JPH0428281A - Semiconductor laser device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザの発光素子として、半導体レザチップ
を使用した半導体レーザ装置の改良に関するものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to improvement of a semiconductor laser device using a semiconductor laser chip as a laser light emitting element.
一般に、この種の半導体レーザ装置は、第９図、第１０
図及び第１１図に示すように、炭素鋼等の金属にて円盤
型に形成したステム１の上面に、金属製のブロック体２
を突出して、このフロック体２の側面に、半導体レーザ
チップ３を半導体基板４を介してタイボンデインクする
一方、前記ステム１の上面に、カラス窓６を備えた炭素
鋼等の金属製のキャップ体５を、前記半導体レーザチッ
プ３及びブロック体２に被嵌するように配設して、この
ギャップ体５の全周を前記ステム１の−Ｌ面に対して抵
抗溶接にて固着することによって密封し、前記半導体レ
ーザチップ３に対する三本のリ−１・端子７ａ、７ｂ、
７ｃのうち一本のり−１・端子７ａを、前記ステム１に
対して溶接にて固着し、他の二本のり−１・端子７ｂ、
７ｃを、前記ステム１に穿設した孔１ａ、、ｌｂから挿
入したのち、ガラスシール材８にて絶縁シール状態で固
着すると言うに構成している。なお、この二本のリード
端子７ｂ、７ｃを絶縁シール上端で固着する工程は、前
記キャップ体５をステム１に固着する工程、及びステム
１におけるブロック体２に半導体レーサチップ３をダイ
ボンディングする工程の前に行う。Generally, this type of semiconductor laser device is shown in FIGS. 9 and 10.
As shown in the figure and FIG.
A semiconductor laser chip 3 is tied-bonded to the side surface of the flock body 2 via a semiconductor substrate 4, while a cap made of metal such as carbon steel and provided with a glass window 6 is attached to the upper surface of the stem 1. By arranging the gap body 5 so as to fit over the semiconductor laser chip 3 and the block body 2, and fixing the entire circumference of the gap body 5 to the -L surface of the stem 1 by resistance welding. The three lead terminals 7a, 7b for the semiconductor laser chip 3 are sealed.
7c, one glue-1/terminal 7a is fixed to the stem 1 by welding, and the other two glue-1/terminals 7b,
7c is inserted through the holes 1a, 1b drilled in the stem 1, and then fixed with a glass sealing material 8 in an insulating sealed state. Note that the step of fixing these two lead terminals 7b and 7c at the upper end of the insulating seal is the same as the step of fixing the cap body 5 to the stem 1 and the step of die-bonding the semiconductor laser chip 3 to the block body 2 in the stem 1. Do it before.
しかし、この従来の半導体レーザ装置は、ステム１の上
面における半導体レーザチップ固着用のブロック体２を
、炭素鋼製のステム１を冷間鍛造に際して同時に造形す
るようにしているので、冷間鍛造するときに使用する金
型の寿命が著しく低いと共に、その冷間鍛造に際しては
、頑丈で、且つ、高い精度の冷間鍛造機が必要であって
、ブロック体２付きステム１の冷間鍛造にコストが大幅
に嵩むのである。However, in this conventional semiconductor laser device, the block body 2 for fixing the semiconductor laser chip on the upper surface of the stem 1 is formed at the same time as the carbon steel stem 1 is cold forged. In some cases, the life of the mold used is extremely short, and cold forging requires a sturdy and highly accurate cold forging machine, which increases the cost of cold forging the stem 1 with the block body 2. increases significantly.
しかも、従来の半導体レーザ装置は、その半導体レーザ
チップ３に対する三本のリード端子７ａ。Moreover, the conventional semiconductor laser device has three lead terminals 7a for the semiconductor laser chip 3.
７ｂ、７ｃのうち二本のリード端子７ｂ、７ｃを、金属
製のステム１における孔１ａ、ｌｂに挿入し、ガラスシ
ール材８にて絶縁シール状態で固着する構成にしている
が、この二本のリード端子７ｂ。Two of the lead terminals 7b and 7c are inserted into the holes 1a and lb in the metal stem 1, and are fixed in an insulating seal state with the glass sealing material 8. lead terminal 7b.
