JP4846127B2

JP4846127B2 - Multilayer high frequency filter

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Publication number: JP4846127B2
Application number: JP2001183682A
Authority: JP
Inventors: 有西野; 浩作山縣; 英征大橋
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2001-06-18
Filing date: 2001-06-18
Publication date: 2011-12-28
Anticipated expiration: 2021-06-18
Also published as: JP2003008383A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、多層基板内に構成された小型で高性能な積層高周波フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１３は例えば特開平７−２６３９０８号公報に示された従来の多層基板ローパスフィルタを示す斜視図、図１４はその断面図であり、図において、５０１はストリップ導体、５０２〜５０４はコンデンサ導体、５０５〜５０９はグランド導体、５１０はビア、５１１〜５２０は誘電体層である。ここで、ストリップ導体５０１はインダクタの役割を果たしている。
【０００３】
次に動作について説明する。
ストリップ導体５０１は、グランド導体５０７，５０８との間の寄生容量を含むπ型の等価回路として表すことができる。
図１５は従来の多層基板ローパスフィルタの等価回路を示す回路図であり、５２１〜５２３はコンデンサ、５２４はインダクタ、５２５，５２６は寄生容量である。この回路において、寄生容量５２５，５２６が計算できれば、３次のローパスフィルタ特性を持つ回路を容易に設計することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の積層高周波フィルタは以上のように構成されているので、各素子間による寄生容量の発生を回避するために、各々の素子の間にグランド導体５０６〜５０８を設けており、高さ方向に大型化してしまう。
また、寄生容量５２５，５２６がグランド導体５０７，５０８との間に発生してしまうため、ローパスフィルタのようにコンデンサが信号線とグランドとの間に並列に配置される回路にしか適用することができない。
さらに、発生する寄生容量５２５，５２６は、設計時のコンデンサ５２１，５２２の容量に比べて小さいので、それのみでは設計時の所望の容量を得ることはできず、他のコンデンサと組にして設計しなければならない。そのため、偶数次のローパスフィルタのように、初段か最終段がインダクタとなる回路では、不要の容量がインダクタの前後に発生し、所望の特性が得られないなどの課題があった。
【０００５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、小型でローパスフィルタの他のフィルタにも適用可能な積層高周波フィルタを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る積層高周波フィルタは、ローパスフィルタ特性を有する導体パターンのうちの第１および第２のグランド導体との間に容量を形成する導体パターンを、第１のグランド導体に対向するように第１の導体パターンを配置するとともに、第２のグランド導体に対向するように第２の導体パターンを配置し、第１および第２の導体パターンを電気的に直接接続し、上記回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に寄生容量が形成されないように、上記回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に配置するようにしたものである。
【０００８】
この発明に係る積層高周波フィルタは、ローパスフィルタ特性を有する回路のうちの第１および第２のグランド導体との間に容量を形成し、並列のコンデンサに対応する導体パターンを、第１のグランド導体に対向するように第１および第３の導体パターンを配置するとともに、第２のグランド導体に対向するように第２および第４の導体パターンを配置し、第１および第２の導体パターンを電気的に直接接続するとともに、第３および第４の導体パターンを電気的に直接接続し、上記回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に寄生容量が形成されないように、回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に配置するようにしたものである。
【０００９】
この発明に係る積層高周波フィルタは、有極ローパスフィルタ特性を有する回路のうちの第１および第２のグランド導体との間に容量を形成し、並列のコンデンサに対応する導体パターンを、第１のグランド導体に対向するように第１および第３の導体パターンを配置するとともに、第２のグランド導体に対向するように第２および第４の導体パターンを配置し、第１および第２の導体パターンを電気的に直接接続するとともに、第３および第４の導体パターンを電気的に直接接続し、回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に寄生容量が形成されないように、回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に配置するようにしたものである。
【００１０】
この発明に係る積層高周波フィルタは、ハイパスフィルタ特性を有する回路のうちの第１および第２のグランド導体との間に容量を形成し、並列のコンデンサに対応する導体パターンを、第１のグランド導体に対向するように第１および第３の導体パターンを配置するとともに、第２のグランド導体に対向するように第２および第４の導体パターンを配置し、第１および第２の導体パターンを電気的に直接接続するとともに、第３および第４の導体パターンを電気的に直接接続し、回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に寄生容量が形成されないように、回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に配置するようにしたものである。
【００１１】
この発明に係る積層高周波フィルタは、請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の積層高周波フィルタと、請求項４記載の積層高周波フィルタとを組み合せるようにしたものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による積層高周波フィルタを示す斜視図、図２はその断面図、図３はその平面図、図４はその等価回路を示す回路図であり、図において、１は第１層の誘電体、２は第２層の誘電体、３は第３層の誘電体、４は第４層の誘電体である。５ａは第１層の誘電体１の外側に設けられた第１のグランド導体、５ｂは第４層の誘電体４の外側に設けられた第２のグランド導体である。６ａは第２層の誘電体２に設けられた第１のコンデンサの一部、６ｂは第４層の誘電体４に設けられた第１のコンデンサの一部、７ａは第２層の誘電体２に設けられた第２のコンデンサの一部、７ｂは第４層の誘電体４に設けられた第２のコンデンサの一部である。８は第３層の誘電体３に設けられた第１のインダクタ、９は第３層の誘電体３に設けられた第２のインダクタである。１０は異なる層の導体を接続する導体ビア、１１は第１の入出力端子、１２は第２の入出力端子である。
また、図４において、１３は第１のコンデンサ、１４は第２のコンデンサ、１５は第１のインダクタ、１６は第２のインダクタ、１７は第１のコンデンサ６ａ，６ｂと第１のインダクタ８との間に発生される寄生容量、１８は第２のコンデンサ７ａ，７ｂと第２のインダクタ９との間に発生される寄生容量である。
【００１３】
第１のコンデンサ６ａ，６ｂは、それぞれ導体ビア１０により接続されている。第２のコンデンサ７ａ，７ｂは、それぞれ導体ビア１０により接続されている。また、この第２のコンデンサ７ａ，７ｂは、第２の入出力端子１２と導体ビア１０により接続されている。第１のインダクタ８の一端は、第１の入出力端子１１であり、もう一端は、導体ビア１０により第１のコンデンサ６ａに接続されている。第２のインダクタ９の一端は、導体ビア１０により第１のコンデンサ６ａに接続され、もう一端は、導体ビア１０により第２のコンデンサ７ａに接続されている。また、第１のインダクタ８は、第１のコンデンサ６ａ，６ｂに挟まれるように配置され、第２のインダクタ９は、第２のコンデンサ７ａ，７ｂに挟まれるように配置されている。
このように、２つのコンデンサと、２つのインダクタが構成されているので、グランド導体とインダクタとの間には寄生容量が発生せず、第１のコンデンサ６ａ，６ｂと第１のインダクタ８との間と、第２のコンデンサ７ａ，７ｂと第２のインダクタ９との間にだけ寄生容量が発生する。したがって、等価回路は、図４に示したようになる。
【００１４】
次に動作について説明する。
図４に示した回路は、低い周波数では、インダクタは低抵抗、コンデンサは高抵抗として振る舞うため、ローパスフィルタとして働く。
