JPH04268422A - 分光装置 - Google Patents
分光装置Info
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- JPH04268422A JPH04268422A JP3304824A JP30482491A JPH04268422A JP H04268422 A JPH04268422 A JP H04268422A JP 3304824 A JP3304824 A JP 3304824A JP 30482491 A JP30482491 A JP 30482491A JP H04268422 A JPH04268422 A JP H04268422A
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- capacitor
- charge
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- radiation
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、試料から発生した放射
又は試料を通過した放射を放射検出器上に入射させる手
段と、前記放射検出器から発生した信号を処理する処理
手段と、処理した信号を表示する表示手段とを具え、前
記放射検出器が、m行n列の電荷結合装置と、複数の電
荷結合素子からの電荷を出力コンデンサに蓄積させる手
段と、前記出力コンデンサに蓄積した電荷を表示する出
力信号を発生させる手段とを有する分光装置に関するも
のである。
又は試料を通過した放射を放射検出器上に入射させる手
段と、前記放射検出器から発生した信号を処理する処理
手段と、処理した信号を表示する表示手段とを具え、前
記放射検出器が、m行n列の電荷結合装置と、複数の電
荷結合素子からの電荷を出力コンデンサに蓄積させる手
段と、前記出力コンデンサに蓄積した電荷を表示する出
力信号を発生させる手段とを有する分光装置に関するも
のである。
【0002】このような型式の分光装置は次の3個の文
献に記載されている。 (1) 1987年11月7日に発行された雑誌“ア
プライド スペクトロスコピー (Appli
ed Spectroscopy) 第41巻,表題“
チャージ トランスファ デバイスディテクダーズ
フォー アナリティカル オプテイカル スペク
トロスコピー オペレーション アンド キャラ
クタリシティックス (Charge Transfe
r Device Detectors for
Analytical Optiecal Spect
roscopy−Operation andChar
acteristics)R. B. Bilhorm
, J. V. Sweedler, P. M. E
.Epperson及び M.B. Denton
著。 (2) 1987年8月に発行された雑誌“オプテイ
カル エンジニアリング(OpticalEngin
eering)”第26巻 第8号,表題“インテン
ジファイド チャージーカップリド−デバイス カ
メラズ フォー ア スペィシャリ リゾルビ
ィング エクストリーム ウルトラバイアレット
スペクトロメータ(Intensified cha
rged− coupled−device came
ras for a spatially resol
ving extreme ultraviolet
spectrometer) ” D. Co
ntent, M. Perry, D. Wrobo
ewski, 及びH. W.Moosr 著。 (
3) 1987年10月に発行された雑誌“オプティ
カル エンジニアリング(OptecalEngin
eering)”第26巻 第10号 表題“オプ
ティマイジング チャージ−カップルド−デバィス
ディラクタ オペレーション フォー オプテ
ィカル アストロノミィ(Optimising c
harge−coupled−devie detec
tor operation for opti
cal astronomy Robert W.
