JPH04254887A - El display device - Google Patents

El display device

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Publication number
JPH04254887A
JPH04254887A JP3036746A JP3674691A JPH04254887A JP H04254887 A JPH04254887 A JP H04254887A JP 3036746 A JP3036746 A JP 3036746A JP 3674691 A JP3674691 A JP 3674691A JP H04254887 A JPH04254887 A JP H04254887A
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JP
Japan
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transparent electrode
electrode
voltage
layer
transparent
Prior art date
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Pending
Application number
JP3036746A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masamichi Manabe
真鍋 昌道
Kimio Amamiya
公男 雨宮
Yukio Tanaka
幸男 田中
Yoshinobu Yonemoto
米本 圭伸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Video Corp
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Video Corp
Pioneer Electronic Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Video Corp, Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Video Corp
Priority to JP3036746A priority Critical patent/JPH04254887A/en
Publication of JPH04254887A publication Critical patent/JPH04254887A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80517Multilayers, e.g. transparent multilayers

Abstract

PURPOSE:To improve a yield and reliability, and make high performance. CONSTITUTION:A transparent electrode 2A, composed of a metal layer 2a and a transparent electrode layer 2b, is stripedly formed on the upper surface of a glass substrate 1, and an EL luminous element 3 is formed on the upper surface of the glass substrate 1 including the transparent electrode 2A. A counter electrode 4 is formed stripedly and crossly to the transparent electrode 2A on the upper surface of the EL luminous element 3. The transparent electrode 2A itself can be made low resistance by making the metal layer 2a, composing the transparent electrode 2A, low resistance compared with the transparent electrode layer 2b, consequently the transparent electrode 2A itself can be made more thinner compared with a former transparent electrode.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、電界の印加によって発
光するEL層を備えたEL表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an EL display device having an EL layer that emits light upon application of an electric field.

【0002】0002

【従来の技術】近年、ディスプレイ等の表示装置におい
ては、装置の薄型化を図るために、熱や電圧を加えると
分子配列が変わって光透過性が変化する性質を有した液
晶(LCD)を備える液晶テレビが普及している。また
、電圧や電流を加えることにより、高輝度発光を行うE
L発光素子を備えたEL表示装置も開発されつつある。 ところで、このようなEL発光素子をEL層の材質によ
って分類すると、無機と有機とに分けられる。有機化合
物におけるELは、強い蛍光を有するアントラセン等の
単結晶において、キャリア注入によるEL発光現象の発
見から研究が始まり、薄膜型素子への展開がなされてき
た。
[Prior Art] In recent years, in order to make display devices such as displays thinner, liquid crystals (LCDs), which have the property of changing the molecular arrangement and light transmittance when heat or voltage is applied, are used. LCD TVs equipped with this technology are becoming popular. In addition, by applying voltage or current, E
EL display devices equipped with L light emitting elements are also being developed. By the way, when such EL light emitting elements are classified according to the material of the EL layer, they are divided into inorganic and organic. Research on EL in organic compounds began with the discovery of an EL emission phenomenon due to carrier injection in a single crystal such as anthracene, which has strong fluorescence, and has been developed into thin film type devices.

