JPH0427681B2 - - Google Patents

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JPH0427681B2
JPH0427681B2 JP58160542A JP16054283A JPH0427681B2 JP H0427681 B2 JPH0427681 B2 JP H0427681B2 JP 58160542 A JP58160542 A JP 58160542A JP 16054283 A JP16054283 A JP 16054283A JP H0427681 B2 JPH0427681 B2 JP H0427681B2
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light
exposure
shutter
amount
light source
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Nippon Kogaku KK
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558Dose control, i.e. achievement of a desired dose

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明は例えばウエハまたはフオトマスク上に
パターンを露光するための露光量制御装置の比較
正方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field of the Invention) The present invention relates to a comparative method of an exposure dose control device for exposing a pattern on, for example, a wafer or a photomask.

(発明の背景) 近年、半導体素子特にIC製造においては、回
路パターンの微細化が要求され、ウエハ上に1μm
以下の線幅を有するパターンを焼付ける装置、い
わぬる露光装置もウエハ上に塗布された感光材料
(フオトレジスト)に常に一定の露光量を与える
ことが望ましく、このため高精度な露光制御が望
まれてきた。
(Background of the invention) In recent years, in the manufacture of semiconductor devices, especially ICs, there has been a demand for miniaturization of circuit patterns.
It is desirable for the so-called tepid exposure equipment, which is a device that prints patterns with line widths as follows, to always give a constant amount of exposure to the photosensitive material (photoresist) coated on the wafer, and for this reason, highly accurate exposure control is required. It has become rare.

第1図にウエハ又はフオトマスクに回路パター
ンの像を露光する露光装置の概略を示す。
FIG. 1 schematically shows an exposure apparatus that exposes a circuit pattern image onto a wafer or a photomask.

第1図において、露光用の光源、例えば水銀ラ
ンプ1の光が集光レンズ2によつて集光された
後、シヤツターとなる回転板3を介して、コンデ
ンサーレンズ5、投影レンズ8をへて、ウエハ9
(フオトマスクでもよい。)に至るような、投影式
の露光装置を示す。(その他の方式の露光装置で
も同様である。)回転板3は、例えば4分割して、
遮光部と透過部を交互に設け、回転駆動機構、例
えばパルスモーター4によつて回転され、ロータ
リーシヤツターとして働く。回路パターンを有す
るガラス基板7(レテイクルやフオトマスク)
は、コンデンサーレンズ5と投影レンズ8の間に
配置され、ガラス基板7のパターンがウエハ9の
上に結像する。又、光検出器6は、光源の光強度
を測定するための光電変換素子であり、シヤツタ
ーを経た光を測光し、その出力は露光制御のため
に使われる。このような装置では、機構上シヤツ
ターの開閉動作時間が長く、数msec.〜数10msec
に及び。また、露光動作に伴う光強度(検出器6
で検出した値、又はウエハ9上で測定した値)の
変化を第2図に示す。第2図で、横軸に露光時
間、縦軸に光強度を取り、台形状の折線AとB
は、光源のランプの劣化によるちがいを表わす。
ランプが新しく、光強度が大きいと、折線Aのよ
うに、またランプが劣化して光強度が小さくなる
と折線Bのように露光時間が長くなる。尚、台形
の上底部すなわちシヤツターの全開時の光強度を
LN,Lpとする。このように、台形状の光強度特
性を有するのは、シヤツターの開閉動作時間に基
いている。これは、第1図で示したような回転板
3が1/4回転する時間によつて生じるものである。
回転板3の遮光部が光をさえぎつている状態か
ら、回転板3が1/4回転して、光を完全に透過す
る状態までにかかる時間(シヤツター開放時間)
は、第2図では時間ta−toである。尚、回転板3
の回転開始時をtoとしてある。そして、時間(ta
−to)が経過後、回転板3を光が完全に透過する
(このことを、以後シヤツター全開と呼ぶ。)の
で、光強度LN、又はLpとして安定する。そして、
所定の露光時間後、すなわちtb又は時刻tdから回
転板3がさらに1/4回転して、遮光部に、よつて
光がさえぎられる。光が完全に遮光される時刻
は、時刻tc、又はteである。尚、シヤツターの構
造上、開放動作時間と、閉成動作時間はほぼ等し
いので、時間(tc−tb)と時間(te−td)は共に
等しく、かつ時間(ta−to)ともほぼ等しくな
る。
In FIG. 1, light from a light source for exposure, such as a mercury lamp 1, is focused by a condenser lens 2, and then passes through a condenser lens 5 and a projection lens 8 via a rotary plate 3, which serves as a shutter. , wafer 9
(A photomask may also be used.) (The same applies to exposure apparatuses of other types.) The rotary plate 3 is divided into four parts, for example.
A light-shielding part and a transmitting part are provided alternately, and the shutter is rotated by a rotation drive mechanism, for example, a pulse motor 4, and functions as a rotary shutter. Glass substrate 7 with a circuit pattern (reticle or photomask)
is placed between the condenser lens 5 and the projection lens 8, and the pattern on the glass substrate 7 is imaged onto the wafer 9. The photodetector 6 is a photoelectric conversion element for measuring the light intensity of the light source, measures the light that has passed through the shutter, and its output is used for exposure control. In such devices, the opening and closing time of the shutter is mechanically long, ranging from several milliseconds to several tens of milliseconds.
Extensive. In addition, the light intensity (detector 6
FIG. 2 shows the changes in the values detected in the wafer 9 or the values measured on the wafer 9. In Figure 2, the horizontal axis represents exposure time and the vertical axis represents light intensity, and trapezoidal broken lines A and B
represents the difference due to deterioration of the light source lamp.
When the lamp is new and the light intensity is high, the exposure time becomes longer, as shown by broken line A, and when the lamp deteriorates and the light intensity decreases, as shown by broken line B, the exposure time becomes longer. Note that the light intensity at the top of the trapezoid, that is, when the shutter is fully open, is
Let L N and L p be. Thus, the trapezoidal light intensity characteristic is based on the opening/closing operation time of the shutter. This occurs due to the time it takes for the rotary plate 3 to rotate 1/4 as shown in FIG.
The time it takes for the rotating plate 3 to rotate 1/4 of a turn from the state where the light shielding part of the rotating plate 3 blocks light to the state where the rotating plate 3 completely transmits the light (shutter opening time)
is the time ta-to in FIG. In addition, rotating plate 3
The start of rotation is defined as to. And time (ta
-to), the light completely passes through the rotary plate 3 (hereinafter referred to as fully opening the shutter), so the light intensity becomes stable at L N or L p . and,
After a predetermined exposure time, that is, from time tb or time td, the rotating plate 3 rotates another 1/4 rotation, and the light is blocked by the light blocking portion. The time when the light is completely blocked is time tc or te. Note that due to the structure of the shutter, the opening operation time and the closing operation time are approximately equal, so the time (tc-tb) and the time (te-td) are both equal and also approximately the same as the time (ta-to).