Leach 著。これらの文献の全ては、読出モード
において電荷を読出す前に1個以上の電荷結合素子から
の電荷をCCDの内部で結合できる利点に関するもので
ある。 このプロセスは結合と称せられている。デジタル信号を
メモリで加算するデジタル加算と比較してアナログ信号
を“オン チィップ”で加算する方式の利点は、1回
の読取操作しか受けないことであり、この結果データは
1回の読取操作によるノイズの影響しか受けない。これ
に対してデジタル加算の場合データは各読取操作と関連
するノイズがそれぞれ加算されてしまう。
献に記載されている。 (1) 1987年11月7日に発行された雑誌“ア
プライド スペクトロスコピー (Appli
ed Spectroscopy) 第41巻,表題“
チャージ トランスファ デバイスディテクダーズ
フォー アナリティカル オプテイカル スペク
トロスコピー オペレーション アンド キャラ
クタリシティックス (Charge Transfe
r Device Detectors for
Analytical Optiecal Spect
roscopy−Operation andChar
acteristics)R. B. Bilhorm
, J. V. Sweedler, P. M. E
.Epperson及び M.B. Denton
著。 (2) 1987年8月に発行された雑誌“オプテイ
カル エンジニアリング(OpticalEngin
eering)”第26巻 第8号,表題“インテン
ジファイド チャージーカップリド−デバイス カ
メラズ フォー ア スペィシャリ リゾルビ
ィング エクストリーム ウルトラバイアレット
スペクトロメータ(Intensified cha
rged− coupled−device came
ras for a spatially resol
ving extreme ultraviolet
spectrometer) ” D. Co
ntent, M. Perry, D. Wrobo
ewski, 及びH. W.Moosr 著。 (
3) 1987年10月に発行された雑誌“オプティ
カル エンジニアリング(OptecalEngin
eering)”第26巻 第10号 表題“オプ
ティマイジング チャージ−カップルド−デバィス
ディラクタ オペレーション フォー オプテ
ィカル アストロノミィ(Optimising c
harge−coupled−devie detec
tor operation for opti
cal astronomy Robert W.
Leach 著。これらの文献の全ては、読出モード
において電荷を読出す前に1個以上の電荷結合素子から
の電荷をCCDの内部で結合できる利点に関するもので
ある。 このプロセスは結合と称せられている。デジタル信号を
メモリで加算するデジタル加算と比較してアナログ信号
を“オン チィップ”で加算する方式の利点は、1回
の読取操作しか受けないことであり、この結果データは
1回の読取操作によるノイズの影響しか受けない。これ
に対してデジタル加算の場合データは各読取操作と関連
するノイズがそれぞれ加算されてしまう。
【0003】このアナログ加算技術は、最大電荷を蓄積
する少数の検出素子を結合する場合又は微小電荷を蓄積
する多数の検出素子を結合する場合だけしか適用するこ
とができない。すなわち、アレイの一方向についてシフ
トレジスタは小量の電荷、典型的な場合検出素子の最大
蓄積電荷量の1〜5倍程度の電荷量しか保持できず、上
記方向と直交する方向については出力コンデンサは小さ
な処理容量、典型的な場合シフトレジスタ段の保持電荷
量の5倍以下の処理容量しか有していないためである。 従って、本発明の目的は、分光装置用のCCD検出器の
性能を一層向上させることにある。
する少数の検出素子を結合する場合又は微小電荷を蓄積
する多数の検出素子を結合する場合だけしか適用するこ
とができない。すなわち、アレイの一方向についてシフ
トレジスタは小量の電荷、典型的な場合検出素子の最大
蓄積電荷量の1〜5倍程度の電荷量しか保持できず、上
記方向と直交する方向については出力コンデンサは小さ
な処理容量、典型的な場合シフトレジスタ段の保持電荷
量の5倍以下の処理容量しか有していないためである。 従って、本発明の目的は、分光装置用のCCD検出器の
性能を一層向上させることにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、冒頭部で述べ
た分光装置において、別の外部コンデンサを出力コンデ