【0003】そして最近では、ホール輸送層及び電子輸
送層を発光層と電極との間に挿入した積層型有機薄膜E
L素子により、10000cd/m2 以上の高輝度発
光及び駆動電圧10V以下での作動が報告されている。 図4は、このような有機薄膜EL素子を用いたEL表示
装置の構造を示すもので、ガラス基板1の上面には、S
nO2 やITO等からなる薄膜状の透明電極2,2,
…がストライプ状に形成されている。これら透明電極2
を含んだガラス基板1の上面には、正孔輸送層3a及び
有機物EL層3bからなるEL発光素子3が形成されて
いる。EL発光素子3の上面には、対向電極4,4,…
がストライプ状に且つ上記の各透明電極2とクロスする
ように形成されている。そして、各透明電極2と各対向
電極4とのクロスする部分が画素とされ、そのクロスす
る部分に電圧が印加されると、その部分のEL発光素子
3が発光する。なお、図示しないが、透明電極と対向電
極との間に有機EL層(蛍光層)及び電子輸送層が積層
された構造や正孔輸送層、有機EL層、電子輸送層が積
層された構造のものも考えられている。
Recently, a multilayer organic thin film E in which a hole transport layer and an electron transport layer are inserted between a light emitting layer and an electrode has been developed.
It has been reported that the L element emits light with high brightness of 10,000 cd/m2 or more and operates at a driving voltage of 10 V or less. FIG. 4 shows the structure of an EL display device using such an organic thin film EL element.
Thin film transparent electrodes 2, 2, made of nO2, ITO, etc.
... are formed in stripes. These transparent electrodes 2
An EL light emitting element 3 consisting of a hole transport layer 3a and an organic EL layer 3b is formed on the upper surface of the glass substrate 1 containing the above. On the upper surface of the EL light emitting element 3, counter electrodes 4, 4,...
are formed in a stripe shape so as to cross each of the transparent electrodes 2 described above. The crossing portions of each transparent electrode 2 and each opposing electrode 4 are defined as pixels, and when a voltage is applied to the crossing portions, the EL light emitting elements 3 in those portions emit light. Although not shown, there may be a structure in which an organic EL layer (fluorescent layer) and an electron transport layer are stacked between a transparent electrode and a counter electrode, or a structure in which a hole transport layer, an organic EL layer, and an electron transport layer are stacked. Things are also being considered.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のAC
形エレクトロルミネセンス素子、液晶表示素子、プラズ
マディスプレイ素子にあっては、上述したEL発光素子
と同様に透明電極を介して駆動電圧が供給されるように
なっている。ところが、これらの素子はEL発光素子に
比べて駆動すべき電流密度を小さくした場合でも十分駆
動可能である。このため、これらの素子を駆動するため
の透明電極による電圧降下が小さくなり、特にX−Yマ
トリクス形の表示パネルにおける輝度ムラも小さい。し
たがって、このようなX−Yマトリクス形にあっては、
定電圧駆動で十分である。
[Problem to be solved by the invention] By the way, the conventional AC
In the case of a type electroluminescent element, a liquid crystal display element, and a plasma display element, a driving voltage is supplied through a transparent electrode similarly to the above-mentioned EL light emitting element. However, these elements can be driven satisfactorily even when the driving current density is lower than that of EL light emitting elements. Therefore, the voltage drop due to the transparent electrodes for driving these elements is reduced, and the unevenness in brightness is also reduced, especially in an XY matrix type display panel. Therefore, in such an X-Y matrix form,
Constant voltage drive is sufficient.

【0005】これに対し、有機EL素子にあっては、上
記のAC形エレクトロルミネセンス素子、液晶表示素子
、プラズマディスプレイ素子に比べ、必要な電流密度は
一桁大きい値とされている。また、印加電圧にあっては
、10数ボルトの小さい値とされている。このため、定
電圧駆動による場合、透明電極の有する抵抗のために、
駆動電圧の供給端から遠い位置にある画素にあっては近
い位置にある画素に対して電圧降下が大きくなる。 したがって、その電圧降下により輝度ムラが発生してし
まう。
On the other hand, in organic EL devices, the required current density is said to be an order of magnitude higher than that of the above-mentioned AC type electroluminescent devices, liquid crystal display devices, and plasma display devices. Furthermore, the applied voltage is set to a small value of 10-odd volts. Therefore, in the case of constant voltage driving, due to the resistance of the transparent electrode,
A pixel located far from the drive voltage supply end has a larger voltage drop than a pixel located closer. Therefore, the voltage drop causes uneven brightness.

【0006】また、上述したようなEL表示装置にあっ
ては、たとえば図4に示すように、ガラス基板1の上面
に形成されている各透明電極2の断面が矩形状とされて
いる。更に、これら透明電極2を含んだガラス基板1の
上面に形成されているEL発光素子3における発光に寄
与する領域は、2種の有機層3a,3bの界面から数百
オングストロームの高さまでとされている。つまり、こ
れ以上の厚みを持たせても、EL発光素子3は抵抗とし
て作用するため、発光効率が低下してしまう。したがっ
て、EL発光素子3を形成する場合には、できる限り薄
くすることが望ましい。
Further, in the above-described EL display device, as shown in FIG. 4, for example, each transparent electrode 2 formed on the upper surface of the glass substrate 1 has a rectangular cross section. Furthermore, the region that contributes to light emission in the EL light emitting element 3 formed on the upper surface of the glass substrate 1 including these transparent electrodes 2 is said to extend to a height of several hundred angstroms from the interface between the two types of organic layers 3a and 3b. ing. In other words, even if the thickness is greater than this, the EL light emitting element 3 acts as a resistor, resulting in a decrease in luminous efficiency. Therefore, when forming the EL light emitting element 3, it is desirable to make it as thin as possible.

【0007】このように、発光効率を向上させるために
は、透明電極を薄くして段差をなくし、且つEL発光素
子を薄くすることが望ましく、一方輝度ムラを防止する
ためには、透明電極を厚くして抵抗を小さくすることが
望ましい。しかし、透明電極を薄くすると、輝度ムラが
発生し、透明電極を厚くするとその段差によりEL層が
破損し、ショートしやすいといった問題が生ずる。
As described above, in order to improve the luminous efficiency, it is desirable to make the transparent electrode thinner to eliminate the step difference and to make the EL light emitting element thinner.On the other hand, in order to prevent uneven brightness, it is desirable to make the transparent electrode thinner and eliminate the step difference. It is desirable to increase the thickness and reduce the resistance. However, if the transparent electrode is made thinner, uneven brightness will occur, and if the transparent electrode is made thicker, the EL layer will be damaged due to the step difference, causing short circuits.

