JPH04267206A - Light guide and manufacture thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】 本発明は光集積回路を構成す
る基本素子の一つである光導波路とその製造方法に関し
、更に詳しくは、埋め込み形三次元光導波路とその製造
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide, which is one of the basic elements constituting an optical integrated circuit, and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an embedded three-dimensional optical waveguide and a method for manufacturing the same.
【0002】0002
【従来の技術】 光変調、スイッチング等の機能を有
する導波形光デバイスにおいては、図7に示すように、
導波層の厚さ(x)方向と幅(y)方向に同時に光波を
閉じ込める形の三次元光導波路を利用する。この三次元
光導波路にはいくつかの構造が存在するが、その中でも
埋め込み形は、平滑な光導波路面でしかも低損失な光導
波路が得られることが特徴である。[Prior Art] In a waveguide optical device having functions such as optical modulation and switching, as shown in FIG.
A three-dimensional optical waveguide is used that confines light waves simultaneously in the thickness (x) direction and width (y) direction of the waveguide layer. There are several structures for this three-dimensional optical waveguide, but among them, the buried type is characterized by its smooth optical waveguide surface and low loss optical waveguide.
【0003】埋め込み形三次元光導波路の製造方法とし
ては、従来、大別して2つの方法が知られている。第1
の方法は選択的熱拡散法と称され、図7に示すように、
誘電体等により形成された基板70内の、導波路を形成
すべき部分(図に斜線部で示す)に、Ti 等を拡散さ
せることによって高屈折率部を形成する方法である。Conventionally, there are two known methods for manufacturing buried three-dimensional optical waveguides. 1st
This method is called selective thermal diffusion method, and as shown in Figure 7,
This is a method of forming a high refractive index portion by diffusing Ti or the like into a portion of a substrate 70 made of a dielectric material or the like where a waveguide is to be formed (shown as a shaded area in the figure).
【0004】第2の方法は、注入により飛程の近傍層が
低屈折率となる酸素やヘリウム等のイオンを、基板内の
導波路形成部以外の箇所に注入して、導波路形成部分の
屈折率を相対的に高くする方法である。このようなイオ
ン注入による埋め込み形三次元光導波路の従来の製造手
順を図8に例示する。[0004] The second method is to implant ions such as oxygen or helium, which cause a layer in the vicinity of the range to have a low refractive index, into a portion of the substrate other than the waveguide forming portion. This is a method of relatively increasing the refractive index. A conventional manufacturing procedure for such a buried three-dimensional optical waveguide using ion implantation is illustrated in FIG.
【0005】まず(A)に示すように、基板80にマス
クを装着せずに所定のエネルギでイオン注入し、導波路
の底面部分を形成する。次に(B)に示すように、マス
ク81を装着し、そのマスク81を介してエネルギを数
段階に変化させてイオン注入を行うことによりイオンの
飛程を種々に変化させ、全体として(C)に示すような
低屈折率部82で囲まれた光導波路(高屈折率部)Lを
得る。First, as shown in (A), ions are implanted into a substrate 80 at a predetermined energy without a mask attached to form the bottom portion of the waveguide. Next, as shown in (B), a mask 81 is attached, and ion implantation is performed by changing the energy in several stages through the mask 81, thereby varying the range of the ions, and as a whole (C ) An optical waveguide (high refractive index portion) L surrounded by a low refractive index portion 82 is obtained.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】 上記した2つの製
造方法のうち、第1の方法は、拡散の制御が困難であり
、必要とするディメンジョンの導波路を再現性良く得る
のは極めて困難である。第2の方法は、注入イオンの飛
程を計算することによりシミュレーションが容易で、ほ
ぼ設計通りのディメンジョンの導波路が再現性良く得ら
れる。しかし、従来のイオン注入を利用した製造方法で
は、エネルギを数段階にわけてイオン注入を行う図8(
B)の工程は、実際にはエネルギを変化させるごとにイ
オン注入装置の調整が必要となり、工程数が多くなって
製造に長時間を要すると同時に、スループットの点でも
問題がある。[Problems to be Solved by the Invention] Of the two manufacturing methods described above, in the first method, it is difficult to control diffusion, and it is extremely difficult to obtain a waveguide of the required dimension with good reproducibility. . In the second method, simulation is easy by calculating the range of implanted ions, and a waveguide having dimensions almost as designed can be obtained with good reproducibility. However, in the conventional manufacturing method using ion implantation, ion implantation is performed by dividing the energy into several stages (see Figure 8).
