JPH04261205A - High frequency amplifier module - Google Patents
High frequency amplifier moduleInfo
- Publication number
- JPH04261205A JPH04261205A JP4286491A JP4286491A JPH04261205A JP H04261205 A JPH04261205 A JP H04261205A JP 4286491 A JP4286491 A JP 4286491A JP 4286491 A JP4286491 A JP 4286491A JP H04261205 A JPH04261205 A JP H04261205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency amplifier
- high frequency
- gnd
- amplifier module
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000012356 Product development Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、高周波アンプモジュー
ルに関し、更に詳しく言えば、各種通信機器等に用いら
れ、特に、多段構成の高周波増幅回路を、基板に実装し
て、ハイブリッドＩＣ化した高周波アンプモジュールに
関する。[Industrial Application Field] The present invention relates to a high frequency amplifier module, and more specifically, it is used in various communication equipment, etc., and in particular, a high frequency amplifier module in which a multi-stage high frequency amplifier circuit is mounted on a substrate to form a hybrid IC. Regarding amplifier modules.
【０００２】0002
【従来の技術】図３、図４は、従来例を示した図であり
、図３は高周波アンプの回路例、図４は、高周波アンプ
モジュールの分解斜視図である。2. Description of the Related Art FIGS. 3 and 4 are diagrams showing conventional examples. FIG. 3 is an example of a circuit of a high frequency amplifier, and FIG. 4 is an exploded perspective view of a high frequency amplifier module.
【０００３】図中、Ｃ１０〜Ｃ１８はコンデンサ、Ｒ１
０〜Ｒ１３は抵抗、Ｌ１，Ｌ２はコイル、Ｑ１，Ｑ２は
トランジスタ、ＩＮは入力端子、ＯＵＴは出力端子、Ｖ
ｃ１ ，Ｖｃ２ は電源を示す。[0003] In the figure, C10 to C18 are capacitors, R1
0 to R13 are resistors, L1 and L2 are coils, Q1 and Q2 are transistors, IN is an input terminal, OUT is an output terminal, and V
c1 and Vc2 indicate power supplies.
【０００４】また、１は多層基板の第１層、２は第２層
、３は第３層、４は第４層、５は部品、６はコイルを示
す。Further, 1 is a first layer of the multilayer board, 2 is a second layer, 3 is a third layer, 4 is a fourth layer, 5 is a component, and 6 is a coil.
【０００５】従来、多段構成の高周波アンプとしては、
例えば図３に示したような回路が知られていた。この回
路は、２段構成の高周波アンプの回路例であり、図示の
ように第１段と第２段とで構成されている。Conventionally, as a high frequency amplifier with a multi-stage configuration,
For example, a circuit as shown in FIG. 3 has been known. This circuit is an example of a high-frequency amplifier having a two-stage configuration, and is composed of a first stage and a second stage as shown in the figure.
【０００６】第１段は、トランジスタＱ１、抵抗Ｒ１０
，Ｒ１１、コイルＬ１、コンデンサＣ１０〜Ｃ１２等で
構成され、第２段は、トランジスタＱ２、抵抗Ｒ１２，
Ｒ１３、コイルＬ２、コンデンサＣ１５〜Ｃ１８等で構
成される。The first stage includes a transistor Q1 and a resistor R10.
, R11, a coil L1, capacitors C10 to C12, etc., and the second stage includes a transistor Q2, a resistor R12,
It is composed of R13, coil L2, capacitors C15 to C18, etc.
【０００７】このような高周波アンプを基板に実装して
ハイブリッドＩＣ化し、小型化を図った例を図４に示す
。図４は、高周波アンプ回路を、多層基板に実装してハ
イブリッドＩＣとした高周波アンプモジュールの例であ
る。FIG. 4 shows an example in which such a high frequency amplifier is mounted on a substrate to form a hybrid IC and to achieve miniaturization. FIG. 4 is an example of a high-frequency amplifier module in which a high-frequency amplifier circuit is mounted on a multilayer substrate to form a hybrid IC.