また、このような回路構成のローパスフィルタは、例えば、Ｍａｔｔｈａｅｉ他著の“Ｍｉｃｒｏｗａｖｅｆｉｌｔｅｒｓ，ｉｍｐｅｄａｎｃｅ−ｍａｔｃｈｉｎｇｎｅｔｗｏｒｋｓ，ａｎｄｃｏｕｐｌｉｎｇｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”にあるような方法により容易に設計できる。寄生容量１７，１８は、構造が決まれば計算できるので、予め設計に盛り込むことができ、得られた回路の特性は、等価回路により計算されたものとほぼ等しくなる。このため設計が容易になる。
【００１５】
以上のように、この実施の形態１によれば、第１のインダクタ８は、第１のコンデンサ６ａ，６ｂに、また、第２のインダクタ９は、第２のコンデンサ７ａ，７ｂに挟まれるように配置されているので、第１および第２のグランド導体５ａ，５ｂと第１および第２のインダクタ８，９との間には寄生容量が発生せず、第１のインダクタ８と第１のコンデンサ６ａ，６ｂとの間と、第２のインダクタ９と第２のコンデンサ７ａ，７ｂとの間にだけ寄生容量１７，１８が発生するので、第１および第２のインダクタ８，９をグランド導体で挟まなくても良く、積層高周波フィルタ全体を小型化できる。その結果、偶数次のローパスフィルタにも適用することができる。
また、ローパスフィルタ以外にも、寄生容量１７，１８を等価回路に置き換えた場合に所望の特性が得られるような回路にも適用することができる。
【００１６】
なお、この実施の形態１によれば、第１および第２のグランド導体５ａ，５ｂに挟まれた構造の積層高周波フィルタについて説明したが、第２のグランド導体５ｂだけを削除したり、第２のグランド導体５ｂ、第１および第２のコンデンサ６ｂ，７ｂ、および第１および第２のコンデンサ６ｂ，７ｂを接続する導体ビア１０を削除しても同様な効果を奏する。
【００１７】
実施の形態２．
図５はこの発明の実施の形態２による積層高周波フィルタを示す斜視図、図６はその断面図、図７はその平面図、図８はその等価回路を示す回路図であり、図において、１０１は第１層の誘電体、１０２は第２層の誘電体、１０３は第３層の誘電体、１０４は第４層の誘電体である。１０５ａは第１層の誘電体１０１の外側に設けられた第１のグランド導体、１０５ｂは第４層の誘電体１０４の外側に設けられた第２のグランド導体である。１０６ａは第２層の誘電体１０２に設けられた第１のコンデンサの一部、１０６ｂは第４層の誘電体１０４に設けられた第１のコンデンサの一部、１０７ａは第２層の誘電体１０２に設けられた第２のコンデンサの一部、１０７ｂは第４層の誘電体１０４に設けられた第２のコンデンサの一部である。１０８は第３層の誘電体１０３に設けられた第１のインダクタ、１０９は第３層の誘電体１０３に設けられた第２のインダクタである。１１０は異なる層の導体を接続する導体ビア、１１１は第１の入出力端子、１１２は第２の入出力端子である。１２１は第１の入出力端子１１１と第１のインダクタ１０８との間に設けられた第３のコンデンサ、１２２は第２のインダクタ１０９の一端に設けられた第４のコンデンサである。
また、図８において、１１３は第１のコンデンサ、１１４は第２のコンデンサ、１１５は第１のインダクタ、１１６は第２のインダクタ、１１７は第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂと第１のインダクタ１０８との間に発生される寄生容量、１１８は第２のコンデンサ１０７ａ，１０７ｂと第２のインダクタ１０９との間に発生される寄生容量、１１９は第３のコンデンサ、１２０は第４のコンデンサである。
【００１８】
第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂは、それぞれ導体ビア１１０により接続されている。第２のコンデンサ１０７ａ，１０７ｂは、それぞれ導体ビア１１０により接続されている。また、この第２のコンデンサ１０７ａ，１０７ｂは、第２の入出力端子１１２と導体ビア１１０により接続されている。第１のインダクタ１０８の一端は、第３のコンデンサ１２１を介して第１の入出力端子１１１と接続されており、もう一端は、導体ビア１１０により第１のコンデンサ１０６ａに接続されている。第２のインダクタ１０９の一端は、第４のコンデンサ１２２を介して導体ビア１１０により第１のコンデンサ１０６ａに接続され、もう一端は、導体ビア１１０により第２のコンデンサ１０７ａに接続されている。また、第１のインダクタ１０８と第３のコンデンサ１２１は、第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂに挟まれるように配置され、第２のインダクタ１０９と第４のコンデンサ１２２は、第２のコンデンサ１０７ａ，１０７ｂに挟まれるように配置されている。
このように、４つのコンデンサと、２つのインダクタが構成されているので、グランド導体とインダクタとの間には寄生容量が発生せず、また、第３のコンデンサ１２１と第４のコンデンサ１２２もグランド導体との間には寄生容量が発生しない。そのため、第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂと第１のインダクタ１０８との間と、第２のコンデンサ１０７ａ，１０７ｂと第２のインダクタ１０９との間にだけ寄生容量が発生する。したがって、等価回路は、図８に示したようになる。
【００１９】
次に動作について説明する。
図８に示した回路は、低い周波数では、インダクタは低抵抗、コンデンサは高抵抗として振る舞うため、ローパスフィルタとして働く。第３のコンデンサ１１９と第１のインダクタ１１５の値を上手に選ぶことにより、通過帯域では減衰せずに通過し、減衰させたい周波数帯域では第３のコンデンサ１１９と第１のインダクタ１１５が共振し、開放状態となることで減衰極を持つ（有極）ローパスフィルタが実現できる。これらの特性は、第４のコンデンサ１２０と第２のインダクタ１１６によっても実現可能であり、場合によっては両方を用いることができる。
また、このような回路構成のローパスフィルタは、例えば、前掲の引用文献にあるような方法により容易に設計できる。寄生容量１１７，１１８は、構造が決まれば計算できるので、予め設計に盛り込むことができ、得られた回路の特性は、等価回路により計算されたものとほぼ等しくなる。このため設計が容易になる。
【００２０】
以上のように、この実施の形態２によれば、第１のインダクタ１０８および第３のコンデンサ１２１は、第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂに、また、第２のインダクタ１０９および第４のコンデンサ１２２は、第２のコンデンサ１０７ａ，１０７ｂに挟まれるように配置されているので、第１および第２のグランド導体１０５ａ，１０５ｂと第１および第２のインダクタ１０８，１０９との間、第１および第２のグランド導体１０５ａ，１０５ｂと第３および第４のコンデンサ１２１，１２２との間には寄生容量が発生せず、第１のインダクタ１０８と第１のコンデンサ１０６ａ，１０６ｂとの間と、第２のインダクタ１０９と第２のコンデンサ１０７ａ，１０７ｂとの間にだけ寄生容量１１７，１１８が発生するので、第１および第２のインダクタ１０８，１０９、および第３および第４のコンデンサ１２１，１２２をグランド導体で挟まなくても良く、積層高周波フィルタ全体を小型化できる。その結果、偶数次の有極ローパスフィルタにも適用することができる。
また、有極ローパスフィルタ以外にも、寄生容量１１７，１１８を等価回路に置き換えた場合に所望の特性が得られるような回路にも適用することができる。
【００２１】
なお、この実施の形態２によれば、第１および第２のグランド導体１０５ａ，１０５ｂに挟まれた構造の積層高周波フィルタについて説明したが、第２のグランド導体１０５ｂだけを削除したり、第２のグランド導体１０５ｂ、第１および第２のコンデンサ１０６ｂ，１０７ｂ、および第１および第２のコンデンサ１０６ｂ，１０７ｂを接続する導体ビア１１０を削除しても同様な効果を奏する。
【００２２】
実施の形態３．
図９はこの発明の実施の形態３による積層高周波フィルタを示す斜視図、図１０はその断面図、図１１はその平面図、図１２はその等価回路を示す回路図であり、図において、２００は第１層の誘電体、２０１は第２層の誘電体、２０２は第３層の誘電体、２０３は第４層の誘電体、２０４は第５層の誘電体である。２０５ａは第１層の誘電体２００の外側に設けられた第１のグランド導体、２０５ｂは第５層の誘電体２０４の外側に設けられた第２のグランド導体である。２０６ａは第２層の誘電体２０１に設けられた第１のコンデンサの一部、２０６ｂは第５層の誘電体２０４に設けられた第１のコンデンサの一部、２０７ａは第２層の誘電体２０１に設けられた第２のコンデンサの一部、２０７ｂは第５層の誘電体２０４に設けられた第２のコンデンサの一部である。２０８は第４層の誘電体２０３に設けられた第１のインダクタ、２０９は第３層の誘電体２０２に設けられた第２のインダクタである。２１０は異なる層の導体を接続する導体ビア、２１１は第１の入出力端子、２１２は第２の入出力端子である。２２１ａは第３層の誘電体２０２に設けられた第３のコンデンサの一部、２２１ｂは第４層の誘電体２０３に設けられた第３のコンデンサの一部、２２２ａは第３層の誘電体２０２に設けられた第４のコンデンサの一部、２２２ｂは第４層の誘電体２０３に設けられた第４のコンデンサの一部である。