【0008】本発明は、このような事情に対処して成さ
れたもので、歩留まりの向上、信頼性の向上及び高性能
化を図ることのできるEL表示装置を提供することを目
的とする。
The present invention has been made in response to the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide an EL display device that can improve yield, reliability, and performance.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
ガラス基板の上面に金属層及び透明電極層からなる透明
電極がストライプ状に形成され、これら透明電極を含む
前記ガラス基板の上面にEL発光素子が形成され、この
EL発光素子の上面にストライプ状に且つ前記透明電極
とクロスさせて対向電極が形成されてなることを特徴と
する。請求項2記載の発明は、ガラス基板の上面に透明
電極がストライプ状に形成され、これら透明電極を含む
前記ガラス基板の上面にEL発光素子が形成され、この
EL発光素子の上面にストライプ状に且つ前記透明電極
とクロスさせて対向電極が形成されてなるEL表示装置
において、前記透明電極と対向電極とのクロスする部分
の画素に駆動電圧を供給する駆動電圧供給手段と、前記
駆動電圧を供給する際に、前記透明電極の電圧降下分を
考慮し前記駆動電圧の供給端から近い位置にある画素に
対して遠い位置にある画素への供給電圧を高めにし、前
記透明電極と対向電極とのクロスする部分の全ての画素
への駆動電圧が一定となるように制御する駆動電圧制御
手段とを具備したことを特徴とする。
[Means for solving the problem] The invention according to claim 1 includes:
A transparent electrode consisting of a metal layer and a transparent electrode layer is formed in a stripe shape on the upper surface of a glass substrate, an EL light emitting element is formed on the upper surface of the glass substrate including these transparent electrodes, and a stripe shape is formed on the upper surface of this EL light emitting element. Further, a counter electrode is formed to cross the transparent electrode. In the invention according to claim 2, transparent electrodes are formed in a stripe shape on the upper surface of a glass substrate, an EL light emitting element is formed on the upper surface of the glass substrate including these transparent electrodes, and a stripe shape is formed on the upper surface of the EL light emitting element. Further, in an EL display device in which a counter electrode is formed to cross the transparent electrode, a drive voltage supply means for supplying a drive voltage to a pixel at a portion where the transparent electrode and the counter electrode cross, and a drive voltage supplying means for supplying the drive voltage. In this case, taking into account the voltage drop across the transparent electrode, the voltage supplied to the pixels located far from the supply end of the drive voltage is set higher than that of the pixels located close to the supply end of the drive voltage, and the voltage drop between the transparent electrode and the counter electrode is increased. The present invention is characterized by comprising a drive voltage control means for controlling drive voltages to all pixels in the crossing portion to be constant.

【0010】0010

【作用】請求項1記載の発明では、ガラス基板の上面に
金属層及び透明電極層からなる透明電極をストライプ状
に形成し、これら透明電極を含むガラス基板の上面にE
L発光素子を形成し、このEL発光素子の上面にストラ
イプ状に且つ透明電極とクロスさせて対向電極を形成し
た。したがって、透明電極を構成する金属層を透明電極
層に比べて低抵抗とすることにより、透明電極自体を低
抵抗とすることができる。その結果、透明電極自体を従
来の透明電極に比べて更に薄くすることができる。請求
項2記載の発明では、駆動電圧制御手段が透明電極の電
圧降下分を考慮し駆動電圧の供給端から近い位置にある
画素に対して遠い位置にある画素への供給電圧を高めに
し、透明電極と対向電極とのクロスする部分の全ての画
素への駆動電圧を一定とするように制御する。これによ
り、透明電極と対向電極とのクロスする部分の全ての画
素の輝度が一定とされる。
[Operation] In the invention as claimed in claim 1, transparent electrodes consisting of a metal layer and a transparent electrode layer are formed in stripes on the upper surface of the glass substrate, and the upper surface of the glass substrate containing these transparent electrodes is
An L light emitting element was formed, and a counter electrode was formed on the top surface of this EL light emitting element in the form of a stripe and crossing the transparent electrode. Therefore, by making the metal layer constituting the transparent electrode have a lower resistance than the transparent electrode layer, the transparent electrode itself can have a low resistance. As a result, the transparent electrode itself can be made thinner than conventional transparent electrodes. In the invention according to claim 2, the driving voltage control means takes into account the voltage drop of the transparent electrode and increases the voltage supplied to the pixels located far from the supply end of the driving voltage relative to the pixels located near the supply end of the driving voltage. The drive voltage to all pixels at the intersection of the electrode and the counter electrode is controlled to be constant. As a result, the brightness of all pixels at the intersection of the transparent electrode and the counter electrode is made constant.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の実施例の詳細を図面に基づい
て説明する。なお、以下に説明する図において、図4と
共通する部分には同一符号を付し重複する説明を省略す
る。図1は、本発明のEL表示装置の一実施例を示すも
ので、ガラス基板1の上面には、複数の透明電極2Aが
ストライプ状に形成されている。ここで、各透明電極2
Aは、Al等の金属層2aとITO等からなる薄膜状の
透明電極層2bとからなる。またここで、金属層2aの
厚みは50オングストローム〜200オングストローム
とされ、透明電極層2bの厚みは100オングストロー
ム〜900オングストロームとされている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, details of embodiments of the present invention will be explained based on the drawings. In the figures described below, parts common to those in FIG. 4 are designated by the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted. FIG. 1 shows an embodiment of the EL display device of the present invention, in which a plurality of transparent electrodes 2A are formed in stripes on the upper surface of a glass substrate 1. As shown in FIG. Here, each transparent electrode 2
A is made up of a metal layer 2a made of Al or the like and a thin film-like transparent electrode layer 2b made of ITO or the like. Further, the thickness of the metal layer 2a is set to be 50 angstroms to 200 angstroms, and the thickness of the transparent electrode layer 2b is set to be 100 angstroms to 900 angstroms.

