DE10117890B4 - Method for producing a radiation-receiving and / or-emitting semiconductor component and radiation-receiving and / or-emitting semiconductor component - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfangenden und/oder -emittierenden Halbleiterbauelements, umfassend die Verfahrensschritte in der angegebenen Reihenfolge:
a) Herstellen und Bereitstellen eines elektrischen Leiterrahmens (2) mit mindestens einem Chipmontagebereich (11), mindestens einem Drahtanschlußbereich (10) und mindestens einem externen elektrischen Anschlußstreifen (3a, b);
b) Montieren eines strahlungsemittierenden und/oder -empfangenden Chips (5) auf den Chipmontagebereich (11) mittels eines thermisch gut leitenden Verbindungsmaterials (21), dessen Schmelztemperatur oberhalb der Löttemperatur von nachfolgenden Bauelementmontageschritten liegt;
c) Anlegen einer Spritzguß- oder Spritzpressform (22) an den Leiterrahmen, derart, dass der Halbleiterchip (5) in einer Chip-Kavität (24) eines Formstempels (25) der Spritzguß- oder Spritzpressform (22) für ein Strahlungsfenster (8) zu liegen kommt, die gegenüber einer später auszuspritzenden Gehäuse-Kavität (26) abgeschlossen ist;
d) Umspritzen oder Umpressen des Leiterrahmens (2) mit einem Gehäusegrundkörper (1) mit Strahlungsfenster (8), derart, dass der Halbleiterchip (5) in dem Strahlungsfenster (8) angeordnet ist; und
e) Verkapseln des Halbleiterchips (5).Method for producing a radiation-receiving and / or emitting semiconductor component, comprising the method steps in the stated order:
a) producing and providing an electrical lead frame (2) having at least one chip mounting region (11), at least one wire connection region (10) and at least one external electrical connection strip (3a, b);
b) mounting a radiation-emitting and / or receiving chip (5) on the chip mounting region (11) by means of a thermally highly conductive bonding material (21) whose melting temperature is above the soldering temperature of subsequent component assembly steps;
c) applying an injection-molding or injection-compression mold (22) to the leadframe, such that the semiconductor chip (5) in a chip cavity (24) of a forming punch (25) of the injection molding or transfer molding mold (22) for a radiation window (8) comes to rest, which is completed against a later auszuspritzenden housing cavity (26);
d) encapsulating or pressing over the leadframe (2) with a housing base body (1) with radiation window (8), such that the semiconductor chip (5) is arranged in the radiation window (8); and
e) encapsulating the semiconductor chip (5).

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfangenden und/oder -emittierenden Halbleiterbau elements gemäß dem den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und ein strahlungsempfangendes und/oder -emittierendes Halbleiterbauelement.The The invention relates to a method for producing a radiation-receiving and / or emitting Halbleiterbau elements according to the Features of claim 1 and a radiation-receiving and / or -emitting semiconductor device.

Die Druckschrift EP 0 400 176 A1 offenbart ein oberflächenmontierbares Opto-Bauelement mit einem Grundkörper, der mit Hilfe einer Bestückvorrichtung automatisch bestückbar ist und mindestens einen optischen Sender und/oder Empfänger enthält und mit einer optischen Einrichtung zur Formung des abzustrahlenden und/oder zu empfangenden Lichts.The publication EP 0 400 176 A1 discloses a surface mountable opto-device having a base body which is automatically populated with the aid of a placement device and at least one optical transmitter and / or receiver includes and with an optical means for shaping the radiated and / or to be received light.

In der Druckschrift DE 199 45 675 A1 ist ein oberflächenbefestigbares LED-Gehäuse mit einem Wärmesenkengrundelement offenbart.In the publication DE 199 45 675 A1 there is disclosed a surface mountable LED package having a heat sink base.

Die Druckschrift DE 195 36 463 A1 offenbart ein Laserdiodenbauelement, bei dem ein Halbleiterkörper mit einer Verbindungsschicht, die beispielsweise aus Hartlot besteht, auf einer elektrisch und thermisch leitenden Anschlussplatte befestigt ist.The publication DE 195 36 463 A1 discloses a laser diode device in which a semiconductor body with a connection layer, which consists for example of brazing, is mounted on an electrically and thermally conductive connection plate.

Für ein Hartlot, mit dem ein Laserdiodenchip mit einem Träger verbunden ist, offenbart die Druckschrift DE 199 00 335 A1 einen Schmelzpunkt von 280°C.For a braze with which a laser diode chip is connected to a carrier, the document discloses DE 199 00 335 A1 a melting point of 280 ° C.

Leiterrahmen für strahlungsemittierende Halbleiterbauelemente sind beispielsweise aus DE 195 36 454 A1 bekannt. Die hierin beschriebenen Halbleiterbauelemente weisen einen Gehäusegrundkörper mit darin eingebettetem Leiterrahmen sowie einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper auf, der auf den Leiterrahmen montiert ist. Der Leiterrahmen und der Gehäusegrundkörper sind zugleich als Reflektor für die erzeugte Strahlung ausgebildet. Der Halbleiterkörper ist mittels eines elektrisch leitenden Klebstoffes mit dem Leiterrahmen sowohl mechanisch als auch elektrisch verbunden.Lead frames for radiation-emitting semiconductor components are made, for example DE 195 36 454 A1 known. The semiconductor devices described herein comprise a package main body having a lead frame embedded therein and a radiation-emitting semiconductor body mounted on the lead frame. The lead frame and the housing base are also formed as a reflector for the generated radiation. The semiconductor body is connected by means of an electrically conductive adhesive to the lead frame both mechanically and electrically.

Bei derartigen Bauelementen, insbesondere solchen mit hohen optischen Leistungen, ist es wünschenswert, zwischen dem Halbleiterkörper und dem Leiterrahmen eine Verbindung herzustellen, die eine verbesserte Wärmeableitung vom Halbleiterkörper gewährleistet. Gleichzeitig soll die Verbindung zwischen Halbleiterkörper und Leiterrahmen auch bei Anwendung von herkömmlichen Bestückungstechniken für Halbleiterbauelemente, bei denen üblicherweise die Bauelemente mittels Weichlötverfahren auf Leiterplatten montiert werden, mechanisch stabil bleiben und nicht zu vermehrtem Ablösen der Halbleiterkörper vom Leiterrahmen führen.at Such devices, especially those with high optical Achievements, it is desirable between the semiconductor body and the lead frame to make a connection that has an improved heat dissipation ensured by the semiconductor body. At the same time, the connection between the semiconductor body and Leadframe also when using conventional assembly techniques for semiconductor devices, where usually the components by means of soldering mounted on printed circuit boards, remain mechanically stable and not to increased detachment the semiconductor body lead from the ladder frame.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Ein nach dem Verfahren hergestelltes bevorzugtes strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Bauelement ist Gegenstand des Patentanspruches 15.These The object is achieved by a method according to claim 1. One produced by the process preferred radiation-emitting and / or radiation-receiving component is the subject of the claim 15th

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der entsprechend abhängigen Ansprüche 2 bis 14 und 16 bis 23.advantageous Further developments of the invention are the subject of the corresponding dependent claims 2 to 14 and 16 to 23.

Das Verfahren gemäß der Erfindung umfaßt folgende Verfahrensschritte in der angegebenen Reihenfolge:

  • i) Herstellen und Bereitstellen eines elektrischen Leiterrahmens mit mindestens einem Chipmontagebereich, mindestens einem Drahtanschlußbereich und mindestens einem externen elektrischen Anschlußstreifen, beispielsweise zum Montieren und elektrischen Anschließen des Bauelements auf einer Leiterplatte;
  • ii) Montieren eines strahlungsemittierenden und/oder -empfangenden Chips auf den Chipmontagebereich mittels eines Lötmaterials, dessen Schmelztemperatur oberhalb der Löttemperatur von nachfolgenden Bauelementmontageschritten liegt;
  • iii) Umspritzen oder Umpressen des Leiterrahmens mit einem Gehäusegrundkörper, der ein Strahlungsfenster aufweist, derart, dass der Halbleiterchip in dem Strahlungsfenster angeordnet ist; und
  • iv) Verkapseln des Halbleiterchips.
The process according to the invention comprises the following process steps in the order given:
  • i) producing and providing an electrical lead frame having at least one chip mounting region, at least one wire connection region and at least one external electrical connection strip, for example for mounting and electrically connecting the component to a printed circuit board;
  • ii) mounting a radiation-emitting and / or receiving chip on the chip mounting area by means of a solder material whose melting temperature is above the soldering temperature of subsequent component mounting steps;
  • iii) overmolding or overmolding the leadframe with a housing base having a radiation window, such that the semiconductor chip is disposed in the radiation window; and
  • iv) encapsulating the semiconductor chip.

