JPH04265063A - Contact image sensor - Google Patents

Contact image sensor

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Publication number
JPH04265063A
JPH04265063A JP3026122A JP2612291A JPH04265063A JP H04265063 A JPH04265063 A JP H04265063A JP 3026122 A JP3026122 A JP 3026122A JP 2612291 A JP2612291 A JP 2612291A JP H04265063 A JPH04265063 A JP H04265063A
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JP
Japan
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optical fiber
fiber array
image sensor
light
array
Prior art date
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Pending
Application number
JP3026122A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Nakagawa
雅浩 中川
Shinji Fujiwara
慎司 藤原
Eiichiro Tanaka
栄一郎 田中
Tetsuro Nakamura
哲朗 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP3026122A priority Critical patent/JPH04265063A/en
Publication of JPH04265063A publication Critical patent/JPH04265063A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain a contact image sensor of less variance in optical sensitivity by obtaining a homogeneous light-transmissive optical fiber array which does not require heating for mounting and is free from cut and degeneration. CONSTITUTION:An optical fiber consists of a core 21, a clad 22, and a light absorber 23 on the outer surface, and plural optical fibers are arrayed into an optical fiber array 17. Plural photodetectors 13 are closely brought into contact with one end of the array 17, and photodetectors 13 are brought into contact with one end face of the array 17 with a transparent substrate 16 between them. A document 10 is closely brought into contact with the other end side of the array, and the document 10 is irradiated with light from a light source 19 through the substrate 16 and optical fibers. Optical information from the document 10 is led to photodetectors by plural optical fibers having light absorbers in 1:1 without mixture. Unnecessary light from the external is completely intercepted by a black film 18. As the result, the picture is read with a high resolution.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、原稿等の画像を検出し
て画像信号を得る密着型イメージセンサに関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact type image sensor that detects an image of a document or the like and obtains an image signal.

【0002】0002

【従来の技術】  光ファイバアレイは、光ファイバ束
を2枚のガラス基板により挟み加熱圧着しさらに切断、
研磨することにより得られる。従来、イメージセンサユ
ニットは、この光ファイバアレイ上に厚膜印刷により回
路導体層を形成し、光検知素子を有する回路基板上に形
成された電気配線とを対向して配置しこれらの回路導体
層と光検知素子の電気配線とを半田バンプ等を用いて接
続していた。これにより図4に示す様に光検知素子33
が設けられた光ファイバアレイ37の一端側に光源39
を設け、光ファイバアレイ37の他端側に近接して置か
れた原稿30を照明し、その原稿30からの反射光を他
端側の光ファイバアレイ37内に入射させて、この光を
光検知素子33に導くものである。
[Prior Art] Optical fiber arrays are made by sandwiching an optical fiber bundle between two glass substrates, heat-pressing them, cutting them, and then cutting them.
Obtained by polishing. Conventionally, image sensor units have been manufactured by forming a circuit conductor layer on the optical fiber array by thick film printing, and placing the circuit conductor layer facing the electrical wiring formed on the circuit board having the photodetecting element. and the electrical wiring of the photodetector element were connected using solder bumps or the like. As a result, as shown in FIG.
A light source 39 is provided at one end side of the optical fiber array 37 provided with
is provided, illuminates the original 30 placed close to the other end of the optical fiber array 37, makes the reflected light from the original 30 enter the optical fiber array 37 on the other end, and converts this light into an optical fiber. It leads to the detection element 33.

【0003】また、光ファイバアレイ37に原稿30か
らの反射光を互いにクロストークなく読みとるためには
、図3で光ファイバのクラッド22の外表面に吸光体2
3を設けることが望ましい。しかし、吸光体23の吸光
により光ファイバアレイ他端側に近接して置かれた原稿
に照明光が十分に届かず、吸光体の1部を除いた光ファ
イバアレイあるいは吸光体を外表面に設けない光ファイ
バアレイを積層する必要があった。
In addition, in order to read the reflected light from the original 30 onto the optical fiber array 37 without mutual crosstalk, a light absorber 2 is provided on the outer surface of the cladding 22 of the optical fiber as shown in FIG.
It is desirable to provide 3. However, due to the light absorption of the light absorber 23, the illumination light did not reach the original placed close to the other end of the optical fiber array, so the optical fiber array or the light absorber excluding a part of the light absorber was installed on the outer surface. No need to stack optical fiber arrays.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】上記のような構成では
、光ファイバアレイの一端側にイメージセンサチップに
形成した光検知素子が相対面する様に半田バンプ等によ
り実装する際の半田溶融時の熱によって、あるいは回路
導体層をスクリーン印刷による厚膜形成時の焼成熱によ
り光ファイバアレイが変質または光ファイバ自身の断線
により、光ファイバアレイを構成する各々の光ファイバ
間で光透過率が著しく低下する部分が発生し画像読み取
りが均一に出来ない問題があった。
[Problems to be Solved by the Invention] In the above-described configuration, when the photodetecting element formed on the image sensor chip is mounted on one end side of the optical fiber array using solder bumps or the like so as to face each other, the problem arises when the solder melts. The light transmittance between each of the optical fibers that make up the optical fiber array is significantly reduced due to heat, or due to the heat of firing when forming a thick film on the circuit conductor layer by screen printing, or due to the optical fibers themselves being broken. There was a problem that the image could not be read uniformly due to the occurrence of areas where the image was blurred.

【0005】また吸光体の1部を除いた光ファイバアレ
イあるいは吸光体23をクラッド22の外表面に設けな
い光ファイバアレイを積層する場合、光のクロストーク
が幾分増加し、解像度の低下が生じていた。
[0005] Furthermore, when stacking an optical fiber array in which a part of the light absorber is removed or an optical fiber array in which the light absorber 23 is not provided on the outer surface of the cladding 22, optical crosstalk increases somewhat and the resolution decreases. was occurring.

【0006】本発明は上記問題点に鑑み、高解像度で、
また感度のばらつきの少ない高画質な画像読み取りを可
能とすることを目的とするものである。
In view of the above problems, the present invention provides high resolution,
Another purpose is to enable high-quality image reading with little variation in sensitivity.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の密着型イメージセンサは少なくとも複数の
光ファイバを整列して形成した光ファイバアレイと、こ
の光ファイバアレイの一端側に複数個の光検知素子を密
接して設けた密着型イメージセンサにおいて、前記光フ
ァイバは中心部のコアと、このコアの外表面に設けたク
ラッドと、このクラッドの外表面に設けた吸光体を備え
、さらに前記複数個の光検知素子が透明基板上に回路導
体層ともに形成され、光検知素子が透明基板を介して光
ファイバアレイの一端面と接するよう構成される。
[Means for Solving the Problems] In order to solve the above problems, the contact type image sensor of the present invention includes an optical fiber array formed by aligning at least a plurality of optical fibers, and a plurality of optical fibers arranged at one end of the optical fiber array. In a close-contact image sensor in which several photodetecting elements are closely arranged, the optical fiber includes a central core, a cladding provided on the outer surface of the core, and a light absorber provided on the outer surface of the cladding. Further, the plurality of photodetecting elements are formed together with a circuit conductor layer on a transparent substrate, and the photodetecting elements are configured to be in contact with one end surface of the optical fiber array via the transparent substrate.

【0008】また、吸光体をクラッド外表面に有する光
ファイバを整列して形成した光ファイバアレイがガラス
基板の間あるいは端面に融接された構造を有し、この光
ファイバアレイの一端側に複数個の光検知素子を密接し
て設けた密着型イメージセンサにおいて、上記光ファイ
バのクラッドの外表面に設けた吸光体の透過度が、光フ
ァイバのコアの占有面積比をa、光ファイバアレイの臨
界角未満の角度で入射した光の透過度をTとした時、T
/aが0.85〜0.76を有する光ファイバアレイと
し、上記光ファイバアレイの一端側の斜め上方に光源を
設け、この光ファイバアレイの他端側に密接して置かれ
た原稿をガラス基板を介して照明し原稿からの反射光を
光ファイバアレイを通して光検知素子に導く構成とした
ものである。
[0008] The optical fiber array also has a structure in which an optical fiber array formed by arranging optical fibers having a light absorber on the outer surface of the cladding is fusion-welded between glass substrates or on an end surface, and a plurality of optical fiber arrays are arranged on one end side of the optical fiber array. In a close-contact image sensor in which several photodetecting elements are closely arranged, the transmittance of the light absorber provided on the outer surface of the cladding of the optical fiber is such that the occupied area ratio of the core of the optical fiber is a, and the area ratio of the optical fiber array is When the transmittance of light incident at an angle less than the critical angle is T, then T
An optical fiber array having /a of 0.85 to 0.76 is used, a light source is provided diagonally above one end of the optical fiber array, and a document placed closely on the other end of the optical fiber array is placed under a glass. The structure is such that the light is illuminated through the substrate and the reflected light from the original is guided to the photodetector element through the optical fiber array.

【0009】[0009]

【作用】本発明は上記した構成によって光ファイバアレ
イに回路導体層あるいは、光検知素子を実装する際にも
加熱の必要がなく、光ファイバの切断あるいは変質のな
い均質な透過特性の光ファイバアレイを得ることができ
る。これにより、光感度のばらつきの少ない密着型イメ
ージセンサを得ることができる。
[Function] With the above-described structure, the present invention eliminates the need for heating when mounting a circuit conductor layer or a photodetector element on an optical fiber array, and provides an optical fiber array with homogeneous transmission characteristics without cutting or deterioration of optical fibers. can be obtained. Thereby, a contact type image sensor with less variation in photosensitivity can be obtained.

【0010】また、光ファイバのクラッドの外表面に設
けた吸収体の透過度が、光ファイバのコアの占有面積比
をa、光ファイバアレイの臨界角未満の角度で入射した
光の透過度をTとした時、T/aが0.85〜0.76
とすることにより、光ファイバアレイに密接した原稿へ
の光照明効率がセルフォックレンズアレイを用いた密着
型イメージセンサと同等あるいはそれ以上で行なうこと
ができ、原稿からの光情報を光ファイバアレイを用いて
光検知素子に導く際に、イメージセンサの光検知素子に
対して光ファイバアレイをより近接した位置に高精度に
配置できることにより、一対一の対応でよりよく導くこ
とが可能になり、画像読み取りの解像度、光の利用効率
がいままで以上に向上する。
[0010] Furthermore, the transmittance of the absorber provided on the outer surface of the cladding of the optical fiber is such that the occupied area ratio of the core of the optical fiber is a, and the transmittance of light incident at an angle less than the critical angle of the optical fiber array is When T, T/a is 0.85 to 0.76
By doing so, the light illumination efficiency on the original that is close to the optical fiber array can be equal to or higher than that of a close-contact image sensor using a SELFOC lens array, and the optical information from the original can be transmitted through the optical fiber array. By placing the optical fiber array closer to the image sensor's photodetecting element with high precision, it is possible to guide the image sensor in a one-on-one manner. Reading resolution and light usage efficiency are improved more than ever.

【0011】[0011]

【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。 (実施例1)図1及び図2は本発明の実施例における密
着型イメージセンサの正断面図及び側断面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. (Embodiment 1) FIGS. 1 and 2 are a front sectional view and a side sectional view of a contact type image sensor according to an embodiment of the present invention.

【0012】図2について11はコーティング樹脂、1
2はイメージセンサチップ、13はイメージセンサチッ
プ12に設けられた複数の光検知素子、14はイメージ
センサチップ12の電極、16は透明材料を用いて作成
された透明基板、15は透明基板16上の回路導体層、
17は前記透明基板16に透明な接着剤や光硬化性樹脂
(紫外線硬化性樹脂)等により接着させた光ファイバア
レイ、18は透明基板16の上面及び下面に形成した黒
色系膜、19は原稿10を照明する光源である。又図3
は光ファイブアレイ17の平面図であり、各光ファイバ
は中心部のコア21とその外表面のクラッド22と、こ
のクラッド22の外表面に設けられた吸光体23で構成
されている。
In FIG. 2, 11 is a coating resin;
2 is an image sensor chip, 13 is a plurality of photodetecting elements provided on the image sensor chip 12, 14 is an electrode of the image sensor chip 12, 16 is a transparent substrate made of a transparent material, and 15 is on the transparent substrate 16. circuit conductor layer,
17 is an optical fiber array bonded to the transparent substrate 16 with a transparent adhesive or a photocurable resin (ultraviolet curable resin), 18 is a black film formed on the upper and lower surfaces of the transparent substrate 16, and 19 is an original document. It is a light source that illuminates 10. Also figure 3
is a plan view of the optical fiber array 17, and each optical fiber is composed of a core 21 at the center, a clad 22 on the outer surface of the core 21, and a light absorber 23 provided on the outer surface of the clad 22.

【0013】次に以上のように構成した密着型イメージ
センサの詳部についてさらに詳細に説明する。図3に示
す様に、直径がおよそ25μmの光ファイバのクラッド
22の外表面に厚さ2〜3μmの吸光体23を形成し、
この光ファイバ多数本を図2に示す様に、2枚のガラス
基板20に挟み込んで、両側から圧力を加えながら、ガ
ラスの融点程度の熱を加え融着する。さらに、約1mm
厚に切断した後表面を平滑に研磨し光ファイバアレイ1
7を作成する。次に、透明基板16は厚さ400μm以
下好ましくは40〜300μmのガラスシートあるいは
高分子フィルムが好適である。ここでは40〜60μm
のポリアリレート(PA)あるいはポリエーテルサルフ
ォン(PES)等の透明高分子フィルムを用いて作成す
る。透明基板16の両面及びガラス基板20に黒色系膜
18をスクリーン印刷法で形成する。ただし、光ファイ
バアレイ17を接着する部分と光源19から照明光が通
る部分は除く。さらに、透明基板16の一端表面に、A
uやAgーPtやCu等の貴金属を用いてスクリーン印
刷法または薄膜形成法とフォトリソ法により100μm
以下の回路導体層15を形成する。さらに、大きさ50
〜100μm角の光検知素子13を一定間隔(62.5
または125μm)で多数並列に形成しているイメージ
センサチップ12の電極14が回路導体層15の所定の
位置に接続するように光硬化性樹脂(紫外線硬化性樹脂
)等により実装する。さらに、このイメージセンサチッ
プを保護するためにシリコーン樹脂等のコーティング樹
脂11によりコーティングする。次に、イメージセンサ
チップ12に設けられた複数の光検知素子13の位置に
合うように光ファイバアレイ17を透明基板16に透明
な接着剤または光硬化性樹脂(紫外線硬化性樹脂)等に
より接着する。
Next, the details of the contact type image sensor constructed as above will be explained in more detail. As shown in FIG. 3, a light absorber 23 with a thickness of 2 to 3 μm is formed on the outer surface of the cladding 22 of an optical fiber with a diameter of approximately 25 μm,
As shown in FIG. 2, a large number of these optical fibers are sandwiched between two glass substrates 20, and while applying pressure from both sides, they are fused together by applying heat to about the melting point of the glass. Furthermore, about 1mm
After cutting into thick pieces, the surface is polished smooth and optical fiber array 1
Create 7. Next, the transparent substrate 16 is preferably a glass sheet or a polymer film having a thickness of 400 μm or less, preferably 40 to 300 μm. Here 40-60 μm
It is made using a transparent polymer film such as polyarylate (PA) or polyether sulfone (PES). A black film 18 is formed on both sides of the transparent substrate 16 and the glass substrate 20 by screen printing. However, the portion where the optical fiber array 17 is bonded and the portion through which illumination light from the light source 19 passes are excluded. Further, on one end surface of the transparent substrate 16, A
100 μm by screen printing method or thin film forming method and photolithography method using noble metals such as u, Ag-Pt, and Cu.
The following circuit conductor layer 15 is formed. Furthermore, the size is 50
~100 μm square photodetecting elements 13 are arranged at regular intervals (62.5
The image sensor chips 12 are mounted using a photocurable resin (ultraviolet curable resin) or the like so that the electrodes 14 of the image sensor chips 12, which are formed in parallel with each other (or 125 μm), are connected to predetermined positions of the circuit conductor layer 15. Furthermore, in order to protect this image sensor chip, it is coated with a coating resin 11 such as silicone resin. Next, the optical fiber array 17 is bonded to the transparent substrate 16 using a transparent adhesive or a photocurable resin (ultraviolet curable resin) so as to match the positions of the plurality of photodetecting elements 13 provided on the image sensor chip 12. do.

【0014】この密着型イメージセンサを用いて、光フ
ァイバアレイ17の他端側に原稿10を密着させ、光源
(LEDアレイ)19からの光を、透明基板16の上面
側から入射させ透明基板を通り、光ファイバを通じて原
稿10を照射させる。この時の光ファイバアレイの透過
度T/aを80%程度にしてある。
Using this contact type image sensor, the original 10 is brought into close contact with the other end of the optical fiber array 17, and the light from the light source (LED array) 19 is incident on the top surface of the transparent substrate 16 to cover the transparent substrate. The original 10 is irradiated through the optical fiber. At this time, the transmittance T/a of the optical fiber array is set to about 80%.

【0015】原稿10からの光情報は、吸光体23を設
けた多数の光ファイバにより、光の交錯(クロストーク
)なしに、一対一の対応で、光検知素子13に導かれる
。又外部からの不要な光は、黒色系膜18によって10
0%遮断されている。
Optical information from the document 10 is guided to the photodetector element 13 in a one-to-one correspondence without any crosstalk by a large number of optical fibers provided with light absorbers 23. Also, unnecessary light from the outside is filtered out by the black film 18.
0% blocked.

【0016】この様にして、高解像度(MTF値が4l
p/mmで約70%)で画像を読み取ることを可能にし
た。 (実施例2)実施例1と同様に密着型イメージセンサを
作成した。このときに用いた光ファイバアレイの開口数
(N.A.)は0.57であることから、臨界角22°
未満の入射角15°以下の光を用いて透過特性を測定し
た。透過率Tは0.55〜0.68の光ファイバアレイ
を用いて光の利用効率、解像度を測定した。この時の光
ファイバのコアの占有率aは0.7であった。このこと
から、T/aは0.78〜0.97に相当する。
In this way, high resolution (MTF value of 4l)
This made it possible to read images at a rate of about 70% (p/mm). (Example 2) A contact type image sensor was created in the same manner as in Example 1. Since the numerical aperture (NA) of the optical fiber array used at this time was 0.57, the critical angle was 22°.
Transmission characteristics were measured using light with an incident angle of 15° or less. Light utilization efficiency and resolution were measured using an optical fiber array with a transmittance T of 0.55 to 0.68. The core occupancy rate a of the optical fiber at this time was 0.7. From this, T/a corresponds to 0.78 to 0.97.

【0017】これらを測定した結果、0.55〜0.7
5の光ファイバアレイではMTF値が4lp/mmで約
70%と高解像度であるものの、光の照明効率がセルフ
ォックレンズアレイを用いた密着型イメージセンサに比
較して、0.5〜0.7であり約1.4〜2倍の光量を
必要とした。他方、0.86〜0.97の光ファイバア
レイを用いた場合、光の利用効率が1.5〜3倍に向上
するもののMTF値が4lp/mmで約30〜43%と
低下する。
[0017] As a result of these measurements, 0.55 to 0.7
Although the optical fiber array No. 5 has an MTF value of 4lp/mm and a high resolution of approximately 70%, the light illumination efficiency is 0.5 to 0.5% compared to a contact type image sensor using a SELFOC lens array. 7, which required about 1.4 to 2 times the amount of light. On the other hand, when an optical fiber array of 0.86 to 0.97 is used, although the light utilization efficiency improves by 1.5 to 3 times, the MTF value decreases to about 30 to 43% at 4 lp/mm.

【0018】0.76〜0.85では光の利用効率も0
.8〜1.3倍程度でMTF値が4lp/mmで45〜
70%と良好な特性が得られた。
[0018] In the range of 0.76 to 0.85, the light utilization efficiency is also 0.
.. 8~1.3 times and MTF value is 45~4lp/mm
Good characteristics of 70% were obtained.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上のように本発明は、原稿からの光情
報を光ファイバアレイを用いて光検知素子に導く際に、
均一な透過特性が得られるため光感度のばらつきの少な
い密着型イメージセンサを得ることができる。また、イ
メージセンサの光検知素子に対して光ファイバアレイを
より近接した位置に高精度に実装できることにより、一
対一の対応でよりよく導くことが可能になり、画像読み
取りの解像度、光の利用効率がいままで以上に向上する
[Effects of the Invention] As described above, the present invention provides the following advantages when guiding optical information from a document to a photodetecting element using an optical fiber array.
Since uniform transmission characteristics can be obtained, it is possible to obtain a contact type image sensor with less variation in photosensitivity. In addition, by being able to mount the optical fiber array closer to the image sensor's photodetecting element with high precision, it is possible to provide better guidance through one-on-one correspondence, improving image reading resolution and light usage efficiency. will improve more than ever before.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の第1の実施例におけるイメージセンサ
の正断面図である。
FIG. 1 is a front cross-sectional view of an image sensor in a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施例における同イメージセン
サの側断面図である。
FIG. 2 is a side sectional view of the image sensor according to the first embodiment of the present invention.

【図3】同実施例における同光ファイバの上面図である
FIG. 3 is a top view of the same optical fiber in the same example.