７Ｃのカラスシール祠８による固着に際しては、両リー
ト端子７ｂ、７ｃにガラス管を被嵌したのちステムにお
ける孔に挿入すると言う複雑な工程が必要であることに
加えて、高温に加熱することが必要であり、この高温の
加熱によってステム］の全体が変色することにより、そ
の後処理として酸洗いしたのちメツキを施すようにしな
ければならないから、両リード端子７ｂ、７ｃをステム
１に対して絶縁シール状態で固着することに要するコス
トが大幅に嵩むことになるから、前記ブロック体２付き
ステム１の製作にコストが大幅に嵩むことと相俟って、
半導体レーザ装置の価格が著しく高くなると言う問題が
あった。When fixing with the crow seal 8 of 7C, a complicated process of fitting a glass tube to both lead terminals 7b and 7c and then inserting it into a hole in the stem is required, and in addition, it requires heating to a high temperature. Since the entire stem changes color due to this high-temperature heating, it must be pickled and then plated as a subsequent treatment. Since the cost required for fixing the block body 2 in this state will increase significantly, the cost for manufacturing the stem 1 with the block body 2 will increase significantly.
There was a problem in that the price of the semiconductor laser device increased significantly.
本発明は、ブロック体付きステムの製作、各リード端子
をステムに対して絶縁シール状態で固着することに要す
るコストを確実に低減できると共に、軽量化できるよう
にした半導体レーザ装置を提供することを目的とするも
のである。An object of the present invention is to provide a semiconductor laser device that can reliably reduce the cost required for manufacturing a stem with a block body and for fixing each lead terminal to the stem in an insulating seal state, and can also reduce the weight. This is the purpose.
この目的を達成するため本発明は、炭素鋼等の金属にて
円盤型に形成したステムの表面にブロック体を設け、該
ブロック体に半導体レーザチップを固着して成る半導体
レーザ装置において、前記ステムに、略コ字状の切線を
刻設し、この切線よりも内側の部分を、前記ステムの表
面に突出するように折曲げて、前記半導体レーザチップ
固着用のブロック体を形成する一方、前記ステムの裏面
には、下向きに突出する筒体を一体的に設け、該筒体内
に、前記半導体レーザチップに対する複数本のリード端
子をインサートして成る合成樹脂製の裏板を挿入し、更
に、前記筒体の下端を内側にかしめ付ける構成にした。To achieve this object, the present invention provides a semiconductor laser device in which a block body is provided on the surface of a disc-shaped stem made of metal such as carbon steel, and a semiconductor laser chip is fixed to the block body. A substantially U-shaped cutting line is cut in the stem, and a portion inside the cutting line is bent so as to protrude from the surface of the stem to form a block body for fixing the semiconductor laser chip. A cylindrical body projecting downward is integrally provided on the back surface of the stem, a synthetic resin back plate having a plurality of lead terminals for the semiconductor laser chip inserted therein is inserted into the cylindrical body, and further, The lower end of the cylindrical body is caulked inward.
このように、ステムに、コ字状の切線を刻設しその内側
の部分をステムの表面に突出するように折曲げてブロッ
ク体に形成したことにより、このブロック体と筒体とを
備えたステムを、金属板からの打ち抜きプレス加工によ
って製造することができるから、ブロック体付きステム
を、前記従来のように、冷間鍛造にて製作するものに比
べて、至極容易に、低コストで製造することができるの
である。In this way, by carving a U-shaped cutting line on the stem and bending the inner part of the cut line so as to protrude from the surface of the stem to form a block body, it is possible to create a block body with a block body and a cylindrical body. Since the stem can be manufactured by punching and pressing from a metal plate, it is extremely easy to manufacture a stem with a block body at a low cost compared to the conventional method of manufacturing by cold forging. It is possible.
一方、ステムにおけるブロック体を、前記のようにして
形成したことにより、ステムには、貫通孔が明くことに
なるか、この貫通孔は、前記ステムの裏面に筒体を一体
的に設け、この筒体内に合成樹脂製の裏板を挿入したの
ち、前記筒体の下端を内側にかしめ付けたことにより、
完全に塞ぐことができるのであり、しかも、半導体レー
ザチップに対する複数本のリード端子を、前記合成樹脂
製の裏板にインサートしたことにより、当該合成樹脂製
の裏板を成形するとき、当該裏板に対して前記各リード
端子を絶縁シール状態で確実に固着する。ことができる
から、前記従来のように、金属製のステムに対して複数
本のリード端子をガラスシール材によって固着する場合
のような複雑な工程、高温加熱、及び高温加熱後の後処
理としてのメツキ処理を必要としないのである。On the other hand, by forming the block body in the stem as described above, the stem has a through hole, or this through hole is formed by integrally providing a cylinder on the back surface of the stem, After inserting a synthetic resin back plate into this cylindrical body, the lower end of the cylindrical body was caulked inward.