The step B) actually requires adjustment of the ion implantation device each time the energy is changed, which increases the number of steps and takes a long time to manufacture, and at the same time poses problems in terms of throughput.
【0007】本発明の目的は、イオン注入回数が少なく
、簡単な工程によって高スループットで製造可能な埋め
込み形三次元光導波路およびその製造方法を提供するこ
とにある。An object of the present invention is to provide a buried three-dimensional optical waveguide that can be manufactured with a high throughput through simple steps and with a small number of ion implantations, and a method for manufacturing the same.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】 上記の目的を達成す
るため、本発明の光導波路は、実施例に対応する図1に
示すように、基板10内所定深さに沿って所定方向に伸
びる層状の低屈折率部11が形成され、その上方部分の
基板1内に、一端部が層状低屈折率部11に連通し、か
つ、他端部が基板10の表面にまで至る一対の互いに対
向する側壁状の低屈折率部12a,12bが形成されて
いることによって特徴付けられる。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the optical waveguide of the present invention has a layered structure extending in a predetermined direction along a predetermined depth within a substrate 10, as shown in FIG. 1 corresponding to an embodiment. A low refractive index part 11 is formed in the upper part of the substrate 1, and a pair of mutually opposing parts, one end communicating with the layered low refractive index part 11 and the other end reaching the surface of the substrate 10, are formed. It is characterized by the formation of sidewall-like low refractive index portions 12a and 12b.
【0009】また、本発明の第1の製造方法は、上記構
造の光導波路を製造する方法であって、図2に例示する
ように、注入によりその飛程の近傍層が低屈折率となる
イオンを、マスクを装着していない状態の基板10の表
面に所定のエネルギで注入して層状低屈折率部11を形
成する工程(A)と、基板10の表面に、基板の広がり
方向にイオン飛程が徐々に変化するような形状を有する
マスクMを装着した状態でこのマスクMを介して上記し
たイオンを上記エネルギで注入して一対の側壁状低屈折
率部12a,12bを形成する工程(B)とを有するこ
とによって特徴付けられる。Further, the first manufacturing method of the present invention is a method for manufacturing an optical waveguide having the above structure, in which the layer near the range of the implantation has a low refractive index, as illustrated in FIG. Step (A) of forming the layered low refractive index portion 11 by implanting ions with a predetermined energy into the surface of the substrate 10 without a mask attached, and implanting ions into the surface of the substrate 10 in the spreading direction of the substrate. Step of implanting the above-mentioned ions at the above-mentioned energy through the mask M with a mask M having a shape whose range gradually changes to form a pair of sidewall-like low refractive index parts 12a and 12b. (B).
【0010】更に、上記した目的を達成するための本発
明の第2の製造方法は、図8(C)に示した従来構造の
光導波路を製造する方法であって、図4に例示するよう
に、注入によりその飛程の近傍層が低屈折率となるイオ
ンを、マスクを装着していない状態の基板20表面に所
定のエネルギで注入し(A)、次に、この基板20の表
面に、所定形状のマスクM′を装着した状態でこのマス
クM′を介して、注入によりその飛程の近傍層が低屈折
率となり、かつ、電荷数もしくは質量数が互いに相違す
る複数種のイオンを混在させて注入する(B)ことによ
って特徴付けられる。Furthermore, a second manufacturing method of the present invention for achieving the above object is a method of manufacturing an optical waveguide having the conventional structure shown in FIG. Then, ions whose range has a low refractive index in nearby layers are implanted with a predetermined energy into the surface of the substrate 20 without a mask attached (A), and then ions are implanted into the surface of the substrate 20 with a predetermined energy. , with a mask M' of a predetermined shape attached, multiple types of ions are implanted through this mask M' so that a layer in the vicinity of the range has a low refractive index and have different charge numbers or mass numbers. Characterized by mixed injection (B).