【０００８】上記多層基板は、第１層１、第２層２、第
３層３、第４層４から成る４層構造とする。そして、第
１層１と第４層４の外側の表面上は、部品実装面として
使用し、部品（トランジスタやコンデンサ等のディスク
リート部品）５を実装する。The multilayer substrate has a four-layer structure consisting of a first layer 1, a second layer 2, a third layer 3, and a fourth layer 4. The outer surfaces of the first layer 1 and the fourth layer 4 are used as component mounting surfaces, and components (discrete components such as transistors and capacitors) 5 are mounted thereon.
【０００９】また、内部層である第２層２と第３層３に
は、例えばコイル６を、厚膜パターンを用いて形成する
。Further, in the second layer 2 and the third layer 3, which are internal layers, a coil 6, for example, is formed using a thick film pattern.
【００１０】このようにして、コイル内蔵型の多層基板
によるハイブリッドＩＣが得られる。このハイブリッド
ＩＣは、多層基板を用いることにより、通常のハイブリ
ッドＩＣ（単層基板使用）よりも小型化できるものであ
る（コイルのような大型部品を多層基板に内蔵したため
）。[0010] In this way, a hybrid IC using a multilayer substrate with a built-in coil is obtained. By using a multilayer board, this hybrid IC can be made smaller than a normal hybrid IC (using a single layer board) (because large components such as a coil are built into the multilayer board).
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。[Problems to be Solved by the Invention] The conventional devices as described above have the following problems.
【００１２】（１）高周波アンプモジュールを小型化す
る際、通常のハイブリッドＩＣ（単層基板）を用いるよ
りも、多層基板によるハイブリッドＩＣとした方が、よ
り小型化できる。(1) When miniaturizing a high frequency amplifier module, it is possible to make the high frequency amplifier module more compact by using a hybrid IC using a multilayer substrate rather than by using a normal hybrid IC (single layer substrate).
【００１３】しかし、多段構成の高周波アンプモジュー
ルを小型化していくと、段間の干渉が無視できなくなり
、最悪の場合、発振してしまうことがある。However, as a high-frequency amplifier module with a multistage configuration is miniaturized, interference between stages cannot be ignored, and in the worst case, oscillation may occur.
【００１４】（２）特に、多層基板によるハイブリッド
ＩＣで構成した高周波アンプモジュールの場合、基板の
内部の層にも回路部品を配置するため、部品間の距離や
配線間の距離が極端に短かくなる。(2) In particular, in the case of a high-frequency amplifier module configured with a hybrid IC on a multilayer board, the distance between parts and the distance between wires are extremely short because circuit components are also arranged on the internal layers of the board. Become.
【００１５】このため、各部品間等の干渉が多くなり、
上記のような発振の心配がある。[0015] For this reason, there is an increase in interference between each part, etc.
There is a concern about oscillation as mentioned above.
【００１６】（３）例えば、図４のように、多層基板の
内部層にコイルを配置すると、コイルから発生する磁界
が、外表面の部品等に悪影響（例えば、不要な誘起電圧
を発生させる）を与える。(3) For example, if a coil is placed in the inner layer of a multilayer board as shown in FIG. 4, the magnetic field generated by the coil will have an adverse effect on components on the outer surface (for example, generate unnecessary induced voltage). give.
【００１７】その結果、段間干渉が起こり、発振するこ
ともある。As a result, interstage interference may occur and oscillation may occur.
【００１８】（４）特にコイルを内蔵した場合、コイル
パターンの形状が、外表面の部品に磁界の影響を与えや
すくなるため、上記のような問題が起こりやすい（小型
化のためには、コイルを内蔵する必要がある）。(4) In particular, when a coil is built in, the shape of the coil pattern makes it easier for the magnetic field to affect parts on the outer surface, so the above problems are likely to occur (for miniaturization, the coil pattern ).
【００１９】本発明は、このような従来の課題を解決し
、多段構成の高周波アンプモジュールを小型化すると共
に、小型化しても発振が起こらないようにすることを目
的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve these conventional problems, to miniaturize a multi-stage high frequency amplifier module, and to prevent oscillation from occurring even after miniaturization.
【００２０】[0020]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、次のように構成したものである。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention is constructed as follows.