ンサに並列に接続した分光装置を提供するものである。
た分光装置において、別の外部コンデンサを出力コンデ
ンサに並列に接続した分光装置を提供するものである。
【0005】
【作用】CCDは通常ビデオカメラの撮像用に用いられ
ており、通常600 ×575 個の検出素子(画素)
のアレイである(例えば、フィリィップス NXA1
001 ソリッドステート イメージ センサ参
照)。典型的な場合、分光装置は放射を分散させて狭帯
域の波長光を発生させ、検出器の各列を照明している。 最大感度を得るため、1列中の全ての素子又はほとんど
全ての素子を用いて狭帯域の放射光を検出することが望
ましい。すなわち、試料の吸収率が低い場合又は試料か
ら放射される放射が強い場合、つまり検出器に入射する
エネルギーが高い場合1列中の各検出素子は大量の電荷
を蓄積するため、CCDの出力コンデンサにおいて電荷
を結合することが不可能になってしまう。この課題を回
避する方法として、試料の吸収率にかかわらず検出素子
に大量の電荷が蓄積しないように放射エネルギーを制限
し、或は積分時間を制限し、又は各検出素子の電荷を個
別に読出し又は少数の検出素子の電荷だけを読出してデ
ィジタル的に加算する方法がある。しかしながら、上記
第1の方法では、試料が顕著な吸収率を有していても検
出器によって受光される光量が低下してしまい、この結
果感度が低下しノイズが増大してしまう欠点がある。第
2の方法は、上述した読出ノイズが増大する欠点がある
。一方、特別な外部コンデンサを付加することにより、
この外部コンデンサはCCDに設けた“オン チィッ
プ”の出力コンデンサも一層大容量とすることができる
ので、多数の画素からの電荷を加算することが可能にな
る。従って、本発明によれば、ビデオカメラのような民
生用に設計された安価な標準CCDを分光装置に用いる
ことができ、しかも信号を最小ノイズで読み出すことが
できる。全列の検出素子の電荷は外部コンデンサに蓄積
することができ、この電荷が蓄積されたとき出力信号を
発生させることができる。このように構成することによ
り、検出器において低レベルの信号が受信されても大き
な検出器領域を利用できるので受光される全放射光量が
最大になり、従って測定感度を最大にすることができる
。操作に起因する信号ショットノイズについては、信号
強度が増大するにつれてノイズは信号強度の1/2乗で
増大するので、S/N比も向上する。
ており、通常600 ×575 個の検出素子(画素)
のアレイである(例えば、フィリィップス NXA1
001 ソリッドステート イメージ センサ参
照)。典型的な場合、分光装置は放射を分散させて狭帯
域の波長光を発生させ、検出器の各列を照明している。 最大感度を得るため、1列中の全ての素子又はほとんど
全ての素子を用いて狭帯域の放射光を検出することが望
ましい。すなわち、試料の吸収率が低い場合又は試料か
ら放射される放射が強い場合、つまり検出器に入射する
エネルギーが高い場合1列中の各検出素子は大量の電荷
を蓄積するため、CCDの出力コンデンサにおいて電荷
を結合することが不可能になってしまう。この課題を回
避する方法として、試料の吸収率にかかわらず検出素子
に大量の電荷が蓄積しないように放射エネルギーを制限
し、或は積分時間を制限し、又は各検出素子の電荷を個
別に読出し又は少数の検出素子の電荷だけを読出してデ
ィジタル的に加算する方法がある。しかしながら、上記
第1の方法では、試料が顕著な吸収率を有していても検
出器によって受光される光量が低下してしまい、この結
果感度が低下しノイズが増大してしまう欠点がある。第
2の方法は、上述した読出ノイズが増大する欠点がある
。一方、特別な外部コンデンサを付加することにより、
この外部コンデンサはCCDに設けた“オン チィッ
プ”の出力コンデンサも一層大容量とすることができる
ので、多数の画素からの電荷を加算することが可能にな
る。従って、本発明によれば、ビデオカメラのような民
生用に設計された安価な標準CCDを分光装置に用いる
ことができ、しかも信号を最小ノイズで読み出すことが
できる。全列の検出素子の電荷は外部コンデンサに蓄積
することができ、この電荷が蓄積されたとき出力信号を
発生させることができる。このように構成することによ
り、検出器において低レベルの信号が受信されても大き
な検出器領域を利用できるので受光される全放射光量が
最大になり、従って測定感度を最大にすることができる
。操作に起因する信号ショットノイズについては、信号
強度が増大するにつれてノイズは信号強度の1/2乗で
増大するので、S/N比も向上する。
