調節
される。
【0019】
【実施例】図1のブロック図を参照すると、モノリシッ
ク集積回路フィルタは、連続時間フィルタ12を有して
いる。この様なフィルタは、古典的なRCアクティブフ
ィルタから派生されるものであり、且つMOS電界効果
トランジスタ(MOSFET)16、コンデンサ14及
びアクティブ要素(不図示)を使用する。この様なフィ
ルタは、しばしば、連続時間MOSFET−Cフィルタ
又はその変形物として呼称される。本発明は、フィルタ
12の特定の構成に限定されるべきものではない。
【0020】フィルタ12は、ライン26によってトラ
ンジスタ16のゲート電極へ制御電圧Vc を印加する
ことによって同調される。本発明に従い、この制御電圧
は、フィルタ12として同一のチップ上に構成されてい
る同調回路18によって発生される。同調回路18は、
スイッチトキャパシタ増幅器(SC増幅器)20を有し
ており、それは、ライン22上をクロック信号を受取り
且つライン24上をDC基準電圧VREF を受取る。 SC増幅器20は、コンデンサCI として示した1個
又はそれ以上のコンデンサと、トランジスタMで示した
1個又はそれ以上のMOSトランジスタを使用して構成
される。
【0021】コンデンサCI 及びトランジスタMは、
従来の間接的な自動同調適用例においてなされる如く、
フィルタ12のコンデンサ14及びトランジスタ16の
特性とマッチするように構成される。同調回路18は、
更に、比較回路30を有しており、それは、ライン28
上の増幅器20の出力をライン24上の基準電圧VRE
Fと比較する。
【0022】後に更に詳細に説明する如く、SC増幅器
20は電圧利得を有しており、その電圧利得はコンデン
サCI の値とトランジスタMのオン抵抗値の両方の関
数である。増幅器20の電圧利得が1であると仮定する
と、ライン28上の該増幅器のDC出力の大きさは、基
準電圧VREF の大きさと等しい。
【0023】比較回路30は、制御電圧Vc を発生し
、それは増幅器20の出力電圧とVREF との間の電
圧差の関数である。大きさにおいて差がある場合には、
電圧Vc に変化を発生し、それはトランジスタMのゲ
ート電極へ接続される。ゲート電圧における変化は、該
トランジスタのオン抵抗値を変化させ、それは該増幅器
の電圧利得を1へ復帰させる。
【0024】SC増幅器20の利得はコンデンサC1及
びトランジスタMにおける変化と共に変化し、従って制
御電圧Vc は同様の部品を使用して構成されているフ
ィルタ12の応答を安定するために使用することが可能
である。増幅器20は基本的にDC増幅器であり且つ基
準電圧VREF はDC電圧であるので、自動的な間接
同調回路の従来の利得制御構成における如く複雑な整流
器回路が必要とされることはない。
【0025】図2は同調回路18の一実施例の構成を詳
細に示している。本回路は、非反転入力端を接地したオ
ペアンプ32を有している。MOSトランジスタMのソ
ース電極は、オペアンプ32の反転入力端へ接続されて
おり、且つそのドレイン電極はオペアンプの出力端へ接
続されている。フィードバックコンデンサCFBが、該
オペアンプの反転入力端と出力端との間に接続されてい
る。
【0026】トランジスタスイッチS1 ,S2 ,S
3 ,S4 及びコンデンサCI から構成されるスイ
ッチトキャパシタ回路網が、オペアンプ32の反転入力
端とライン24上の基準電圧VREF との間に結合さ
れている。スイッチS1 が、コンデンサCIの第一端
子と基準電圧との間に接続されており、且つスイッチS
2 が第一コンデンサ端子と接地との間に接続されてい
る。スイッチS3 がコンデンサCI の第二端子とオ
ペアンプ32の反転入力端との間に接続されている。ス
イッチS4 が第二コンデンサ端子と接地との間に接続
されている。
【0027】二相クロック発生器42が周波数fs の
ライン22上のクロック信号によって駆動される。発生
器42は、二つの非オーバーラップ型のクロックφ1 
及びφ2を発生し、その各クロックは入力クロックfs