【図4】従来のイメージセンサの正断面図である。FIG. 4 is a front cross-sectional view of a conventional image sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10  原稿 11  コーティング樹脂 12  イメージセンサチップ 13  光検知素子 14  電極 15  回路導体層 16  透明基板 17  光ファイバアレイ 18  黒色系膜 19  光源 20  ガラス基板 21  コア 22  クラッド 23  吸光体 30  原稿 31  コーティング樹脂 32  イメージセンサチップ 33  光検知素子 34  電極 35  回路導体層 36  ガラス基板 37  光ファイバアレイ 38  黒色系膜 39  光源 10 Manuscript 11 Coating resin 12 Image sensor chip 13 Photodetection element 14 Electrode 15 Circuit conductor layer 16 Transparent substrate 17 Optical fiber array 18 Black film 19 Light source 20 Glass substrate 21 Core 22 Clad 23 Light absorber 30 Manuscript 31 Coating resin 32 Image sensor chip 33 Photodetection element 34 Electrode 35 Circuit conductor layer 36 Glass substrate 37 Optical fiber array 38 Black film 39 Light source

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  少なくとも複数の光ファイバを整列し
て形成した光ファイバアレイと、この光ファイバアレイ
の一端側に複数個の光検知素子を密接して設けた密着型
イメージセンサにおいて、前記光ファイバは中心部のコ
アと、このコアの外表面に設けたクラッドと、このクラ
ッドの外表面に設けた吸光体を備え、さらに前記複数個
の光検知素子が透明基板上に回路導体層ともに形成され
、光検知素子素子が透明基板を介して光ファイバアレイ
の一端面と接するよう構成された密着型イメージセンサ
1. A close-contact image sensor comprising an optical fiber array formed by aligning at least a plurality of optical fibers, and a plurality of photodetecting elements closely provided on one end side of the optical fiber array, wherein the optical fibers comprises a central core, a cladding provided on the outer surface of the core, and a light absorber provided on the outer surface of the cladding, and the plurality of photodetecting elements are formed together with a circuit conductor layer on a transparent substrate. , a contact image sensor configured such that a photodetector element is in contact with one end surface of an optical fiber array through a transparent substrate.
【請求項2】  吸光体をクラッド外表面に有する光フ
ァイバを整列して形成した光ファイバアレイがガラス基
板の間あるいは端面に融接された構造を有し、この光フ
ァイバアレイの一端側に複数個の光検知素子を密接して
設けた密着型イメージセンサにおいて、上記光ファイバ
のクラッドの外表面に設けた吸光体の透過度が、光ファ
イバのコアの占有面積比をa、光ファイバアレイの臨界
角未満の角度で入射した光の透過度をTとした時、T/
aが0.85〜0.76を有する光ファイバアレイとし
、上記光ファイバアレイの一端側の斜め上方に光源を設
け、この光ファイバアレイの他端側に密接して置かれた
原稿を上記ガラス基板を介して照明し原稿からの反射光
を光ファイバアレイを通して光検知素子に導く構成とし
た密着型イメージセンサ。
2. An optical fiber array formed by arranging optical fibers having a light absorber on the outer surface of the cladding is fusion-welded between glass substrates or on an end surface, and a plurality of optical fiber arrays are arranged on one end side of the optical fiber array. In a close-contact image sensor in which several photodetecting elements are closely arranged, the transmittance of the light absorber provided on the outer surface of the cladding of the optical fiber is such that the occupied area ratio of the core of the optical fiber is a, and the area ratio of the optical fiber array is When the transmittance of light incident at an angle less than the critical angle is T, T/
An optical fiber array having a of 0.85 to 0.76 is used, a light source is provided diagonally above one end of the optical fiber array, and a document placed closely on the other end of the optical fiber array is placed on the glass. A contact image sensor configured to illuminate through a substrate and guide the reflected light from the document to a photodetector element through an optical fiber array.
【請求項3】  光ファイバアレイの原稿と密接する他
端側において、この端面とほぼ直角方向の壁面を設け、
この壁面には黒色系の膜を設ける機構とした請求項1ま
たは請求項2記載の密着型イメージセンサ。
3. At the other end of the optical fiber array that is in close contact with the original, a wall surface is provided in a direction substantially perpendicular to this end surface,
3. The contact image sensor according to claim 1, wherein the wall surface is provided with a blackish film.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS645261A (en) * 1987-06-29 1989-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical original reader
JPH01180180A (en) * 1988-01-12 1989-07-18 Seiko Epson Corp Solid-state image pickup device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS645261A (en) * 1987-06-29 1989-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical original reader
JPH01180180A (en) * 1988-01-12 1989-07-18 Seiko Epson Corp Solid-state image pickup device

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