【0006】1列の検出素子のうち選択された数の素子
からの電荷を外部コンデンサに蓄積させ、これらの電荷
が蓄積されたとき出力信号を発生させる。このように構
成することにより標準のアレイを使用する光学系に調整
適合させることができ、すなわち、測定ビームによって
照明された検出素子だけを読出すことができる。また、
検出素子を選択することにより大きさの異なる試料につ
いても容易に適合させることができ、測定ビームの大き
さを変更することにより測定性能を改善することができ
る。
からの電荷を外部コンデンサに蓄積させ、これらの電荷
が蓄積されたとき出力信号を発生させる。このように構
成することにより標準のアレイを使用する光学系に調整
適合させることができ、すなわち、測定ビームによって
照明された検出素子だけを読出すことができる。また、
検出素子を選択することにより大きさの異なる試料につ
いても容易に適合させることができ、測定ビームの大き
さを変更することにより測定性能を改善することができ
る。
【0007】分光装置は前記コンデンサの並列接続に接
続したトランジスタと、このトランジスタを、前記出力
信号が発生したとき前記コンデンサが所定の電荷状態に
リセットされるように制御する手段とを含むことができ
る。これらの手段を設けることにより、CCDチィップ
の正規の動作に必要な最小の変更だけですむことになる
。この画素リセットトランジスタは基準電圧から絶縁さ
れ、内部コンデンサをリセットする代りにこの画素リセ
ットトランジスタにより内部コンデンサと外部コンデン
サとの間で電荷分配を行なう。このリセット機能は、コ
ンデンサを所定の電荷状態にリセットするために用いる
基準電圧源から内部トランジスタを絶縁するように作用
する外部トランジスタにより達成される。
続したトランジスタと、このトランジスタを、前記出力
信号が発生したとき前記コンデンサが所定の電荷状態に
リセットされるように制御する手段とを含むことができ
る。これらの手段を設けることにより、CCDチィップ
の正規の動作に必要な最小の変更だけですむことになる
。この画素リセットトランジスタは基準電圧から絶縁さ
れ、内部コンデンサをリセットする代りにこの画素リセ
ットトランジスタにより内部コンデンサと外部コンデン
サとの間で電荷分配を行なう。このリセット機能は、コ
ンデンサを所定の電荷状態にリセットするために用いる
基準電圧源から内部トランジスタを絶縁するように作用
する外部トランジスタにより達成される。
【0008】以下図面に基いて本発明を詳細に説明する
。
。
【0009】
【実施例】図1に示すように、本発明による分光装置は
広帯域の放射ビームを放出する放射源1を具える。この
放射源として種々の光源が既知であり、例えば可視域の
光源としてタングステンフィラメントランプ又は紫外域
用のランプとして重水素ランプが既知である。放射源1
からの放射ビームは試料室2を経て発散素子3に入射す
る。通常、この放射ビームはミラー及び/又はレンズの
ような適当な光学素子3により試料室2を経て発散素子
3に入射する。この発散素子はプリズム又は回折格子と
することができる。また、適切な光学素子を用いて放射
ビームを平行ビームとし適当な位置に集束させることが
できる。発散した放射ビームは電荷結合素子アレイを有
する検出器4に入射する。この検出器4はテレビジョン
カメラで通常用いられているm行n列の電荷結合素子の
規則的なアレイで構成する。制御兼処理回路5は検出器
4からの出力信号を読出すために必要な信号を供給する
と共に表示装置6上に表示するため読み出された信号を
処理する。表示装置6は、例えばビデオ表示ユニット、
チャートレコーダ、X−Yプロッタのようないかなる形
態の表示装置も利用できる。
広帯域の放射ビームを放出する放射源1を具える。この
放射源として種々の光源が既知であり、例えば可視域の
光源としてタングステンフィラメントランプ又は紫外域
用のランプとして重水素ランプが既知である。放射源1
からの放射ビームは試料室2を経て発散素子3に入射す
る。通常、この放射ビームはミラー及び/又はレンズの
ような適当な光学素子3により試料室2を経て発散素子
3に入射する。この発散素子はプリズム又は回折格子と
することができる。また、適切な光学素子を用いて放射
ビームを平行ビームとし適当な位置に集束させることが
できる。発散した放射ビームは電荷結合素子アレイを有
する検出器4に入射する。この検出器4はテレビジョン
カメラで通常用いられているm行n列の電荷結合素子の
規則的なアレイで構成する。制御兼処理回路5は検出器