 と同一の周波数を有している。クロックφ1 は、ト
ランジスタスイッチS1 及びS4 のゲート電極へ接
続され、且つクロックφ2 はトランジスタS2 及び
S3 のゲート電極へ接続される。
【0028】クロックφ2 が発生されると、スイッチ
S1及びS4 がターンオンされ且つスイッチS2 及
びS3 がオフ状態を維持する。コンデンサCI の第
一端子が基準電圧VREF へ結合され、且つ第二端子
が接地へ接続される。従って、コンデンサCI は、基
準電圧VREF によって充電される。
【0029】クロックφ1 が発生されると、スイッチ
S2及びS3 がターンオンされ且つスイッチS1 及
びS4 がターンオフされる。従って、コンデンサCI
 の第一端子は基準電圧VREF から切断され且つ接
地へ接続される。同様に、該第二端子が接地から切断さ
れ且つオペアンプ32の反転入力端へ接続される。これ
により、コンデンサCI 上の電荷が転送され、オペア
ンプ32の反転入力端から離れる方向への電流の流れが
発生する。
【0030】ライン28上のSC増幅器20の出力は、
比較器回路34の負の入力端へ接続される。比較器34
の正の入力端は、基準電圧VREF を担持するライン
24へ接続されている。比較器34の出力端は、Pチャ
ンネルトランジスタ36とNチャンネルトランジスタ3
8とを包含する反転用増幅器段へ接続されている。トラ
ンジスタ36及び38のゲート電極は、共通的に、比較
器34の出力端へ接続されている。
【0031】該増幅器段の出力端は、コンデンサ40の
一方の端子へ接続されており、その第二コンデンサ端子
は接地へ接続されている。その増幅器段出力端は、ライ
ン26上に制御電圧Vc を発生し、それはトランジス
タMのゲート電極へフィードバックされ且つ連続時間フ
ィルタ(不図示)を同調するために使用される。
【0032】SC増幅器20は、該増幅器に対する入力
インピーダンスに対する増幅器32のフィードバックイ
ンピーダンスの比に等しい電圧利得AV を有している
。 このフィードバックインピーダンスは、トランジスタM
の小信号抵抗値である。入力インピーダンスは、スイッ
チS1 −S4 及びコンデンサCI を有するスイッ
チトキャパシタ回路網の実効抵抗値である。公知の如く
、スイッチトキャパシタ回路網の実効抵抗値RSCは以
下の如くに定義される。 RSC=1/fs                 
  (1)尚、RSC:スイッチトキャパシタ回路網の
実効抵抗値fs :サンプリングクロック周波数 CI :コンデンサCI の容量。
【0033】従って、SC増幅器20の電圧利得AV 
は以下の如くに表わされる。 AV =ZF /ZI             (2
)即ち、AV =fs CI RON     (3)
尚、AV :SC増幅器の閉ループ電圧利得ZF :フ
ィードバックインピーダンスZI :入力インピーダン
ス fs :サンプリングクロック周波数 RON:トランジスタMの小信号抵抗値CI :コンデ
ンサCI の容量値。
【0034】比較器回路30は、SC増幅器の出力電圧
と電圧VREF とを比較する。増幅器出力電圧がVR
EF を超えると、比較器回路出力は低電圧レベルへ移
行する。 逆に、増幅器出力が電圧VREF 未満であると、比較
器出力は高電圧レベルへ移行する。
【0035】トランジスタ36及び38とコンデンサ4
0とを有する増幅器段は、比較的大きな時定数を有する
フィルタとして機能する。比較器37の出力が低である
と、トランジスタ38はターンオフされ且つトランジス
タ36はターンオンされる。トランジスタ36は、コン
デンサ40を充電する電流源として機能する。比較器3
4の出力が高であると、トランジスタ36はオフであり
且つトランジスタ38はオンであり、コンデンサ40を
放電する電流源として機能する。この作用により、コン
デンサ40を横断しての制御電圧Vc がDC値へ安定
化される。
【0036】制御電圧Vc がトランジスタMのゲート
電極へ接続されている。従って、トランジスタMの小信
号抵抗RONの値は、電圧利得AV における如く、電