Moreover, by inserting a plurality of lead terminals for the semiconductor laser chip into the synthetic resin backing plate, when molding the synthetic resin backing plate, the backing plate can be closed completely. Each of the lead terminals is securely fixed to the terminal in an insulating seal state. Therefore, as in the conventional method, complicated processes such as the case of fixing multiple lead terminals to a metal stem with a glass sealant, high temperature heating, and post-treatment after high temperature heating are required. There is no need for plating.
従って本発明によると、半導体レーザ装置におけるブロ
ック付きステムの製作に要するコスト、及びステムに対
して複数本のり−１・端子を絶縁シル状態で固着するこ
とに要するコストを大幅に低減することができるから、
半導体レーザ装置を、著しく安価に提供できるのである
。Therefore, according to the present invention, it is possible to significantly reduce the cost required for manufacturing a stem with a block in a semiconductor laser device, and the cost required for fixing a plurality of glues and terminals to the stem in an insulating seal state. from,
A semiconductor laser device can be provided at a significantly lower cost.
しかも、本発明は、前記合成樹脂製の裏板を、ステムに
おける筒体内に挿入したのち、筒体の下端をかしめ付け
ることによってステムに対して固着するものであるから
、この裏板のステムに対して強固に固着できると共に、
筒体の存在によって、ステムからの放熱量の増大を図る
ことができるのである。Moreover, in the present invention, after the synthetic resin back plate is inserted into the cylindrical body of the stem, the lower end of the cylindrical body is caulked to be fixed to the stem. It can be firmly fixed against
The presence of the cylindrical body makes it possible to increase the amount of heat dissipated from the stem.
その上、本発明は、半導体レーサチップ固着用のフロッ
ク体を、ステムにコ字状切線を刻設し、この切線よりも
内側の部分を折曲げることによって形成したもので、換
言すると、ステムにおける一部を利用してブロック体を
造形するものであるから、前記従来のものに比べて、半
導体レーザ装置の重量を、前記ブロック体の分だけ軽量
化できる効果をも有する。Furthermore, the present invention provides a flock body for fixing a semiconductor laser chip that is formed by carving a U-shaped cutting line in the stem and bending the part inside the cutting line. Since the block body is formed by using the block body, it also has the effect that the weight of the semiconductor laser device can be reduced by the weight of the block body, compared to the conventional device.
以下、本発明の実施例を図面について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図〜第５図は、第１の実施例を示し、この図におい
て符号１０は、炭素鋼等の金属にて円盤型に形成したス
テム１１と、ガラス窓１６を備えた炭素鋼等の金属製の
キャップ体１５とによって構成された半導体レーザ装置
を示す。1 to 5 show a first embodiment, and in these figures, reference numeral 10 denotes a stem 11 made of metal such as carbon steel in a disc shape, and a stem 11 made of carbon steel or the like with a glass window 16. A semiconductor laser device configured with a metal cap body 15 is shown.
前記ステム１１には、第４図の平面視においてコ字状の
切線１９を刻設して、この切線１９よりも内側の部分を
、前記キャップ体１５内に向かって折曲けることによっ
て、ブロック体１２を一体的に造形する。従って、ステ
ム１１には、前記ブロック体１２の造形により、貫通孔
２０が明くことになる。A U-shaped cutting line 19 is carved in the stem 11 when viewed from above in FIG. The body 12 is integrally modeled. Therefore, a through hole 20 is formed in the stem 11 due to the shape of the block body 12.
また、前記ステム１１における下面には、下向きに突出
する筒体２１を一体的に造形すると共に、前記半導体レ
ーサチップ１３に対する複数本のリート端子１７ａ、１
７ｂ、１７ｃのうち一本のリート端子１．７ ａを、抵
抗溶接にて固着する。Further, a downwardly protruding cylindrical body 21 is integrally formed on the lower surface of the stem 11, and a plurality of lead terminals 17a, 1 for the semiconductor laser chip 13 are formed.