【0012】透明電極2Aを含んだガラス基板1の上面
には、正孔輸送層3a及び有機物EL層3bからなるE
L発光素子3が形成されている。EL発光素子3の上面
には、対向電極4,4,…がストライプ状に且つ上記の
各透明電極2Aとクロスするように形成されている。こ
のような構成のEL表示装置は、次のようにして製造さ
れる。まず、ガラス基板1の上面に蒸着又はスパッタリ
ング等によって、Al等の金属層2aやITO等の薄膜
状の透明電極2bを順次形成し、エッチングによりスト
ライプ状の電極パターンを形成する。
On the upper surface of the glass substrate 1 including the transparent electrode 2A, an E layer consisting of a hole transport layer 3a and an organic EL layer 3b is provided.
An L light emitting element 3 is formed. On the upper surface of the EL light emitting element 3, counter electrodes 4, 4, . The EL display device having such a configuration is manufactured as follows. First, a metal layer 2a such as Al and a thin film transparent electrode 2b such as ITO are sequentially formed on the upper surface of the glass substrate 1 by vapor deposition or sputtering, and then a striped electrode pattern is formed by etching.

【0013】このときの各層の厚みは、上述したように
、それぞれ50オングストローム〜200オングストロ
ーム,100オングストローム〜900オングストロー
ムの範囲内とする。次いで、正孔輸送層3a及び有機物
EL層3bを順に積層させてEL発光素子3を形成した
後、エッチング等によりEL発光素子3の上面に各対向
電極4をストライプ状に且つ各透明電極2Aとクロスす
るように形成する。
The thickness of each layer at this time is within the range of 50 angstroms to 200 angstroms and 100 angstroms to 900 angstroms, respectively, as described above. Next, the hole transport layer 3a and the organic EL layer 3b are laminated in order to form the EL light emitting element 3, and then each counter electrode 4 is formed in a stripe shape and each transparent electrode 2A is formed on the upper surface of the EL light emitting element 3 by etching or the like. Form into a cross.