Bei diesem Verfahren wird eine Spritzform verwendet, bei der im geschlossenen Zustand der Halbleiterchip in einer Kavität eines das Strahlungsfenster aussparenden Stempels zu liegen kommt.at This method uses an injection mold, in which closed State of the semiconductor chip in a cavity of a radiation window saving stamp comes to rest.

Das Strahlungsfenster ist je nach Typ des Bauelements, ob strahlungsemittierend und/oder strahlungsempfangend, ein Strahlungsauskoppel- und/oder ein Strahlungseinkoppelfenster.The Radiation window is depending on the type of the device, whether radiation-emitting and / or radiation-receiving, a Strahlungsauskoppel- and / or a radiation coupling window.

Vorteilhafterweise wird der Halbleiterchip auf dem Leiterrahmen mittels eines gut elektrisch und thermisch leitenden Materials befestigt, dessen Schmelzpunkt sich bei oder oberhalb von 260°C befindet. Hierzu eignet sich besonders bevorzugt ein Hartlot.advantageously, the semiconductor chip on the lead frame by means of a good electrical and thermally conductive material, its melting point at or above 260 ° C located. For this purpose, a brazing material is particularly preferred.

Ein Oberseitenkontakt des Halbleiterchips wird vor oder nach dem Herstellen des Gehäusegrundkörpers mittels eines Bonddrahtes mit dem Drahtanschlußbereich des Leiterrahmens verbunden.One Top contact of the semiconductor chip is made before or after manufacturing of the housing base by means of a bonding wire to the wire terminal portion of the lead frame connected.

Bevorzugt wird nach dem Herstellen des Gehäusegrundkörpers der Halbleiterchip in der Ausnehmung mit strahlungsdurchlässigem Material umhüllt, beispielsweise vergossen oder umspritzt. Hierzu eignet sich insbesondere ein Reaktionsharz wie Epoxidharz, Silikonharz oder Acrylharz oder ein Gemisch dieser Materialien.Preferably, after the production of the housing base body, the semiconductor chip is enveloped in the recess with radiation-permeable material, for example potted or overmolded. For this purpose, in particular a reaction resin such as epoxy is suitable resin, silicone resin or acrylic resin or a mixture of these materials.

Die Montage des Chips auf den Leiterrahmen vor dem Umspritzen hat den Vorteil, daß hierfür auch Hochtemperaturverfahren, beispielsweise Hartlötverfahren, angewendet werden können. Vor dem Löten angespritzte Gehäuseteile könnten bei den dabei eingesetzten Löttemperaturen beschädigt werden.The Mounting the chip on the lead frame before overmolding has the Advantage that for this also high-temperature process, for example, brazing methods, can be applied. Before soldering molded housing parts could at the soldering temperatures used damaged become.

Aufgrund der Montage des Chips auf den Leiterrahmen vor dem Umspritzen mit dem Gehäusegrundkörper kann der Chip insbesondere bei Temperaturen über 260°C mittels eines Hartlötverfahrens aufgebracht werden. Damit wird ein besonders niedriger Wärmewiderstand zwischen Chip und Leiterrahmen erreicht. Zudem wird eine sehr temperaturbeständige Verbindung zwischen Chip und Leiterrahmen geschaffen und insbesondere beim Einlöten des Bauelements bei typischen Temperaturen bis etwa 260°C die Gefahr einer Ablösung des Chips verringert.by virtue of the assembly of the chip on the lead frame before the encapsulation with the housing base can the chip is applied in particular at temperatures above 260 ° C by means of a brazing process become. This results in a particularly low thermal resistance between the chip and lead frame reached. In addition, a very temperature-resistant compound created between the chip and the lead frame and in particular at solder the component at typical temperatures up to about 260 ° C the danger a replacement of the chip decreases.

Bei einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung weist der Leiterrahmen ein separat hergestelltes thermisches Anschlußteil auf, das in eine Einlegeöffnung eines Trägerteils des Leiterrahmens montiert ist.at a preferred embodiment of the invention, the lead frame a separately manufactured thermal connection part, which in an insertion opening of a support part of the lead frame is mounted.

Das thermische Anschlußteil umfaßt hierbei vorzugsweise den Chipmontagebereich. Die Einlegeöffnung weist bevorzugt die Form einer Klammer oder Öse auf, in die das thermische Anschlußteil eingeknüpft wird. Hierunter ist zu verstehen, daß das thermische Anschlußteil in die Einlegeöffnung des Leiterrahmens eingesetzt und umfangsseitig mit dem Leiterrahmen verbunden wird.The thermal connection part comprises in this case preferably the chip mounting area. The insertion opening points prefers the shape of a clip or eyelet into which the thermal connector knotted becomes. This is to be understood that the thermal connection part in the insertion opening used the lead frame and circumferentially with the lead frame is connected.

Dazu kann das thermische Anschlußteil in das Trägerteil beispielsweise geklammert und/oder mit diesem verquetscht oder vernietet sein, wobei eine Quetschverbindung durch hohe mechanische Festigkeit und gute elektrische Leitfähigkeit ausgezeichnet ist. Auch eine Löt- oder Schweißverbindung zwischen dem thermische Anschlußteil und dem Trägerteil ist hierfür geeignet.To can the thermal connection part in the carrier part for example, clamped and / or squeezed or riveted with this be, wherein a crimp connection by high mechanical strength and good electrical conductivity is excellent. Also a soldering or welded joint between the thermal connection part and the carrier part is for this suitable.

Vorteilhafterweise wird auf diese Weise ein mechanisch stabiles Trägergerüst für das Halbleiterbauelement gebildet, das mit vergleichsweise geringem technischem Aufwand herstellbar ist.advantageously, In this way, a mechanically stable carrier framework for the semiconductor component is produced formed, which can be produced with relatively little technical effort is.

Bevorzugt weist das thermische Anschlußteil eine Reflektorwanne auf. Bei einem damit gebildeten Bauelement verbessert damit das thermische Anschlußteil gleichzeitig die Strahlungsausbeute und die Strahlbündelung des Bauelements. Bei dieser Weiterbildung der Erfindung wird vorzugsweise ein metallisches thermisches Anschlußteil verwendet, da sich Metallflächen aufgrund geringer Absorptionsverluste und einer stark gerichteten, gegebenenfalls spiegelnden Reflexion sehr gut als Reflektorflächen eignen.Prefers has the thermal connection part a Reflector pan on. Improved in a thus formed device so that the thermal connection part at the same time the radiation yield and the beam bundling of the component. In this embodiment of the invention is preferably a metallic thermal connector is used because metal surfaces due to low absorption losses and a strongly directed, possibly reflecting Reflection very well as reflector surfaces are suitable.

Als Material für das thermische Anschlußteil eignen sich aufgrund der hohen Wärmeleitfähigkeit Metalle, insbesondere Kupfer oder Aluminium oder hieraus gebildete Legierungen. Weiterhin bevorzugte Materialien sind Molybdän, Eisen, Nickel und Wolfram sowie NiFe- und CuWo-Legierungen, deren thermischer Ausdehnungskoeffient gut an den thermischen Ausdeh nungskoeffizienten von Halbleitermaterialien wie beispielsweise GaAs, GaN und darauf basierenden Systemen, angepaßt ist. Weiter eignen sich als Material für das thermische Anschlußteil Keramiken und Halbleiter wie beispielsweise Silizium. Das thermische Anschlußteil kann auch mehrlagig, beispielsweise als Metall-Keramik-Verbundsystem gebildet sein.When Material for the thermal connection part are suitable due to the high thermal conductivity metals, in particular copper or aluminum or alloys formed therefrom. Further preferred materials are molybdenum, iron, nickel and tungsten and NiFe and CuWo alloys whose thermal expansion coefficient good at the thermal expansion coefficients of semiconductor materials such as GaAs, GaN and systems based thereon. Next suitable as a material for the thermal connection part ceramics and semiconductors such as silicon. The thermal connection part can also multi-layered, formed for example as a metal-ceramic composite system be.

Vorteilhafterweise wird die Chipmontagefläche mit einer Vergütung versehen, die die Oberflächeneigenschaften hinsichtlich der Aufbringung eines Chips (Bondeigenschaften) verbessert. Diese Vergütung kann beispielsweise eine Silber- oder Goldbeschichtung umfassen.advantageously, becomes the chip mounting surface with a fee provided the surface properties with respect to the application of a chip (bonding properties) improved. This remuneration may include, for example, a silver or gold coating.