One of the lead terminals 7b and 17c, 1.7a, is fixed by resistance welding.
一方、第３図において符号２２は、前記複数本のり−１
一端子１７ａ、］、７ｂ、］、７ｃのうち他の二本のリ
−１・端子１７ｂ、１．７ｃを一体的に造形したリード
フレームを示し、該り−トフレーム２２における二本の
り−ト端子１７１：）、１７Ｃの部分に、前記ステム１
１における筒体２１内に嵌まるように構成したエポキシ
等の熱硬化性合成樹脂製の裏板１８を、当該裏板１８内
に前記両す−１・端子１．７１：１，１．７ｃをインサ
ートするようにして成形する。On the other hand, in FIG.
A lead frame is shown in which the other two terminals 17a, ], 7b, ], and 7c are integrally formed, and the two terminals in the lead frame 22 are shown. The stem 1 is connected to the terminal 171: ), 17C
A back plate 18 made of thermosetting synthetic resin such as epoxy and configured to fit inside the cylindrical body 21 in 1 is inserted into the back plate 18 with the terminals 1.71:1, 1.7c Insert and mold.
前記裏板１８に、前記ステム１１を、当該ステム１１に
おける筒体２１が被嵌するように装着したのち、ステム
１１における筒体２１の下端を、第５図に矢印Ａで示す
ように、内側に向かってかしめ付けることにより（この
かしめ付ける圧痕を符号２１ａで示す）、前記ステム１
１における筒体２１内に、前記裏板１８を固着する。After attaching the stem 11 to the back plate 18 so that the cylindrical body 21 of the stem 11 is fitted, the lower end of the cylindrical body 21 of the stem 11 is inserted inside as shown by arrow A in FIG. By caulking toward the stem 1 (this caulking impression is indicated by reference numeral 21a),
The back plate 18 is fixed inside the cylindrical body 21 in 1.
なお、前記のかしめ付けは、筒体２１の全周にわたって
行うようにしても良いが、全周のうち複数箇所の部分に
対して行うように構成しても良い。Note that the caulking described above may be performed over the entire circumference of the cylindrical body 21, but it may also be configured to be performed on a plurality of portions of the entire circumference.
そして、前記ステム１１に対する裏板１８の固着後にお
いて、ステム１１におけるブロック体１２の側面に、半
導体レーサチップ１３を、表面の一部にモニター用フォ
トダイオードを備えた半導体基板１４を介してダイボン
ディングしたのち、前記半導体レーサチップ１３と半導
体基板１４との間、及び前記半導体基板１４と前記両リ
ート端子１７ｂ、１７ｃとの間を、各々金線にてワイヤ
ーボンディングし、そして、前記キャップ体１５を被嵌
したのち、このキャップ体１５の周囲を、前記ステム１
１に対して抵抗溶接することによって密閉する。After fixing the back plate 18 to the stem 11, a semiconductor laser chip 13 was die-bonded to the side surface of the block body 12 in the stem 11 via a semiconductor substrate 14 having a monitoring photodiode on a part of the surface. Thereafter, wire bonding is performed between the semiconductor laser chip 13 and the semiconductor substrate 14, and between the semiconductor substrate 14 and both the lead terminals 17b and 17c using gold wires, and then the cap body 15 is fitted. After that, the stem 1 is wrapped around the cap body 15.
1 by resistance welding.
このように、ステム１１に、コ字状の切線１９を刻設し
その内側の部分をキャップ体１５内に向かって折曲げて
フロック体１２に形成する一方、下向きに突出する筒体
２１を一体的に造形したことにより、このブロック体１
２と筒体２１とを備えたステム１１を、金属板からの打
ち抜きプレス加工によって製造することができる。In this way, the stem 11 is cut with a U-shaped cut line 19 and the inner part thereof is bent toward the inside of the cap body 15 to form the flock body 12, while the downwardly protruding cylindrical body 21 is integrally formed. By modeling this block body 1
2 and the cylindrical body 21 can be manufactured by punching and pressing a metal plate.