【0011】[0011]
【作用】 第1の製造方法とその方法によって得られ
る光導波路では、例えば図2のような台形状のマスクM
を介して一定エネルギでイオン注入を行うと、マスクM
の両側面部分において、イオンはマスクMの注入方向の
厚さにほぼ反比例した深さで基板10内に打ち込まれ、
一定エネルギの一度のイオン注入により光導波路の側壁
部分を形成する側壁状低屈折率部12a,12bが得ら
れる。[Operation] In the first manufacturing method and the optical waveguide obtained by the method, for example, a trapezoidal mask M as shown in FIG.
When ion implantation is performed with constant energy through the mask M
, ions are implanted into the substrate 10 at a depth approximately inversely proportional to the thickness of the mask M in the implantation direction;
Sidewall-like low refractive index portions 12a and 12b forming sidewall portions of the optical waveguide are obtained by one-time ion implantation with a constant energy.
【0012】また、第2の製造方法では、マスクM′を
介して質量ないしは電荷数の異なる複数種のイオンを混
在させて基板20に注入すると、マスクM′の装着され
ていない部分には、質量ないしは電荷数の相違に応じた
深さでイオンが注入されることになり、一度の注入工程
によって光導波路Lの側壁部分を規定する低屈折率部が
得られる。Furthermore, in the second manufacturing method, when a plurality of types of ions having different masses or charge numbers are mixed and implanted into the substrate 20 through the mask M', the portions where the mask M' is not attached have the following effects: Ions are implanted at a depth corresponding to the difference in mass or number of charges, and a low refractive index portion defining the side wall portion of the optical waveguide L can be obtained by a single implantation step.
【0013】[0013]
【実施例】 図1は本発明実施例の光導波路を光の進
行方向に直交する方向に切断して示す断面図である。基
板10の内部には、この基板10の表面から所定の深さ
に一様な層状の低屈折率部11が形成され、その上方の
基板10内には、下端部がこの層状低屈折率部11に連
通し、上端部が基板10の表面にまで達する互いに対向
して傾斜した一対の側壁状低屈折率部12a,12bが
形成されている。Embodiment FIG. 1 is a cross-sectional view of an optical waveguide according to an embodiment of the present invention, cut in a direction perpendicular to the direction in which light travels. Inside the substrate 10, a uniform layered low refractive index portion 11 is formed at a predetermined depth from the surface of the substrate 10, and in the substrate 10 above, the lower end portion is formed with the layered low refractive index portion 11. A pair of sidewall-shaped low refractive index portions 12a and 12b are formed which are in communication with the substrate 11 and whose upper ends reach the surface of the substrate 10 and which are inclined to face each other.
【0014】以上の構造においては、層状低屈折率部1
1と側壁状低屈折率部12a,12bで囲まれた部分は
、その周囲に比して相対的に高屈折率となり、この部分
が光導波路Lを形成することになる。基板10は例えば
LiNbO3等の誘電体が使用され、各低屈折率部11
,12aおよび12bはそれぞれ例えばHe+ 等のイ
オンを注入することによって得ている。In the above structure, the layered low refractive index portion 1
1 and the side wall-like low refractive index portions 12a and 12b have a relatively high refractive index compared to the surrounding area, and this portion forms the optical waveguide L. The substrate 10 is made of a dielectric material such as LiNbO3, and each low refractive index portion 11
, 12a and 12b are each obtained by implanting ions such as He+.
【0015】次に以上の本発明実施例の製造方法の例を
述べる。図2はその工程説明図で、この製造方法では、
2つのイオン注入工程によって上記構造の光導波路を得
ている。すなわち、工程の一つは、同図(A)に示すよ
うに、基板10の上にマスクを置かない状態で、所定の
注入深さを実現できるエネルギE0 でイオン注入を行
うことにより、層状低屈折率部11を形成する工程であ
る。Next, an example of the manufacturing method of the above embodiment of the present invention will be described. Figure 2 is an explanatory diagram of the process, and in this manufacturing method,
The optical waveguide having the above structure was obtained through two ion implantation steps. In other words, one of the steps is to perform ion implantation with an energy E0 that can realize a predetermined implantation depth without placing a mask on the substrate 10, as shown in FIG. This is a step of forming the refractive index section 11.