Weitergehend ist es vorteilhaft, auch den Lötanschlußsteifen bzw. den Bonddrahtanschlußbereich mit einer die Löt- bzw. Bondeigenschaften verbessernden Oberflächenvergütung, beispielsweise einer Au-, Ag- Sn- oder Zn-Beschichtung, zu versehen.Proceeding It is advantageous, even the Lötanschlußsteifen or the bonding wire connection area with a soldering or Bondeigenschaften improving surface finish, such as a Au, Ag-Sn or Zn coating.

Bei der Ausführungsform mit separat hergestelltem thermischen Anschlußteil enthält das Trägerteil vorzugsweise Kupfer oder Weicheisen und kann beispielsweise aus entsprechenden Folien gestanzt werden. Das Trägerteil dient bei dieser Ausführungsform vorteilhafterweise nicht der Wärmeableitung und kann daher für die Funktion der Stromversorgung sowie hinsichtlich seiner Biegeeigenschaften und Haftung einer im folgenden noch genauer beschriebenen Formmasse optimiert werden.at the embodiment with separately manufactured thermal connection part, the support part preferably contains copper or soft iron and can, for example, from appropriate films be punched. The carrier part serves in this embodiment advantageously not heat dissipation and can therefore for the function of the power supply and in terms of its bending properties and Adhesion of a molding compound described in more detail below be optimized.

Dies umfaßt beispielsweise, daß das Trägerteil in seiner Dicke so ausgeführt ist, daß es aus einem Trägerband von der Rolle gefertigt, leicht gestanzt und in Form gebogen werden kann. Derartige Verarbeitungseigenschaften erlauben mit Vorteil eine automatisierte Fertigung und eine dichte Anordnung (geringer Pitch) der Einzelkomponenten auf dem Trägerband.This comprises for example, that support part in its thickness so executed Is that it is from a carrier tape made of the roll, easily punched and bent into shape can. Such processing properties allow with advantage an automated production and a dense arrangement (lower Pitch) of the individual components on the carrier tape.

Die hierfür erforderliche geringe Dicke des Trägerteils erschwert in der Regel eine ausreichende Kühlung des Chips.The therefor Required small thickness of the support member usually complicates adequate cooling of the chip.

Insbesondere ist aus Gründen der mechanischen Stabilität der Querschnitt eines thermischen Anschlusses begrenzt. Dieser Nachteil wird mittels dem eingeknüpften thermischen Anschlußteil behoben.In particular, for reasons of mechani limited stability of the cross-section of a thermal connection. This disadvantage is remedied by means of the knotted thermal connection part.

Der Gehäusegrundkörper ist vorzugsweise mittels einer Spritzguß- oder Spritzpreßmasse hergestellt. Dies erlaubt eine kostengünstige Herstellung des Gehäuses im Spritzguß- oder Spritzpressverfahren. Die Formmasse besteht beispielsweise aus einem Kunststoffmaterial auf der Basis von Epoxidharz oder Acrylharz, kann aber auch aus jedem anderen für den vorliegenden Zweck geeigneten Material bestehen.Of the Housing body is preferably produced by means of an injection molding or injection molding compound. This allows a cost-effective Production of the housing in injection molding or transfer molding. The molding compound is for example of a plastic material based on epoxy resin or acrylic resin, but can also be from any other suitable for the present purpose Material exist.

Bei der Ausführung mit thermischem Anschlußteil ist hinsichtlich einer optimalen Wärmeableitung vorteilhaft, das thermische Anschlußteil so in den Gehäusegrundkörper einzubetten, daß es teilweise aus dem Gehäusegrundkörper ragt oder einen Teil von dessen Oberfläche bildet und somit von außen thermisch anschließbar ist.at the execution with thermal connection part is advantageous in terms of optimal heat dissipation, the thermal connection part to embed in the housing base, that it partially protruding from the housing body or forms part of its surface and thus thermally from the outside connectable is.

Der Chipmontagebereich ist innerhalb des Strahlungsfensters angeordnet und bildet beispielsweise eine Begrenzungsfläche des Strahlungsfensters. Der Leiterrahmen und gegebenenfalls das thermische Anschlußteil können aber auch bis auf den Chipmontagebereich, den Drahtanschlußbereich und gegebenenfalls die von außen kontaktierbare thermische Anschlußfläche des thermischen Anschlußteiles mit Gehäuseformmasse umspritzt oder umpresst sein.Of the Chip mounting area is located within the radiation window and forms, for example, a boundary surface of the radiation window. The lead frame and possibly the thermal connection part but can also down to the chip mounting area, the wire connection area and if necessary from the outside Contactable thermal connection surface of the thermal connection part with housing molding compound be sprayed or pressed.

Die oben erläuterte Gehäuseform eignet sich insbesondere für oberflächenmontierbare Bauelemente, wobei die dem Strahlungsfenster gegenüberliegende Seite oder eine Seitenfläche des Gehäusegrundkörpers eine Auflagefläche des Bauelements bildet. Bevorzugt erstreckt sich gegebenenfalls das eingebettete thermische Anschlußteil bis zu dieser Auflagefläche, so daß über die Auflagefläche zugleich die Verlustwärme, beispielsweise an einen Kühlkörper oder ein PCB (printed circuit board/Leiterplatte) abgeführt wird. Dabei ist es vorteilhaft, das thermische Anschlußteil so auszuführen, daß ein Teil seiner Oberfläche zugleich die Auflagefläche oder eine Teilfläche hiervon bildet.The explained above Body shape is particularly suitable for surface mount Components, wherein the radiation window opposite Side or a side surface of the housing body a bearing surface of the component forms. Preferably, it extends as appropriate the embedded thermal connector part up to this bearing surface, so that about the bearing surface at the same time the heat loss, for example, to a heat sink or a PCB (printed circuit board) is dissipated. It is advantageous to carry out the thermal connection part so that a part of his surface at the same time the bearing surface or a partial area forms thereof.

Zur Steigerung der Strahlungsausbeute kann das Strahlungsfenster in dem Gehäusegrundkörper konisch geformt sein, so daß dessen Seitenwände einen Reflektor bilden. Durch diesen Reflektor können von einer auf dem Chipmontagebereich befindlichen Strahlungsquelle zur Seite emittierte Strahlungsanteile zur Hauptabstrahlungsrichtung hin umgelenkt werden. Damit wird eine Erhöhung der Strahlungsausbeute und eine verbesserte Bündelung der Strahlung erreicht.to Increasing the radiation yield can be the radiation window in the housing base conical be shaped so that its side walls form a reflector. Through this reflector can from one on the chip mounting area located radiation source to the side emitted radiation components be deflected towards the main emission direction. This will be a increase the radiation yield and improved bundling of the radiation achieved.

Vorteilhaft ist bei dem Reflektor eine Formgebung gewählt, bei der das thermische Anschlußteil einen ersten Teilbereich des Reflektors bildet, an den sich ein zweiter, von den Seitenwänden des Strahlungsfensters geformter Reflektorteilbereich anschließt. Bevorzugt ist die Gesamthöhe des Reflektors geringer als die vierfache Höhe des Chips. Dies gewährleistet eine hohe mechanische Stabilität und limitiert die aufgrund von Temperaturänderungen auftretenden Spannungen, wie sie beispielsweise bei Lötprozessen entstehen, auf ein tolerables Maß.Advantageous is selected in the reflector a shape in which the thermal connector forms a first portion of the reflector to which a second, from the side walls followed by the radiation window shaped reflector portion. Prefers is the total height of the reflector is less than four times the height of the chip. This ensures a high mechanical stability and limits the stresses due to temperature changes, as for example in soldering processes arise, to a tolerable level.

Um thermische Verspannungen zwischen Gehäuse, Chip und Verguß gering zu halten und insbesondere eine Delamination der Vergußabdeckung zu vermeiden, ist es vorteilhaft, das Vergußvolumen V so zu wählen, daß bezüglich der Höhe H des Chips die Relation V ≤ q·Herfüllt ist. Dabei bezeichnet q einen Skalierungsfaktor, dessen Wert kleiner als 10 mm2 ist und vorzugsweise 7 mm2 beträgt.In order to keep thermal stresses between the housing, chip and casting low and in particular to avoid delamination of the potting cover, it is advantageous to choose the potting volume V so that with respect to the height H of the chip, the relation V ≤ q · H is satisfied. In this case, q denotes a scaling factor whose value is less than 10 mm 2 and preferably 7 mm 2 .

