JPH04275701A - Low pass filter for integrated circuit - Google Patents

Low pass filter for integrated circuit

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Publication number
JPH04275701A
JPH04275701A JP3059723A JP5972391A JPH04275701A JP H04275701 A JPH04275701 A JP H04275701A JP 3059723 A JP3059723 A JP 3059723A JP 5972391 A JP5972391 A JP 5972391A JP H04275701 A JPH04275701 A JP H04275701A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pass filter
low
signal lines
lines
integrated circuit
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP3059723A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigero Hayashi
茂郎 林
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication of JPH04275701A publication Critical patent/JPH04275701A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain a filter whose occupancy area is small in an integrated circuit and which can obtain a lower cut-off frequency by providing a ferromagnetic material layer formed in place of an insulating material layer between signal lines at a prescribed section. CONSTITUTION:Under the section where the ferromagnetic material layer 6 is sandwitced between first and second conductor lines 3a and 3b, a comparatively large inductance is generated in the respective conductor lines 3a and 3b. There is capacitance between the respective conductor lines 3a and 3b. As the inductance and the capacitance. which are generated between the respective signal lines, act upon the pair of the signal lines in common, the low passfilter 1 which is formed by combining the both has equal characteristics at the respective lines. Consequently, the low pass filter whose characteristic balances with respect to that of a differential signal lines propagating signals which are mutually complementary, whose occupancy area is small, and which has the sufficiently low cut off frequency is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、集積回路用ローパスフ
ィルタに関する。より詳細には、本発明は、モノリシッ
ク集積回路または混成集積回路において、半導体素子等
と共に基板上に造り込むことができるローパスフィルタ
の新規な構成に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low-pass filter for integrated circuits. More particularly, the present invention relates to a novel configuration of a low-pass filter that can be built on a substrate together with semiconductor elements or the like in a monolithic integrated circuit or a hybrid integrated circuit.

【0002】0002

【従来の技術】近年の集積回路製造技術の進歩は目覚ま
しく、殆どあらゆる種類の素子を含む回路を集積化する
ことが可能になっている。
2. Description of the Related Art Recent advances in integrated circuit manufacturing technology have been remarkable, and it has become possible to integrate circuits containing almost all types of elements.

【0003】図3は、集積回路で使用される一般的なロ
ーパスフィルタの構成を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of a general low-pass filter used in integrated circuits.

【0004】同図に示すように、一般的なローパスフィ
ルタは、信号線路中に挿入されたインダクタLと、一端
をこの信号線路に接続された容量Cとから構成されてい
る。そこで、集積回路においてローパスフィルタを構成
する場合も、インダクタと容量素子とをそれぞれ個別に
形成し、これらを適宜接続して所望のローパスフィルタ
を構成していた。
As shown in the figure, a typical low-pass filter consists of an inductor L inserted into a signal line and a capacitor C connected at one end to the signal line. Therefore, when constructing a low-pass filter in an integrated circuit, an inductor and a capacitive element are each formed separately, and these are connected as appropriate to construct a desired low-pass filter.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなローパスフィルタを構成するインダクタおよび容
量素子は、いずれも集積回路素子としての作製に問題の
ある素子である。
However, both the inductor and the capacitive element constituting the above-described low-pass filter are elements that have problems when manufactured as integrated circuit elements.

【0006】即ち、インダクタは、基板上に形成された
コイル状の導体線路により形成されるが、そのインダク
タンスは導体線路の巻数に専ら依存する。従って、イン
ダクタンスの大きなインダクタを作製しようとすると集
積回路中での専有面積は必然的に大きくなる。
That is, an inductor is formed by a coiled conductor line formed on a substrate, and its inductance depends solely on the number of turns of the conductor line. Therefore, if an inductor with a large inductance is manufactured, the area occupied in the integrated circuit will inevitably increase.

【0007】また、容量素子も、その容量は素子の寸法
に専ら依存し、容量の大きなものを専有面積を拡大する
ことなく集積回路中に造り込むことは難しい。
[0007] Furthermore, the capacitance of a capacitive element depends exclusively on the dimensions of the element, and it is difficult to incorporate a large capacitive element into an integrated circuit without increasing the area occupied.

【0008】これらの理由により、インダクタと容量素
子により構成されたローパスフィルタを集積回路中に造
り込んだ場合は、ローパスフィルタが専有する面積が著
しく大きくなる上に、カットオフ周波数の低いローパス
フィルタを作製することは難かった。
For these reasons, when a low-pass filter composed of an inductor and a capacitive element is built into an integrated circuit, the area occupied by the low-pass filter becomes significantly large, and it is difficult to use a low-pass filter with a low cutoff frequency. It was difficult to make.