圧Vc における変化と共に変化する。
【0037】ライン28上のSC増幅器20の出力がV
REF よりも大きい場合には、該増幅器の電圧利得A
V が1を超える。比較器34の出力が負へ移行し、そ
の際に制御電圧Vc を増加させ、そのことはトランジ
スタMをターンオンさせる傾向となり、その際にRON
の値を減少させる。上式(3)により理解される如く、
RONの減少された値は電圧利得を減少させ、その際に
SC増幅器出力電圧を減少させる。増幅器20の出力が
電圧VREF 未満であると、該増幅器の利得は1未満
である。比較器34の出力が高レベルへスイッチし、そ
の際に制御電圧Vc を減少させる。電圧Vc におけ
る降下はトランジスタMをターンオフさせる傾向となり
、その際にSC増幅器20の利得を増加させる。従って
、増幅器20の利得は1へ復帰し、且つ増幅器出力電圧
が電圧VREFへ近付く。
【0038】フィードバックループが定常状態に到達す
ると、制御電圧Vc はSC増幅器20の電圧利得AV
 を1に維持する。従って、式(3)は、増幅器30の
時定数の値は以下の如くであることを示している。 RON×CI =1/fs           (4
)温度、処理変動又はエージングなどによりRON又は
CI が値を変化する場合には、SC増幅器20の利得
が瞬間的に1から変動するが、制御電圧Vc のフィー
ドバック作用によって1へ復帰する。トランジスタMは
、関連する連続時間フィルタにおけるトランジスタ16
(図1)と同一の幅対長さの比を有する幾何学的形状で
構成されている。同様に、コンデンサCI は、関連す
るフィルタのコンデンサ14(図1)とマッチするよう
に構成されている。
【0039】トランジスタMが所望の抵抗値(トライオ
ード)領域において動作することを確保するために、基
準電圧VREF は、装置のスレッシュホールド電圧に
依存して小さいものとすべきである。典型的に、VRE
F の値は、1Vよりも多少低い値である。
【0040】チューニング即ち同調は、ライン22のク
ロックの周波数fs を変化させることによって達成さ
れる。このことは、スイッチトキャパシタ回路網の実効
抵抗値を式(1)に従って変化させる。制御電圧Vcは
、トランジスタMの小信号抵抗値RONがスイッチトキ
ャパシタ回路網の新たな実効抵抗値とマッチさせるよう
に変化する。制御電圧Vc における変化は、更に、所
望により、連続時間フィルタ12の周波数応答特性を変
化させる。
【0041】コンデンサCFBは、保持用コンデンサで
あり、それは、スイッチトキャパシタCI が再充電す
る場合に増幅器32の出力を保持する。保持用コンデン
サCFBは、図3に示した別のスイッチトキャパシタ入
力回路網を使用することにより除去することが可能であ
る。
【0042】図3の回路入力回路網は、スイッチS1 
乃至S8 によって制御される2個の同一のコンデンサ
CI1及びCI2を有している。スイッチS1 及びS
4 はクロックφ1 によって制御され、且つスイッチ
S2 及びS3はクロックφ2 によって制御される。 同様に、スイッチS6及びS7 はクロックφ1 によ
って制御され、且つスイッチS5 及びS8 はクロッ
クφ2 によって制御される。
【0043】該クロックの1位相期間中において、コン
デンサCI1はスイッチS4 を介して一方の端子を接
地させ、且つスイッチS1 によって他方の端子を基準
電圧VREFへ接続させる。従って、コンデンサCI1
は、このクロックの位相期間中に充電される。同一の位
相期間中、コンデンサCI2は、スイッチS6 によっ
て一方の端子を接地へ接続し且つスイッチS7 を介し
て他方の端子を増幅器32の反転入力端へ接続させる。 従って、この期間中に、電荷がコンデンサCI2から転
送される。次のクロック位相期間中、コンデンサCI1
上の電荷が増幅器32へ転送され且つコンデンサCI2
が充電される。従って、各クロック位相期間中に、コン
デンサCI1又はCI2の何れかが電荷を転送し、その
際に保持用コンデンサの必要性を除去している。この別