Bei einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist der Leiterrahmen in ein erstes und ein zweites elektrisches Anschlußteil gegliedert, wobei gegebenenfalls das thermische Anschlußteil in das erste elektrische Anschlußteil eingeknüpft und der Bonddrahtanschlußbereich auf dem zweiten elektrischen Anschlußteil ausgebildet ist. Zur elektrischen Versorgung ist von einer Kontaktfläche des Chips eine Drahtverbindung zu dem Bonddrahtanschlußbereich geführt.at An advantageous development of the invention is the lead frame divided into a first and a second electrical connection part, where appropriate, the thermal connection part in the first electrical connector knotted and the bonding wire terminal area is formed on the second electrical connection part. to electrical supply is a wire connection of a contact surface of the chip to the bonding wire terminal area guided.

Ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements mit thermischem Anschlußteil beginnt mit der Bereitstellung eines Trägerteiles, das beispielsweise zuvor aus einem Band oder einer Folie gestanzt wurde.One Method for producing a component with thermal connection part begins with the provision of a carrier part, for example, previously punched from a tape or a foil has been.

Im nächsten Schritt wird ein separat gefertigtes thermisches Anschlußteil in eine dafür vorgesehene Öffnung des Trägerteils eingeknüpft. Nachfolgend wird der Chip auf das thermische Anschlußteil montiert, beispielsweise durch Auflöten. Abschließend wird der so gebildete Leiterrahmen mit einer geeigneten Gehäuseformmasse zur Ausbildung des Gehäuses umhüllt, beispielsweise in einem Spritzguß- oder Spritzpreßverfahren.in the next Step is a separately manufactured thermal connector in one for that provided opening the carrier part knotted. Subsequently, the chip is mounted on the thermal connection part, for example, by soldering. Finally becomes the thus formed lead frame with a suitable housing molding compound for the formation of the housing envelops, for example, in an injection molding or transfer molding process.

Weitere Merkmale, Vorzüge und Zweckmäßigkeiten der Erfindung werden nachfolgend anhand von fünf Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den 1 bis 5 erläutert.Other features, advantages and advantages of the invention will be described below with reference to five embodiments in conjunction with the 1 to 5 explained.

Es zeigenIt demonstrate

1a bis 1c eine schematische Darstellung eines Verfahrensablaufes gemäß der Erfindung zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Bauelements, 1a to 1c a schematic Dar providing a method sequence according to the invention for producing a surface-mounted component,

2 eine schematische Darstellung einer perspektivischen Schnittansicht eines Bauelementgehäuses, hergestellt nach einem erfindungsgemäßen Verfahren, 2 1 is a schematic representation of a perspective sectional view of a component housing produced by a method according to the invention;

3 eine schematische, perspektivische Ansicht des Bauelementgehäuses von 2 von oben, 3 a schematic, perspective view of the component housing of 2 from above,

4 eine schematische, perspektivische Ansicht des Bauelementgehäuses von 2 von unten, und 4 a schematic, perspective view of the component housing of 2 from below, and

5 einen schematischen Querschnitt eines weiteren Bauelementgehäuses, hergestellt nach dem erfindungsgemäßen Verfahren. 5 a schematic cross-section of another component housing, prepared by the method according to the invention.

Bei dem in den 1a bis 1c schematisch dargestellten Verfahrensablauf wird zunächst auf einen Chipmontagebereich 11 eines Leiterrahmens 2 ein strahlungsemittierender und/oder strahlungsempfangender Halbleiterchip 5 montiert (1a). Der Chip 5 wird hierbei mit dem Leiterrahmen 2 mittels einer Hartlotschicht 21, deren Schmelzpunkt bei oder oberhalb von 260°C liegt, verbunden.In the in the 1a to 1c schematically illustrated process flow is first on a chip mounting area 11 a ladder frame 2 a radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor chip 5 assembled ( 1a ). The chip 5 is here with the lead frame 2 by means of a brazing layer 21 , whose melting point is at or above 260 ° C connected.

Nachfolgend wird eine Spritzguß- oder Spritzpressform 22 in üblicher Weise an den Leiterrahmen angelegt in die dann, angedeutet durch den Pfeil 23 in 1b, Gehäuseformmasse eingespritzt oder eingepresst wird. Der Halbleiterchip 5 befindet sich hierbei in einer Chip-Kavität 24 eines Form-Stempels 25 der Spritzguß- oder Spritzpressform 22. Die Chip-Kavität 24 bildet zusammen mit dem Chipmontagebereich 11 des Leiterrahmens 2 einen gegenüber einer Gehäuse-Kavität 26 abgeschlossenen Hohlraum, in dem sich der Chip 5 befindet. Auf diese Weise wird beim Einspritzen der Formmasse in die Gehäuse-Kavität 26 der Chip 5 nicht umspritzt.The following is an injection or injection molding 22 in the usual way to the ladder frame created in the then, indicated by the arrow 23 in 1b , Housing molding compound is injected or pressed. The semiconductor chip 5 is located in a chip cavity 24 a mold stamp 25 the injection molding or injection molding 22 , The chip cavity 24 forms together with the chip mounting area 11 of the ladder frame 2 one opposite a housing cavity 26 enclosed cavity in which the chip 5 located. In this way, when injecting the molding material into the housing cavity 26 the chip 5 not overmoulded.

Die Gehäuseformmasse ist beispielsweise eine vorzugsweise mit reflektionssteigerndem Material gefüllte Spritzguß- oder Spritzpressmasse auf der Basis von Epoxidharz oder Acrylharz, kann aber auch aus jedem anderen für den vorliegenden Zweck geeigneten Material bestehen.The Housing molding compound For example, one is preferably with reflection increasing Material filled injection molding or molding compound based on epoxy resin or acrylic resin, but can also be from any other suitable for the present purpose Material exist.

Nach dem Umspritzen wird ein auf der Oberseite des Halbleiterchips 5 befindlicher Kontakt mittels eines Bonddrahtes 17 mit einem Drahtanschlußbereich 10 des Leiterrahmens 2 verbunden, bevor dann das mittels des Stempels 25 geformte Strahlungsfenster 8 mit strahlungsdurchlässigem Material vergossen wird. Das strahlungsdurchlässige Material ist beispielsweise ein Reaktionsharz wie Epoxidharz, Silikonharz oder Acrylharz oder ein Gemisch dieser Materialien oder jedes andere für den vorliegenden Zweck geeignete Material.After encapsulation, one is on top of the semiconductor chip 5 located contact by means of a bonding wire 17 with a wire connection area 10 of the ladder frame 2 before then that by means of the stamp 25 shaped radiation windows 8th is shed with radiolucent material. The radiation-transmissive material is, for example, a reaction resin such as epoxy resin, silicone resin or acrylic resin or a mixture of these materials or any other material suitable for the present purpose.

Der Leiterrahmen umfaßt zwei externe elektrische Anschlußteile 12a, b, die nach dem Umspritzen des Leiterrahmens mit dem Gehäusegrundkörper unter diesen gebogen werden und dort externe elektrische Anschlußstreifen 3a und 3b bilden, beispielsweise um das Bauelement auf eine Leiterplatte zu löten.The lead frame includes two external electrical connectors 12a , B, which are bent after the encapsulation of the lead frame with the housing base body under this and there external electrical connection strip 3a and 3b form, for example, to solder the device to a circuit board.

In 2 ist perspektivisch ein Längsschnitt durch ein Gehäuse dargestellt, das nach einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt ist. Das Gehäuse weist einen Grundkörper 1 aus Kunststoff auf, der beispielsweise mittels eines Spritzguß- oder Spritzpreßverfahrens hergestellt sein kann. In den Grundkörper 1 ist ein Leiterrahmen 2 mit zwei elektrischen Anschlußteilen 12a, b und einem darin eingeknüpften thermischen Anschlußteil 4 sowie Lötanschlußstreifen 3a und 3b eingebettet, wobei letztere aus dem Gehäusegrundkörper 1 herausragen. Auf der Seite des Chipanschlußbereichs 11 ist ein thermisches Anschlußteil 4 ausgebildet.In 2 is a perspective view of a longitudinal section through a housing, which is produced by a method according to the invention. The housing has a base body 1 made of plastic, which may be produced for example by means of an injection molding or transfer molding process. In the main body 1 is a ladder frame 2 with two electrical connection parts 12a , b and a thermal connection part knitted therein 4 as well as solder connection strips 3a and 3b embedded, the latter of the housing body 1 protrude. On the side of the chip connection area 11 is a thermal connection part 4 educated.