【0009】更に、互いに相補的な信号を伝播する差動
信号線路に対してローパスフィルタを挿入した構成の回
路を作製する場合、1対の差動信号線路に対して互いに
特性のそろったローパスフィルタを形成することが難し
く、集積回路中でローパスフィルタを使用する場合の制
約となっている。
Furthermore, when creating a circuit in which a low-pass filter is inserted into differential signal lines that propagate mutually complementary signals, low-pass filters with the same characteristics are inserted into a pair of differential signal lines. is difficult to form, and is a constraint on the use of low-pass filters in integrated circuits.

【0010】そこで、本説明は、上記従来技術の問題点
を解決し、充分に低いカットオフ周波数を有しつつ専有
面積が小さく、且つ、差動信号線に対してもバランスの
とれた特性を実現することができる新規なローパスフィ
ルタを提供することをその目的としている。
Therefore, the present explanation solves the problems of the above-mentioned prior art, has a sufficiently low cutoff frequency, occupies a small area, and has balanced characteristics for differential signal lines. The purpose is to provide a novel low-pass filter that can be implemented.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明に従うと、
基板上に形成された導体線路を含む集積回路に組み込ま
れるローパスフィルタであって、絶縁体層を介して互い
に平行に配置された1対の信号線路と、所定区間におい
て該1対の信号線路の間に形成された強磁性体層とを具
備することを特徴とする集積回路用ローパスフィルタが
提供される。
[Means for Solving the Problems] That is, according to the present invention,
A low-pass filter that is incorporated into an integrated circuit that includes conductor lines formed on a substrate, including a pair of signal lines that are arranged parallel to each other with an insulating layer interposed therebetween, and a pair of signal lines that are connected to each other in a predetermined section. Provided is a low-pass filter for an integrated circuit, comprising a ferromagnetic layer formed between the present invention and the ferromagnetic material layer.

【0012】0012

【作用】本発明に係る集積回路用ローパスフィルタは、
1対の信号線路の各々に同様に形成されたインダクタと
、その区間の導体線路自体の間に発生する容量とによっ
て形成されていることをその主要な特徴としている。
[Operation] The low-pass filter for integrated circuits according to the present invention has the following features:
Its main feature is that it is formed by an inductor similarly formed in each of a pair of signal lines and a capacitance generated between the conductor lines themselves in that section.

【0013】従来の集積回路用ローパスフィルタは、個
別に作製されたインダクタおよび容量素子を組み合わせ
て構成されていた。また、差動信号線路に対してローパ
スフィルタをを挿入する場合は、各信号線路に対して個
別に作製されたローパスフィルタをそれぞれ挿入する構
成となっていた。
Conventional low-pass filters for integrated circuits have been constructed by combining individually manufactured inductors and capacitive elements. Furthermore, when inserting a low-pass filter into the differential signal line, the configuration is such that an individually manufactured low-pass filter is inserted into each signal line.

【0014】これに対して、本発明に係る集積回路用ロ
ーパスフィルタは、平行に配置された1対の導体線路間
に強磁性体層を設けることにより導体線路に発生するイ
ンダクタンスと、この強磁性体層を挟んだ区間の導体線
路自体が形成する容量とによって構成されている。ここ
で各信号線路の間に発生するインダクタンスおよび容量
は、1対の信号線に対して共通に作用するので、両者を
組み合わせて形成されたローパスフィルタは各信号線路
において等しい特性を有する。従って、特に、互いに相
補的な信号を伝播する差動信号線に対して、特性のバラ
ンスがとれたローパスフィルタとして有利に使用するこ
とができる。
On the other hand, in the low-pass filter for integrated circuits according to the present invention, a ferromagnetic layer is provided between a pair of conductor lines arranged in parallel, so that the inductance generated in the conductor line and the ferromagnetic It is constituted by the capacitance formed by the conductor line itself in the section sandwiching the body layer. Since the inductance and capacitance generated between each signal line act in common on a pair of signal lines, a low-pass filter formed by combining the two has equal characteristics on each signal line. Therefore, it can be advantageously used as a low-pass filter with balanced characteristics, particularly for differential signal lines that propagate mutually complementary signals.