【0014】ここで、金属層2aの厚みをたとえば10
0オングストロームとした場合、その面積抵抗率は3Ω
/cm2 であり、50%程度の可視光の透過率を有す
る。このような特性を有する金属層2aと透明電極層2
bとを組み合わせて透明電極2Aを形成することにより
、透明電極層2bの厚みを薄くした場合であっても、低
抵抗の透明電極2Aを形成することができる。なお、金
属層2a上の透明電極層2bは、EL発光素子3の有機
物EL層3bへの電流注入効率を上げるための必須要素
とされている。また、透明電極2Aの金属層2aの材質
としては、抵抗率が1×10−5Ω・cm以下であり、
ガラス基板1との密着性のよいものであればよく、単体
の金属に限らず合金であってもよい。したがって、たと
えばAlからなる金属層2aは、その厚みを増すことに
よって更に低抵抗化を図ることは可能ではあるが、これ
に反して光透過率が低下してしまうため、50オングス
トローム〜200オングストロームの範囲内に収めるこ
とが好ましい。また、透明電極層2bの厚みは従来の透
明電極の厚み1000オングストロームよりも薄くする
ことが目的であるために、上限を900オングストロー
ムとし下限を100オングストロームとする。つまり、
下限の100オングストロームを下回った場合には、均
一な膜が形成されず、断片的に形成されてしまう可能性
が強いためである。
Here, the thickness of the metal layer 2a is, for example, 10
If it is 0 angstrom, its area resistivity is 3Ω.
/cm2, and has a visible light transmittance of about 50%. Metal layer 2a and transparent electrode layer 2 having such characteristics
By forming the transparent electrode 2A in combination with b, it is possible to form the transparent electrode 2A with low resistance even when the thickness of the transparent electrode layer 2b is reduced. Note that the transparent electrode layer 2b on the metal layer 2a is an essential element for increasing the efficiency of current injection into the organic EL layer 3b of the EL light emitting element 3. Further, the material of the metal layer 2a of the transparent electrode 2A has a resistivity of 1×10 −5 Ω·cm or less,
Any material may be used as long as it has good adhesion to the glass substrate 1, and it is not limited to a single metal but may be an alloy. Therefore, for example, it is possible to further reduce the resistance of the metal layer 2a made of Al by increasing its thickness, but on the other hand, the light transmittance decreases, so if the metal layer 2a is made of Al, It is preferable to keep it within this range. Furthermore, since the purpose of the thickness of the transparent electrode layer 2b is to be thinner than the thickness of a conventional transparent electrode, which is 1000 angstroms, the upper limit is set to 900 angstroms, and the lower limit is set to 100 angstroms. In other words,
This is because if the thickness is less than the lower limit of 100 angstroms, there is a strong possibility that a uniform film will not be formed and will be formed piecemeal.

【0015】次に、このような金属層2aと透明電極層
2bとからなる透明電極2Aによる輝度ムラについて考
察する。まず、ある程度の明るさを得るためには、10
00cd/m2 以上の輝度が必要とされ、従来のEL
表示装置にあっては、このときの駆動電圧が約9Vであ
り、透明電極の単位面積当り流れる電流が30mAであ
った。そこで、図2に示すように、表示パネルの一辺を
Lとし、透明電極2Aの幅をd、その面積抵抗率をρs
 とする。また、対向電極4の幅をdとするとともに、
その面積抵抗率は透明電極2Aのものに比べて非常に小
さいために無視する。また、透明電極2Aの電圧供給端
Aからの距離が略φにある画素■と略Lの距離にある画
素■とを駆動する場合を考える。そして、画素■を駆動
させる場合、その部分に直列に付加される抵抗成分は、
略φの距離に比例したものであり、これによりA−Ba
 間に9Vを印加することにより、1000cdの輝度
が得られる。
[0015] Next, the brightness unevenness caused by the transparent electrode 2A composed of the metal layer 2a and the transparent electrode layer 2b will be considered. First, in order to obtain a certain level of brightness, 10
00 cd/m2 or more is required, and conventional EL
In the display device, the driving voltage at this time was about 9 V, and the current flowing per unit area of the transparent electrode was 30 mA. Therefore, as shown in FIG. 2, one side of the display panel is L, the width of the transparent electrode 2A is d, and its sheet resistivity is ρs.
shall be. Further, while the width of the counter electrode 4 is d,
Its area resistivity is very small compared to that of the transparent electrode 2A, so it is ignored. In addition, consider the case where a pixel (2) located at a distance of approximately φ from the voltage supply end A of the transparent electrode 2A and a pixel (2) located at a distance of approximately L from the voltage supply end A of the transparent electrode 2A are driven. When pixel ■ is driven, the resistance component added in series to that part is:
It is approximately proportional to the distance of φ, so that A-Ba
By applying 9V between them, a brightness of 1000 cd can be obtained.

【0016】一方、画素■にあっては、その部分に直列
に(L/d)・ρs の抵抗が付加されると考えられる
。 ここで、たとえばL=200mm、d=0.5mm、ρ
s =30Ω/cm2 とすると、(L/d)・ρs 
=12KΩとなる。画素■の面積は、0.5×0.5m
m=1/400mmとなるため、30mA/cm2 の
電流密度を得るためには、0.075mAの電流を透明
電極2Aの電圧供給端Aから供給する。このとき、透明
電極2Aによる電圧降下は、0.075mA×12K=
0.9Vとなる。つまり、画素■では画素■に比較して
10%大きい駆動電圧が必要となるため、画素■と同様
に1000cd/m2の輝度を得るためには、9.9V
の印加電圧が必要とされる。
On the other hand, in pixel (2), it is considered that a resistance of (L/d)·ρs is added in series to that portion. Here, for example, L=200mm, d=0.5mm, ρ
If s = 30Ω/cm2, (L/d)・ρs
=12KΩ. The area of pixel ■ is 0.5 x 0.5 m
Since m=1/400 mm, in order to obtain a current density of 30 mA/cm2, a current of 0.075 mA is supplied from the voltage supply end A of the transparent electrode 2A. At this time, the voltage drop due to the transparent electrode 2A is 0.075mA×12K=
It becomes 0.9V. In other words, pixel ■ requires a 10% higher drive voltage than pixel ■, so in order to obtain the same brightness of 1000 cd/m2 as pixel ■, 9.9V is required.
An applied voltage of