Das elektrische Anschlußteil 12a weist eine Öffnung in Form einer Öse auf. In die Ösenöffnung ist das thermische Anschlußteil 4 eingeknüpft. Dazu kann vorzugsweise das thermische Anschlußteil 4 paßgenau in die Ösenöffnung des elektrischen Anschlußteils 12a eingelegt und nachfolgend nach Art einer Niete mit dem elektrischen Anschlußteil 12a verquetscht werden. Alternative umfangsseitige Verbindungen zwischen dem thermischen 4 und dem elektrischen Anschlußteil 12a, bei spielsweise durch Vernieten, Verlöten oder Verschweißen, sind ebenfalls möglich.The electrical connection part 12a has an opening in the form of an eyelet. In the Ösenöffnung is the thermal connection part 4 knotted. For this purpose, preferably the thermal connection part 4 In register in the Ösenöffnung of the electrical connector 12a inserted and subsequently in the manner of a rivet to the electrical connection part 12a be crushed. Alternative circumferential connections between the thermal 4 and the electrical connector 12a , in example by riveting, soldering or welding, are also possible.

Das thermische Anschlußteil 4 ist im wesentlichen rotationssymmetisch und weist Vorsprünge 19 auf, die eine stabile Verankerung des Leiterrahmens 2 im Gehäusegrundkörper ermöglichen. Weiterhin kann in dem thermischen Anschlußteil 4, wie in den 3 und 5 gezeigt, eine zentrische Einsenkung in Form einer Reflektorwanne 16 gebildet sein, auf deren Bodenfläche ein Chipmontagebereich 11 zur Aufnahme eines strahlungsemittierenden Chips 5 vorgesehen ist. Die Seitenflächen der Einsenkung dienen als Reflektorflächen.The thermal connection part 4 is essentially rotationally symmetric and has projections 19 on, providing a stable anchorage of the lead frame 2 allow in the housing body. Furthermore, in the thermal connection part 4 as in the 3 and 5 shown, a central recess in the form of a reflector pan 16 be formed on the bottom surface of a chip mounting area 11 for receiving a radiation-emitting chip 5 is provided. The side surfaces of the recess serve as reflector surfaces.

Der Ösenring des elektrischen Anschlußteils 12a weist eine Aussparung 13 auf, mit der ein zungenförmig gestalteter Bonddrahtanschlußbereich 10 des zweiten elektrischen Anschlußteils 12b überlappt. Dieser Bonddrahtanschlußbereich 10 ist höhenversetzt zu dem abstrahlungsseitigen Rand der Reflektorwanne angeordnet. Dies ermöglicht bei der Chipmontage kurze Drahtverbindungen zwischen Chip und Bonddrahtanschlußbereich 10, ohne daß eine Aussparung in dem thermischen Anschlußteil erforderlich ist.The eyelet ring of the electrical connector 12a has a recess 13 on, with a tongue-shaped bond wire connection area 10 of the second electrical connection part 12b overlaps. This bonding wire connection area 10 is arranged offset in height to the radiation side edge of the reflector trough. This enables short wire connections between the chip and the bonding wire connection area during chip assembly 10 , without a recess in the thermal connection part is required.

Das thermische Anschlußteil 4 ist derart innerhalb des Gehäusegrundkörpers 1 angeordnet, daß dessen Rückseite 6 einen Teil der Grundkörperauflagefläche 7 bildet. Zur mechanisch stabilen Verankerung in dem Gehäusegrundkörper ist das thermische Anschlußteil mit umfangsseitig angeordneten Vorsprüngen 19 versehen.The thermal connection part 4 is so within the housing body 1 arranged that its back 6 a part of the body support surface 7 forms. For mechanically stable anchoring in the housing base body is the thermal connection part with circumferentially arranged projections 19 Mistake.

Der Auflagefläche 7 gegenüberliegend ist als Strahlungsfenster eine Ausnehmung 8 in dem Gehäusegrundkörper 1 geformt, die zu dem Chipmontagebereich 11 auf dem thermischen Anschlußteil 4 führt, so daß ein darauf zu befestigender strahlungsemittierender Chip sich innerhalb des Strahlungsfensters 8 befindet. Die Seitenflächen 9 des Strahlungsfensters 8 sind angeschrägt und dienen als Reflektor für die von einem solchen Chip im Betrieb erzeugte Strahlung.The bearing surface 7 opposite is a recess as a radiation window 8th in the housing body 1 shaped to the chip mounting area 11 on the thermal connection part 4 leads, so that a radiation-emitting chip to be mounted on it within the radiation window 8th located. The side surfaces 9 of the radiation window 8th are bevelled and serve as a reflector for the radiation generated by such a chip during operation.

In 3 ist eine schematische, perspektivische Ansicht des Gehäuses von 2 gezeigt.In 3 is a schematic, perspective view of the housing of 2 shown.

Auf dem Chipmontagebereich 11 des thermischen Anschlußteils 4 ist ein strahlungsemittierender Chip 5 wie zum Beispiel eine Lichtemissionsdiode befestigt. Vorzugsweise ist dies ein Halbleiterchip, beispielsweise ein LED-Chip oder ein Laserdiodenchip, der mittels eines Hartlots auf das thermische Anschlußteil 4 aufgelötet ist. Alternativ kann der Chip mit einem Haftmittel, das eine ausreichende Wärmeleitfähigkeit aufweist und vorzugsweise auch elektrisch leitfähig ist, auf dem Chipmontagebereich 11 aufgeklebt sein.On the chip mounting area 11 of the thermal connection part 4 is a radiation-emitting chip 5 such as a light emitting diode attached. Preferably, this is a semiconductor chip, such as an LED chip or a laser diode chip, by means of a braze on the thermal connection part 4 is soldered. Alternatively, the chip may be provided with an adhesive having sufficient thermal conductivity, and preferably also electrically conductive, on the chip mounting region 11 be glued on.

Für effiziente Strahlungsquellen eignen sich insbesondere Halbleitermaterialien auf der Basis von GaAs, GaP und GaN wie beispielsweise GaAlAs, InGaAs, InGaAlAs, InGaAlP, GaN, GaAlN, InGaN und InGaAlN.For efficient Radiation sources are particularly suitable semiconductor materials based on GaAs, GaP and GaN such as GaAlAs, InGaAs, InGaAlAs, InGaAlP, GaN, GaAlN, InGaN and InGaAlN.

Das vorzugsweise kegelstumpfartige Strahlungsfenster 8 weist im Bereich seiner Mantelfläche eine Ausbuchtung 28 auf, in der sich der Drahtanschlußbereich 10 des Leiterrahmens 2 befindet. Dieser ist mit dem nicht mit dem thermischen Anschlußteil verbundenen elektrischen Anschlußteil 12b des Leiterrahmens 2 elektrisch verbunden. Von diesem Bonddrahtanschlußbereich 10 ist eine Drahtverbindung 17 zu einer auf dem Chip 5 aufgebrachten Kontaktfläche geführt.The preferably frustoconical radiation window 8th has a bulge in the region of its lateral surface 28 on, in which the wire connection area 10 of the ladder frame 2 located. This is connected to the not connected to the thermal connector electrical connector 12b of the ladder frame 2 electrically connected. From this bond wire connection area 10 is a wire connection 17 to one on the chip 5 led applied contact surface.

Vorzugsweise ist, gesehen von der Chipmontagefläche 11, der Bonddrahtanschlußbereich 10 gegenüber dieser erhöht angeordnet, besonders bevorzugt oberhalb des abstrahlungsseitigen Randes der Reflektorwanne 16 des thermischen Anschlußteils. Dies ermöglicht eine kurze und damit mechanisch stabile Drahtverbindung zwischen Chip 5 und Bonddrahtanschlußbereich 10, da letzterer nahe an den Chip 5 herangeführt werden kann.Preferably, as seen from the chip mounting surface 11 , the bonding wire connection area 10 arranged opposite this increased, particularly preferably above the radiation side edge of the reflector trough 16 of the thermal connection part. This allows a short and thus mechanically stable wire connection between the chip 5 and bonding wire connection area 10 because the latter is close to the chip 5 can be introduced.