4からの出力信号を読出すために必要な信号を供給する
と共に表示装置6上に表示するため読み出された信号を
処理する。表示装置6は、例えばビデオ表示ユニット、
チャートレコーダ、X−Yプロッタのようないかなる形
態の表示装置も利用できる。
【0010】図2は検出器4を示し、この検出器はm行
n列の電荷結合素子を有するアレイ50の形態の電荷結
合装置とする。出力シフトレジスタ51を出力回路52
に接続し、この出力回路から出力端子53に出力信号を
発生させる。検出器4は市販のCCDアレイで構成され
、蓄積された電荷をイネーブルして読み出す制御回路5
4と協働する。この制御回路の詳細は、例えばフィリィ
ップス コンポーネント社から 1989年に発行
されたデータハンドブック“ソリッド ステート
イメージ センサズ アンド ペリフェラル
インテグレーデッド サーキュッツ”(Solid
State Image Semsors an
d Peripheral Integrated C
ircuits) から容易に入手できる。制御回路は
適切なクロック信号及び読出信号を発生し、これらの信
号により各素子から順次1ライン毎に時間的に並列に電
荷をシフトレジスタ51に読み出し、このシフトトラン
ジスタにおいて読み出した電荷を出力回路52に直列に
出力し、この出力回路から制御兼処理回路5に接続した
出力端子53に供給する。
n列の電荷結合素子を有するアレイ50の形態の電荷結
合装置とする。出力シフトレジスタ51を出力回路52
に接続し、この出力回路から出力端子53に出力信号を
発生させる。検出器4は市販のCCDアレイで構成され
、蓄積された電荷をイネーブルして読み出す制御回路5
4と協働する。この制御回路の詳細は、例えばフィリィ
ップス コンポーネント社から 1989年に発行
されたデータハンドブック“ソリッド ステート
イメージ センサズ アンド ペリフェラル
インテグレーデッド サーキュッツ”(Solid
State Image Semsors an
d Peripheral Integrated C
ircuits) から容易に入手できる。制御回路は
適切なクロック信号及び読出信号を発生し、これらの信
号により各素子から順次1ライン毎に時間的に並列に電
荷をシフトレジスタ51に読み出し、このシフトトラン
ジスタにおいて読み出した電荷を出力回路52に直列に
出力し、この出力回路から制御兼処理回路5に接続した
出力端子53に供給する。
【0011】図3は、1列中の全電荷を結合するための
出力回路52の変更内容を示す。破線で示す部分52は
図2に示す出力回路を表わす。第1の入力部61をコン
デンサC1とnチャネル電界効果トランジスタT1のソ
ース電極との接続部及びnチャネル電界効果トランジス
タT2のゲート電極に接続する。コンデンサC1の他端
は負の給電線−Vに接続し、トランジスタT2のドレイ
ン電極は正の給電線+Vに接続する。トランジスタT1
のドレイン電極をコンデンサC2とnチャネル電界効果
トランジスタT3のソース電極との接続部に接続する。 コンデンサC2の他端は負の給電線−Vに接続しトラン
ジスタT3のドレイン電極はトランジスタT1のゲート
電極に接続し、第3入力部53はトランジスタT3のゲ
ート電極に接続する。トランジスタT2のソース電極は
出力端子53に接続する。
出力回路52の変更内容を示す。破線で示す部分52は
図2に示す出力回路を表わす。第1の入力部61をコン
デンサC1とnチャネル電界効果トランジスタT1のソ
ース電極との接続部及びnチャネル電界効果トランジス
タT2のゲート電極に接続する。コンデンサC1の他端
は負の給電線−Vに接続し、トランジスタT2のドレイ
ン電極は正の給電線+Vに接続する。トランジスタT1
のドレイン電極をコンデンサC2とnチャネル電界効果
トランジスタT3のソース電極との接続部に接続する。 コンデンサC2の他端は負の給電線−Vに接続しトラン
ジスタT3のドレイン電極はトランジスタT1のゲート
電極に接続し、第3入力部53はトランジスタT3のゲ
ート電極に接続する。トランジスタT2のソース電極は
出力端子53に接続する。
【0012】動作に際し、シフトレジスタ51からの電
荷は第1入力部に供給され、画素リセット制御信号は第
2入力部62に供給する。列リセット制御信号は第3入
力部63に供給する。通常、トランジスタT1のドレイ
ン電極は基準電圧VR に直接接続されるので、画素リ
セットパルスが受信されるとトランジスタT1によりコ
ンデンサC1の電荷は所定の値にリセットされる。この
電荷は、入力部61でシストレジスタ51から供給され