一方、ステム１１におけるブロック体１２を、前記のよ
うにして形成したことにより、ステム１１には、貫通孔
２０が明くことになるが、この貫通孔２０は、前記ステ
ム１１゛の下面に造形した筒体２１内に合成樹脂製の裏
板１８を挿入したのち、前記筒体２１の下端を内側にか
しめ付けたことにより、完全に塞ぐことができるのであ
り、また、半導体レーザチップ１３に対する両リード端
子１７ｂ、１７ｃを、前記合成樹脂製の裏板１８にイン
サートしたことにより、当該合成樹脂製の裏板１８を成
形するとき、当該裏板１８に対して前記両リード端子１
７ｂ、１７ｃを絶縁シール状態で確実に固着することが
できるのである。On the other hand, by forming the block body 12 in the stem 11 as described above, a through hole 20 is formed in the stem 11, and this through hole 20 is formed on the lower surface of the stem 11'. After inserting the back plate 18 made of synthetic resin into the cylindrical body 21, the lower end of the cylindrical body 21 is caulked inward, so that it can be completely closed. By inserting the lead terminals 17b and 17c into the synthetic resin back plate 18, when molding the synthetic resin back plate 18, both lead terminals 1 are inserted into the synthetic resin back plate 18.
7b and 17c can be reliably fixed in an insulating seal state.
なお、前記裏板１８の表面に接着剤を塗布したのちステ
ム１１における筒体２１内に挿入するように構成したり
、或いは、前記のかしめ付は後において、ステム１１に
おける貫通孔２０内に熱硬化性の合成樹脂２３を液体状
態で充填したのち硬化するように構成することにより、
前記のシール性をより向上できるのである。The back plate 18 may be configured to be inserted into the cylindrical body 21 of the stem 11 after being coated with an adhesive on the surface thereof, or the caulking may be performed later by applying heat to the through hole 20 of the stem 11. By filling the curable synthetic resin 23 in a liquid state and then curing it,
The above-mentioned sealing performance can be further improved.
そして、前記ステム１１におけるブロック体１２に対し
て半導体基板１４を介してダイボンディングした半導体
レーザチップ１３から発生ずる熱は、ブロック体１２か
らステム１１及び筒体２１に熱伝達したのち放熱される
のであるが、この場合において、半導体レーザチップ１
３からステム１１への熱伝達を更に促進するには、ステ
ム１１に、コ字状切線１９を刻設しその内側の部分を折
曲げることによって形成されるブロック体１２を、第６
図、第７図及び第８図に示すように、ステム１１に対す
る付は根部における幅寸法Ｗ１を先端部における幅寸法
Ｗ２よりも大きくして成る台形状に形成すれば良いので
あり、その他の構成は、前記第１の実施例と同様である
。Heat generated from the semiconductor laser chip 13 die-bonded to the block body 12 of the stem 11 via the semiconductor substrate 14 is transferred from the block body 12 to the stem 11 and the cylindrical body 21 and then radiated. However, in this case, the semiconductor laser chip 1
In order to further promote heat transfer from the stem 11 to the stem 11, the block body 12 is formed by carving a U-shaped cut line 19 in the stem 11 and bending the inner part of the cut line 19.
7 and 8, the attachment to the stem 11 may be formed into a trapezoidal shape in which the width W1 at the root is larger than the width W2 at the tip, and other configurations may be used. is the same as in the first embodiment.
また、ステム１１におけるブロック体１２を、前記のよ
うに台形状に形成する場合には、この台形状のブロック
体１２における左右両側１２ａ。Further, when the block body 12 in the stem 11 is formed into a trapezoidal shape as described above, the left and right sides 12a of the trapezoidal block body 12.
１２ｂを、裏板１８に対して固着される両リード端子１
７ｂ、１．７ｃよりも遠ざかる方向に屈曲することによ
り、当該台形状のブロック体１２か、前記両リード端子
１７ｂ、１７ｃに対して接近・干渉することを回避でき
るのである。12b as both lead terminals 1 fixed to the back plate 18.
By bending in a direction farther away than 7b and 1.7c, it is possible to avoid the trapezoidal block 12 from approaching and interfering with the lead terminals 17b and 17c.