の入力回路網の実効抵抗値は次式によって表わされる。 RSC=1/2fs C              
(5)尚、RSC:実効抵抗値fs :コンデンサCI
1及びCI2の容量トランジスタMの小信号抵抗値が1
/2fs Cと等しいようにトランジスタMのゲート電
圧を制御することによって単位利得を得ることが可能で
ある。
【0044】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論である
【図面の簡単な説明】
【図1】  モノリシック集積回路連続時間フィルタ及
び本発明に基づく関連した同調回路を示した概略ブロッ
ク図。
【図2】  図1の同調回路の詳細な構成を示した概略
図。
【図3】  図2の同調回路に対する別のスイッチトキ
ャパシタ回路網を示した概略図。
【符号の説明】
12  連続時間フィルタ 18  同調回路 20  スイッチトキャパシタ増幅器 30  比較回路 CI   コンデンサ M    トランジスタ

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  フィルタ用の制御信号を発生する同調
    回路において、前記同調回路及びフィルタは共通のモノ
    リシック集積回路として構成されており且つ前記フィル
    タは少なくとも1個のトランジスタと1個のコンデンサ
    とを有しており、前記モノリシック集積回路内に位置さ
    れているコンデンサの関数である実効的第一抵抗値を発
    生する第一抵抗値手段が設けられており、前記モノリシ
    ック集積回路内に位置されているトランジスタの抵抗値
    の関数である実効的第二抵抗値を発生する第二抵抗値手
    段が設けられており、前記第一及び第二抵抗値の比の関
    数として制御信号を発生する制御手段が設けられており
    、前記制御信号が前記同調回路コンデンサ及びトランジ
    スタにおける変化と共に変化することを特徴とする同調
    回路。
  2. 【請求項2】  請求項1において、前記第一抵抗値手
    段がスイッチトキャパシタ回路網を有することを特徴と
    する同調回路。
  3. 【請求項3】  請求項2において、前記制御手段が前
    記第一抵抗値手段へ結合した入力端を持った増幅器を有
    することを特徴とする同調回路。
  4. 【請求項4】  請求項3において、前記第二抵抗値手
    段が前記増幅器に対するフィードバックを与えることを
    特徴とする同調回路。
  5. 【請求項5】  請求項4において、前記第二抵抗値手
    段のトランジスタがMOSトランジスタであり、そのソ
    ース電極及びドレイン電極は閉ループ増幅器を形成する
    ために増幅器出力端を増幅器入力端へ接続するフィード
    バック経路を画定していることを特徴とする同調回路。
  6. 【請求項6】  請求項5において、前記第一及び第二
    抵抗値の比が前記閉ループ増幅器の利得を決定すること
    を特徴とする同調回路。
  7. 【請求項7】  請求項6において、前記制御手段が、
    前記閉ループ増幅器利得の関数として制御信号を発生す
    る利得手段を有することを特徴とする同調回路。
  8. 【請求項8】  請求項7において、前記利得手段が、
    前記増幅器出力へ結合した第一入力端を持った比較器回
    路を有することを特徴とする同調回路。
  9. 【請求項9】  請求項8において、基準電圧を受取り
    且つ前記基準電圧を前記スイッチトキャパシタ回路網へ
    且つ前記比較器手段の第二入力端へ結合する手段が設け
    られていることを特徴とする同調回路。
  10. 【請求項10】  請求項9において、前記MOSトラ
    ンジスタが、前記制御電圧へ結合されたゲート電極を有
    しており、従って前記閉ループ利得が前記制御電圧にお
    ける変化と共に変化することを特徴とする同調回路。
  11. 【請求項11】  請求項1において、前記第一抵抗値