【0016】他の一つは、同図(B)に示すように、基
板10の表面に、台形状のマスクMを形成した状態で、
前記工程(A)と同じイオン種を、同じエネルギE0
で注入することにより、一対の側壁状低屈折率部12a
および12bを形成する工程である。すなわち、台形状
のマスクMの上方からイオン注入を行うと、マスクMの
単位厚さ当たりの阻止能が均一であれば、その両端傾斜
部分においては、イオン注入方向におけるマスクMの厚
さにほぼ反比例したエネルギのもとにイオンが基板10
に達することになり、従ってこの部分においては、マス
クMの傾斜角に応じた傾きを持つイオン注入部が得られ
ることになり、図示のような側壁状低屈折率部12a,
12bが得られる。Another method is to form a trapezoidal mask M on the surface of the substrate 10, as shown in FIG.
The same ion species as in step (A) and the same energy E0
A pair of sidewall-like low refractive index portions 12a
and 12b. That is, when ion implantation is performed from above a trapezoidal mask M, if the stopping power per unit thickness of the mask M is uniform, the thickness of the mask M in the ion implantation direction will be approximately equal to the thickness of the mask M in the ion implantation direction at the sloped portions at both ends. Ions strike the substrate 10 under inversely proportional energy.
Therefore, in this part, an ion implantation part having an inclination according to the inclination angle of the mask M is obtained, and the sidewall-like low refractive index part 12a as shown in the figure,
12b is obtained.
【0017】以上のような2つの工程を経ることにより
、図1に示した構造の光導波路が得られる。なお、この
2つの工程はその先後は問わない。また、マスクMの材
質は任意であり、通常のフォトレジスト等を使用するこ
とができる。更に、基板の材料およびイオン種は上記例
に限定されず、上記した説明から明らかな必要とする各
機能を有するものなら何でも使用できる。By going through the above two steps, an optical waveguide having the structure shown in FIG. 1 can be obtained. Note that the future of these two steps does not matter. Further, the material of the mask M is arbitrary, and ordinary photoresist or the like can be used. Furthermore, the material and ionic species of the substrate are not limited to the above examples, and any material can be used as long as it has the required functions that are clear from the above description.
【0018】ここで、マスクMの形状や注入エネルギE
0 等は、使用するマスクMの材質に基づくイオン阻止
能と絡めて前もってシミュレーションにより計算してお
くことができる。マスクMの形状としては、上記のよう
な台形のほか、図3(A)〜(C)に例示するように、
両側端部が鉛直の直線でない任意の形状を採用すること
ができ、また、台形のものを使用する場合には、同図(
D)に示すように上底と下底を逆転させたものを使用し
ても、図2の場合と同等の側壁状低屈折率部12a,1
2bが得られる。Here, the shape of the mask M and the implantation energy E
0 etc. can be calculated in advance by simulation in conjunction with the ion stopping power based on the material of the mask M used. In addition to the trapezoidal shape described above, the shape of the mask M is as illustrated in FIGS. 3(A) to 3(C).
It is possible to adopt any shape where both ends are not vertical straight lines, and when using a trapezoid shape, please refer to the figure (
Even if the upper and lower bases are reversed as shown in FIG.
2b is obtained.