Weiterhin wird dadurch die Höhe des entstehenden Drahtbogens gering gehalten und so die Gefahr eines Kurzschlusses mit dem thermischen Anschlußteil, der beispielsweise bei einer Abdeckung des Chips mit einem Verguß durch seitliches Umklappen der Drahtverbindung auf das thermische Anschlußteil entstehen könnte, reduziert. Weiterhin wird dadurch vorteilhafterweise erreicht, dass zumindest die schräge Seitenwand der Reflektorwanne geschlossen um den Chip umlaufend ausgeführt werden kann. Eine Ausnehmung für die Durchführung des Bonddrahtes ist bei dieser Ausführung nicht erforderlich. Dies verbessert die Strahlungsausbeute aus dem Bauelement.Farther this will cause the height the resulting arch wire kept low and so the risk of Short circuit with the thermal connection part, for example, at a cover of the chip with a casting by lateral folding the wire connection could arise on the thermal connection part, reduced. Furthermore, this advantageously achieves that at least the slope Sidewall of the reflector tray closed around the chip accomplished can be. A recess for the implementation of the Bonding wire is in this version not mandatory. This improves the radiation yield from the Component.

Im 3 ist weiterhin, bezeichnet mit Bezugszeichen 16, eine den Chip 5 umgebende Reflektorwanne 4 dargestellt, die in dem thermischen Anschlußteil 4 optional zusätzlich ausgebildet ist. Die Reflektorflächen der Reflektorwanne gehen im wesentlichen nahtlos in die Seitenflächen 9 des Strahlungsfensters 8 über, so daß ein Gesamtreflektor entsteht, der sich aus einem von dem thermischen Anschlußteil 4 gebildeten Teilbereich und einem von den Seitenflächen 9 des Strahlungsfensters 8 gebildeten Teilbereich zusammensetzt. Die Seitenflächen 9 des Strahlungsfensters 8 können, wie bei dem Gehäuse von 5 gezeigt, dabei steiler verlaufen, wie die Seitenwände der Reflektorwanne, um das vom Chip in einem steileren Winkel zur Bodenfläche der Wanne abgestrahlte Licht stärker zur Hauptabstrahlrichtung 27 des Bauelements hin umzulenken.in the 3 is still, designated by reference numerals 16 , one the chip 5 surrounding reflector pan 4 shown in the thermal connection part 4 optionally additionally designed. The reflector surfaces of the reflector pan go substantially seamlessly into the side surfaces 9 of the radiation window 8th over, so that a total reflector is formed, which is one of the thermal connection part 4 formed portion and one of the side surfaces 9 of the radiation window 8th composed subarea. The side surfaces 9 of the radiation window 8th can, as with the case of 5 shown to be steeper, as the side walls of the reflector trough to the radiated from the chip at a steeper angle to the bottom surface of the trough more light to the main emission 27 of the device to deflect.

4 zeigt eine perspektivische Ansicht auf die Rückseite, das heißt auf die Auflagefläche des Gehäuses von 2. Die Rückseite 6 des thermischen Anschlußteils 4 ragt etwas aus dem Grundkörpers 1 hervor, so daß im eingebauten Zustand eine sichere Auflage und eine guter Wärmeübergang zwischen dem thermischen Anschlußteil 4 und einem entsprechenden Träger wie beispielsweise einer Leiterplatte oder einem Kühlkörper gewährleistet ist. 4 shows a perspective view of the back, that is on the support surface of the housing of 2 , The backside 6 of the thermal connection part 4 something protrudes from the main body 1 out, so that when installed a secure support and a good heat transfer between the thermal connection part 4 and a corresponding carrier such as a printed circuit board or a heat sink is ensured.

Der Gehäusegrundkörper 1 weist eine von dem thermischen Anschlußteil 4 zu einer Seitenfläche des Gehäusegrundkörpers 1 verlaufende Nut 20 auf. Ist das Gehäuse auf einen Träger montiert, so erlaubt diese Nut 20 auch im eingebauten Zustand eine Kontrolle der Verbindung zwischen dem Gehäuse und dem Träger. Insbesondere kann damit eine Lötverbindung zwischen dem Träger und dem thermischem Anschlußteil 4 überprüft werden.The housing body 1 has one of the thermal connection part 4 to a side surface of the housing main body 1 running groove 20 on. If the housing is mounted on a support, this groove allows 20 also in the installed state, a control of the connection between the housing and the carrier. In particular, thus a solder joint between the carrier and the thermal connection part 4 be checked.

In 5 ist der Querschnitt eines weiteren nach dem Verfahren hergestellten Gehäuses dargestellt. Der Schnittverlauf entspricht der in 3 eingezeichneten Linie A-A.In 5 the cross-section of another produced by the process housing is shown. The cutting process corresponds to that in 3 one drawn line AA.

Das thermische Anschlußteil ist auf der Montageseite für den Chip 5 mittig eingesenkt, so dass die Reflektorwanne 16 für die von dem Chip 5 erzeugte Strahlung gebildet ist, an die sich die Reflektorseitenwände 9 des Strahlungsfensters 8 anschließen.The thermal connector is on the mounting side for the chip 5 centrally sunk, leaving the reflector tray 16 for the of the chip 5 generated radiation is formed, to which the reflector side walls 9 of the radiation window 8th connect.

Der so gebildete Gesamtreflektor 15 weist an der Übergangsstelle zwischen den Teilreflektoren 9 und 16 einen Knick auf. Durch diese Formgebung wird eine verbesserte Annäherung des Gesamtreflektors 15 an einen Rotationsparaboloiden und somit eine vorteilhafte Abstrahlcharakteristik erreicht, weil von der Strahlungsquelle zur Seite emittierte Strahlungsanteile verbessert zur Hauptabstrahlungsrichtung hin umgelenkt werden.The overall reflector thus formed 15 points at the transition point between the partial reflectors 9 and 16 a kink. This shaping results in an improved approximation of the overall reflector 15 to a paraboloid of revolution and thus achieves an advantageous emission characteristic, because radiation components emitted to the side by the radiation source are deflected in an improved manner toward the main emission direction.

Zum Schutz des Chips ist das Strahlungsfenster 8 mit einem Verguß 14, beispielsweise ein Reaktionsharz wie Epoxidharz oder Acrylharz, gefüllt. Zur Bündelung der erzeugten Strahlung kann der Verguß 14 nach Art einer Linse mit einer leicht gewölbten Oberfläche 18 geformt sein.To protect the chip is the radiation window 8th with a casting 14 , For example, a reaction resin such as epoxy resin or acrylic resin filled. For bundling the radiation generated, the casting 14 like a lens with a slightly curved surface 18 be shaped.

Um eine mechanisch stabile Verbindung von Verguß 14, Gehäusegrundkörper 1 und Leiterrahmen 2 zu erzielen, ist es vorteilhaft, die Höhe A der Reflektorwanne 16 des thermischen An schlußteils geringer als die doppelte Höhe H des Chips 5 zu wählen. Die Höhe B des gesamten von dem thermischen Anschlußteil 4 und dem Gehäusegrundkörper 1 gebildeten Reflektors 15 sollte kleiner als die vierfache Höhe H des Chips 5 sein. Schließlich ist es vorteilhaft, das Strahlungsfenster 8 so zu formen, daß für das Volumen V des Vergussen die obengenannte Relation V ≤ q·Herfüllt ist, wobei q etwa 7 mm2 beträgt. Durch Erfüllung dieser Maßgaben wird die mechanische Stabilität und damit die Belastbarkeit und Lebensdauer des Bauelements vorteilhaft erhöht. Die Verankerung des thermischen Anschlußteils 4 mittels der Vorsprünge 19 in dem Gehäusegrundkörper 1 trägt ebenfalls hierzu bei.To a mechanically stable connection of potting 14 , Housing body 1 and ladder frame 2 To achieve, it is advantageous, the height A of the reflector pan 16 of the thermal connector to less than twice the height H of the chip 5 to choose. The height B of the whole of the thermal connection part 4 and the housing body 1 formed reflector 15 should be less than four times the height H of the chip 5 be. Finally, it is beneficial to the radiation window 8th form so that for the volume V of Vergussen the above relation V ≤ q · H is satisfied, where q is about 7 mm 2 . By meeting these requirements, the mechanical stability and thus the capacity and service life of the device is advantageously increased. The anchoring of the thermal connection part 4 by means of the projections 19 in the housing body 1 also contributes to this.

Zur Herstellung eines solchen Bauelements wird zunächst für den Leiterrahmen 2 ein Trägerteil, das beispielsweise aus einem Trägerband ausgestanzt wird, mit einer Öffnung bereitgestellt. Nachfolgend wird das thermische Anschlußteil 4 in die Öffnung des Trägerteils eingesetzt und mit dem Trägerteil verquetscht.For the production of such a device is first for the lead frame 2 a carrier part, which is punched out of a carrier tape, for example, provided with an opening. Hereinafter, the thermal connection part 4 inserted into the opening of the support member and squeezed with the support member.