【００２１】（１）多段構成の高周波アンプ回路を、基
板に実装してハイブリッドＩＣ化した高周波アンプモジ
ュールにおいて、基板に形成した総てのＧＮＤ（接地）
電極を、短絡して共通化した。(1) In a high-frequency amplifier module in which a multi-stage high-frequency amplifier circuit is mounted on a board to form a hybrid IC, all GNDs (grounds) formed on the board
The electrodes were short-circuited and shared.
【００２２】（２）上記構成（１）において、基板とし
て多層基板を使用し、該多層基板に、高周波アンプ回路
を構成する一部の部品を内蔵させた。(2) In the above structure (1), a multilayer board is used as the board, and some of the components constituting the high frequency amplifier circuit are built into the multilayer board.
【００２３】[0023]
【作用】上記構成に基づく本発明の作用を説明する。[Operation] The operation of the present invention based on the above configuration will be explained.
【００２４】多段構成の高周波アンプモジュールは、基
板内の総てのＧＮＤ電極を短絡して共通化してある。[0024] In the multi-stage high frequency amplifier module, all the GND electrodes in the substrate are short-circuited and made common.
【００２５】この高周波アンプモジュールの入力端子に
高周波信号を入力すると、多段増幅が行われ、出力端子
に、増幅された高周波信号が出力される。When a high frequency signal is input to the input terminal of this high frequency amplifier module, multistage amplification is performed, and the amplified high frequency signal is output to the output terminal.
【００２６】このような増幅作用の過程において、小型
化した高周波アンプモジュールでは、部品間の距離や回
路各部間の距離が短かいため、部品間の相互干渉が生じ
たり、あるいは、不要な誘起電圧が生じたりすることが
ある。In the process of such amplification, in miniaturized high-frequency amplifier modules, the distances between components and the distances between circuit parts are short, so mutual interference between components occurs, or unnecessary induced voltage is generated. may occur.
【００２７】しかし、総てのＧＮＤ電極は、短絡されて
いて完全な同電位（ＧＮＤ電位）となっているため、上
記のような状態となっても、段間の分離が保てる。この
ため、従来のような段間干渉による発振も起こらない。However, since all the GND electrodes are short-circuited and have the same potential (GND potential), separation between the stages can be maintained even in the above state. Therefore, oscillation due to interstage interference as in the conventional case does not occur.
【００２８】結局、本発明では、高周波アンプの各段の
信号ライン系のＧＮＤ、及び電源ライン系のＧＮＤを総
て共通化させ、かつ各段も共通化（回路基板内で総ての
ＧＮＤ電極を短絡）することにより、各段の分離を良く
して発振現象を無くすようにしている。In the end, in the present invention, the GND of the signal line system and the GND of the power supply line in each stage of the high frequency amplifier are all made common, and each stage is also made common (all the GND electrodes in the circuit board are made common). (short-circuited) to improve separation between each stage and eliminate oscillation phenomena.
【００２９】このことは、多段アンプを多層基板で構成
する場合、回路の各所にＧＮＤがあるが、これらを総て
ハイブリッドＩＣ内で短絡させることにより、発振を防
ぐことが実験の結果判明した。As a result of experiments, it has been found that when a multi-stage amplifier is constructed with a multi-layer board, there are GNDs at various places in the circuit, but oscillation can be prevented by short-circuiting them all within the hybrid IC.
【００３０】またそのＧＮＤの短絡の状況も、上記従来
例のように、第１段及び第２段の各段の中でのみ短絡し
ただけでは防ぐことができず、第１段と第２段のＧＮＤ
を共通化してはじめて発振を防止できることが実験で確
認できた。[0030] In addition, the short-circuit situation of GND cannot be prevented only by short-circuiting only in the first and second stages, as in the above conventional example; GND of
We have confirmed through experiments that oscillation can only be prevented by making it common.
【００３１】これは、ＧＮＤを共通化させることにより
、各段の高周波的な分離がよくなるものと思われる。[0031] This is thought to be due to the fact that the high frequency separation of each stage is improved by making the GND common.
【００３２】従って、発振の心配がなくなることにより
、多層基板を用いて、より小型の高周波アンプモジュー
ルを作製することが可能となり、製品開発の期間も短縮
化され、性能の向上も可能となる。[0032] Therefore, since there is no need to worry about oscillation, it becomes possible to produce a smaller high-frequency amplifier module using a multilayer substrate, and the period of product development can be shortened, and performance can also be improved.