また、図１２において、２３４は第１のコンデンサ、２３５は第２のコンデンサ、２３２は第１のインダクタ、２３３は第２のインダクタ、２３０は第３のコンデンサ、２３１は第４のコンデンサ、２３６は第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂと第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂとの間に発生される寄生容量、２３７は第２のコンデンサ２０７ａ，２０７ｂと第４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂとの間に発生される寄生容量、２３８は第１のインダクタ２０８と第１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂとの間に発生される寄生容量、２３９は第２のインダクタ２０９と第１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂとの間に発生される寄生容量である。
【００２３】
第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂは、それぞれ導体ビア２１０により接続されている。第２のコンデンサ２０７ａ，２０７ｂは、それぞれ導体ビア２１０により接続されている。第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂは、第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂに挟まれるように配置され、第４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂは、第２のコンデンサ２０７ａ，２０７ｂに挟まれるように配置されている。第３のコンデンサ２２１ａは、入出力端子２１１に接続されている。第４のコンデンサ２２２ａは、入出力端子２１２に接続され、その途中で第２のインダクタ２０９の一端と接続され、さらに、導体ビア２１０により第２のコンデンサ２０７ａに接続されている。第３のコンデンサ２２１ｂは、第４のコンデンサ２２２ｂに接続され、その途中で第１のインダクタ２０８の一端と接続され、さらに、導体ビア２１０により第１のコンデンサ２０６ａに接続されている。さらに、第１のインダクタ２０８および第２のインダクタ２０９のもう一端は、導体ビア２１０により第２のグランド導体２０５ｂに接続されている。
このように、４つのコンデンサと、２つのインダクタが構成されているので、第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂと第４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂは、グランド導体２０５ａ，２０５ｂとの間に寄生容量が発生しない。そのため、第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂと第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂとの間と、第２のコンデンサ２０７ａ，２０７ｂと第４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂとの間と、第１のインダクタ２０８と第１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂとの間と、第２のインダクタ２０９と第１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂとの間とにだけ寄生容量が発生する。したがって、等価回路は、図１２に示したようになる。
【００２４】
次に動作について説明する。
図１２に示した回路は、低い周波数では、インダクタは低抵抗、コンデンサは高抵抗として振る舞うため、ハイパスフィルタとして働く。
また、このような回路構成のハイパスフィルタは、例えば、前掲の引用文献にあるような方法により容易に設計できる。ただし、第１のコンデンサ２３４と第１のインダクタ２３２の値は、運用周波数において、その合成した値が所望のインダクタンス値になるようにする。また、第２のコンデンサ２３５と第２のインダクタ２３３の値は、運用周波数において、その合成した値が所望のインダクタンス値になるようにする。寄生容量２３６〜２３９は、構造が決まれば計算できるので、予め設計に盛り込むことができ、得られた回路の特性は、等価回路により計算されたものとほぼ等しくなる。このため設計が容易になる。
【００２５】
以上のように、この実施の形態３によれば、第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂは、第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂに挟まれるように配置され、第４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂは、第２のコンデンサ２０７ａ，２０７ｂに挟まれるように配置されているので、第１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂと第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂとの間、第１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂと第４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂとの間には寄生容量が発生せず、第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂと第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂとの間と、第２のコンデンサ２０７ａ，２０７ｂと第４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂとの間と、第１のインダクタ２０８と第１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂとの間と、第２のインダクタ２０９と第１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂとの間にだけ寄生容量２３６〜２３９が発生するので、第１および第２のインダクタ２０８，２０９、第３のコンデンサ２２１ａ，２２１ｂ、および第４のコンデンサ２２２ａ，２２２ｂをグランド導体で挟まなくても良く、積層高周波フィルタ全体を小型化できる。その結果、寄生容量２３６〜２３９は、フィルタの入力側のグランドとの間に発生することはないので、ハイパスフィルタにも適用することができる。
【００２６】
なお、この実施の形態３によれば、第１および第２のグランド導体２０５ａ，２０５ｂに挟まれた構造の積層高周波フィルタについて説明したが、第２のグランド導体２０５ｂだけを削除したり、第２のグランド導体２０５ｂ、第１および第２のコンデンサ２０６ｂ，２０７ｂ、および第１および第２のコンデンサ２０６ｂ，２０７ｂを接続する導体ビア２１０を削除しても同様な効果を奏する。
また、この実施の形態３によれば、第１および第２のインダクタ２０８，２０９を、第１のコンデンサ２０６ａ，２０６ｂおよび第２のコンデンサ２０７ａ，２０７ｂに挟まれないように配置したが、挟まれるように配置しても良く、同様な効果を奏する。
【００２７】
さらに、上記実施の形態１または２に示した積層高周波フィルタと、この実施の形態３に示した積層高周波フィルタとを組み合せても良い。
【００２９】
【発明の効果】
この発明によれば、ローパスフィルタ特性を有する導体パターンのうちの第１および第２のグランド導体との間に容量を形成する導体パターンを、第１のグランド導体に対向するように第１の導体パターンを配置するとともに、第２のグランド導体に対向するように第２の導体パターンを配置し、第１および第２の導体パターンを電気的に直接接続し、上記回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に寄生容量が形成されないように、上記回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に配置するように構成したので、上記回路のその他の素子に対応する導体パターン間にグランド導体を設ける必要がなくなり、積層高周波フィルタ全体を小型に構成することができる。また、上記回路のその他の素子に対応する導体パターンの寄生容量は、グランド導体との間ではなく、容量を形成する導体パターンとの間に発生するので、ローパスフィルタの他のフィルタにも適用することができる効果がある。
【００３０】
この発明によれば、ローパスフィルタ特性を有する回路のうちの第１および第２のグランド導体との間に容量を形成し、並列のコンデンサに対応する導体パターンを、第１のグランド導体に対向するように第１および第３の導体パターンを配置するとともに、第２のグランド導体に対向するように第２および第４の導体パターンを配置し、第１および第２の導体パターンを電気的に直接接続するとともに、第３および第４の導体パターンを電気的に直接接続し、上記回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に寄生容量が形成されないように、回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に配置するように構成したので、その他の素子に対応する導体パターン間にグランド導体を設ける必要がなくなり、積層高周波フィルタ全体を小型に構成することができる。また、その他の素子に対応する導体パターンの寄生容量は、グランド導体との間ではなく、並列のコンデンサに対応する導体パターンとの間に発生するので、偶数次のローパスフィルタにも適用することができる効果がある。