【0019】図4は本発明の第2の製造方法の説明図で
、基板を光進行方向に直交する方向に切断した模式断面
図で示している。この製造方法は、イオン注入により得
られる図8(C)に示した従来の光導波路と同等の断面
形状を有する光導波路を効率的に製造する方法である。
まず、(A)に示すように、LiNbO3等の誘電体か
らなる基板20に、マスクを形成しない状態で、例えば
O+ を所定注入深さを実現するエネルギE0 でイ
オン注入し、基板20内に所定深さの平坦な低屈折率層
21を形成する。FIG. 4 is an explanatory diagram of the second manufacturing method of the present invention, and is a schematic cross-sectional view of the substrate taken in a direction perpendicular to the light traveling direction. This manufacturing method is a method for efficiently manufacturing an optical waveguide having the same cross-sectional shape as the conventional optical waveguide shown in FIG. 8C obtained by ion implantation. First, as shown in (A), without forming a mask, ions of O+, for example, are implanted into a substrate 20 made of a dielectric material such as LiNbO3 at an energy E0 that achieves a predetermined implantation depth, and a predetermined implantation is performed in the substrate 20. A low refractive index layer 21 with a flat depth is formed.
【0020】次に、(B)に示すように基板20上にマ
スクM′を形成し、そのマスクM′を介して基板20内
にO2+ ,O+ , およびO2+ の混合イオンを
、ある引き出し電圧E1 で取り出して注入する。これ
により、 O+ は約0.15μmの飛程で、O2+
は約0.07μmの飛程、O2+ は約0.3μmの飛
程で基板20に侵入するとこになり、それぞれの飛程の
分布の存在により、図4(B)のようにそれぞれの注入
層がオーバーラップし、基板20内には、マスクM′の
形成部分を除いて、O2+ 注入による低屈折率層22
、 O+ 注入による低屈折率層23、およびO2+
注入による低屈折率層24が相互に重なり合った状態で
形成され、1回のイオン注入により、光導波路Lの側壁
部分を規定する低屈折率部が得られる。Next, as shown in (B), a mask M' is formed on the substrate 20, and mixed ions of O2+, O+, and O2+ are introduced into the substrate 20 through the mask M' at a certain extraction voltage E1. Take it out and inject it. As a result, O+ has a range of about 0.15 μm, and O2+
O2+ enters the substrate 20 at a range of about 0.07 μm, and O2+ enters the substrate 20 at a range of about 0.3 μm. Due to the existence of a distribution of each range, each injection layer The substrate 20 has a low refractive index layer 22 formed by O2+ implantation, except for the area where the mask M' is formed.
, low refractive index layer 23 by O+ injection, and O2+
The implanted low refractive index layers 24 are formed in a mutually overlapping state, and a low refractive index portion defining the side wall portion of the optical waveguide L is obtained by one ion implantation.
【0021】上記した混合イオンは、例えばデュオピガ
トロンイオン源において、O2ガスを原料としてプラズ
マを生成することによって得られる。各イオンの生成比
は、イオン源条件に応じて変化する。図5(A)および
(B)に、N2ガスを原料とした場合のアーク放電電圧
およびアーク放電電流の相違によって、 N1+,N2
+,N3+,N4+およびN5+ の生成比が変化する
例を示す(J.R.J.Benner; IEEE T
rans. on Nucl. Sci. NS−19
, 2, 48 1972) 。The above-mentioned mixed ions can be obtained, for example, by generating plasma using O2 gas as a raw material in a duopigatron ion source. The production ratio of each ion changes depending on the ion source conditions. Figures 5 (A) and (B) show that N1+, N2 due to the difference in arc discharge voltage and arc discharge current when N2 gas is used as the raw material.
An example in which the production ratio of +, N3+, N4+ and N5+ changes is shown (J.R.J. Benner; IEEE T
rans. on Nucl. Sci. NS-19
, 2, 48 1972).
【0022】また、図6には、O2+ ,O+ ,およ
びO2+ の混合イオンを一定の引き出し電圧のもとに
LiNbO3基板をターゲットとしてイオン注入する場
合のシミュレーション結果を示す。この例では、O2+
:O+ :O2+の生成比を1:1:2とし、 O+
に対して100KeV のエネルギを与えるような加
速条件で計算した。この図6から明らかなように、O2
+ ,O+ ,およびO2+ はそれぞれの質量数ない
しは電荷数に応じた飛程で基板内に打ち込まれ、全体と
して同図に破線で示すように基板表層から約0.4μm
の深さまでほぼ均一に酸素イオンが注入されている。Further, FIG. 6 shows simulation results when mixed ions of O2+, O+, and O2+ are implanted using a LiNbO3 substrate as a target under a constant extraction voltage. In this example, O2+
:O+ :O2+ generation ratio is 1:1:2, O+
The calculations were made under acceleration conditions that give an energy of 100 KeV to As is clear from this Figure 6, O2
+, O+, and O2+ are implanted into the substrate at a range corresponding to their respective mass numbers or charge numbers, and as a whole, about 0.4 μm from the substrate surface layer as shown by the broken line in the same figure.