る電荷パケットの各々により増分される。画素リセット
パルスは通常各電荷パケットが受信された後供給される
ので、大きさが個々の電荷パケットの大きさに対応する
パルス列が出力部53に発生する。一方、画素リセット
パルスの周波数を低下することにより制限された数の電
荷パケットをコンデンサC1に蓄積させることができる
。この電荷パケットの数及び電荷パケットの大きさはコ
ンデンサC1の値により制限され、コンデンサC1の容
量は集積回路技術では大きくすることはできない。すな
わち、微小な電荷がアレイの各素子に蓄積される場合で
あれば、多数の電荷パケットをコンデンサC1に蓄積さ
せることができる。
荷は第1入力部に供給され、画素リセット制御信号は第
2入力部62に供給する。列リセット制御信号は第3入
力部63に供給する。通常、トランジスタT1のドレイ
ン電極は基準電圧VR に直接接続されるので、画素リ
セットパルスが受信されるとトランジスタT1によりコ
ンデンサC1の電荷は所定の値にリセットされる。この
電荷は、入力部61でシストレジスタ51から供給され
る電荷パケットの各々により増分される。画素リセット
パルスは通常各電荷パケットが受信された後供給される
ので、大きさが個々の電荷パケットの大きさに対応する
パルス列が出力部53に発生する。一方、画素リセット
パルスの周波数を低下することにより制限された数の電
荷パケットをコンデンサC1に蓄積させることができる
。この電荷パケットの数及び電荷パケットの大きさはコ
ンデンサC1の値により制限され、コンデンサC1の容
量は集積回路技術では大きくすることはできない。すな
わち、微小な電荷がアレイの各素子に蓄積される場合で
あれば、多数の電荷パケットをコンデンサC1に蓄積さ
せることができる。
【0013】図3に示す回路はCCDに対して外部のも
のとして接続したトランジスタT3及びコンデンサC2
を含み、トランジスタT3は基準電圧源VRとトランジ
スタT1のドレイン電極との間に接続する。トランジス
タT3は第3入力端子63に供給される列リセット電極
により制御され、リセット信号が存在するときを除いて
トランジスタT1を基準電圧源VR から絶縁する。従
って、各電荷パケットが受け取られると、電荷パケット
は、トランジスタT1が画素リセットパルスによってオ
ンに切り換えられるとき互いに並列に接続されるコンデ
ンサC1及びC2に蓄積する。コンデンサC2は、別に
設けた素子として配置される場合、コンデンサC1より
も一層大きな容量に選択することができる。電荷パケッ
トの電荷はコンデンサC1とC2との並列結合に蓄積し
、CCDの1列全体は、その全ての素子が最大電荷を蓄
積したとき上記コンデンサの並列結合に結合することが
できる。
のとして接続したトランジスタT3及びコンデンサC2
を含み、トランジスタT3は基準電圧源VRとトランジ
スタT1のドレイン電極との間に接続する。トランジス
タT3は第3入力端子63に供給される列リセット電極
により制御され、リセット信号が存在するときを除いて
トランジスタT1を基準電圧源VR から絶縁する。従
って、各電荷パケットが受け取られると、電荷パケット
は、トランジスタT1が画素リセットパルスによってオ
ンに切り換えられるとき互いに並列に接続されるコンデ
ンサC1及びC2に蓄積する。コンデンサC2は、別に
設けた素子として配置される場合、コンデンサC1より
も一層大きな容量に選択することができる。電荷パケッ
トの電荷はコンデンサC1とC2との並列結合に蓄積し
、CCDの1列全体は、その全ての素子が最大電荷を蓄
積したとき上記コンデンサの並列結合に結合することが
できる。
【0014】図4を参照する。図4aは入力部61に供
給される電荷パケットを示し、図4bは入力部62に供
給される画素リセットパルスを示し、図4cは入力部6
3に供給される列リセットパルスを示し、図4dは出力
端子53における出力信号を示す。
給される電荷パケットを示し、図4bは入力部62に供
給される画素リセットパルスを示し、図4cは入力部6
3に供給される列リセットパルスを示し、図4dは出力
端子53における出力信号を示す。
【0015】トランジスタT1のゲート電極を端子62
において一定のバイアス電圧に接続してトランジスタT
1を常時導通させることもできる。この場合コンデンサ
C1とC2は常時並列に接続され、コンデンサC1とC
2との並列結合は列リセットパルスにより一定の電荷に
設定される。このように構成することにより、寄生容量
を有するトランジスタT1の切換によって生ずる精度の
低下を改善することができる利点が達成される。この場
合、図4bに示す波形は一定のバイアスレベルで置換さ
れる。
において一定のバイアス電圧に接続してトランジスタT
1を常時導通させることもできる。この場合コンデンサ
C1とC2は常時並列に接続され、コンデンサC1とC
2との並列結合は列リセットパルスにより一定の電荷に
設定される。このように構成することにより、寄生容量
を有するトランジスタT1の切換によって生ずる精度の
低下を改善することができる利点が達成される。この場
合、図4bに示す波形は一定のバイアスレベルで置換さ
れる。
【0016】図1に示す実施例は放射源からの放射光を
サンプルを経て検出器に入射させることにより試料の吸
収率や透過率を測定するために用いる光学式分光装置の
典型的な構成であるが、本発明は検出器が試料から放出
された放射を受光する分光装置、例えば試料が直接放射
を放出する原子放射分光装置や試料が励起光に応じて放
出するX線蛍光分光装置又は原子蛍光分光装置にも適用
することができる。
サンプルを経て検出器に入射させることにより試料の吸
収率や透過率を測定するために用いる光学式分光装置の
典型的な構成であるが、本発明は検出器が試料から放出
された放射を受光する分光装置、例えば試料が直接放射
を放出する原子放射分光装置や試料が励起光に応じて放
出するX線蛍光分光装置又は原子蛍光分光装置にも適用
することができる。
【0017】本発明は上述した実施例だけに限定されず
種々の変形や変更が可能である。
種々の変形や変更が可能である。
【図1】図1は本発明による分光装置の一例を示すブロ
ック線図である。
ック線図である。
【図2】図2は電荷結合素子アレイ及び制御回路を有す
る検出器の構成を示すブロック図である。
る検出器の構成を示すブロック図である。
【図3】図3は図1に示す検出器の読出回路を示す回路
図である。
図である。
【図4】図4は図3に示す読出回路の動作を理解するた
めに有用な波形図である。
めに有用な波形図である。
1 放射源
2 試料
3 分散素子
4 検出器
5 制御兼処理回路
6 表示装置
50 電荷結合装置
51 シストレジスタ
52 出力回路
54 制御回路
Claims (4)
- 【請求項1】 試料から発生した放射又は試料を通過
した放射を放射検出器上に入射させる手段と、前記放射
検出器から発生した信号を処理する処理手段と、処理し
た信号を表示する表示手段とを具え、前記放射検出器が
、m行n列の電荷結合装置と、複数の電荷結合素子から
の電荷を出力コンデンサに蓄積させる手段と、前記出力
コンデンサに蓄積した電荷を表示する出力信号を発生さ
せる手段とを有する分光装置において、別の外部コンデ
ンサを、前記出力コンデンサに並列に接続したことを特
徴とする分光装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の分光装置において、
全ての列の電荷結合素子からの電荷を前記コンデンサに
蓄積させ、前記電荷が蓄積されたとき前記出力信号を発
生させることを特徴とする分光装置。 - 【請求項3】 請求項1に記載の分光装置において、
1個の列中の選択された数の電荷結合素子からの電荷を
前記コンデンサに蓄積させ、前記電荷が蓄積されたとき
前記出力信号を発生させることを特徴とする分光装置。 - 【請求項4】 請求項1から3までのいずれか1項に
記載の分光装置において、前記コンデンサの並列接続に
接続したトランジスタと、このトランジスタを、前記出
力信号が発生したとき前記コンデンサが所定の電荷状態
にリセットされるように制御する手段とを具えることを
特徴とする分光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB9025345A GB2250089A (en) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | Spectrometer |
GB9025345:1 | 1990-11-21 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04268422A true JPH04268422A (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=10685764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3304824A Pending JPH04268422A (ja) | 1990-11-21 | 1991-11-20 | 分光装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5235402A (ja) |
EP (1) | EP0487143B1 (ja) |
JP (1) | JPH04268422A (ja) |
DE (1) | DE69107583T2 (ja) |
GB (1) | GB2250089A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5493122A (en) * | 1994-02-04 | 1996-02-20 | Nucleonics Development Company | Energy resolving x-ray detector |
US5590660A (en) * | 1994-03-28 | 1997-01-07 | Xillix Technologies Corp. | Apparatus and method for imaging diseased tissue using integrated autofluorescence |
DE4413096B4 (de) * | 1994-04-15 | 2004-09-09 | Berthold Gmbh & Co. Kg | Multielement-Atomabsorptionsspektrometer sowie Meßverfahren unter Nutzung eines solchen Atomabsorptionsspektrometers |
US7084973B1 (en) | 2002-06-11 | 2006-08-01 | Dalsa Inc. | Variable binning CCD for spectroscopy |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4004163A (en) * | 1976-03-11 | 1977-01-18 | Rockwell International Corporation | Time delay, charge, transfer circuit |
JPS6134798A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-19 | Sharp Corp | 電荷転送素子の出力信号処理回路 |
EP0399057B1 (en) * | 1989-05-20 | 1992-12-09 | Hewlett-Packard GmbH | Method for operating a photodiode array spectrometer and photodiode array spectrometer |
-
1990
- 1990-11-21 GB GB9025345A patent/GB2250089A/en not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-11-14 DE DE69107583T patent/DE69107583T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-14 EP EP91202957A patent/EP0487143B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-18 US US07/795,166 patent/US5235402A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-20 JP JP3304824A patent/JPH04268422A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69107583T2 (de) | 1995-09-07 |
US5235402A (en) | 1993-08-10 |
EP0487143B1 (en) | 1995-02-22 |
DE69107583D1 (de) | 1995-03-30 |
EP0487143A3 (en) | 1992-09-02 |
GB2250089A (en) | 1992-05-27 |
EP0487143A2 (en) | 1992-05-27 |
GB9025345D0 (en) | 1991-01-02 |
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