【0017】また、画素■と同じ9Vで駆動した場合は
、電流は10数mA程度しか流れないため、そのときの
輝度は目標の約1/2の500cd/m2 程度しか得
られず、低コストの駆動方式である定電圧駆動では、パ
ネル面に輝度ムラが生じてしまう。一方、従来からある
無機材料EL、プラズマディスプレイ等は、駆動に必要
な電圧が100〜百数十ボルトと高いものの、必要とさ
れる電流密度は数mA/m2 であり、有機ELよりも
はるかに小さい。ここで、上記と同様な計算を行った場
合、3mA/m2 の電流密度を仮定し、画素■での印
加電圧を100Vとすると、画素■での必要電圧は10
0V+12KΩ×(1/400cm2 )×3mA/c
m2 =100.09Vとなり、電圧の増分は僅か1%
である。したがって、これらの素子では透明電極の低抵
抗化に対する要求はそれほど大きくはなかった。
Furthermore, when driven at 9V, which is the same as pixel ■, the current flows only about 10-odd mA, so the brightness at that time is only about 500 cd/m2, which is about half of the target, resulting in low cost. Constant voltage driving, which is the driving method used in the above, causes uneven brightness on the panel surface. On the other hand, conventional inorganic material EL, plasma display, etc. require a high voltage to drive, ranging from 100 to over 100 volts, but the required current density is several mA/m2, which is much higher than that of organic EL. small. Here, when performing the same calculation as above, assuming a current density of 3 mA/m2 and assuming that the applied voltage at pixel ■ is 100 V, the required voltage at pixel ■ is 10
0V+12KΩ×(1/400cm2)×3mA/c
m2 = 100.09V, the voltage increase is only 1%
It is. Therefore, in these devices, there has not been a great demand for lower resistance of transparent electrodes.

【0018】図3は、本発明のEL表示装置における駆
動回路の構成を示すものである。同図に示すように、駆
動回路には、透明電極層2bに対応するコモン電極C1
〜Cn 及び対向電極4に対応するライン電極L1 〜
Ln が備えられている。コモン電極C1 〜Cn に
は、スイッチSI1〜SInを介してコントローラ5a
、定電圧供給回路E0 及び可変電圧供給回路Ec が
接続されている。ライン電極L1 〜Ln には、スイ
ッチSM1〜SMnを介してコントローラ5b、可変電
圧供給回路Ec及び定電圧供給回路E0 が接続されて
いる。そして、各スイッチSI1〜SIn及びスイッチ
SM1〜SMnのオン/オフ動作は、それぞれコントロ
ーラ5a及びコントローラ5bによって制御されている
。また、各スイッチSI1〜SIn及びスイッチSM1
〜SMnを介して供給される駆動電圧は、定電圧供給回
路E0 からの供給電圧に加え、コントローラ5bによ
ってコントロールされる可変電圧供給回路Ec からの
可変電圧が供給されるようになっている。
FIG. 3 shows the configuration of the drive circuit in the EL display device of the present invention. As shown in the figure, the drive circuit includes a common electrode C1 corresponding to the transparent electrode layer 2b.
~Cn and line electrode L1 corresponding to counter electrode 4 ~
Ln is provided. A controller 5a is connected to the common electrodes C1 to Cn via switches SI1 to SIn.
, a constant voltage supply circuit E0, and a variable voltage supply circuit Ec are connected. A controller 5b, a variable voltage supply circuit Ec, and a constant voltage supply circuit E0 are connected to the line electrodes L1 to Ln via switches SM1 to SMn. The on/off operations of the switches SI1 to SIn and the switches SM1 to SMn are controlled by the controllers 5a and 5b, respectively. In addition, each switch SI1 to SIn and switch SM1
The drive voltage supplied through SMn is such that in addition to the supply voltage from the constant voltage supply circuit E0, a variable voltage is supplied from the variable voltage supply circuit Ec controlled by the controller 5b.