Oxygen ions are implanted almost uniformly to a depth of .
【0023】この本発明の第2の製造方法においても、
用いる基板の材料およびイオン種は上記例に限定されず
、例えば、イオン原料としてC02 ガスを使用するこ
とにより、 C+ ,O+ ,C2+ ,O2+, O
2+ , CO+ ,CO2+ 等、様々な電荷数と質
量数の組合せを有する混合イオンが得られる。[0023] Also in the second manufacturing method of the present invention,
The material and ion species of the substrate to be used are not limited to the above examples. For example, by using CO2 gas as the ion source, C+, O+, C2+, O2+, O
Mixed ions having various combinations of charge number and mass number, such as 2+, CO+, CO2+, etc., are obtained.
【0024】[0024]
【発明の効果】 以上説明したように、本発明によれ
ば、いずれも、埋め込み形三次元光導波路の側壁部を形
成する低屈折率部分が、1回のイオン注入によって形成
されることになり、従来のイオン注入法を用いた場合に
比して、製造工程が著しく簡略化され、製造時間を短縮
できるとともに、スループットを向上させることができ
る。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the low refractive index portion forming the side wall portion of the buried three-dimensional optical waveguide is formed by one ion implantation. Compared to the case of using the conventional ion implantation method, the manufacturing process is significantly simplified, the manufacturing time can be shortened, and the throughput can be improved.
【0025】また、本発明の図1に例示した構成の光導
波路およびその製造方法においては、導波路の底面およ
び側壁部分を形成する低屈折率部を、単一のエネルギの
イオン注入で形成することができ、装置操作が単純化さ
れるという利点もある。Furthermore, in the optical waveguide having the configuration illustrated in FIG. 1 of the present invention and the method for manufacturing the same, the low refractive index portions forming the bottom and side wall portions of the waveguide are formed by ion implantation with a single energy. This also has the advantage of simplifying device operation.
【図1】 本発明実施例の光導波路を光の進行方向に
直交する方向に切断して示す断面図[Fig. 1] A cross-sectional view showing an optical waveguide according to an embodiment of the present invention, cut in a direction perpendicular to the direction in which light travels.
【図2】 図1の光導波路の製造方法(第1の製造方
法)工程例の説明図[Figure 2] An explanatory diagram of a process example of the method for manufacturing the optical waveguide in Figure 1 (first manufacturing method)
【図3】 そのマスクMの形状の他の例の説明図[Figure 3] Explanatory diagram of another example of the shape of the mask M
【図
4】 本発明の第2の製造方法の手順例の説明図[Fig. 4] An explanatory diagram of a procedure example of the second manufacturing method of the present invention
【図
5】 イオン源条件の変化によるイオン種生成比率の
変化の例を示すグラフ[Figure 5] Graph showing an example of changes in ion species production ratio due to changes in ion source conditions
【図6】 O2+ ,O+ ,およびO2+ の混合
イオンを一定の引き出し電圧のもとにLiNbO3基板
をターゲットとしてイオン注入する場合のシミュレーシ
ョン結果を示すグラフ[Figure 6] Graph showing simulation results when mixed ions of O2+, O+, and O2+ are implanted using a LiNbO3 substrate as a target under a constant extraction voltage.