【0015】尚、互いに積層された1対の信号線路の間
に強磁性体を挟むことにより導体線路に発生するインダ
クタンスは、通常の集積回路中の導体線路に寄生するイ
ンダクタンスよりも顕著に大きく、この区間の導体線路
はインダクタとして有効に機能する。
[0015] The inductance generated in the conductor line by sandwiching a ferromagnetic material between a pair of mutually laminated signal lines is significantly larger than the inductance parasitic on the conductor line in a normal integrated circuit. The conductor line in this section effectively functions as an inductor.

【0016】以上のような本発明に係るローパスフィル
タは、1対の信号線路間に強磁性体層を形成するだけで
よく、集積回路上での専有面積は極めて小さい。
The low-pass filter according to the present invention as described above only requires forming a ferromagnetic layer between a pair of signal lines, and occupies an extremely small area on an integrated circuit.

【0017】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎず
、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
[0017] The present invention will now be described in more detail with reference to Examples, but the following disclosure is merely an example of the present invention and is not intended to limit the technical scope of the present invention in any way.

【0018】[0018]

【実施例】図1は、本発明に係る集積回路用ローパスフ
ィルタの具体的な構成例を示す断面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a sectional view showing a specific example of the structure of a low-pass filter for integrated circuits according to the present invention.

【0019】同図に示すように、この集積回路用ローパ
スフィルタは、基板1上に、絶縁体層2を介して形成さ
れた第1の導体線路3aと、導体線路上に絶縁体層4を
介して形成された第2の導体層3bと、絶縁体層4中に
埋設された強磁性体層6とから主に構成されている。 尚、第2の導体線路3b上は、保護用の絶縁体層5によ
り被覆されている。また、第1の導体線路3aと第2の
導体線路3bとは、互いに相補的な差動信号を伝播して
いるものとする。
As shown in the figure, this low-pass filter for integrated circuits includes a first conductor line 3a formed on a substrate 1 via an insulator layer 2, and an insulator layer 4 on the conductor line. It mainly consists of a second conductor layer 3b formed therebetween and a ferromagnetic layer 6 buried in an insulator layer 4. Note that the second conductor line 3b is covered with a protective insulating layer 5. Further, it is assumed that the first conductor line 3a and the second conductor line 3b propagate mutually complementary differential signals.

【0020】以上のような構成のローパスフィルタ1に
おいて、第1および第2の導体線路3a、3bの間に強
磁性体層6が挟まれている区間Fでは、各導体線路3a
、3bに比較的大きなインダクタンスLが発生する。 また、各導体線路3a、3bの間には容量Cが有る。
In the low-pass filter 1 having the above configuration, in the section F where the ferromagnetic layer 6 is sandwiched between the first and second conductor lines 3a and 3b, each conductor line 3a
, 3b, a relatively large inductance L occurs. Further, there is a capacitance C between each conductor line 3a and 3b.

【0021】図2は、図1に示した集積回路用ローパス
フィルタの等価回路を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the low-pass filter for integrated circuits shown in FIG. 1.

【0022】同図に示すように、導体線路3a、3bの
間には容量Cが形成されると共に、導体線路3a、3b
の間に強磁性体層6を挟むことにより、導体線路3a、
3bにはインダクタンスLが発生する。従って、導体線
路3a、3bは、分布定数型のローパスフィルタを形成
する。
As shown in the figure, a capacitance C is formed between the conductor lines 3a and 3b, and a capacitance C is formed between the conductor lines 3a and 3b.
By sandwiching the ferromagnetic layer 6 between the conductor lines 3a,
Inductance L is generated in 3b. Therefore, the conductor lines 3a and 3b form a distributed constant type low-pass filter.

【0023】なお、このローパスフィルタの特性は、1
対の導体線路3a、3bの寸法、間隔、形状の他、両者
の間に間挿される強磁性体層6の厚さ等によっても調整
することができる。
Note that the characteristics of this low-pass filter are 1
In addition to the dimensions, spacing, and shape of the pair of conductor lines 3a and 3b, adjustment can also be made by the thickness of the ferromagnetic layer 6 interposed between them.

【0024】また、図1では、最も基本的な構成例を示
したが、図1に示した構造に付加して、基板1と絶縁体
層2の間および絶縁層5の上層に接地した導体層を更に
設けてシールド用グランドパターンとすることにより、
各導体線路3a、3bに対する特性のパランスはより向
上される。
Although FIG. 1 shows the most basic configuration example, in addition to the structure shown in FIG. By adding an additional layer and using it as a ground pattern for shielding,
The balance of characteristics for each conductor line 3a, 3b is further improved.

【0025】〔作製例〕図1に示した構造のローパスフ
ィルタを実際に作製した。
[Production Example] A low-pass filter having the structure shown in FIG. 1 was actually produced.