【0019】このような構成の駆動回路は、つぎのよう
な動作を行う。まず、コントローラ5bによってスイッ
チSM1がオンとされると、ライン電極L1 上の画素
が駆動可能状態とされ、コントローラ5aによりその画
素を駆動すべきスイッチSI1〜SInのいずれかがオ
ンとされることにより、ライン電極L1とコモン電極C
1 〜Cn との交差点にある画素が発光する。続いて
、スイッチSM1がオフとされた後、スイッチSM2が
オンとされると、ライン電極L2 上の画素が駆動可能
状態とされ、コントローラ5aによりその画素を駆動す
べきスイッチSI1〜SInのいずれかがオンとされる
ことにより、ライン電極L2 とコモン電極C1 〜C
nとの交差点にある画素が発光する。このような制御が
順にスイッチSMnまで行われることにより、1画面分
の表示が完了する。そして、新たにスイッチSM1から
スイッチSMnまで上記同様の制御が繰り返されること
により、画面は継続して表示される。なお、通常の飛び
越し走査による場合には、ライン電極L1 上の画素が
駆動可能状態とされた後、ライン電極L3 ,L5 ,
L7 …上の画素が駆動可能状態とされる。これが完了
すると、ライン電極L2 ,L4 ,L6 …上の画素
が駆動可能状態とされる。
The drive circuit configured as described above operates as follows. First, when the switch SM1 is turned on by the controller 5b, the pixel on the line electrode L1 is enabled to be driven, and the controller 5a turns on any of the switches SI1 to SIn that should drive that pixel. , line electrode L1 and common electrode C
Pixels at the intersections of 1 to Cn emit light. Subsequently, when the switch SM2 is turned on after the switch SM1 is turned off, the pixel on the line electrode L2 is enabled to be driven, and the controller 5a selects one of the switches SI1 to SIn to drive that pixel. is turned on, line electrode L2 and common electrodes C1 to C
The pixel at the intersection with n emits light. By sequentially performing such control up to switch SMn, display for one screen is completed. Then, the screen is continuously displayed by repeating the same control as above from switch SM1 to switch SMn. Note that in the case of normal interlaced scanning, after the pixels on the line electrode L1 are set to a drivable state, the pixels on the line electrodes L3, L5,
L7...The upper pixel is enabled to be driven. When this is completed, the pixels on the line electrodes L2, L4, L6, . . . are enabled to be driven.

【0020】このとき、コントローラ5bにより、ライ
ン電極L1 とコモン電極C1 〜Cnとの交差点にあ
る画素を発光させる場合には、透明電極の電圧供給端か
らの距離S1 に相当する透明電極2Aの電圧降下分を
考慮して駆動されるべき画素への電圧供給が行われる。 つまり、電圧供給端から近い位置にある画素に対して遠
い位置にある画素への供給電圧が高めとされ、各ライン
電極L1 〜Ln 上の画素への駆動電圧が一定となる
ように制御される。これにより、ライン電極L1 〜L
n とコモン電極C1 〜Cn との交差点にある全て
の画素の輝度が一定となる。
At this time, when the controller 5b causes the pixels located at the intersections of the line electrode L1 and the common electrodes C1 to Cn to emit light, the voltage of the transparent electrode 2A corresponding to the distance S1 from the voltage supply end of the transparent electrode is adjusted. Voltage is supplied to the pixels to be driven taking into account the voltage drop. In other words, the voltage supplied to pixels located far from the voltage supply end is set to be higher than that of pixels located close to the voltage supply end, and the driving voltage to the pixels on each line electrode L1 to Ln is controlled to be constant. . As a result, line electrodes L1 to L
The brightness of all pixels located at the intersections of n and the common electrodes C1 to Cn becomes constant.

【0021】このように、本実施例においては、ガラス
基板の上面に金属層及び透明電極層からなる透明電極を
ストライプ状に形成し、これら透明電極を含むガラス基
板の上面にEL発光素子を形成し、このEL発光素子の
上面にストライプ状に且つ透明電極とクロスさせて対向
電極を形成した。したがって、透明電極を構成する金属
層を透明電極層に比べて低抵抗とすることにより、透明
電極自体を低抵抗とすることができる。その結果、透明
電極自体を従来の透明電極に比べて更に薄くすることが
できる。また、本実施例では、透明電極による電圧降下
分を考慮し駆動電圧の供給端から近い位置にある画素に
対して遠い位置にある画素への供給電圧を高めにし、透
明電極と対向電極とのクロスする部分の全ての画素への
駆動電圧を一定とするように制御したので、透明電極と
対向電極とのクロスする部分の全ての画素の輝度が一定
とされる。
As described above, in this example, transparent electrodes consisting of a metal layer and a transparent electrode layer are formed in stripes on the upper surface of a glass substrate, and EL light emitting elements are formed on the upper surface of the glass substrate including these transparent electrodes. Then, a counter electrode was formed in a stripe shape on the upper surface of this EL light emitting element, crossing the transparent electrode. Therefore, by making the metal layer constituting the transparent electrode have a lower resistance than the transparent electrode layer, the transparent electrode itself can have a low resistance. As a result, the transparent electrode itself can be made thinner than conventional transparent electrodes. In addition, in this example, in consideration of the voltage drop due to the transparent electrode, the voltage supplied to the pixels located far from the drive voltage supply end is set higher than that of the pixels located near the supply end, and the voltage drop between the transparent electrode and the counter electrode is set higher. Since the drive voltage to all pixels in the crossing portion was controlled to be constant, the brightness of all pixels in the crossing portion of the transparent electrode and the counter electrode was constant.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のEL表示
装置によれば、透明電極自体を従来の透明電極に比べて
更に薄くすることができ、これにより従来問題となって
いた透明電極と対向電極とのショートが回避されるので
、製品不良が少なくなり、歩留まりを向上させることが
できるとともに、信頼性を向上させることもできる。 また、透明電極の電圧降下分を考慮し駆動電圧の供給端
から近い位置にある画素に対して遠い位置にある画素へ
の供給電圧を高めにし、透明電極と対向電極とのクロス
する部分の全ての画素への駆動電圧を一定とした制御を
行うようにしたので、透明電極と対向電極とのクロスす
る部分の全ての画素の輝度が一定とされるため、性能の
向上を図ることができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the EL display device of the present invention, the transparent electrode itself can be made thinner than the conventional transparent electrode. Since short circuits with the counter electrode are avoided, product defects are reduced, yields can be improved, and reliability can also be improved. In addition, in consideration of the voltage drop of the transparent electrode, the voltage supplied to pixels located far from the drive voltage supply end is set higher than that of pixels located close to the drive voltage supply end, and all parts where the transparent electrode and the counter electrode cross Since the drive voltage to the pixels is controlled to be constant, the brightness of all pixels at the intersection of the transparent electrode and the counter electrode is kept constant, so performance can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明のEL表示装置の一実施例に係る表示部
を示すための断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a display section according to an embodiment of an EL display device of the present invention.