【図7】 埋め込み形三次元光
導波路の説明図[Figure 7] Explanatory diagram of embedded three-dimensional optical waveguide
【図8】 従来のイオン注入法に基づ
く埋め込み形三次元光導波路の製造方法の説明図[Figure 8] Explanatory diagram of a method for manufacturing a buried three-dimensional optical waveguide based on the conventional ion implantation method
10・・・・基板
11・・・・層状低屈折率部
12a,12b・・・・側壁状低屈折率部M・・・・マ
スク
20・・・・基板
21・・・・低屈折率層
22・・・・O2+ 注入による低屈折率層23・・・
・O + 注入による低屈折率層24・・・・O2+
注入による低屈折率層M′・・・・マスク
L・・・・光導波路10...Substrate 11...Layered low refractive index parts 12a, 12b...Side wall low refractive index part M...Mask 20...Substrate 21...Low refractive index layer 22...Low refractive index layer 23... by O2+ injection
・Low refractive index layer 24 by O + injection...O2+
Low refractive index layer M′ by injection...Mask L...Optical waveguide
Claims (3)
びる層状の低屈折率部が形成され、その上方部分の基板
内に、一端部が当該層状低屈折率部に連通し、かつ、他
端部が基板の表面にまで至る一対の互いに対向する側壁
状の低屈折率部が形成されてなる光導波路。1. A layered low refractive index portion extending in a predetermined direction along a predetermined depth within the substrate is formed, and one end portion communicates with the layered low refractive index portion within the upper portion of the substrate, and, An optical waveguide formed with a pair of sidewall-shaped low refractive index portions facing each other, the other end of which extends to the surface of a substrate.
率となるイオンを、マスクを装着していない状態の基板
表面に所定のエネルギで注入して上記層状の低屈折率部
を形成する工程と、上記基板表面に、基板の広がり方向
にイオン飛程が徐々に変化するような形状を有するマス
クを装着した状態で当該マスクを介して上記イオンを上
記エネルギで注入して上記一対の側壁状の低屈折率部を
形成する工程とを有する光導波路の製造方法。[Claim 2] Forming the layered low refractive index portion by implanting ions whose range causes a nearby layer to have a low refractive index with a predetermined energy into the surface of the substrate without a mask attached. a step of implanting the ions at the energy level through the mask with a mask having a shape such that the ion range gradually changes in the spreading direction of the substrate on the surface of the substrate; and forming a low refractive index portion having a shape.
率となるイオンを、マスクを装着していない状態の基板
表面に所定のエネルギで注入し、次に、上記基板表面に
、所定形状のマスクを装着した状態でこのマスクを介し
て、注入によりその飛程の近傍層が低屈折率となり、か
つ、電荷数もしくは質量数が互いに相違する複数種のイ
オンを混在させて注入する光導波路の製造方法。3. Ions whose implantation range has a low refractive index in a nearby layer are implanted with a predetermined energy into the substrate surface without a mask attached, and then a predetermined shape is implanted into the substrate surface. An optical waveguide in which multiple types of ions are implanted through this mask with a mask attached, and a layer in the vicinity of the range has a low refractive index, and a mixture of multiple types of ions having different charge numbers or mass numbers are implanted. manufacturing method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2842691A JPH04267206A (en) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | Light guide and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2842691A JPH04267206A (en) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | Light guide and manufacture thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04267206A true JPH04267206A (en) | 1992-09-22 |
Family
ID=12248334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2842691A Pending JPH04267206A (en) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | Light guide and manufacture thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04267206A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0807834A1 (en) * | 1996-05-15 | 1997-11-19 | Forschungszentrum Jülich Gmbh | Ion Implanted Waveguide |
JP2005070557A (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Works Ltd | Spot size converter and its manufacturing method |
JP2006253118A (en) * | 2005-02-10 | 2006-09-21 | Konica Minolta Holdings Inc | Gas for plasma discharge treatment, generation method of gas for plasma discharge treatment and plasma discharge treatment method |
-
1991
- 1991-02-22 JP JP2842691A patent/JPH04267206A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0807834A1 (en) * | 1996-05-15 | 1997-11-19 | Forschungszentrum Jülich Gmbh | Ion Implanted Waveguide |
JP2005070557A (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Works Ltd | Spot size converter and its manufacturing method |
JP2006253118A (en) * | 2005-02-10 | 2006-09-21 | Konica Minolta Holdings Inc | Gas for plasma discharge treatment, generation method of gas for plasma discharge treatment and plasma discharge treatment method |
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