第１図〜第８図は本発明の実施例を示し、第１図は第１
の実施例を示す縦断正面図、第２図は第１図のＩＩ−Ｉ
Ｉ視折断面図第３図は分解した状態の断面図、第４図は
第３図のＩＶ−Ｎ視平面図、第５図はかしめ付けの状態
を示す断面図、第６図は第２の実施例を示す平面図、第
７図は第６図の■■視断面図、第８図は第６図の■−■
視断面断面図９図は従来の例を示す縦断正面図、第１０
図は第９図のＸ−Ｘ面断面図、第１１図は第９図のＸＩ
−ＸＩ視断面図である。
１０・・・・半導体レーザ装置、１１・・・・ステム、
１２・・・・ブロック体、１３・・・・半導体レーザチ
ップ、１４・・・・半導体基板、１５・・・・キャップ
体、１６・・・・ガラス窓、］、 ７ ａ、 １７
ｂ、 ］、 ７ ｃ−・−リード端子、１８・・・・
裏板、１９・・・・切線、２０・・・・貫通孔、２１・
・・・筒体、２１ａ・・・・かしめ付けの圧痕。
第９図1 to 8 show embodiments of the present invention, and FIG. 1 is a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a longitudinal sectional front view showing an embodiment of the invention, and FIG.
3 is a sectional view of the exploded state, FIG. 4 is a plan view taken along the line IV-N of FIG. 3, FIG. 5 is a sectional view of the crimped state, and FIG. FIG. 7 is a plan view showing the embodiment of FIG. 6, and FIG. 8 is a cross-sectional view of FIG.
Fig. 9 is a longitudinal sectional front view showing a conventional example;
The figure is a sectional view taken along the line X-X in Figure 9, and Figure 11 is a cross-sectional view taken along line XI in Figure 9.
-XI sectional view. 10... Semiconductor laser device, 11... Stem,
12... Block body, 13... Semiconductor laser chip, 14... Semiconductor substrate, 15... Cap body, 16... Glass window, ], 7 a, 17
b, ], 7 c--Lead terminal, 18...
Back plate, 19... cutting line, 20... through hole, 21...
...Cylinder body, 21a...Indentation from caulking. Figure 9
Claims (1)
表面にブロック体を設け、該ブロック体に半導体レーザ
チップを固着して成る半導体レーザ装置において、前記
ステムに、略コ字状の切線を刻設し、この切線よりも内
側の部分を、前記ステムの表面に突出するように折曲げ
て、前記半導体レーザチップ固着用のブロック体を形成
する一方、前記ステムの裏面には、下向きに突出する筒
体を一体的に設け、該筒体内に、前記半導体レーザチッ
プに対する複数本のリード端子をインサートして成る合
成樹脂製の裏板を挿入し、更に、前記筒体の下端を内側
にかしめ付けたことを特徴とする半導体レーザ装置。(1) In a semiconductor laser device in which a block body is provided on the surface of a disk-shaped stem made of metal such as carbon steel, and a semiconductor laser chip is fixed to the block body, the stem has a substantially U-shaped shape. A cut line is carved into the stem, and a portion inside the cut line is bent so as to protrude from the surface of the stem to form a block body for fixing the semiconductor laser chip.On the back surface of the stem, A cylindrical body projecting downward is integrally provided, a back plate made of synthetic resin in which a plurality of lead terminals for the semiconductor laser chip are inserted is inserted into the cylindrical body, and a lower end of the cylindrical body is inserted into the cylindrical body. A semiconductor laser device characterized by caulking on the inside.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133452A JP2560130B2 (en) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133452A JP2560130B2 (en) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | Semiconductor laser device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0428281A true JPH0428281A (en) | 1992-01-30 |
| JP2560130B2 JP2560130B2 (en) | 1996-12-04 |
Family
ID=15105113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2133452A Expired - Fee Related JP2560130B2 (en) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | Semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560130B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003110181A (en) * | 2001-07-26 | 2003-04-11 | Sharp Corp | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183067U (en) * | 1984-11-07 | 1986-06-02 | ||
| JPS61149365U (en) * | 1985-03-07 | 1986-09-16 |
-
1990
- 1990-05-23 JP JP2133452A patent/JP2560130B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183067U (en) * | 1984-11-07 | 1986-06-02 | ||
| JPS61149365U (en) * | 1985-03-07 | 1986-09-16 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2003110181A (en) * | 2001-07-26 | 2003-04-11 | Sharp Corp | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2560130B2 (en) | 1996-12-04 |
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