    手段のコンデンサと前記第二抵抗値手段のトランジスタ
    とが前記フィルタのコンデンサ及びトランジスタとマッ
    チしていることを特徴とする同調回路。
  12. 【請求項12】  フィルタ用の制御信号を発生する同
    調回路において、前記同調回路とフィルタとが共通のモ
    ノリシック集積回路内に構成されており且つ前記フィル
    タが少なくとも1個のトランジスタと1個のコンデンサ
    とを有しており、前記フィルタのコンデンサとマッチす
    る少なくとも1個のコンデンサを持ったスイッチトキャ
    パシタ回路網が設けられており、前記回路網は前記回路
    網がスイッチされる周波数と共に変化し且つ前記回路網
    のコンデンサの大きさと共に変化する実効抵抗値を持っ
    ており、同調回路トランジスタの制御電極へ印加される
    電圧と共に変化する実効抵抗値を持った同調回路トラン
    ジスタが設けられており、スイッチトキャパシタ回路網
    実効抵抗値及びトランジスタ実効抵抗値の相対的な大き
    さの関数として前記制御信号を与える電圧制御手段が設
    けられており、前記同調回路トランジスタ制御電極にお
    ける電圧が前記制御信号の関数であることを特徴とする
    同調回路。
  13. 【請求項13】  請求項12において、前記制御手段
    が、これら二つの実効抵抗値の相対的な大きさを表わす
    信号へ結合される第一入力端を持った比較器回路を有す
    ることを特徴とする同調回路。
  14. 【請求項14】  請求項13において、前記スイッチ
    トキャパシタ回路網が前記回路網コンデンサを充電する
    ための基準電圧を受取り、前記基準電圧は更に前記比較
    器回路の第二入力端へ結合されることを特徴とする同調
    回路。
  15. 【請求項15】  請求項14において、これら二つの
    実効抵抗値の大きさの比が1であることを特徴とする同
    調回路。
  16. 【請求項16】  集積回路フィルタを同調する方法に
    おいて、前記フィルタは少なくとも1個のトランジスタ
    と1個のコンデンサとを有しており、前記フィルタコン
    デンサにおける変化と共に変化する第一実効抵抗値を発
    生し、前記フィルタトランジスタにおける変化と共に変
    化する第二実効抵抗値を発生し、前記第一及び第二実効
    抵抗値の相対的大きさを所定値へ制御し、且つフィルタ
    を同調するために前記相対的大きさに応答して制御信号
    を発生する、上記各ステップを有することを特徴とする
    方法。
  17. 【請求項17】  請求項16において、前記第一実効
    抵抗値を発生するステップが、前記集積回路内に形成さ
    れているコンデンサを包含するスイッチトキャパシタ回
    路網を使用して行なわれることを特徴とする方法。
  18. 【請求項18】  請求項17において、前記第二実効
    抵抗値を発生するステップが、前記集積回路内に形成さ
    れたトランジスタを使用して行なわれることを特徴とす
    る方法。
  19. 【請求項19】  請求項16において、前記制御信号
    を発生するために使用されるコンデンサ及びトランジス
    タが、前記フィルタのコンデンサ及びトランジスタとそ
    れぞれマッチしていることを特徴とする方法。
  20. 【請求項20】  請求項16において、前記第一実効
    抵抗値を発生するステップがスイッチトキャパシタ回路
    網を使用して実施され、前記第二実効抵抗値を発生する
    ステップがトランジスタを使用して実施され、且つ前記
    第一及び第二実効抵抗値の相対的大きさを制御するステ
    ップが前記第二実効抵抗値を発生するために使用されて
    いるトランジスタの導通度を変化することによって実施
    されることを特徴とする方法。
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