Im nächsten Schritt wird auf dem thermischen Anschlußteil 4 der strahlungsemittierende Chip 5 aufgebracht, beispielsweise aufgelötet oder aufgeklebt. Zur Ausbildung des Gehäusegrundkörpers 1 wird der aus dem Trägerteil und dem thermischen Anschlußteil 4 gebildete Leiterrahmen 2 mit dem vormontierten Chip 5 von einer Formmasse umhüllt, wobei der den Chip 5 umgebende Bereich sowie der Bonddrahtanschlußbereich 10 ausgespart wird. Dies kann beispielsweise in einem Spritzguß- oder Spritzpreßverfahren erfolgen. Von dem Bonddrahtanschlußbereich 10 wird abschließend eine Drahtverbindung 17 zu einer Kontaktfläche des Chips 5 geführt.The next step is on the thermal connector 4 the radiation-emitting chip 5 applied, for example, soldered or glued. For the formation of the housing body 1 is the from the support member and the thermal connection part 4 formed ladder frame 2 with the pre-assembled chip 5 enveloped by a molding compound, wherein the chip 5 surrounding area as well as the bonding wire connection area 10 is omitted. This can be done for example in an injection molding or transfer molding. From the bonding wire connection area 10 Finally, a wire connection 17 to a contact surface of the chip 5 guided.

Die Erläuterung der Erfindung anhand der beschriebenen Ausführungsbeispiele stellt selbstverständlich keine Einschränkung der Erfindung auf dieses Ausführungsbeispiel dar. Weitergehend können erfindungsgemäße Leiterrahmen und Gehäuse auch für andere Bauelemente, die eine effiziente Wärmeableitung erfordern, bzw. als Chip auch anderweitige Halbleiterkörper verwendet werden.The explanation of the invention with reference to the described embodiments is of course no restriction the invention of this embodiment Further, can leadframe according to the invention and housing also for other components that require efficient heat dissipation, or as chip also other semiconductor bodies are used.

Die Vorteile des Verfahrens gemäß der Erfindung bestehen insbesondere darin, daß die Befestigung des Chips weitgehend unabhängig von den Eigenschaften der Formmasse optimiert werden kann. Ein Lötprozeß kann beispielsweise in einem erweiterten Temperaturbereich stattfinden. Dabei können Lote, vorzugsweise mit einer Schmelztemperatur bei oder über 260°C wie beispielsweise Hartlote, verwendet werden, die eine Verbindung mit sehr geringem Wärmewiderstand zwischen Chip und Leiterrahmen ausbilden. Weiterhin wird damit die Gefahr verringert, daß sich beim Auflöten eines entsprechenden Bauelements auf eine Leiterplatte der Chip ablösen könnte.The Advantages of the method according to the invention insist, in particular, that the Attachment of the chip largely independent of the properties the molding compound can be optimized. A soldering process, for example, in a extended temperature range take place. Lote, preferably with a melting temperature at or above 260 ° C such as Brazing alloys, used to connect with very little thermal resistance form between the chip and the lead frame. Furthermore, it is the Danger reduces that when soldering a corresponding component on a circuit board of the chip supersede could.

Die Herstellung der in Verbindung mit den 2 bis 5 beschriebenen Gehäuse beschränkt sich selbstverständlich nicht auf das erfindungsgemäße Verfahren. Diese Gehäusekonzepte stellen vielmehr für sich alleine bereits Erfindungen dar.The production of in conjunction with the 2 to 5 Of course, the housing described is not limited to the method according to the invention. Rather, these housing concepts are already inventions on their own.

Bei den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen ist jeweils ein Chip verwendet, der je einen elektrischen Anschluß auf der Vorder- und auf der Rückseite aufweist. Das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Gehäusebauform kann aber auch für Chips verwendet werden, die beide Kontakt auf der Vorderseite haben. Dann muß jeder externe elektrische Anschluß des Gehäuses in diesem einen Drahtanschlußbereich aufweisen, der mit einem der Chipkontakte jeweils mittels eines Drahtes verbunden ist.at the embodiments described above In each case a chip is used, each having an electrical connection on the Front and back having. The inventive method and the housing design according to the invention can but also for Chips are used, both of which have contact on the front. Then everyone has to external electrical connection of the housing in this one wire connection area having, with one of the chip contacts each by means of a wire connected is.

Claims (23)

Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfangenden und/oder -emittierenden Halbleiterbauelements, umfassend die Verfahrensschritte in der angegebenen Reihenfolge: a) Herstellen und Bereitstellen eines elektrischen Leiterrahmens (2) mit mindestens einem Chipmontagebereich (11), mindestens einem Drahtanschlußbereich (10) und mindestens einem externen elektrischen Anschlußstreifen (3a, b); b) Montieren eines strahlungsemittierenden und/oder -empfangenden Chips (5) auf den Chipmontagebereich (11) mittels eines thermisch gut leitenden Verbindungsmaterials (21), dessen Schmelztemperatur oberhalb der Löttemperatur von nachfolgenden Bauelementmontageschritten liegt; c) Anlegen einer Spritzguß- oder Spritzpressform (22) an den Leiterrahmen, derart, dass der Halbleiterchip (5) in einer Chip-Kavität (24) eines Formstempels (25) der Spritzguß- oder Spritzpressform (22) für ein Strahlungsfenster (8) zu liegen kommt, die gegenüber einer später auszuspritzenden Gehäuse-Kavität (26) abgeschlossen ist; d) Umspritzen oder Umpressen des Leiterrahmens (2) mit einem Gehäusegrundkörper (1) mit Strahlungsfenster (8), derart, dass der Halbleiterchip (5) in dem Strahlungsfenster (8) angeordnet ist; und e) Verkapseln des Halbleiterchips (5).Method for producing a radiation-receiving and / or-emitting semiconductor component, comprising the method steps in the stated sequence: a) producing and providing an electrical conductor framework ( 2 ) with at least one chip mounting area ( 11 ), at least one wire connection area ( 10 ) and at least one external electrical connection strip ( 3a , b); b) mounting a radiation-emitting and / or receiving chip ( 5 ) on the chip mounting area ( 11 ) by means of a thermally highly conductive connecting material ( 21 ) whose melting temperature is above the soldering temperature of subsequent component mounting steps; c) applying an injection molding or transfer molding mold ( 22 ) to the lead frame, such that the semiconductor chip ( 5 ) in a chip cavity ( 24 ) of a form stamp ( 25 ) of the injection molding or transfer molding ( 22 ) for a radiation window ( 8th ) comes to lie, compared to a later auszuspritzenden housing cavity ( 26 ) is completed; d) encapsulating or re-pressing the lead frame ( 2 ) with a housing base ( 1 ) with radiation window ( 8th ), such that the semiconductor chip ( 5 ) in the radiation window ( 8th ) is arranged; and e) encapsulating the semiconductor chip ( 5 ). Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Verbindungsmaterial ein Hartlot ist.The method of claim 1, wherein the bonding material a braze is. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Schmelzpunkt des Verbindungsmaterials bei oder oberhalb von 260°C liegt.The method of claim 1 or 2, wherein the melting point of the bonding material is at or above 260 ° C. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der Chip (5) zur Verkapselung mit einer strahlungsdurchlässigen Masse umhüllt, insbesondere vergossen oder umspritzt wird.Method according to one of Claims 1 to 3, in which the chip ( 5 ) encapsulated for encapsulation with a radiolucent mass, in particular potted or overmolded. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem ein Trägerteil verwendet wird, das den Drahtanschlußbereich (10) und den Anschlußstreifen (3a, b) aufweist und in das ein separat gefertigtes thermisches Anschlußteil (4) eingeknüpft wird, das den Chipmontagebereich (11) aufweist.Method according to one of Claims 1 to 4, in which a carrier part is used which covers the wire connection region ( 10 ) and the terminal strip ( 3a , b) and in which a separately manufactured thermal connection part ( 4 ), which connects the chip mounting area ( 11 ) having. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem das Trägerteil eine Klammer oder Öse aufweist, in die das thermische Anschlußteil (4) eingeknüpft ist.Method according to Claim 5, in which the support part has a clamp or eyelet into which the thermal connection part ( 4 ) is knotted. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, bei dem zwischen dem thermischen Anschlußteil (4) und dem Trägerteil eine Quetsch-, Niet- oder Lötverbindung ausgebildet wird.Method according to Claim 5 or 6, in which, between the thermal connection part ( 4 ) and the carrier part a crimping, riveting or soldering connection is formed. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, bei dem das thermische Anschlußteil (4) eine Reflektorwanne (16) aufweist, die den Chipmontagebereich (11) umfaßt.Method according to one of Claims 5 to 7, in which the thermal connection part ( 4 ) a reflector tray ( 16 ) having the chip mounting area ( 11 ). Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, bei dem Drahtanschlußbereich (10) gegenüber dem Chipmontagebereich (11) von diesem aus gesehen erhöht angeordnet wird.Method according to one of Claims 5 to 8, in which the wire connection region ( 10 ) relative to the chip mounting area ( 11 ) is arranged elevated from this point of view. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem der Drahtanschlußbereich (10) vom Chipmontagebereich (11) gesehen über dem Rand der Reflektorwanne (16) angeordnet wird.Method according to Claim 9, in which the wire connection region ( 10 ) from the chip mounting area ( 11 ) seen over the edge of the reflector pan ( 16 ) is arranged. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem der Chipmontagebereich (11) mit einer Oberflächenvergütung zur Verbesserung der Chipmontage versehen wird.Method according to one of Claims 1 to 10, in which the chip mounting area ( 11 ) is provided with a surface finish to improve chip mounting. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem die Oberflächenvergütung für die Chipmontage eine Ag- oder Au-Beschichtung umfaßt.The method of claim 11, wherein the surface finish for chip mounting an Ag or Au coating includes. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem ein externer elektrischer Anschlußstreifen (3a, b) des Leiterrahmens mit einer Oberflächenvergütung zur Verbesserung der Bauelement-Montageeigenschaften versehen wird.Method according to one of Claims 1 to 12, in which an external electrical connection strip ( 3a , b) of the leadframe is provided with a surface finish for improving device mounting characteristics. Verfahren nach Anspruch 13, bei dem Oberflächenvergütung zur Verbesserung der Bauelement-Montageeigenschaften eine Ag-, Au-, Sn- oder Zn-Beschichtung umfaßt.The method of claim 13, wherein the surface finish for Improvement of component mounting properties an Ag, Au, Sn or Zn coating. Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Bauelement, hergestellt nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, bei dem der Halbleiterchip (5) mittels einer Hartlotschicht (21) auf dem Chipmontagebereich (11) des Leiterrahmens befestigt ist und an den Leiterrahmen (2) ein Kunststoff-Gehäusegrundkörper (1) angespritzt ist, aus dem externe elektrische Anschlußstreifen (3a, b) des Leiterrahmens herausgeführt sind.Radiation-emitting and / or radiation-receiving component, produced by a method according to one of claims 1 to 14, in which the semiconductor chip ( 5 ) by means of a brazing layer ( 21 ) on the chip mounting area ( 11 ) of the lead frame and to the lead frame ( 2 ) a plastic housing base body ( 1 ) is molded from the external electrical terminal strip ( 3a , b) led out of the lead frame. Bauelement nach Anspruch 15, bei dem der Chip (5) auf den Chipmontagebereich (11) mit einer Löttemperatur von 260°C oder höher gelötet ist.Component according to Claim 15, in which the chip ( 5 ) on the chip mounting area ( 11 ) is soldered at a soldering temperature of 260 ° C or higher. Bauelement nach Anspruch 15 oder 16, bei dem der Chip (5) in einem Strahlungsfenster (8) des Kunststoff-Gehäusegrundkörper (1) angeordnet ist.Component according to Claim 15 or 16, in which the chip ( 5 ) in a radiation window ( 8th ) of the plastic housing base body ( 1 ) is arranged. Bauelement nach Anspruch 17, bei dem der Chip (5) zumindest teilweise mit einer strahlungsdurchlässigen Masse (14), insbesondere einer Kunststoffmasse, wie ein Gießharz oder eine Pressmasse umhüllt ist.Component according to Claim 17, in which the chip ( 5 ) at least partially with a radiation-transmissive mass ( 14 ), in particular a plastic compound, such as a casting resin or a molding compound is coated. Bauelement nach Anspruch 18, bei dem die Kunststoffmasse (14) ein Epoxidharz, ein Acrylharz, ein Siliconharz oder eine Mischung dieser Harze enthält.Component according to Claim 18, in which the plastics material ( 14 ) contains an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin or a mixture of these resins. Bauelement nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß für das Volumen (V) der Vergußmasse (14) gilt: V ≤ q·H,wobei H die Höhe des Chips (5) und q ein Skalierungsfaktor ist, dessen Wert kleiner als 10 mm2 ist und vorzugsweise 7 mm2 beträgt.Component according to claim 18 or 19, characterized in that for the volume (V) of the potting compound ( 14 ) applies: V ≤ q · H, where H is the height of the chip ( 5 ) and q is a scaling factor whose value is less than 10 mm 2 and preferably 7 mm 2 . Bauelement nach einem der Ansprüche 15 bis 20, bei dem der Chipmontagebereich (11) auf einem vom Leiterrahmen getrennt hergestellten thermischen Anschlußteil (4) angeordnet ist.Component according to one of Claims 15 to 20, in which the chip mounting region ( 11 ) on a separately prepared from the lead frame thermal connection part ( 4 ) is arranged. Bauelement nach einem der Ansprüche 15 bis 21, bei dem das Strahlungsfenster (8) eine Ausbuchtung (28) aufweist, in der der Drahtanschlußbereich (11) des Leiterrahmens (2) angeordnet ist.Component according to one of Claims 15 to 21, in which the radiation window ( 8th ) a bulge ( 28 ), in which the wire connection region ( 11 ) of the lead frame ( 2 ) is arranged. Bauelement nach einem der Ansprüche 15 bis 22, bei dem der Drahtanschlußbereich (10) gegenüber dem Chipmontagebereich (11) von diesem aus gesehen erhöht angeordnet wird.Component according to one of Claims 15 to 22, in which the wire connection region ( 10 ) relative to the chip mounting area ( 11 ) is arranged elevated from this point of view.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004081972A2 (en) * 2003-03-10 2004-09-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing body, optoelectronic component with a housing body of this type, and plastic housing material
DE10323857A1 (en) * 2003-05-26 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for a laser diode device, laser diode device and method of manufacturing a laser diode device
US6921927B2 (en) * 2003-08-28 2005-07-26 Agilent Technologies, Inc. System and method for enhanced LED thermal conductivity
US20080085122A1 (en) * 2003-11-10 2008-04-10 Melexis Nv Optical Data Transmission, Optical Data Transceivers And Method Of Manufacturing And Packaging Thereof
EP1622204B9 (en) * 2004-07-28 2009-11-11 Avago Technologies Fiber IP (Singapore) Pte. Ltd. Method of producing an optical or electronic module provided with a plastic casing
DE102005036266A1 (en) 2005-07-11 2007-01-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for a laser diode device, laser diode device and method of manufacturing a laser diode device
DE102010023955A1 (en) * 2010-06-16 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component
US9601673B2 (en) 2014-11-21 2017-03-21 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components including LED dies that are directly attached to lead frames

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0400176A1 (en) * 1989-05-31 1990-12-05 Siemens Aktiengesellschaft Surface-mountable optical element
DE19536463A1 (en) * 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Laser diode component with heat sink
DE19536454A1 (en) * 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Optoelectronic semiconductor component
DE19625384A1 (en) * 1996-06-25 1998-01-02 Siemens Ag Compound lead frame
DE19900335A1 (en) * 1998-06-22 1999-12-23 Mitsubishi Electric Corp Light-emitting semiconductor e.g. semiconductor laser for optical communications
DE19945675A1 (en) * 1998-11-05 2000-05-18 Hewlett Packard Co Surface-mountable LED housing
WO2000055914A1 (en) * 1999-03-15 2000-09-21 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
DE10033013A1 (en) * 1999-07-15 2001-02-01 Infineon Technologies Corp Liquid injection molding system for potting integrated semiconductor circuits

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0400176A1 (en) * 1989-05-31 1990-12-05 Siemens Aktiengesellschaft Surface-mountable optical element
DE19536463A1 (en) * 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Laser diode component with heat sink
DE19536454A1 (en) * 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Optoelectronic semiconductor component
DE19625384A1 (en) * 1996-06-25 1998-01-02 Siemens Ag Compound lead frame
DE19900335A1 (en) * 1998-06-22 1999-12-23 Mitsubishi Electric Corp Light-emitting semiconductor e.g. semiconductor laser for optical communications
DE19945675A1 (en) * 1998-11-05 2000-05-18 Hewlett Packard Co Surface-mountable LED housing
WO2000055914A1 (en) * 1999-03-15 2000-09-21 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
DE10033013A1 (en) * 1999-07-15 2001-02-01 Infineon Technologies Corp Liquid injection molding system for potting integrated semiconductor circuits

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