【００３３】[0033]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be explained based on the drawings.
【００３４】（１実施例の説明）図１〜図２は、本発明
の１実施例を示した図であり、図１は高周波アンプモジ
ュールの構成例、図２は高周波アンプ回路（２段構成）
を示した図である。(Description of 1 Embodiment) FIGS. 1 and 2 are diagrams showing one embodiment of the present invention. FIG. 1 is a configuration example of a high frequency amplifier module, and FIG. 2 is a high frequency amplifier circuit (two-stage configuration). )
FIG.
【００３５】図中、Ｃ１〜Ｃ８はコンデンサ、Ｒ１〜Ｒ
６は抵抗、Ｌ１，Ｌ２はコイル、Ｔｒ１ ，Ｔｒ２ は
トランジスタ、ＩＮは入力端子、ＯＵＴは出力端子、Ｖ
１ ，Ｖ２ は電源、ＧＮＤはＧＮＤ（接地）電極、１
０は多層基板、１１は共通ＧＮＤパターンを示す。In the figure, C1 to C8 are capacitors, R1 to R
6 is a resistor, L1 and L2 are coils, Tr1 and Tr2 are transistors, IN is an input terminal, OUT is an output terminal, V
1, V2 is the power supply, GND is the GND (ground) electrode, 1
0 indicates a multilayer board, and 11 indicates a common GND pattern.
【００３６】この実施例における高周波アンプは、２段
構成の例であり、使用周波数は１００ＭＨｚ以上で、回
路構成は、集中定数回路である。The high frequency amplifier in this embodiment is an example of a two-stage configuration, the operating frequency is 100 MHz or more, and the circuit configuration is a lumped constant circuit.
【００３７】また、この実施例の高周波アンプモジュー
ルは、多層基板によるハイブリッドＩＣで構成しており
、高周波アンプ回路のコイルは、前記多層基板に内蔵し
て、モジュールの小型化を図った例である。Furthermore, the high frequency amplifier module of this embodiment is constructed of a hybrid IC using a multilayer board, and the coil of the high frequency amplifier circuit is built into the multilayer board to reduce the size of the module. .
【００３８】前記高周波アンプモジュールの構成は図１
に示してあり、その高周波アンプ回路は、図２に示して
ある。なお、図１（Ａ）は高周波アンプモジュールを構
成する多層基板の表面（外側）であり、図１（Ｂ）は裏
面（外側）である。The configuration of the high frequency amplifier module is shown in FIG.
The high frequency amplifier circuit is shown in FIG. Note that FIG. 1(A) shows the front surface (outside) of the multilayer substrate constituting the high-frequency amplifier module, and FIG. 1(B) shows the back surface (outside).
【００３９】多層基板１０の表面には、図２における回
路素子の内、ディスクリート部品として、コンデンサＣ
２，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ８，Ｃ９、トランジスタＴｒ１ ，
Ｔｒ２ を実装し、更に、入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵ
Ｔ、ＧＮＤ（接地）電極ＧＮＤ、電源端子等を厚膜パタ
ーンとして形成する。On the surface of the multilayer substrate 10, a capacitor C is installed as a discrete component among the circuit elements shown in FIG.
2, C5, C6, C8, C9, transistor Tr1,
Tr2 is mounted, and furthermore, input terminal IN, output terminal OU
T, GND (ground) electrode GND, power supply terminal, etc. are formed as a thick film pattern.
【００４０】また、共通ＧＭＤパターン１１を厚膜パタ
ーンとして形成し、上記ＧＮＤ電極を総てこの共通ＧＮ
Ｄパターン１１によって短絡する。Further, the common GMD pattern 11 is formed as a thick film pattern, and all the GND electrodes are connected to this common GMD pattern.
A short circuit is formed by the D pattern 11.
【００４１】多層基板１０の内部層（図示省略）には、
図２のコイルＬ１，Ｌ２を厚膜パターンで形成して内蔵
するが、その構成は、例えば図４と同じようにする。The internal layer (not shown) of the multilayer substrate 10 includes:
The coils L1 and L2 shown in FIG. 2 are formed with a thick film pattern and are built in, but the configuration thereof is, for example, the same as that shown in FIG. 4.