【0026】まず、基板1上に、CVD法によりSiN
を堆積させることにより、厚さ1μmの絶縁体層2を形
成した。続いて、蒸着法によりAuを堆積させることに
より、厚さ1μmの第1の導体線路3aを形成した。次
に、厚さ1μmの絶縁体層4bを形成した後、区間Fで
はフェライトを、他の領域では絶縁体をそれぞれ厚さ1
μmまで堆積させ、絶縁体層4aおよび強磁性体層6を
各々形成した。更に、厚さ1μmの絶縁体を堆積させて
、絶縁体層4cを形成した後、再びAuを堆積させて第
2の導体線路3bを形成し、最後に、絶縁体層5を形成
した。尚、第2の導体線路3bの厚さは、第1の導体線
路と同じになるように形成し、各導体線路の線幅は12
μmとした。
First, SiN is deposited on the substrate 1 by the CVD method.
An insulator layer 2 with a thickness of 1 μm was formed by depositing. Subsequently, Au was deposited by vapor deposition to form a first conductor line 3a having a thickness of 1 μm. Next, after forming an insulator layer 4b with a thickness of 1 μm, ferrite is applied to the section F and an insulator is applied to the other areas to a thickness of 1 μm.
The insulator layer 4a and the ferromagnetic layer 6 were formed by depositing to a depth of .mu.m. Furthermore, after depositing an insulator with a thickness of 1 μm to form an insulator layer 4c, Au was deposited again to form a second conductor line 3b, and finally, an insulator layer 5 was formed. The thickness of the second conductor line 3b is formed to be the same as that of the first conductor line, and the line width of each conductor line is 12
It was set as μm.

【0027】以上のようにして作製したローパスフィル
タの特性を測定したところ、カットオフ周波数 230
MHzで、24dB/oct の遮断特性を得た。
When the characteristics of the low-pass filter manufactured as described above were measured, the cutoff frequency was 230.
A cutoff characteristic of 24 dB/oct was obtained at MHz.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る集積
回路用ローパスフィルタは、その独自の構成により、小
さな専有面積で有効なローパスフィルタとして機能し、
放射するノイズも少ない。
As explained above, the low-pass filter for integrated circuits according to the present invention functions as an effective low-pass filter with a small occupied area due to its unique structure.
It also emits less noise.

【0029】また、このローパスフィルタは、1対の信
号線路に対して共通のひとつのインダクタおよび容量素
子により形成されているので、差動信号線路に対して特
性のそろったローパスフィルタを形成することができる
Furthermore, since this low-pass filter is formed of one inductor and capacitive element that are common to a pair of signal lines, it is possible to form a low-pass filter with uniform characteristics for the differential signal lines. Can be done.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明に係る集積回路用ローパスフィルタの具
体的な構成例を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a specific configuration example of a low-pass filter for an integrated circuit according to the present invention.

【図2】図1に示したローパスフィルタの等価回路を示
す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of the low-pass filter shown in FIG. 1;

【図3】ローパスフィルタの一般的な構成を示す回路図
である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a general configuration of a low-pass filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    基板、 2、4、5    絶縁体層、 3a、3b    導体線路、 6    強磁性体層 1. Substrate, 2, 4, 5 Insulator layer, 3a, 3b Conductor line, 6 Ferromagnetic layer

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に形成された導体線路を含む集積回
路に組み込まれるローパスフィルタであって、絶縁体層
を介して互いに平行に配置された1対の信号線路と、所
定区間において該1対の信号線路の間に形成された強磁
性体層とを具備することを特徴とする集積回路用ローパ
スフィルタ。
1. A low-pass filter built into an integrated circuit including a conductor line formed on a substrate, comprising: a pair of signal lines arranged parallel to each other with an insulating layer interposed therebetween; 1. A low-pass filter for an integrated circuit, comprising: a ferromagnetic layer formed between a pair of signal lines.
JP3059723A 1991-03-01 1991-03-01 Low pass filter for integrated circuit Withdrawn JPH04275701A (en)

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JP3059723A JPH04275701A (en) 1991-03-01 1991-03-01 Low pass filter for integrated circuit

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JPH04275701A true JPH04275701A (en) 1992-10-01

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100718145B1 (en) * 2006-01-12 2007-05-14 삼성전자주식회사 Resonance element, band pass filter and duplexer

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100718145B1 (en) * 2006-01-12 2007-05-14 삼성전자주식회사 Resonance element, band pass filter and duplexer

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