【図2】図1の表示部の透明電極による電圧降下を説明
するための図である。
FIG. 2 is a diagram for explaining a voltage drop due to a transparent electrode of the display section in FIG. 1;

【図3】図1の表示部を駆動させるための駆動回路を示
す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a drive circuit for driving the display section of FIG. 1;

【図4】従来のEL表示装置を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a conventional EL display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  ガラス基板 2a  金属層 2b,2A  透明電極層 3a  正孔輸送層 3b  有機物EL層 4  対向電極 5a,5b  コントローラ 1 Glass substrate 2a Metal layer 2b, 2A Transparent electrode layer 3a Hole transport layer 3b Organic EL layer 4 Counter electrode 5a, 5b Controller

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  ガラス基板の上面に金属層及び透明電
極層からなる透明電極がストライプ状に形成され、これ
ら透明電極を含む前記ガラス基板の上面にEL発光素子
が形成され、このEL発光素子の上面にストライプ状に
且つ前記透明電極とクロスさせて対向電極が形成されて
なることを特徴とするEL表示装置。
1. A transparent electrode consisting of a metal layer and a transparent electrode layer is formed in a stripe shape on the upper surface of a glass substrate, and an EL light emitting element is formed on the upper surface of the glass substrate including these transparent electrodes. An EL display device characterized in that a counter electrode is formed on the upper surface in a stripe shape and crosses the transparent electrode.
【請求項2】ガラス基板の上面に透明電極がストライプ
状に形成され、これら透明電極を含む前記ガラス基板の
上面にEL発光素子が形成され、このEL発光素子の上
面にストライプ状に且つ前記透明電極とクロスさせて対
向電極が形成されてなるEL表示装置において、前記透
明電極と対向電極とのクロスする部分の画素に駆動電圧
を供給する駆動電圧供給手段と、前記駆動電圧を供給す
る際に、前記透明電極の電圧降下分を考慮し前記駆動電
圧の供給端から近い位置にある画素に対して遠い位置に
ある画素への供給電圧を高めにし、前記透明電極と対向
電極とのクロスする部分の全ての画素への駆動電圧が一
定となるように制御する駆動電圧制御手段とを具備した
ことを特徴とするEL表示装置。
2. A transparent electrode is formed in a stripe shape on the upper surface of a glass substrate, an EL light emitting element is formed on the upper surface of the glass substrate including these transparent electrodes, and the transparent electrode is formed in a stripe shape on the upper surface of the EL light emitting element. In an EL display device in which a counter electrode is formed to cross an electrode, a drive voltage supply means for supplying a drive voltage to a pixel at a portion where the transparent electrode and the counter electrode intersect; , taking into account the voltage drop of the transparent electrode, the voltage supplied to the pixels located far from the supply end of the drive voltage is set higher than that of the pixels located close to the supply end of the drive voltage, and the portion where the transparent electrode and the counter electrode cross. 1. An EL display device comprising: drive voltage control means for controlling drive voltages to all pixels of the EL display device to be constant.
【請求項3】前記透明電極が金属層及び透明電極層から
なることを特徴とするEL表示装置。
3. An EL display device, wherein the transparent electrode comprises a metal layer and a transparent electrode layer.
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