【００４２】多層基板１０の裏面には、ディスクリート
部品として、コンデンサＣ１，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ７を実装
すると共に、抵抗Ｒ１〜Ｒ６、ＧＮＤ（接地）電極ＧＮ
Ｄ、入力端子ＩＮ、出力端子、電源端子等を厚膜パター
ン（厚膜印刷）として形成する。On the back side of the multilayer board 10, capacitors C1, C3, C4, and C7 are mounted as discrete components, as well as resistors R1 to R6 and a GND (ground) electrode GN.
D. Input terminal IN, output terminal, power supply terminal, etc. are formed as a thick film pattern (thick film printing).
【００４３】また、共通ＧＮＤパターン１１を、厚膜パ
ターンで形成し、総てのＧＮＤ電極間を、この共通ＧＮ
Ｄパターン１１で短絡する。Further, the common GND pattern 11 is formed with a thick film pattern, and the common GND pattern 11 is formed between all the GND electrodes.
Short circuit with D pattern 11.
【００４４】そして、表面及び裏面に形成した共通ＧＮ
Ｄパターン１１間を、例えば、ブラインドスルーホール
（内部が導体で満たされたスルーホール）により接続し
て共通化する。[0044] A common GN formed on the front and back surfaces
The D patterns 11 are connected, for example, by a blind through hole (a through hole whose inside is filled with a conductor) to make the D patterns 11 common.
【００４５】この場合、多層基板１０の内部にＧＮＤ電
極を設けた場合には、この内部のＧＮＤ電極をも含めて
、多層基板１０内の総てのＧＮＤ電極を短絡して共通化
する。In this case, if a GND electrode is provided inside the multilayer substrate 10, all the GND electrodes within the multilayer substrate 10, including this internal GND electrode, are short-circuited and shared.
【００４６】すなわち、多層基板１０内の高周波アンプ
各段の信号ライン系のＧＮＤ電極、及び電源ライン系の
ＧＮＤ電極を総て短絡して共通化する。That is, the GND electrodes of the signal line system and the GND electrode of the power supply line system of each stage of the high-frequency amplifier in the multilayer substrate 10 are all short-circuited and made common.
【００４７】このようにすれば、各段間の高周波的な分
離がよくなり、段間干渉による発振も起こらない。この
ことは、実験によっても確認された。[0047] In this way, high frequency separation between each stage is improved, and oscillation due to interstage interference does not occur. This was also confirmed through experiments.
【００４８】（他の実施例）以上実施例について説明し
たが、本発明は次のようにしても実施可能である。(Other Embodiments) Although the embodiments have been described above, the present invention can also be practiced as follows.
【００４９】（１）高周波アンプモジュールを、多層基
板によるハイブリッドＩＣで構成する場合、共通ＧＮＤ
パターン１１は、多層基板１０の表裏面に設けてもよい
が、多層基板１０に内蔵してもよい。(1) When the high frequency amplifier module is configured with a hybrid IC using a multilayer board, a common GND
The pattern 11 may be provided on the front and back surfaces of the multilayer substrate 10, or may be built into the multilayer substrate 10.
【００５０】内蔵する場合は、多層基板の内部層に共通
ＧＮＤパターンを形成し、多層基板内のＧＮＤ電極とブ
ラインドスルーホールで接続すればよい。When built in, a common GND pattern may be formed on the internal layer of the multilayer substrate and connected to the GND electrode within the multilayer substrate through a blind through hole.
【００５１】（２）部品の配置は、上記実施例に限らず
、任意の配置でよい。ただし、モジュールの小型化を図
るため、コイル等の大型部品は、多層基板に内蔵した方
がよい。(2) The arrangement of the parts is not limited to the above embodiment, but may be any arrangement. However, in order to reduce the size of the module, it is better to incorporate large components such as coils into the multilayer board.
【００５２】（３）部品を実装する場合、ディスクリー
ト部品とするか、厚膜パターンによるかは、任意に選択
してよい。(3) When mounting components, it may be arbitrarily selected whether to use discrete components or thick film patterns.