この光強度特性に示したように、普通このよう
な装置では、露光量を一定にするため、ランプの
明るさに応じて露光時間を変えている。この従来
の露光制御について、第3図により説明する。第
3図において、光電検出器6の光電出力は増幅器
11によつて増幅された後、抵抗12、コンデン
サー14、増幅器13による積分器に入力する。
積分器の出力が、露光量に比例した値、いわゆる
光量積分値である。この積分器の出力は、比較器
15によつて、あらかじめ定めた目標値を示す基
準電圧Esと比較される。一方、フリツプフロツ
プ回路16は、露光動作の開始時点でセツトさ
れ、シヤツター駆動回路17によつて、モーター
等を駆動してシヤツターを開く。シヤツターが開
いた後、上述の如く光量積分値が基準電圧Esに
達すると、比較器15の出力が反転してフリツプ
フロツプ回路16がリセツトされる。このリセツ
トにより、駆動回路17は、モーター等をさらに
回転して、シヤツターを閉じる。こうして、ラン
プの明るさが変わつても光量積分値が、一定値に
なるように、シヤツターは制御される。ここで、
その時の露光量を第4図のグラフに示す。第4図
のグラフで横軸に第2図と同一の時間軸を取り、
縦軸に露光量、すなわち光量積分値を取る。露光
開始時toから時刻taまでは、第2図のように、シ
ヤツターの開放動作時間であり、光量積分値はな
だらかに上昇していく。時刻taから時刻tb、又は
時刻tdまでは、シヤツター全開期間である。尚、
AとBは第2図で示したように、光源の光強度が
大きいときと、小さいときを示す。そしてA、又
はBの光量積分値が基準電圧Esに達すると、シ
ヤツター閉じ動作が始まる。しかしながら、シヤ
ツターが完全に閉じるまでの時間(fc−tb)、又
は(fe−td)にも、露光されることになり、その
結果総露光量はEo、又はEo′となり、所定の目標
値Eよりも(Eo−Es)、又は(Eo′−Es)だけ超
過することになる。
As shown in this light intensity characteristic, in such a device, the exposure time is usually changed depending on the brightness of the lamp in order to keep the exposure amount constant. This conventional exposure control will be explained with reference to FIG. In FIG. 3, the photoelectric output of the photoelectric detector 6 is amplified by an amplifier 11 and then input to an integrator comprising a resistor 12, a capacitor 14, and an amplifier 13.
The output of the integrator is a value proportional to the exposure amount, a so-called light amount integral value. The output of this integrator is compared by a comparator 15 with a reference voltage Es indicating a predetermined target value. On the other hand, the flip-flop circuit 16 is set at the start of the exposure operation, and the shutter drive circuit 17 drives a motor etc. to open the shutter. After the shutter is opened, when the integral value of the light amount reaches the reference voltage Es as described above, the output of the comparator 15 is inverted and the flip-flop circuit 16 is reset. By this reset, the drive circuit 17 further rotates the motor etc. and closes the shutter. In this way, the shutter is controlled so that the integrated value of the amount of light remains constant even if the brightness of the lamp changes. here,
The exposure amount at that time is shown in the graph of FIG. In the graph of Figure 4, the horizontal axis is the same time axis as Figure 2,
The vertical axis represents the exposure amount, that is, the integrated value of the light amount. As shown in FIG. 2, the period from the exposure start time to to the time ta is the shutter opening operation time, and the integrated value of the light amount gradually increases. The period from time ta to time tb or time td is the shutter fully open period. still,
As shown in FIG. 2, A and B indicate when the light intensity of the light source is high and when it is low. When the integral value of the light amount of A or B reaches the reference voltage Es, the shutter closing operation begins. However, the exposure will occur during the time (fc-tb) or (fe-td) until the shutter is completely closed, and as a result, the total exposure amount will be Eo or Eo', and the predetermined target value E It will exceed by (Eo-Es) or (Eo′-Es).

光源の光強度が常に一定であれば超過分を予測
して、総露光量を決定できるが、実際には、ラン
プの劣化に伴い光源の明るさは大きく変化する。
従つて、第4図に示したように、時間(tc−tb)
と時間(te−td)は同じでも、超過分は変化して
しまう。この超過分の変化(Eo−Eo′)は、光源
の光強度が小さく、露光時間が十分に長い場合に
は無視できる。しかし、光源の光強度が大きくな
り、全露光量中に占める、シヤツターの閉じ動作
時間中の露光量の割合が大きくなつた場合、超過
分の変化(Eo−Eo′)による総露光量の変動は重
要な問題となる。一般に、露光量の制御として、
総露光量の変動は数%以下が必要とされるが、上
述の従来の露光装置では、超過分に対する配慮が
なされていないので、長期間に渡つて、安定した
露光量を得ることができない欠点を有していた。
If the light intensity of the light source is always constant, the excess amount can be predicted and the total exposure amount can be determined, but in reality, the brightness of the light source changes significantly as the lamp deteriorates.
Therefore, as shown in Figure 4, time (tc - tb)
Even though the time (te−td) is the same, the excess amount changes. This excess change (Eo - Eo') can be ignored if the light intensity of the light source is small and the exposure time is sufficiently long. However, if the light intensity of the light source increases and the exposure amount during the shutter closing time increases as a proportion of the total exposure amount, the total exposure amount will fluctuate due to the change in excess (Eo − Eo'). is an important issue. Generally, to control the exposure amount,
The fluctuation in the total exposure amount must be within a few percent, but the conventional exposure equipment mentioned above does not take into account excess amounts, so it is not possible to obtain a stable exposure amount over a long period of time. It had

この欠点を解決するため、特開昭57−71132号
公報や特開昭57−101839号公報に開示されている
ように、シヤツタ閉成動作の遅れによる超過露光
量を計測し、シヤツタ閉成動作の開始時間を補正
する制御が考えられている。
In order to solve this drawback, as disclosed in Japanese Unexamined Patent Publications No. 57-71132 and No. 57-101839, the amount of overexposure due to the delay in the shutter closing operation is measured, and the Control is being considered to correct the start time of.