【００３１】
この発明によれば、有極ローパスフィルタ特性を有する回路のうちの第１および第２のグランド導体との間に容量を形成し、並列のコンデンサに対応する導体パターンを、第１のグランド導体に対向するように第１および第３の導体パターンを配置するとともに、第２のグランド導体に対向するように第２および第４の導体パターンを配置し、第１および第２の導体パターンを電気的に直接接続するとともに、第３および第４の導体パターンを電気的に直接接続し、回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に寄生容量が形成されないように、回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に配置するように構成したので、その他の素子に対応する導体パターン間にグランド導体を設ける必要がなくなり、積層高周波フィルタ全体を小型に構成することができる。また、その他の素子に対応する導体パターンの寄生容量は、グランド導体との間ではなく、コンデンサに対応する導体パターンとの間に発生するので、偶数次の有極ローパスフィルタにも適用することができる効果がある。
【００３２】
この発明によれば、ハイパスフィルタ特性を有する回路のうちの第１および第２のグランド導体との間に容量を形成し、並列のコンデンサに対応する導体パターンを、第１のグランド導体に対向するように第１および第３の導体パターンを配置するとともに、第２のグランド導体に対向するように第２および第４の導体パターンを配置し、第１および第２の導体パターンを電気的に直接接続するとともに、第３および第４の導体パターンを電気的に直接接続し、回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に寄生容量が形成されないように、回路のその他の素子に対応する導体パターンの全体と第１および第２のグランド導体との間に配置するように構成したので、その他の素子に対応する導体パターン間にグランド導体を設ける必要がなくなり、積層高周波フィルタ全体を小型に構成することができる。また、その他の素子に対応する導体パターンの寄生容量は、フィルタの入力側のグランド導体との間に発生することはないので、ハイパスフィルタを構成することができる効果がある。
【００３３】
この発明によれば、請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の積層高周波フィルタと、請求項４記載の積層高周波フィルタとを組み合せるように構成したので、小型で所望の特性を有するローパスフィルタおよびハイパスフィルタの直列回路を得ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１による積層高周波フィルタを示す斜視図である。
【図２】この発明の実施の形態１による積層高周波フィルタを示す断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１による積層高周波フィルタを示す平面図である。
【図４】この発明の実施の形態１による積層高周波フィルタの等価回路を示す回路図である。
【図５】この発明の実施の形態２による積層高周波フィルタを示す斜視図である。
【図６】この発明の実施の形態２による積層高周波フィルタを示す断面図である。
【図７】この発明の実施の形態２による積層高周波フィルタを示す平面図である。
【図８】この発明の実施の形態２による積層高周波フィルタの等価回路を示す回路図である。
【図９】この発明の実施の形態３による積層高周波フィルタを示す斜視図である。
【図１０】この発明の実施の形態３による積層高周波フィルタを示す断面図である。
【図１１】この発明の実施の形態３による積層高周波フィルタを示す平面図である。
【図１２】この発明の実施の形態３による積層高周波フィルタの等価回路を示す回路図である。
【図１３】従来の多層基板ローパスフィルタを示す斜視図である。
【図１４】従来の多層基板ローパスフィルタを示す断面図である。
【図１５】従来の多層基板ローパスフィルタの等価回路を示す回路図である。
【符号の説明】
１，１０１，２００第１層の誘電体、２，１０２，２０１第２層の誘電体、３，１０３，２０２第３層の誘電体、４，１０４，２０３第４層の誘電体、５ａ，１０５ａ，２０５ａ第１のグランド導体、５ｂ，１０５ｂ，２０５ｂ第２のグランド導体、６ａ，６ｂ，１３，１０６ａ，１０６ｂ，１１３，２０６ａ，２０６ｂ，２３４第１のコンデンサ、７ａ，７ｂ，１４，１０７ａ，１０７ｂ，１１４，２０７ａ，２０７ｂ，２３５第２のコンデンサ、８，１５，１０８，１１５，２０８，２３２第１のインダクタ、９，１６，１０９，１１６，２０９，２３３第２のインダクタ、１０，１１０，２１０導体ビア、１１，１１１，２１１第１の入出力端子、１２，１１２，２１２第２の入出力端子、１７，１８，１１７，１１８，２３６〜２３９寄生容量、１１９，１２１，２２１ａ，２２１ｂ，２３０第３のコンデンサ、１２０，１２２，２２２ａ，２２２ｂ，２３１第４のコンデンサ、２０４第５層の誘電体。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a small and high performance laminated high frequency filter configured in a multilayer substrate.
[0002]
[Prior art]
13 is a perspective view showing a conventional multilayer substrate low-pass filter disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 7-263908, FIG. 14 is a cross-sectional view thereof, in which 501 is a strip conductor, 502-504 are capacitor conductors, 505 to 509 are ground conductors, 510 is a via, and 511 to 520 are dielectric layers. Here, the strip conductor 501 plays the role of an inductor.
[0003]
Next, the operation will be described.
The strip conductor 501 can be expressed as a π-type equivalent circuit including a parasitic capacitance between the strip conductors 507 and 508.
FIG. 15 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a conventional multilayer substrate low-pass filter, in which 521 to 523 are capacitors, 524 is an inductor, and 525 and 526 are parasitic capacitances. In this circuit, if the parasitic capacitances 525 and 526 can be calculated, a circuit having a third-order low-pass filter characteristic can be easily designed.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
Since the conventional multilayer high frequency filter is configured as described above, ground conductors 506 to 508 are provided between the respective elements in order to avoid the generation of parasitic capacitance between the respective elements. It will increase in size.
Further, since the parasitic capacitances 525 and 526 are generated between the ground conductors 507 and 508, it can be applied only to a circuit in which a capacitor is arranged in parallel between the signal line and the ground, such as a low-pass filter. Can not.
Furthermore, since the generated parasitic capacitances 525 and 526 are smaller than the capacitances of the capacitors 521 and 522 at the time of design, it is not possible to obtain a desired capacitance at the time of design by itself. Must. Therefore, in a circuit in which the first stage or the last stage is an inductor, such as an even-order low-pass filter, there is a problem that unnecessary capacitance occurs before and after the inductor, and desired characteristics cannot be obtained.
[0005]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to obtain a laminated high-frequency filter that is small and can be applied to other filters of a low-pass filter.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In the multilayer high frequency filter according to the present invention, a conductor pattern that forms a capacitance between the first and second ground conductors among the conductor patterns having low-pass filter characteristics is arranged so as to face the first ground conductor. 1 conductor pattern is disposed, and the second conductor pattern is disposed so as to face the second ground conductor, and the first and second conductor patterns are electrically connected to each other. Directly connection, Conductor patterns corresponding to other elements of the above circuit Whole When In order not to form a parasitic capacitance between the first and second ground conductors, Conductor patterns corresponding to other elements of the above circuit Whole When It is arranged between the first and second ground conductors.
[0008]
In the multilayer high frequency filter according to the present invention, a capacitor is formed between the first and second ground conductors of the circuit having the low-pass filter characteristics, and the conductor pattern corresponding to the parallel capacitor is replaced with the first ground conductor. The first and third conductor patterns are arranged so as to oppose each other, and the second and fourth conductor patterns are arranged so as to oppose the second ground conductor, and the first and second conductor patterns are electrically connected to each other. In Directly And electrically connecting the third and fourth conductor patterns Directly connection, Conductor patterns corresponding to other elements of the above circuit Whole When The entire conductor pattern corresponding to the other elements of the circuit so that no parasitic capacitance is formed between the first and second ground conductors. When It is arranged between the first and second ground conductors.
[0009]
In the multilayer high frequency filter according to the present invention, a capacitor is formed between the first and second ground conductors of a circuit having a polarized low-pass filter characteristic, and a conductor pattern corresponding to a parallel capacitor is formed in the first pattern. The first and third conductor patterns are disposed so as to face the ground conductor, and the second and fourth conductor patterns are disposed so as to face the second ground conductor. Electrically Directly And electrically connecting the third and fourth conductor patterns Directly The entire conductor pattern connected and corresponding to the other elements of the circuit When The entire conductor pattern corresponding to the other elements of the circuit so that no parasitic capacitance is formed between the first and second ground conductors. When It is arranged between the first and second ground conductors.
[0010]
In the multilayer high frequency filter according to the present invention, a capacitor is formed between the first and second ground conductors of the circuit having the high-pass filter characteristics, and the conductor pattern corresponding to the parallel capacitor is replaced with the first ground conductor. The first and third conductor patterns are arranged so as to oppose each other, and the second and fourth conductor patterns are arranged so as to oppose the second ground conductor, and the first and second conductor patterns are electrically connected to each other. In Directly And electrically connecting the third and fourth conductor patterns Directly The entire conductor pattern connected and corresponding to the other elements of the circuit When The entire conductor pattern corresponding to the other elements of the circuit so that no parasitic capacitance is formed between the first and second ground conductors. When It is arranged between the first and second ground conductors.
[0011]
The multilayer high-frequency filter according to the present invention is as follows. 1 Claims from 3 A laminated high-frequency filter according to any one of claims 1 to 5, and 4 The laminated high-frequency filter described above is combined.
[ 0012 ]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below.
Embodiment 1 FIG.
1 is a perspective view showing a multilayer high frequency filter according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 2 is a sectional view thereof, FIG. 3 is a plan view thereof, and FIG. 4 is a circuit diagram showing an equivalent circuit thereof. Is the dielectric of the first layer, 2 is the dielectric of the second layer, 3 is the dielectric of the third layer, and 4 is the dielectric of the fourth layer. Reference numeral 5a denotes a first ground conductor provided outside the first-layer dielectric 1, and 5b denotes a second ground conductor provided outside the fourth-layer dielectric 4. 6a is a part of the first capacitor provided on the dielectric 2 of the second layer, 6b is a part of the first capacitor provided on the dielectric 4 of the fourth layer, 7a is a dielectric of the second layer 2 is a part of the second capacitor provided in 2, and 7 b is a part of the second capacitor provided in the dielectric 4 of the fourth layer. Reference numeral 8 denotes a first inductor provided in the third-layer dielectric 3, and reference numeral 9 denotes a second inductor provided in the third-layer dielectric 3. 10 is a conductor via for connecting conductors of different layers, 11 is a first input / output terminal, and 12 is a second input / output terminal.
In FIG. 4, 13 is a first capacitor, 14 is a second capacitor, 15 is a first inductor, 16 is a second inductor, 17 is the first capacitors 6a and 6b, and the first inductor 8. , 18 is a parasitic capacitance generated between the second capacitors 7a and 7b and the second inductor 9.
[ 0013 ]
The first capacitors 6 a and 6 b are connected to each other by a conductor via 10. The second capacitors 7a and 7b are connected by a conductor via 10 respectively. The second capacitors 7 a and 7 b are connected to the second input / output terminal 12 and the conductor via 10. One end of the first inductor 8 is a first input / output terminal 11, and the other end is connected to the first capacitor 6 a by a conductor via 10. One end of the second inductor 9 is connected to the first capacitor 6 a by the conductor via 10, and the other end is connected to the second capacitor 7 a by the conductor via 10. The first inductor 8 is disposed so as to be sandwiched between the first capacitors 6a and 6b, and the second inductor 9 is disposed so as to be sandwiched between the second capacitors 7a and 7b.
Thus, since two capacitors and two inductors are configured, no parasitic capacitance is generated between the ground conductor and the inductor, and the first capacitors 6a and 6b and the first inductor 8 And parasitic capacitance is generated only between the second capacitors 7 a and 7 b and the second inductor 9. Therefore, the equivalent circuit is as shown in FIG.
[ 0014 ]
Next, the operation will be described.
The circuit shown in FIG. 4 acts as a low-pass filter at a low frequency because the inductor behaves as a low resistance and the capacitor as a high resistance.
In addition, the low-pass filter having such a circuit configuration can be easily designed by a method described in, for example, “Microwave filters, impedance-matching networks, and coupling structures” by Matthaei et al. Since the parasitic capacitances 17 and 18 can be calculated once the structure is determined, they can be incorporated in the design in advance, and the characteristics of the obtained circuit are almost equal to those calculated by the equivalent circuit. This facilitates design.
[ 0015 ]
As described above, according to the first embodiment, the first inductor 8 is sandwiched between the first capacitors 6a and 6b, and the second inductor 9 is sandwiched between the second capacitors 7a and 7b. Therefore, no parasitic capacitance is generated between the first and second ground conductors 5a and 5b and the first and second inductors 8 and 9, and the first inductor 8 and the first Since the parasitic capacitances 17 and 18 are generated only between the capacitors 6a and 6b and between the second inductor 9 and the second capacitors 7a and 7b, the first and second inductors 8 and 9 are connected to the ground conductor. The entire laminated high frequency filter can be downsized. As a result, it can be applied to even-order low-pass filters.
In addition to the low-pass filter, the present invention can be applied to a circuit in which desired characteristics can be obtained when the parasitic capacitors 17 and 18 are replaced with equivalent circuits.
[ 0016 ]
According to the first embodiment, the multilayer high frequency filter having the structure sandwiched between the first and second ground conductors 5a and 5b has been described. However, only the second ground conductor 5b is deleted, Even if the ground conductor 5b, the first and second capacitors 6b and 7b, and the conductor via 10 connecting the first and second capacitors 6b and 7b are omitted, the same effect can be obtained.
[ 0017 ]
Embodiment 2. FIG.
5 is a perspective view showing a multilayer high frequency filter according to Embodiment 2 of the present invention, FIG. 6 is a sectional view thereof, FIG. 7 is a plan view thereof, and FIG. 8 is a circuit diagram showing an equivalent circuit thereof. Is the dielectric of the first layer, 102 is the dielectric of the second layer, 103 is the dielectric of the third layer, and 104 is the dielectric of the fourth layer. Reference numeral 105 a denotes a first ground conductor provided outside the first-layer dielectric 101, and reference numeral 105 b denotes a second ground conductor provided outside the fourth-layer dielectric 104. 106a is a part of the first capacitor provided in the second-layer dielectric 102, 106b is a part of the first capacitor provided in the fourth-layer dielectric 104, and 107a is the second-layer dielectric. A part of the second capacitor provided in 102, 107 b is a part of the second capacitor provided in the dielectric 104 of the fourth layer. Reference numeral 108 denotes a first inductor provided on the third-layer dielectric 103, and reference numeral 109 denotes a second inductor provided on the third-layer dielectric 103. 110 is a conductor via that connects conductors of different layers, 111 is a first input / output terminal, and 112 is a second input / output terminal. 121 is a third capacitor provided between the first input / output terminal 111 and the first inductor 108, and 122 is a fourth capacitor provided at one end of the second inductor 109.
In FIG. 8, 113 is a first capacitor, 114 is a second capacitor, 115 is a first inductor, 116 is a second inductor, 117 is a first capacitor 106a, 106b, and a first inductor 108. , 118 is a parasitic capacitance generated between the second capacitors 107a and 107b and the second inductor 109, 119 is a third capacitor, and 120 is a fourth capacitor.
[ 0018 ]
The first capacitors 106a and 106b are each connected by a conductor via 110. The second capacitors 107a and 107b are connected by a conductor via 110, respectively. The second capacitors 107 a and 107 b are connected to the second input / output terminal 112 by the conductor via 110. One end of the first inductor 108 is connected to the first input / output terminal 111 via the third capacitor 121, and the other end is connected to the first capacitor 106 a by the conductor via 110. One end of the second inductor 109 is connected to the first capacitor 106 a via the fourth capacitor 122 via the conductor via 110, and the other end is connected to the second capacitor 107 a via the conductor via 110. The first inductor 108 and the third capacitor 121 are disposed so as to be sandwiched between the first capacitors 106a and 106b, and the second inductor 109 and the fourth capacitor 122 are the second capacitors 107a and 107b. It is arranged to be sandwiched between.
Since the four capacitors and the two inductors are thus configured, no parasitic capacitance is generated between the ground conductor and the inductor, and the third capacitor 121 and the fourth capacitor 122 are also grounded. No parasitic capacitance is generated between the conductors. Therefore, parasitic capacitance is generated only between the first capacitors 106 a and 106 b and the first inductor 108 and between the second capacitors 107 a and 107 b and the second inductor 109. Therefore, the equivalent circuit is as shown in FIG.
[ 0019 ]
Next, the operation will be described.
The circuit shown in FIG. 8 functions as a low-pass filter because the inductor behaves as a low resistance and the capacitor as a high resistance at a low frequency. By appropriately selecting the values of the third capacitor 119 and the first inductor 115, the third capacitor 119 and the first inductor 115 resonate in the frequency band that is desired to pass through without being attenuated in the pass band. In this open state, a (polar) low-pass filter having an attenuation pole can be realized. These characteristics can also be realized by the fourth capacitor 120 and the second inductor 116, and in some cases, both can be used.
Further, the low-pass filter having such a circuit configuration can be easily designed by, for example, a method described in the cited document. Since the parasitic capacitances 117 and 118 can be calculated once the structure is determined, they can be incorporated in the design in advance, and the characteristics of the obtained circuit are almost equal to those calculated by the equivalent circuit. This facilitates design.
[ 0020 ]
As described above, according to the second embodiment, the first inductor 108 and the third capacitor 121 are changed to the first capacitors 106a and 106b, and the second inductor 109 and the fourth capacitor 122 are changed. Since the second capacitors 107a and 107b are disposed between the first and second ground conductors 105a and 105b and the first and second inductors 108 and 109, the first and second capacitors No parasitic capacitance is generated between the ground conductors 105a and 105b and the third and fourth capacitors 121 and 122, and between the first inductor 108 and the first capacitors 106a and 106b, Since parasitic capacitances 117 and 118 are generated only between the inductor 109 and the second capacitors 107a and 107b, the first and second capacitances are generated. Inductors 108 and 109, and the third and fourth capacitors 121 and 122 may not sandwiched by the ground conductor can reduce the overall size of the laminated high-frequency filter. As a result, the present invention can be applied to even-order polarized low-pass filters.
In addition to the polar low-pass filter, the present invention can be applied to a circuit in which desired characteristics can be obtained when the parasitic capacitors 117 and 118 are replaced with equivalent circuits.
[ 0021 ]
According to the second embodiment, the multilayer high frequency filter having the structure sandwiched between the first and second ground conductors 105a and 105b has been described. However, only the second ground conductor 105b may be deleted, Even if the ground conductor 105b, the first and second capacitors 106b and 107b, and the conductor via 110 connecting the first and second capacitors 106b and 107b are omitted, the same effect can be obtained.
[ 0022 ]
Embodiment 3 FIG.
9 is a perspective view showing a multilayer high frequency filter according to Embodiment 3 of the present invention, FIG. 10 is a sectional view thereof, FIG. 11 is a plan view thereof, and FIG. 12 is a circuit diagram showing an equivalent circuit thereof. Is the dielectric of the first layer, 201 is the dielectric of the second layer, 202 is the dielectric of the third layer, 203 is the dielectric of the fourth layer, and 204 is the dielectric of the fifth layer. 205a is a first ground conductor provided outside the first-layer dielectric 200, and 205b is a second ground conductor provided outside the fifth-layer dielectric 204. 206a is a part of the first capacitor provided in the second-layer dielectric 201, 206b is a part of the first capacitor provided in the fifth-layer dielectric 204, and 207a is the second-layer dielectric. A part of the second capacitor provided in 201, 207b is a part of the second capacitor provided in the dielectric 204 of the fifth layer. Reference numeral 208 denotes a first inductor provided in the fourth-layer dielectric 203, and reference numeral 209 denotes a second inductor provided in the third-layer dielectric 202. 210 is a conductor via that connects conductors of different layers, 211 is a first input / output terminal, and 212 is a second input / output terminal. 221a is a part of the third capacitor provided in the third layer dielectric 202, 221b is a part of the third capacitor provided in the fourth layer dielectric 203, and 222a is the third layer dielectric. A part of the fourth capacitor provided in 202, and 222 b are a part of the fourth capacitor provided in the dielectric 203 of the fourth layer.
In FIG. 12, 234 is a first capacitor, 235 is a second capacitor, 232 is a first inductor, 233 is a second inductor, 230 is a third capacitor, 231 is a fourth capacitor, and 236 is Parasitic capacitance generated between the first capacitors 206a and 206b and the third capacitors 221a and 221b, 237 is a parasitic capacitance generated between the second capacitors 207a and 207b and the fourth capacitors 222a and 222b. A capacitance 238 is a parasitic capacitance generated between the first inductor 208 and the first and second ground conductors 205a and 205b, and 239 is a second inductor 209 and the first and second ground conductors 205a and 205b. Is a parasitic capacitance generated between
[ 0023 ]
The first capacitors 206a and 206b are each connected by a conductor via 210. The second capacitors 207a and 207b are each connected by a conductor via 210. The third capacitors 221a and 221b are disposed so as to be sandwiched between the first capacitors 206a and 206b, and the fourth capacitors 222a and 222b are disposed so as to be sandwiched between the second capacitors 207a and 207b. The third capacitor 221 a is connected to the input / output terminal 211. The fourth capacitor 222 a is connected to the input / output terminal 212, is connected to one end of the second inductor 209 in the middle, and is further connected to the second capacitor 207 a through the conductor via 210. The third capacitor 221b is connected to the fourth capacitor 222b, connected to one end of the first inductor 208 in the middle thereof, and further connected to the first capacitor 206a by the conductor via 210. Further, the other ends of the first inductor 208 and the second inductor 209 are connected to the second ground conductor 205 b by a conductor via 210.
Thus, since the four capacitors and the two inductors are configured, the third capacitors 221a and 221b and the fourth capacitors 222a and 222b do not generate parasitic capacitance between the ground conductors 205a and 205b. . Therefore, between the first capacitors 206a and 206b and the third capacitors 221a and 221b, between the second capacitors 207a and 207b and the fourth capacitors 222a and 222b, the first inductor 208 and the first capacitor In addition, parasitic capacitance is generated only between the second ground conductors 205a and 205b and between the second inductor 209 and the first and second ground conductors 205a and 205b. Therefore, the equivalent circuit is as shown in FIG.
[ 0024 ]
Next, the operation will be described.
The circuit shown in FIG. 12 functions as a high-pass filter because the inductor behaves as a low resistance and the capacitor as a high resistance at a low frequency.
Further, the high-pass filter having such a circuit configuration can be easily designed by, for example, a method described in the cited document. However, the values of the first capacitor 234 and the first inductor 232 are set so that the combined value becomes a desired inductance value at the operating frequency. The values of the second capacitor 235 and the second inductor 233 are set so that the combined value becomes a desired inductance value at the operating frequency. Since the parasitic capacitances 236 to 239 can be calculated once the structure is determined, the parasitic capacitances 236 to 239 can be incorporated in the design in advance, and the characteristics of the obtained circuit are almost equal to those calculated by the equivalent circuit. This facilitates design.
[ 0025 ]
As described above, according to the third embodiment, the third capacitors 221a and 221b are arranged so as to be sandwiched between the first capacitors 206a and 206b, and the fourth capacitors 222a and 222b are Since the capacitors 207a and 207b are disposed between the first and second ground conductors 205a and 205b and the third capacitors 221a and 221b, the first and second ground conductors 205a and 205b No parasitic capacitance is generated between the fourth capacitors 222a and 222b, and between the first capacitors 206a and 206b and the third capacitors 221a and 221b, and between the second capacitors 207a and 207b and the fourth capacitors. Between the capacitors 222a and 222b, the first inductor 208, and the first and second ground conductors 205. , 205b, and between the second inductor 209 and the first and second ground conductors 205a, 205b, parasitic capacitances 236 to 239 are generated, so that the first and second inductors 208, 209, The third capacitors 221a and 221b and the fourth capacitors 222a and 222b do not have to be sandwiched between ground conductors, and the entire multilayer high-frequency filter can be reduced in size. As a result, the parasitic capacitances 236 to 239 are not generated between the filter and the ground on the input side, and can be applied to a high-pass filter.
[ 0026 ]
According to the third embodiment, the multilayer high frequency filter having the structure sandwiched between the first and second ground conductors 205a and 205b has been described. However, only the second ground conductor 205b may be deleted, Even if the ground conductor 205b, the first and second capacitors 206b and 207b, and the conductor via 210 connecting the first and second capacitors 206b and 207b are omitted, the same effect can be obtained.
According to the third embodiment, the first and second inductors 208 and 209 are arranged so as not to be sandwiched between the first capacitors 206a and 206b and the second capacitors 207a and 207b. The same effect may be achieved.
[ 0027 ]
Furthermore, the laminated high frequency filter shown in the first or second embodiment may be combined with the laminated high frequency filter shown in the third embodiment.
[0029]
【The invention's effect】
According to the present invention, the conductor pattern that forms a capacitance between the first and second ground conductors among the conductor patterns having the low-pass filter characteristics is arranged so as to face the first ground conductor. The pattern is disposed, the second conductor pattern is disposed so as to face the second ground conductor, and the first and second conductor patterns are electrically connected. Directly connection, Conductor patterns corresponding to other elements of the above circuit Whole When In order not to form a parasitic capacitance between the first and second ground conductors, Conductor patterns corresponding to other elements of the above circuit Whole When Since it was configured to be disposed between the first and second ground conductors, Conductor patterns corresponding to other elements of the above circuit There is no need to provide a ground conductor between them, and the entire laminated high frequency filter can be made compact. Also, Conductor patterns corresponding to other elements of the above circuit The parasitic capacitance is generated not with the ground conductor but with the conductor pattern forming the capacitance, so that it can be applied to other filters of the low-pass filter.
[0030]
According to the present invention, a capacitor is formed between the first and second ground conductors of the circuit having the low-pass filter characteristics, and the conductor pattern corresponding to the parallel capacitor is opposed to the first ground conductor. The first and third conductor patterns are arranged as described above, and the second and fourth conductor patterns are arranged so as to face the second ground conductor, and the first and second conductor patterns are electrically connected. Directly And electrically connecting the third and fourth conductor patterns Directly connection, Conductor patterns corresponding to other elements of the above circuit Whole When The entire conductor pattern corresponding to the other elements of the circuit so that no parasitic capacitance is formed between the first and second ground conductors. When Since it is configured to be disposed between the first and second ground conductors, it is not necessary to provide a ground conductor between conductor patterns corresponding to other elements, and the entire laminated high frequency filter can be configured in a small size. . In addition, since the parasitic capacitance of the conductor pattern corresponding to the other elements is generated not with the ground conductor but with the conductor pattern corresponding to the parallel capacitor, it can be applied to even-order low-pass filters. There is an effect that can be done.
[0031]
According to the present invention, a capacitor is formed between the first and second ground conductors of the circuit having the polar low-pass filter characteristics, and the conductor pattern corresponding to the parallel capacitor is formed on the first ground conductor. The first and third conductor patterns are arranged so as to face each other, and the second and fourth conductor patterns are arranged so as to face the second ground conductor, so that the first and second conductor patterns are electrically connected In Directly And electrically connecting the third and fourth conductor patterns Directly The entire conductor pattern connected and corresponding to the other elements of the circuit When The entire conductor pattern corresponding to the other elements of the circuit so that no parasitic capacitance is formed between the first and second ground conductors. When Since it is configured to be disposed between the first and second ground conductors, it is not necessary to provide a ground conductor between conductor patterns corresponding to other elements, and the entire laminated high frequency filter can be configured in a small size. . In addition, since the parasitic capacitance of the conductor pattern corresponding to the other element is generated not between the ground conductor and the conductor pattern corresponding to the capacitor, it can be applied to even-order polarized low-pass filters. There is an effect that can be done.
[0032]
According to the present invention, a capacitor is formed between the first and second ground conductors of the circuit having high-pass filter characteristics, and the conductor pattern corresponding to the parallel capacitor is opposed to the first ground conductor. The first and third conductor patterns are arranged as described above, and the second and fourth conductor patterns are arranged so as to face the second ground conductor, and the first and second conductor patterns are electrically connected. Directly And electrically connecting the third and fourth conductor patterns Directly The entire conductor pattern connected and corresponding to the other elements of the circuit When The entire conductor pattern corresponding to the other elements of the circuit so that no parasitic capacitance is formed between the first and second ground conductors. When Since it is configured to be disposed between the first and second ground conductors, it is not necessary to provide a ground conductor between conductor patterns corresponding to other elements, and the entire laminated high frequency filter can be configured in a small size. . Further, since the parasitic capacitance of the conductor pattern corresponding to the other element does not occur between the ground conductor on the input side of the filter, there is an effect that a high-pass filter can be configured.
[0033]
According to the invention, the claims 1 Claims from 3 A laminated high-frequency filter according to any one of claims 1 to 5, and 4 Since it is configured so as to be combined with the laminated high frequency filter described, there is an effect that it is possible to obtain a series circuit of a low-pass filter and a high-pass filter which are small and have desired characteristics.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a multilayer high frequency filter according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a multilayer high-frequency filter according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 3 is a plan view showing the multilayer high frequency filter according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the multilayer high frequency filter according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a perspective view showing a multilayer high frequency filter according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a sectional view showing a multilayer high frequency filter according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a plan view showing a multilayer high frequency filter according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a multilayer high frequency filter according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a perspective view showing a multilayer high frequency filter according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a sectional view showing a multilayer high frequency filter according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a plan view showing a multilayer high frequency filter according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a multilayer high frequency filter according to Embodiment 3 of the present invention.
FIG. 13 is a perspective view showing a conventional multilayer substrate low-pass filter.
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a conventional multilayer substrate low-pass filter.
FIG. 15 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a conventional multilayer substrate low-pass filter.
[Explanation of symbols]
1, 101, 200 First layer dielectric, 2, 102, 201 Second layer dielectric, 3, 103, 202 Third layer dielectric, 4, 104, 203 Fourth layer dielectric, 5a, 105a, 205a First ground conductor, 5b, 105b, 205b Second ground conductor, 6a, 6b, 13, 106a, 106b, 113, 206a, 206b, 234 First capacitor, 7a, 7b, 14, 107a, 107b, 114, 207a, 207b, 235 Second capacitor, 8, 15, 108, 115, 208, 232 First inductor, 9, 16, 109, 116, 209, 233 Second inductor, 10, 110, 210 Conductor via, 11, 111, 211 First input / output terminal, 12, 112, 212 Second input / output terminal, 17, 18, 117, 118, 23 6 to 239 Parasitic capacitance, 119, 121, 221a, 221b, 230 Third capacitor, 120, 122, 222a, 222b, 231 Fourth capacitor, 204 Dielectric of fifth layer.

Claims

First and second ground conductors formed on different layers in the multilayer substrate, and a conductor pattern corresponding to a circuit having a low-pass filter characteristic, disposed in a layer sandwiched between the first and second ground conductors. A conductor pattern that forms a capacitance between the first and second ground conductors of the conductor pattern having the low-pass filter characteristics.
The first conductor pattern is disposed to face the first ground conductor, the second conductor pattern is disposed to face the second ground conductor, and the first and second conductor patterns are disposed. electrically connected directly, as parasitic capacitance between the whole and the first and second ground conductors of the conductor pattern corresponding to the other elements of the circuit is not formed, the other elements of the circuit A multilayer high-frequency filter, which is disposed between the entire corresponding conductor pattern and the first and second ground conductors.

First and second ground conductors formed on different layers in the multilayer substrate, and a conductor pattern corresponding to a circuit having a low-pass filter characteristic, disposed in a layer sandwiched between the first and second ground conductors. A capacitor is formed between the first and second ground conductors of the circuit having the low-pass filter characteristics, and a conductor pattern corresponding to a parallel capacitor is provided.
The first and third conductor patterns are arranged so as to face the first ground conductor, and the second and fourth conductor patterns are arranged so as to face the second ground conductor. And the second conductor pattern are electrically directly connected, and the third and fourth conductor patterns are electrically directly connected, and the entire conductor pattern corresponding to the other elements of the circuit is connected to the first and second conductor patterns. It is characterized in that it is arranged between the entire conductor pattern corresponding to the other elements of the circuit and the first and second ground conductors so that no parasitic capacitance is formed between the second ground conductor and the second ground conductor. Laminated high frequency filter.

First and second ground conductors formed on different layers in the multilayer substrate, and a conductor corresponding to a circuit having a polarized low-pass filter characteristic, disposed in a layer sandwiched between the first and second ground conductors A capacitor is formed between the first and second ground conductors of the circuit having the polarized low-pass filter characteristics, and a conductor pattern corresponding to a parallel capacitor is formed.
The first and third conductor patterns are arranged so as to face the first ground conductor, and the second and fourth conductor patterns are arranged so as to face the second ground conductor. And the second conductor pattern are electrically directly connected, and the third and fourth conductor patterns are electrically directly connected, and the entire conductor pattern corresponding to the other elements of the circuit is connected to the first and second conductor patterns. It is characterized in that it is arranged between the entire conductor pattern corresponding to the other elements of the circuit and the first and second ground conductors so that no parasitic capacitance is formed between the second ground conductor and the second ground conductor. Laminated high frequency filter.

First and second ground conductors formed on different layers in the multilayer substrate, and a conductor pattern corresponding to a circuit having a high-pass filter characteristic, disposed in a layer sandwiched between the first and second ground conductors. A capacitor is formed between the first and second ground conductors of the circuit having the high-pass filter characteristics, and a conductor pattern corresponding to a parallel capacitor is provided.
The first and third conductor patterns are arranged so as to face the first ground conductor, and the second and fourth conductor patterns are arranged so as to face the second ground conductor. And the second conductor pattern are electrically directly connected, and the third and fourth conductor patterns are electrically directly connected, and the entire conductor pattern corresponding to the other elements of the circuit is connected to the first and second conductor patterns. It is characterized in that it is arranged between the entire conductor pattern corresponding to the other elements of the circuit and the first and second ground conductors so that no parasitic capacitance is formed between the second ground conductor and the second ground conductor. Laminated high frequency filter.

Laminated high-frequency filter for a laminated high-frequency filter according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the combination of the multilayer high frequency filter according to claim 4, wherein.