【００５３】（４）多層基板によるハイブリッドＩＣだ
けでなく、単層の基板によるハイブリッドＩＣで、高周
波アンプモジュールを構成することも可能である。ただ
し、この場合は、多層基板を用いた場合よりも、モジュ
ールが大型化する。(4) It is also possible to configure a high frequency amplifier module not only with a hybrid IC using a multilayer substrate, but also with a hybrid IC using a single layer substrate. However, in this case, the module becomes larger than when a multilayer substrate is used.
【００５４】（５）高周波アンプは、２段構成に限らず
、任意の多段構成でよい。(5) The high frequency amplifier is not limited to a two-stage configuration, but may have any multi-stage configuration.
【００５５】[0055]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。[Effects of the Invention] As explained above, the present invention has the following effects.
【００５６】（１）基板内の総てのＧＮＤ電極を短絡し
て共通化したので、高周波アンプの各段の高周波的な分
離がよくなり、段間干渉による発振が防止できる。(1) Since all the GND electrodes in the substrate are short-circuited and made common, the high-frequency isolation of each stage of the high-frequency amplifier is improved, and oscillation due to inter-stage interference can be prevented.
【００５７】この場合、各段毎にＧＮＤを共通化しても
、発振は防止できないが、基板内の総てのＧＮＤ電極を
短絡して共通化すると、上記のように発振は防止できる
ものである。In this case, oscillation cannot be prevented even if the GND is shared for each stage, but oscillation can be prevented if all the GND electrodes in the board are short-circuited and made common, as described above. .
【００５８】結局、従来のように、ＧＮＤ電極が分離し
ていると、例えば、コイルから発生する磁界の影響で、
回路の各部に不要な誘起電圧が発生したような場合、Ｇ
ＮＤ電極間に微妙な電位差が発生することがあり、これ
が段間干渉の原因になることもある。After all, if the GND electrodes are separated as in the past, for example, due to the influence of the magnetic field generated from the coil,
When unnecessary induced voltage occurs in various parts of the circuit, G
A slight potential difference may occur between the ND electrodes, which may cause interstage interference.
【００５９】このような場合、本発明のように構成して
おけば、ＧＮＤ電極は総て同電位に保てるから、段間干
渉も発生せず、発振も防止できるものと考えられる。In such a case, if the structure of the present invention is used, all the GND electrodes can be kept at the same potential, so interstage interference will not occur and oscillation can be prevented.
【００６０】（２）段間干渉による発振が防止できるの
で、高周波アンプモジュールの小型化ができ、しかも製
品開発の期間も短縮化できる。(2) Since oscillation due to interstage interference can be prevented, the high frequency amplifier module can be downsized and the product development period can also be shortened.
【００６１】（３）特に、多層基板を用いてコイルを内
蔵し、極めて小型の高周波アンプモジュールとした場合
でも、発振は起こらず、良好な特性の高周波アンプモジ
ュールが得られる。(3) In particular, even when a multilayer substrate is used to incorporate a coil and an extremely small high-frequency amplifier module is made, oscillation does not occur and a high-frequency amplifier module with good characteristics can be obtained.
【図１】本発明の１実施例における高周波アンプモジュ
ールの構成例である。FIG. 1 is a configuration example of a high frequency amplifier module in one embodiment of the present invention.
【図２】本発明の１実施例における高周波アンプ回路（
２段構成）を示した図である。FIG. 2 is a high-frequency amplifier circuit according to an embodiment of the present invention (
2 is a diagram showing a two-stage configuration).
【図３】従来の高周波アンプの回路例である。FIG. 3 is a circuit example of a conventional high-frequency amplifier.
【図４】従来の高周波アンプモジュールの分解斜視図で
ある。FIG. 4 is an exploded perspective view of a conventional high frequency amplifier module.
１０ 多層基板 １１ 共通ＧＮＤパターン ＩＮ 入力端子 ＯＵＴ 出力端子 Ｃ１〜Ｃ９ コンデンサ Ｒ１〜Ｒ６ 抵抗 Ｌ１，Ｌ２ コイル Ｔｒ１ ，Ｔｒ２ トランジスタ 10 Multilayer board 11 Common GND pattern IN Input terminal OUT Output terminal C1~C9 Capacitor R1~R6 Resistance L1, L2 coil Tr1, Tr2 transistor
Claims (2)
に実装してハイブリッドＩＣ化した高周波アンプモジュ
ールにおいて、基板に形成した総てのＧＮＤ（接地）電
極を、短絡して共通化したことを特徴とする高周波アン
プモジュール。[Claim 1] A high-frequency amplifier module in which a multi-stage high-frequency amplifier circuit is mounted on a substrate to form a hybrid IC, characterized in that all GND (ground) electrodes formed on the substrate are short-circuited and shared. High frequency amplifier module.