この補正制御をアナログ的に行なう場合は回路
規模も小さく簡単であるが、積分器や補正量を記
憶するコンデンサ等に高精度な部品を必要とし高
価になるとともに、繰返し長期間の露光に対して
はコンデンサのリーク等が問題となり正確な補正
が望めなくなる。さらに、この場合は測光のダイ
ナミツクレンジが狭く、光源の輝度が大幅に変化
することに対しても不利である。
If this correction control is performed in an analog manner, the circuit size is small and simple, but it requires high-precision parts such as an integrator and a capacitor that stores the correction amount, making it expensive, and it is not suitable for repeated long-term exposure. In this case, problems such as capacitor leakage occur, making accurate correction impossible. Furthermore, in this case, the dynamic range of photometry is narrow, and it is disadvantageous that the brightness of the light source changes significantly.

他方、この補正制御をデジタル的に行う場合
は、露光強度に応じた光電信号を電圧/周波数変
換器によつてパルス化し、そのパルスを計数する
カウンタ等の他に補正タイマ、補正カウンタ等が
必要となり回路規模はアナグロ方式より大きくな
る欠点があつた。
On the other hand, if this correction control is performed digitally, a photoelectric signal corresponding to the exposure intensity is converted into pulses using a voltage/frequency converter, and in addition to a counter that counts the pulses, a correction timer, a correction counter, etc. are required. Therefore, the disadvantage was that the circuit scale was larger than that of the analog system.

さらにアナログ方式であれ、デジタル方式であ
れ、従来の技術では光電検出器6の出力信号のみ
に基いて露光量制御を行つているので、光電検出
器を含む光量制御手段(第3図中の6,11〜1
4)の経時的な感度変化、あるいは光電検出器6
からウエハ9までの種々の光学系の経時変化等が
起こると、ウエハ9へ与えられる実露光量が狂つ
てくるといつた問題があつた。
Furthermore, regardless of whether it is an analog method or a digital method, in conventional technology, the exposure amount is controlled based only on the output signal of the photoelectric detector 6. , 11-1
4) Sensitivity change over time or photoelectric detector 6
There has been a problem in that when various optical systems from the wafer 9 to the wafer 9 change over time, the actual exposure amount given to the wafer 9 becomes out of order.

(発明の目的) 本発明は、そのような問題点を解決し、感光物
(ウエハ等)上で得られる露光量を常に目標値通
りに安定させることを目的とし、特に従来のよう
な補正手段を必要としない露光量制御装置におい
て好適な測光感度の安定化を図ることを目的とす
るものである。
(Object of the Invention) The present invention aims to solve such problems and to always stabilize the amount of exposure obtained on a photosensitive material (wafer, etc.) to a target value, and in particular, to solve the problem by stabilizing the amount of exposure obtained on a photosensitive material (wafer, etc.). The purpose of this invention is to stabilize the photometric sensitivity in an exposure control device that does not require the following.

(発明の概要) 本発明の露光量制御装置の較正方法では、光源
からの光を感光物に照射するための照明系と前記
感光物への露光量を制御する光量制御手段とを備
えた露光装置において、前記感光物を載置するス
テージ上に照度測定器を設け、この照度測定器の
出力に基いて前記光量制御手段を較するものであ
る。
(Summary of the Invention) A method for calibrating an exposure amount control device of the present invention includes an exposure system comprising an illumination system for irradiating a photosensitive material with light from a light source and a light amount control means for controlling the amount of exposure to the photosensitive material. In the apparatus, an illuminance measuring device is provided on the stage on which the photosensitive material is placed, and the light amount control means is compared based on the output of the illuminance measuring device.

好ましくは前記光量制御手段は前記光源からの
光の強度に応じた信号を積算する積算光量計測器
を備えるものであり、前記照度測定器の出力に基
いて前記積算光量計測器の積分感度を較正する。
Preferably, the light amount control means includes an integrated light amount measuring device that integrates a signal corresponding to the intensity of light from the light source, and calibrates the integral sensitivity of the integrated light amount measuring device based on the output of the illuminance measuring device. do.

(実施例) 次に本発明を実施例に基いて説明する。第5図
は本発明を実施するための露光量制御装置の一実
施例を示す。第5図において、楕円反射鏡20の
第1焦点位置に設けられた光源1からの光は楕円
反射鏡20によつて集光され、その集点である第
2焦点位置に設けたシヤツタ3を介して第1のコ
ンデンサレンズ21を通り平行光束とされ、フラ
イアン・レンズ等を用いたオプチカル・キンテグ
レータ22を通り、第2のコンデンサレンズ5、
回路パターンを有するガラス基板7、投影レンズ
8を通つてウエハ9の上に露光さる。尚、第2の
コンデンサ・レンズ5に至る光路中には、露光波
長の光をほぼ全て透過する干渉フイルターが設け
られている。
(Example) Next, the present invention will be explained based on an example. FIG. 5 shows an embodiment of an exposure amount control device for carrying out the present invention. In FIG. 5, light from a light source 1 provided at a first focal point of an elliptical reflector 20 is focused by an elliptical reflector 20, and a shutter 3 provided at a second focal point, which is the convergence point, is focused by the elliptical reflector 20. The light beam passes through a first condenser lens 21 and is converted into a parallel beam, passes through an optical kintegrator 22 using a Fryan lens, and then passes through a second condenser lens 5,
A glass substrate 7 having a circuit pattern is exposed onto a wafer 9 through a projection lens 8. Note that an interference filter is provided in the optical path leading to the second condenser lens 5, which transmits almost all of the light of the exposure wavelength.

測光手段は光電検出器6及びフイルタ23から
なり、露光用の光軸lからはずれた位置に設けら
れ、光源1からの光を直接受光し、その光強度に
応じた光電信号を露光制御手段24に出力する。
シヤツタ3は露光光の光軸lに対して45°傾いて
配置され、シヤツタ3で反射する光は、装置のア
ライメント用の顕微鏡等の照明光としても利用さ
れるが、シヤツタ3で反射する光が逆走して光源
検出器6に入射することによつて生じる光電信号
の誤差を防ぐ利点もある。第6図はシヤツタ3の
詳細図、第7図は第6図に示したシヤツタ3のシ
ヤツタブレードの形状の平面図を示す。第6図に
示す如く、シヤツタ3は表側の反射板30に反射
板30より直径が大きい遮光性の遮光板31をは
り合わせてなり、第7図に示すように4枚のブレ
ード部3aと4箇所の切欠き部3bとが円周方向
に等分割に形成されている。遮光板31の各ブレ
ード部3aの一部にはスリツト開口31bが90度
の角度で4個設けられている。このスリツト開口
31bはシヤツタ3のブレード部3a位置を検出
するために設けられたステータス・マークであ
る。すなわちシヤツタ3の裏側に設けられた投光
器25からシヤツタ3に照射された光がスリツト
開口31bを介して反射板30の裏面で反射し、
受光器26に入射することによりシヤツタ3のブ
レード部3aの位置を検出する。このシヤツタ3
はパルスモータ4によつて角度θすなわち1/8回
転することによつて開放及び閉成動作を行う。
The photometry means consists of a photoelectric detector 6 and a filter 23, and is provided at a position off the optical axis l for exposure, and directly receives the light from the light source 1, and sends a photoelectric signal corresponding to the light intensity to the exposure control means 24. Output to.
The shutter 3 is arranged at an angle of 45 degrees with respect to the optical axis l of the exposure light, and the light reflected by the shutter 3 is also used as illumination light for a microscope, etc. for device alignment. It also has the advantage of preventing errors in the photoelectric signal caused by the light traveling backwards and entering the light source detector 6. 6 is a detailed view of the shutter 3, and FIG. 7 is a plan view of the shape of the shutter blade of the shutter 3 shown in FIG. As shown in FIG. 6, the shutter 3 is made up of a front reflecting plate 30 and a light blocking plate 31 having a larger diameter than the reflecting plate 30, and as shown in FIG. The cutout portions 3b are equally divided in the circumferential direction. Four slit openings 31b are provided in a portion of each blade portion 3a of the light shielding plate 31 at an angle of 90 degrees. This slit opening 31b is a status mark provided to detect the position of the blade portion 3a of the shutter 3. That is, the light irradiated onto the shutter 3 from the floodlight 25 provided on the back side of the shutter 3 is reflected on the back side of the reflecting plate 30 through the slit opening 31b.
By entering the light receiver 26, the position of the blade portion 3a of the shutter 3 is detected. This shutter 3
The opening and closing operations are performed by rotating the pulse motor 4 through an angle θ, that is, 1/8 rotation.

このシヤツタ3の開閉動作とは関係なく測光手
段をシヤツタ3の前段に配置した本発明の作用に
ついて第8図及び第9図を用いて説明する。第8
図、第9図においてイはシヤツタ3の開放動作開
始後、閉成動作完了までの光量積分値を示し、C
は光電検出器6における光量積分値、Dはウエハ
9における光量積分値を示す。ロはウエハ9にお
ける露光の光強度分布、ハは光電検出器6の光強
度分布を示す。なお第8図はランプが新しく、光
強度が大きい場合、第9図はランプが劣化して、
光強度が小さくなつた場合を示す。
The operation of the present invention in which the photometric means is disposed upstream of the shutter 3 regardless of the opening/closing operation of the shutter 3 will be explained with reference to FIGS. 8 and 9. 8th
9A and 9B, A indicates the integral value of the light amount from the start of the opening operation of the shutter 3 until the completion of the closing operation, and C
represents the integrated value of the light amount at the photoelectric detector 6, and D represents the integrated value of the light amount at the wafer 9. B shows the light intensity distribution of exposure on the wafer 9, and C shows the light intensity distribution of the photoelectric detector 6. Note that Figure 8 shows when the lamp is new and the light intensity is high, and Figure 9 shows when the lamp has deteriorated.
This shows a case where the light intensity decreases.

第8図、第9図イに示す如く、シヤツタ3の開
放動作開始と同時toに光電検出器6の出力が積分
され、この光量積分値が露光量目標値に相当する
基準電圧Esに達した時点tb又はtdでシヤツタ3の
閉成動作を開始する。このtb又はtd時にウエハ9
面での実際の露光量の積分値は基準電圧Esに対
して、わずかに不足しているがシヤツタ3の閉成
完了時tc又はteまでの露光量が、この不足分に対
応している。すなわちシヤツタ3としてロータ
リ・シヤツタを用いることによつて、シヤツタ開
放時の作動遅れ(ta−to)と閉成時の作動遅れ
(tc−tb)又は(te−td)とが等しいという特性
を利用して、シヤツタ開放の動作遅れによりウエ
ハ9面での実際の露光量不足をシヤツタ閉成時の
作動遅れによる露光分で補つている。したがつて
露光強度、シヤツタ駆動時間によらず、目標とす
る露光量に対して高精度の制御を行うことができ
る。
As shown in FIGS. 8 and 9A, the output of the photoelectric detector 6 is integrated at the same time as the opening operation of the shutter 3 starts, and this integrated light amount value reaches the reference voltage Es corresponding to the target exposure value. The closing operation of the shutter 3 is started at time tb or td. Wafer 9 during this tb or td
Although the integrated value of the actual exposure amount on the surface is slightly insufficient with respect to the reference voltage Es, the exposure amount up to the time tc or te when the shutter 3 completes closing corresponds to this shortage. In other words, by using a rotary shutter as the shutter 3, the characteristic that the operating delay when opening the shutter (ta-to) is equal to the operating delay when closing the shutter (tc-tb) or (te-td) is utilized. Thus, the actual lack of exposure on the wafer 9 due to the delay in opening the shutter is compensated for by the amount of exposure due to the delay in closing the shutter. Therefore, the target exposure amount can be controlled with high precision regardless of the exposure intensity and shutter driving time.

この露光量の制御を行なう本実施例の露光制御
手段24のブロツク図を第10図に示す。第10
図において100は光電検出器6の光電信号を増
巾し、電圧信号S1、として出力するアンプであ
る。101はアンプ100からの電圧信号S1をパ
ルス信号S2に変換する電圧/周波数変換器であ
る。102はこのパルス信号S2を計数し比較器1
04に光量計数値S4を出力するカウンタである。
カウンタ102で計数された光量計数値S4はシヤ
ツタ開放開始時にマイクロコンピユータ(CPU)
103のクリア信号S3によつて零に戻される。1
05は目標値セツトレジスタで、CPU103か
らのセツト信号S7を入力し、比較器104に適正
露光量に相当するパルス数S5を出力する。比較器
104はこのパルス数S5とカウンタ102からの
光量計数値S4を比較し、これらの値が一致した場
合シヤツタ閉じ信号S6をCPU103に出力する。
106はシヤツタ3を回転するパルスモータ4の
ドライブ回路である。なお、107はシヤツタ3
の後部に配置され受光器24の出力信号を増幅
し、光電信号S3をコンパレータ108に出力する
増幅器であり、コンパレータ108はこの光電信
号S3を入力して、CPU103にステータス信号
S9を出力する。
FIG. 10 shows a block diagram of the exposure control means 24 of this embodiment which controls the exposure amount. 10th
In the figure, 100 is an amplifier that amplifies the photoelectric signal from the photoelectric detector 6 and outputs it as a voltage signal S 1 . 101 is a voltage/frequency converter that converts the voltage signal S 1 from the amplifier 100 into a pulse signal S 2 . 102 counts this pulse signal S2 and comparator 1
This is a counter that outputs the light amount count value S4 at 04.
The light intensity count value S4 counted by the counter 102 is calculated by the microcomputer (CPU) when the shutter starts to be opened.
It is returned to zero by the clear signal S3 of 103. 1
05 is a target value set register which inputs a set signal S7 from the CPU 103 and outputs the number of pulses S5 corresponding to the appropriate exposure amount to the comparator 104. The comparator 104 compares this pulse number S 5 with the light amount count value S 4 from the counter 102 and outputs a shutter close signal S 6 to the CPU 103 if these values match.
106 is a drive circuit for the pulse motor 4 that rotates the shutter 3. In addition, 107 is shutter 3
This amplifier is placed at the rear of the photodetector 24 and outputs the photoelectric signal S3 to the comparator 108.The comparator 108 inputs this photoelectric signal S3 and sends a status signal to the CPU 103.
Output S 9 .

次に、第10図に示した露光制御手段24の動
作を説明する。第11図及び第12図はCPU1
03に含まれるプログラムのフローチヤートであ
り、第11図は本実施例の露光量制御装置の電源
投入時のイニシヤライズ・プログラムに含まれる
シヤツタ3の初期位置セツトのためのサブ・ルー
チン化したフローチヤート、第11図は露光動作
のためのサブ・ルーチン化したフローチヤートで
ある。
Next, the operation of the exposure control means 24 shown in FIG. 10 will be explained. Figures 11 and 12 show CPU1
FIG. 11 is a flowchart of a subroutine for setting the initial position of the shutter 3, which is included in the initialization program when the power is turned on for the exposure control device of this embodiment. , FIG. 11 is a sub-routine flowchart for the exposure operation.

露光量制御装置の電源投入時にはシヤツタ3の
ブレード部3aが任意の位置にあるため、ブレー
ド部3aの位置決めを行う必要がある。第10図
において、露光量制御装置の電源が投入されると
CPU103はステツプ200でシヤツタ3が角度2θ
すなわち90度回転するために必要なパルス数N2θ
のモータ駆動データS10をドライブ回路106に
出力し、パルスモータ4はドライブ回路106に
より制御され低速回転を開始する。なおNは単位
角度を回転するためのパルス数である。同時に
CPU103はステツプ201でコンパレータ108
からのステータス信号S9をモニターし、受光器2
4がシヤツタ3後面のスリツト開口31bを検知
し、ステータス信号S9が「L」から「H」になつ
たときステツプ202でモータ駆動データS10の出力
を停止し、パルスモータ4の回転を停止させる。
この状態のときに、シヤツタ3の4個のブレード
部3aのうちの1個が、光軸lをさえぎるように
位置し、シヤツタ3の閉状態が達成される。ここ
でモータ駆動データS10のパルス数をN2θとした
のはシヤツタ3に設けたスリツト開口31bが90
度毎の角度で設けられているため、シヤツタ3を
少なくとも90度回転すればスリツト開口31bが
必ず検知されるからである。このようにしてシヤ
ツタ3の閉状態が達成された後にウエハ9の露光
動作を行う。
Since the blade portion 3a of the shutter 3 is in an arbitrary position when the power of the exposure control device is turned on, it is necessary to position the blade portion 3a. In Figure 10, when the power to the exposure control device is turned on,
The CPU 103 is at step 200 and the shutter 3 is at an angle of 2θ.
In other words, the number of pulses N2θ required to rotate 90 degrees
The pulse motor 4 is controlled by the drive circuit 106 and starts rotating at a low speed. Note that N is the number of pulses for rotating a unit angle. at the same time
The CPU 103 uses the comparator 108 in step 201.
monitor the status signal S 9 from the receiver 2.
4 detects the slit opening 31b on the rear surface of the shutter 3, and when the status signal S9 changes from "L" to "H", the output of the motor drive data S10 is stopped in step 202, and the rotation of the pulse motor 4 is stopped. let
In this state, one of the four blade portions 3a of the shutter 3 is positioned so as to block the optical axis l, and the shutter 3 is in the closed state. Here, the number of pulses of the motor drive data S10 is set to N2θ because the slit opening 31b provided in the shutter 3 is 90
This is because the slit opening 31b is always detected if the shutter 3 is rotated at least 90 degrees since the openings are provided at different angles. After the shutter 3 is closed in this manner, the exposure operation of the wafer 9 is performed.

第12図において、露光動作が開始されると、
ステツプ210でCPU103は、セツト信号S7を目
標値セツトレジスタ105に出力し、目標値セツ
トレジスタ105は適正露光量に相当するバルス
数S5を比較器104に出力する。次にステツプ
211でクリア信号S3をカウンタ102に出力し、
カウンタ102に残つている光量計数値S4を零に
する。これと一定タイミングを置いてステツプ
212でモータ駆動データS10として、シヤツタ3を
角度θすなわち1/8回転だけ回転させるパルス数
Nθをドライブ回転106に出力してパルスモー
タ4を駆動させ、シヤツタ3の回転を開始する。
この時刻が第8図及び第9図のtoに相当する。
In FIG. 12, when the exposure operation is started,
In step 210, the CPU 103 outputs the set signal S7 to the target value set register 105, and the target value set register 105 outputs the number of pulses S5 corresponding to the appropriate exposure amount to the comparator 104. Next step
At 211, a clear signal S3 is output to the counter 102,
The light quantity count value S4 remaining in the counter 102 is made zero. Step at a certain timing with this
212, motor drive data S 10 , number of pulses to rotate shutter 3 by angle θ, that is, 1/8 rotation.
The pulse motor 4 is driven by outputting Nθ to the drive rotation 106, and the shutter 3 starts rotating.
This time corresponds to to in FIGS. 8 and 9.

カウンタ102はシヤツタ3の回転が開始する
と同時に電圧/周波数変換器101からのパルス
信号S2を計数する。
The counter 102 counts the pulse signal S2 from the voltage/frequency converter 101 at the same time as the shutter 3 starts rotating.

ステツプモータ4が高速回転し、シヤツタ3を
1/8回転させると、ステツプモータ4は回転を停
止し、シヤツタ3は全開状態となり、光量積分値
は第8図及び第9図のta時の値となる。ステツプ
モータ4が回転を停止した後もカウンタ102は
電圧/周波数変換器101からのパルス信号S2
計数し、光量計数値S4を比較器104に出力す
る。またCPU103はステツプ212で比較器10
4からの閉じ信号S6をモニターしており、光量積
分値が第8図tb又は第9図td時の値となり比較器
104で光量計算値S4と適正露光量に相当するパ
ルス数S5が一致し、閉じ信号S6が「L」から
「H」になつたときを検出する。閉じ信号S6
「H」になるとステツプ214で再びステツプモータ
4を回転させるためのパルスNθのモータ駆動デ
ータS10を出力し、シヤツタ3の閉成を開始する
ステツプモータ4がパルス数Nθ分回転し、停止
するとシヤツタ3は全閉状態となる。このときウ
エハ9面の露光量積分値は第8図tc,又は第9図
te時の値となり適正露光量となる。
When the step motor 4 rotates at high speed and the shutter 3 rotates 1/8, the step motor 4 stops rotating, the shutter 3 becomes fully open, and the integrated value of the light amount becomes the value at time ta in FIGS. 8 and 9. becomes. Even after the step motor 4 stops rotating, the counter 102 counts the pulse signal S 2 from the voltage/frequency converter 101 and outputs the light quantity count value S 4 to the comparator 104. Also, the CPU 103 inputs the comparator 10 at step 212.
The closing signal S 6 from 4 is monitored, and the integrated light amount value becomes the value at tb in FIG. 8 or td in FIG. It is detected when they match and the closing signal S6 changes from "L" to "H". When the closing signal S6 becomes "H", the motor drive data S10 of pulse Nθ for rotating the step motor 4 again is output in step 214, and the step motor 4 starts closing the shutter 3 by the number of pulses Nθ. When the shutter 3 rotates and stops, the shutter 3 becomes fully closed. At this time, the integrated value of the exposure amount for the 9th wafer surface is shown in Figure 8 tc or Figure 9.
The value at te is the appropriate exposure amount.

なお第9図の露光制御手段24の実施例におい
て、比較器104の閉じ信号S6によつて、CPU
103にシヤツター閉成のための割り込み処理を
実行させるようにしてもよく、さらにカウンタ1
02,比較器104及び目標値セツトレジスタ1
05をCPU103の内部でプログラムによつて
同様に構成することもできる。
In the embodiment of the exposure control means 24 shown in FIG .
The counter 103 may be configured to execute interrupt processing for closing the shutter, and the counter 1
02, comparator 104 and target value set register 1
05 can also be similarly configured by a program inside the CPU 103.

その他に、電圧/周波数変換器101とカウン
タ102間にゲート回路を設ける。そして露光開
始に役立つて、そのカウンタに適正露光量に相当
する値をセツトし、露光開始とともにゲート回路
を開き、パルス信号S2のパルス数をカウンタ10
2の値から減算するようにする。そしてカウンタ
102の値が零になつたとき、閉じる信号S6を出
力してシヤツタを閉じるようにしてもよい。
In addition, a gate circuit is provided between the voltage/frequency converter 101 and the counter 102. Then, to help start exposure, a value corresponding to the appropriate exposure amount is set in the counter, and at the start of exposure, the gate circuit is opened and the number of pulses of the pulse signal S2 is set to the counter 10.
Subtract it from the value of 2. Then, when the value of the counter 102 becomes zero, the shutter may be closed by outputting the closing signal S6 .

第13図は、比較的シヤツタ制御時間が短かく
アナログ制御が適用し得る露光制御手段24の実
施例ブロツク図を示す。第13図において第3図
と同一符号は同一構成を示す。ただし光電検出器
6の位置は第5図に示した位置である。また第3
図に示した例と相違し、積分器を成すコンデンサ
14と並列にスイツチ40を設けてある。
FIG. 13 shows a block diagram of an embodiment of the exposure control means 24, which has a relatively short shutter control time and can be applied with analog control. In FIG. 13, the same symbols as in FIG. 3 indicate the same configurations. However, the position of the photoelectric detector 6 is as shown in FIG. Also the third
Unlike the example shown in the figure, a switch 40 is provided in parallel with the capacitor 14 forming an integrator.

露光開始信号が入るとスイツチ40が開き、光
量の積分を開始し、光量積分値と目標値を比較器
15で比較し、シヤツタが全開状態になつた後に
光量積分値が目標値に達すると、シヤツタの閉成
動作を行なうことにより適正露光量を得ることが
できる。
When the exposure start signal is input, the switch 40 opens and starts integrating the light amount, and the comparator 15 compares the light amount integral value with the target value, and when the light amount integral value reaches the target value after the shutter is fully open, An appropriate amount of exposure can be obtained by closing the shutter.

第14図は他の実施例の一部を示したもので、
測定手段の他の変形例のいくつかを示す。
FIG. 14 shows a part of another embodiment,
Some other variations of the measuring means are shown.

第1は光電検出器6aを楕円反射鏡20を保持
する保持具20aの周辺で、楕円反射鏡20の開
口部に設けた場合、第2は、光電検出器6bが楕
円反射鏡2の上方で、光源1の上部電極1aが通
る開口部から射出する光を受光するように設けた
場合、第3は光源1の像をレンズ51でフアイバ
束52の一端面に結像し、フアイバ束52の他端
で光電検出器6cで光量を検出する場合である。
この第3の測光手段によれば、光電検出器6cを
光源1から場所に配置できるので、光電検出器6
cが光源1からの高温にさらされることがなく、
安定した光電信号が得られる。さらに光源1が高
圧水銀放電管の場合に、まれに発生する爆発事故
に対しても、光電検出器6cを保設することがで
きる。また光電検出器6,6a,6b及び6cと
光源1との間に露光用の波長の光を選択的に透過
するフイルタ23や防熱フイルタ等を設けること
により、光源1が露光用の波長以外の波長の光を
発生しても適正露光量を検出することができると
共に、光源からの熱線の影響も受けなくなる。
The first is when the photoelectric detector 6a is installed at the opening of the elliptical reflector 20 around the holder 20a that holds the elliptical reflector 20, and the second is when the photoelectric detector 6b is installed above the elliptical reflector 2. , when the light source 1 is provided to receive light emitted from the opening through which the upper electrode 1a passes, the third image of the light source 1 is formed on one end surface of the fiber bundle 52 by the lens 51, and the image of the fiber bundle 52 is This is a case where the amount of light is detected by the photoelectric detector 6c at the other end.
According to this third photometric means, the photoelectric detector 6c can be placed at a location away from the light source 1.
c is not exposed to high temperature from light source 1,
A stable photoelectric signal can be obtained. Furthermore, when the light source 1 is a high-pressure mercury discharge tube, the photoelectric detector 6c can be maintained even in case of an explosion accident that rarely occurs. In addition, by providing a filter 23 or a heat shielding filter that selectively transmits light of a wavelength for exposure between the photoelectric detectors 6, 6a, 6b, and 6c and the light source 1, the light source 1 can transmit light of a wavelength other than that for exposure. Even if light of the same wavelength is generated, an appropriate exposure amount can be detected, and it is not affected by heat rays from the light source.

第15図に本発明の他の実施例を示す。第15
図の示した光学系は、特開昭57−85019号公報に
開示されたもので、光源1用のランプを交換した
ときに光源1の輝点の位置を楕円反射鏡20の第
1焦点に正確に位置合わせするためのモニタ光学
系を附加したものである。光源1から発した露光
光は楕円反射鏡20で反射し、楕円反射鏡20の
第2焦点F2′との間に斜設されたダイクロイツク
ミラー54でさらに反射し、干渉フイルタやイン
テグレータを含む光学部材55を通り反射鏡54
で反射され、コンデンサレンズ5に導かれる。
FIG. 15 shows another embodiment of the present invention. 15th
The optical system shown in the figure is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-85019, and when the lamp for light source 1 is replaced, the position of the bright spot of light source 1 is changed to the first focal point of elliptical reflector 20. A monitor optical system is added for accurate positioning. Exposure light emitted from the light source 1 is reflected by an elliptical reflector 20, further reflected by a dichroic mirror 54 installed obliquely between the second focus F 2 ' of the ellipse reflector 20, and includes an interference filter and an integrator. Passing through the optical member 55 and reflecting mirror 54
and is guided to the condenser lens 5.

ダイクロイツクミラー54を露光用波長の光の
数%程度及び露光用波長以外の波長の光が透過す
るような分光特性のものにしておくと、ダイクロ
イツクミラー54は露光用波長の光のほとんど全
部を反射し、第2焦点F2に光源の像を結像する。
この第2焦点F2の位置にシヤツタを設ける。ま
た露光用波長の光の一部及びこの波長より長い波
長の光はダイクロイツクミラー54を透過して第
2の焦点F2′に光源1の像を結像する。この透過
光は光学系の光り軸l外に設けられた正レンズ5
7a、反射鏡58a、指標板59aからなる第1
の光源位置検出系及び同じく光学系の光り軸l外
に設けられた正レンズ57b、反射鏡58a、指
標板59bはフイルタ24及び光電検出器6dか
らなる測光手段と交換可能に配置する。本実施例
において、光源1用のランプを交換するときは指
標板59bを配置し、光源1の位置合せを行い、
この位置合せ終了後は測光手段を指標板59bの
位置に挿入して、露光制御のための測光を行な
う。
If the dichroic mirror 54 is made to have spectral characteristics such that about a few percent of the light at the exposure wavelength and light at wavelengths other than the exposure wavelength is transmitted, the dichroic mirror 54 will transmit almost all of the light at the exposure wavelength. is reflected, and an image of the light source is formed at the second focal point F2 .
A shutter is provided at this second focal point F2 . Further, a part of the light having the exposure wavelength and light having a wavelength longer than this wavelength is transmitted through the dichroic mirror 54 to form an image of the light source 1 at the second focal point F 2 '. This transmitted light is transmitted through a positive lens 5 provided outside the optical axis l of the optical system.
7a, a reflecting mirror 58a, and an index plate 59a.
The light source position detection system and the positive lens 57b, reflecting mirror 58a, and index plate 59b, which are also provided outside the optical axis l of the optical system, are arranged so as to be replaceable with the photometry means consisting of the filter 24 and the photoelectric detector 6d. In this embodiment, when replacing the lamp for the light source 1, the index plate 59b is placed, the light source 1 is aligned,
After this alignment is completed, a photometry means is inserted at the position of the index plate 59b to perform photometry for exposure control.

以上、本発明の各実施例を説明したが、要する
に測光のための光電検出器がシヤツタとは無関係
に光源からの光の強度を常に検出するように設け
るとともに、シヤツタの開放時間(ta−to)と閉
成時間(tc−tb)、(te−td)とが等しいという条
件のもとで、極めて正確な露光量が得られるもの
である。また、この条件が成り立てば、シヤツタ
はロータリー式にする必要はなく、往復直線移動
式のシヤツタをソレノイドで駆動してもよい。
Each embodiment of the present invention has been described above, but in short, the photoelectric detector for photometry is provided so as to always detect the intensity of light from the light source regardless of the shutter, and the shutter opening time (ta-to ) and the closing time (tc-tb) and (te-td) are equal, an extremely accurate exposure amount can be obtained. Further, if this condition is met, the shutter does not need to be a rotary type, and a reciprocating linear type shutter may be driven by a solenoid.

そして上記実施例のような露光量制御装置が組
み込まれた縮小投影型露光装置の場合、感光基板
を載置して二次元移動させるステージに、照明光
の照度分布を測定したり、レチクルの投影像を検
出したりするための微小開口(スリツト)を有す
る光電検出器を設けることが特開昭57−117238号
公報に開示されている。そこで、このようなステ
ージ上の光電検出器を用いることができる場合
は、その光電検出器によつて実際の露光量をモニ
ターとして、測光用の増幅器100のゲイン及び
電圧/周波数変換101の変換比等を適正なもの
に調整することができる。すなわち、いわゆる光
量積分の感度を較正することが可能となる。
In the case of a reduction projection type exposure apparatus with a built-in exposure control device as in the above embodiment, a stage on which a photosensitive substrate is placed and moved two-dimensionally is used to measure the illuminance distribution of illumination light and to project a reticle. Japanese Patent Laid-Open No. 117238/1983 discloses the provision of a photoelectric detector having a minute aperture (slit) for detecting images. Therefore, if such an on-stage photoelectric detector can be used, the actual exposure amount can be monitored by the photoelectric detector, and the gain of the photometric amplifier 100 and the conversion ratio of the voltage/frequency converter 101 can be adjusted using the photoelectric detector. etc. can be adjusted to appropriate values. That is, it becomes possible to calibrate the sensitivity of so-called light amount integral.

(発明の効果) 以上述べたように、本発明によれば、ステージ
上に照度検出器を設けて照明光の強度を検出し、
その出力に基づいて露光量制御手段を較正するよ
うにしたので、簡単な構成ながら長期間に亘つて
感光物への実露光量を目標値通りに案内に保つこ
とができる。また、光源の光強度が大幅に変化し
たとき、例えば第15図で説明したように光源用
のランプを新品に交換した直後でも、確実に適正
露光量を得ることができる。また、投影露光装置
の場合、この種の露光量制御手段の測光用光電検
出器は感光物へパターンを転写するマスクよりも
光源側に設けられているため、投影光学系による
照明光量の損失分を検出することができなかつた
が、本発明によればステージ上の照度測定器によ
つて投影光学系を通つてきた照明光の光量を検出
するので、露光量制御手段は投影光学系での損失
分を加味して較正されるという利点も得ることが
できるものである。
(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, an illuminance detector is provided on the stage to detect the intensity of illumination light,
Since the exposure amount control means is calibrated based on the output, the actual exposure amount to the photosensitive material can be maintained at the target value over a long period of time despite the simple configuration. Moreover, when the light intensity of the light source changes significantly, for example, even immediately after replacing the light source lamp with a new one as explained in FIG. 15, the appropriate exposure amount can be reliably obtained. In addition, in the case of a projection exposure apparatus, the photometric photodetector of this type of exposure amount control means is installed closer to the light source than the mask that transfers the pattern to the photosensitive material, so the amount of illumination light lost due to the projection optical system is However, according to the present invention, the amount of illumination light that has passed through the projection optical system is detected by the illuminance measuring device on the stage, so the exposure amount control means can detect the amount of illumination light that has passed through the projection optical system. It also has the advantage of being calibrated taking losses into account.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の露光装置のブロツク図、第2図
は露光強度分布図、第3図は従来の露光制御のブ
ロツク図、第4図は光量積分値の分布図、第5図
は本発明の一実施例の構成図、第6図は第5図に
示した実施例に使用しているシヤツタの構造図、
第7図は同じくシヤツタのブレード形状の平面
図、第8図、第9図イは光量積分値の分布図、ロ
は光強度分布図、第10図は第5図に示した実施
例の露光制御手段のブロツク図、第11図、第1
2図は第10図に示した露光制御手段のプログラ
ムのフローチヤート、第13図は露光制御手段の
他の実施例のブロツク図、第14図は本発明の他
の実施例の構成図、第15図は同じく本発明の他
の実施例の構成図である。 1……光源、2……焦光レンズ、3……シヤツ
タ、4……パルスモータ、5……基板、6,6
a,6b,6c,6d……光電検出器、7……基
板、8……投影レスズ、9……ウエハ、11……
増幅器、12……抵抗、13……増幅器、14…
…コンデンサ、15……比較器、16……フリツ
プフロツプ回路、17……駆動回路、20……楕
円反射鏡、21……コンデンサレンズ、22……
オプチカルインテグレータ、100……増幅器、
101……電圧/周波数変換器、102……カウ
ンタ、103……CPU、104……比較器、1
05……目標値セツトレジスタ、106……ドラ
イブ回路。
Figure 1 is a block diagram of a conventional exposure apparatus, Figure 2 is an exposure intensity distribution diagram, Figure 3 is a block diagram of conventional exposure control, Figure 4 is a distribution diagram of integrated light quantity values, and Figure 5 is a diagram of the present invention. Fig. 6 is a structural diagram of the shutter used in the embodiment shown in Fig. 5;
Figure 7 is a plan view of the shutter blade shape, Figures 8 and 9 A are distribution diagrams of integrated light amount values, B are light intensity distribution diagrams, and Figure 10 is the exposure of the embodiment shown in Figure 5. Block diagram of control means, Fig. 11, Fig. 1
2 is a flowchart of a program of the exposure control means shown in FIG. 10, FIG. 13 is a block diagram of another embodiment of the exposure control means, and FIG. 14 is a block diagram of another embodiment of the present invention. FIG. 15 is a block diagram of another embodiment of the present invention. 1... Light source, 2... Focusing lens, 3... Shutter, 4... Pulse motor, 5... Board, 6, 6
a, 6b, 6c, 6d...Photoelectric detector, 7...Substrate, 8...Projection resin, 9...Wafer, 11...
Amplifier, 12...Resistor, 13...Amplifier, 14...
... Capacitor, 15 ... Comparator, 16 ... Flip-flop circuit, 17 ... Drive circuit, 20 ... Elliptical reflector, 21 ... Condenser lens, 22 ...
Optical integrator, 100...amplifier,
101...Voltage/frequency converter, 102...Counter, 103...CPU, 104...Comparator, 1
05...Target value set register, 106...Drive circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 光源からの光を感光物に照射するための照明
系と前記感光物への露光量を制御する光量制御手
段とを備えた露光装置において、前記感光物を載
置するステージ上に照度測定器を設け、この照度
測定器の出力に基いて前記光量制御手段を較正す
ることを特徴とする露光量制御装置の較正方法。 2 前記光量制御手段が前記光源からの光の強度
に応じた信号を積算する積算光量計測器を備え、
前記照度測定器の出力に基いて前記積算光量計測
器の積分感度を較正することを特徴とする特許請
求の範囲第1項に記載の露光量制御装置の較正方
法。 3 光源からの光をマクス基板に照射するための
照明光学系と、前記照明光の照射によつて前記マ
スク基板に形成されたパターンの像を感光基板上
に結像投影する投影光学系と、前記感光基板を載
置して移動するステージと、前記マスク基板に達
成する前の前記照明光の強度を検出して前記感光
基板に与えられる露光量を目標値に制御する光量
制御手段とを備えた露光装置において、前記ステ
ージ上に照度測定用の光電検出器を設け、この光
電検出器の出力に基いて前記光量制御手段を較正
することを特徴とする露光量制御装置の較正方
法。
[Scope of Claims] 1. In an exposure apparatus equipped with an illumination system for irradiating the photosensitive material with light from a light source and a light amount control means for controlling the amount of exposure to the photosensitive material, the photosensitive material is placed. 1. A method for calibrating an exposure amount control device, characterized in that an illuminance measuring device is provided on a stage, and the light amount controlling means is calibrated based on the output of the illuminance measuring device. 2. The light amount control means includes an integrated light amount measuring device that integrates a signal according to the intensity of light from the light source,
2. The method for calibrating an exposure amount control device according to claim 1, wherein the integral sensitivity of the integrated light amount measuring device is calibrated based on the output of the illuminance measuring device. 3. an illumination optical system for irradiating the mask substrate with light from a light source; a projection optical system for forming and projecting an image of the pattern formed on the mask substrate by the irradiation of the illumination light onto the photosensitive substrate; A stage on which the photosensitive substrate is placed and moved; and a light amount control means that detects the intensity of the illumination light before reaching the mask substrate and controls the amount of exposure given to the photosensitive substrate to a target value. 1. A method for calibrating an exposure amount control device, wherein a photoelectric detector for measuring illuminance is provided on the stage, and the light amount control means is calibrated based on the output of the photoelectric detector.
JP58160542A 1983-09-02 1983-09-02 Device for controlling exposure Granted JPS6052852A (en)

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