使用し、該多層基板（１０）に、高周波アンプ回路を構
成する一部の部品（Ｌ１，Ｌ２）を内蔵したことを特徴
とする請求項１記載の高周波アンプモジュール。2. A claim characterized in that a multilayer board (10) is used as the board, and some components (L1, L2) constituting a high frequency amplifier circuit are built into the multilayer board (10). The high frequency amplifier module according to item 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4286491A JPH04261205A (en) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | High frequency amplifier module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4286491A JPH04261205A (en) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | High frequency amplifier module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04261205A true JPH04261205A (en) | 1992-09-17 |
Family
ID=12647901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4286491A Withdrawn JPH04261205A (en) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | High frequency amplifier module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04261205A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08186454A (en) * | 1994-12-20 | 1996-07-16 | Korea Electron Telecommun | Low noise amplifier of ultra high frequency monolithic |
| US6617919B2 (en) | 2001-01-29 | 2003-09-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | RF amplifier |
| JP2016111400A (en) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | High-frequency power amplifier and radio communication device |
| WO2018030278A1 (en) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社村田製作所 | Power amplifier module, front end circuit and communication device |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP4286491A patent/JPH04261205A/en not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08186454A (en) * | 1994-12-20 | 1996-07-16 | Korea Electron Telecommun | Low noise amplifier of ultra high frequency monolithic |
| US6617919B2 (en) | 2001-01-29 | 2003-09-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | RF amplifier |
| JP2016111400A (en) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | High-frequency power amplifier and radio communication device |
| WO2018030278A1 (en) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社村田製作所 | Power amplifier module, front end circuit and communication device |
| US10554180B2 (en) | 2016-08-10 | 2020-02-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier module, frontend circuit, and communication device |
| US10992267B2 (en) | 2016-08-10 | 2021-04-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier module, frontend circuit, and communication device |
| US11601096B2 (en) | 2016-08-10 | 2023-03-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier module, frontend circuit, and communication device |
| US11870401B2 (en) | 2016-08-10 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier module, frontend circuit, and communication device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007128939A (en) | High-frequency module | |
| JPH04261205A (en) | High frequency amplifier module | |
| JPH046911A (en) | High frequency filter | |
| JP2000223905A (en) | Electronic device | |
| JPH05167374A (en) | High frequency filter | |
| JPH0514015A (en) | High frequency smd module | |
| JPH03278701A (en) | High frequency amplifier | |
| JPH0812963B2 (en) | Dielectric filter | |
| KR20040070002A (en) | Voltage-controlled oscillator, composite module, and communication apparatus | |
| JP3267042B2 (en) | Composite electronic components | |
| JPH0614503Y2 (en) | Adjustment circuit for ultrasonic delay line and ultrasonic delay line element incorporating the same | |
| JPH03272198A (en) | High frequency circuit with lc built in multilayer circuit substrate | |
| JPH04284703A (en) | Dielectric filter comprising multi-layer board | |
| JP4846127B2 (en) | Multilayer high frequency filter | |
| JPH0786802A (en) | High frequency circuit | |
| JPH0537253A (en) | High frequency amplifier | |
| JP2006525663A (en) | Multilayer laminate with compensated resonant circuit | |
| JPH08139547A (en) | Laminated emi filter | |
| JPH1022703A (en) | Dielectric filter | |
| JPH03250908A (en) | High frequency amplifier added with filter | |
| JPH05114804A (en) | High frequency filter | |
| JPH10242390A (en) | Semiconductor integrated circuit device with input/ output protection circuit | |
| JPH0936603A (en) | Antenna switch | |
| JPH07283612A (en) | Dielectric filter | |
| JPH05121596A (en) | Ic with built-in filter and ic socket |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |