JPH0424913A - Automatic position shift control device - Google Patents
Automatic position shift control deviceInfo
- Publication number
- JPH0424913A JPH0424913A JP2125130A JP12513090A JPH0424913A JP H0424913 A JPH0424913 A JP H0424913A JP 2125130 A JP2125130 A JP 2125130A JP 12513090 A JP12513090 A JP 12513090A JP H0424913 A JPH0424913 A JP H0424913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positional deviation
- automatic
- wafer
- management device
- correction value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 30
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 24
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 19
- 238000011214 deviation management Methods 0.000 claims description 15
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 15
- 238000007726 management method Methods 0.000 claims description 11
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
半導体装置の製造におけるフォトリソグラフィー工程に
おいて、ウェーハ上に形成されたレジストパターンと下
層のパターンとの間の位置ずれを自動的に管理する自動
位置ずれ管理装置に関し、フォトリソグラフィー工程に
おいて形成されたレジストパターンと下層パターンとの
間の位置ずれを債Ｉよく測定し、位置ずれの要因を短時
間に解析してその情報を製造ラインにフィードバックす
ることによって、製造ラインの品質を良好に管理し、さ
らには、位置ずれ管理装置自身の性能を常に最良の状態
に維持するようにして、製品の品質と歩留りとを向上す
るようにする自動位置ずれ管理装置を提供することを目
的とし、
ウェーハを載置する検査ステージと、この検査ステージ
をＸ−Ｙ方間に移動するＸ−Ｙステージと、前記のウェ
ーハに形成された位置ずれ計測用マークを拡大する′Ｕ
微鏡と、この顕微鏡をもって拡大された前記の位置ずれ
計測用マークの像を電気信号に変換する光電変換手段と
、この光電変換手段の出力する輝度信号を入力されて、
位置ずれ量を演算する位置ずれ量演算手段と、この位置
ずれ量演算手段の出力する位置ずれ量を入力されて、位
置ずれ補正値を露光装置に出力する補正値算出手段とを
有する自動位置ずれ管理装置をもって構成される。[Detailed Description of the Invention] [Summary] This invention relates to an automatic misalignment management device that automatically manages misalignment between a resist pattern formed on a wafer and an underlying pattern in a photolithography process in the manufacture of semiconductor devices. By carefully measuring the positional deviation between the resist pattern formed in the photolithography process and the underlying pattern, quickly analyzing the cause of the positional deviation, and feeding that information back to the manufacturing line, the manufacturing line can be improved. To provide an automatic misalignment control device that improves the quality and yield of products by controlling the quality of the misalignment control device well and also always maintaining the performance of the misalignment control device itself in the best condition. For the purpose of
A microscope, a photoelectric conversion means for converting the image of the positional deviation measurement mark magnified by the microscope into an electric signal, and a luminance signal output from the photoelectric conversion means are inputted,
An automatic position shift system having a position shift amount calculation means for calculating a position shift amount, and a correction value calculation means for inputting the position shift amount output from the position shift amount calculation means and outputting a position shift correction value to an exposure device. It consists of a management device.
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造におけるフォトリソグラフ
ィー工程において、ウェーハ上に形成されたレジストパ
ターンと下層のパターンとの間の位置ずれを自動的に管
理する自動位置ずれ管理装置に関する。[Industrial Application Field] The present invention relates to an automatic misalignment management device that automatically manages misalignment between a resist pattern formed on a wafer and an underlying pattern in a photolithography process in the manufacture of semiconductor devices. Regarding.
［従来の技術〕
半導体装置の集積度を高めるために、近年１０層乃至２
０層のバタ〜ンを積み重ねて半導体装置を製造する方法
が使用されるようになり、また、形成されるパターンの
寸法も微細化し、１ｎ以下のいわゆるサブミクロンのパ
ターンが形成されるようになってきた。[Prior art] In order to increase the degree of integration of semiconductor devices, in recent years the number of layers has increased from 10 to 2 layers.
A method of manufacturing semiconductor devices by stacking zero-layer patterns came to be used, and the dimensions of the patterns formed also became smaller, with so-called submicron patterns of 1n or less being formed. It's here.
このように、微細なパターンの形成された層を多層に積
み重ねて半導体装置を製造するには、各層に形成された
パターンが相互に精度良く位置合わせされていなければ
ならない１例えば、ｎ層目の層にパターンを形成するに
は、先ず、その上にレジストを塗布し、マスクを使用し
て露光・現像してレジストパターンを形成し、このレジ
ストパターンをマスクとしてｎ層目の層をエツチングす
ることになるが、各層間のパターンの位置ずれを防止す
るには、このレジストパターンと（ｎ−１）層目に形成
されているパターンとの間に位置ずれが発生していない
ことを確認する必要がある。In this way, in order to manufacture a semiconductor device by stacking multiple layers with fine patterns, the patterns formed in each layer must be aligned with each other with high precision. To form a pattern on a layer, first coat a resist on it, expose and develop it using a mask to form a resist pattern, and use this resist pattern as a mask to etch the nth layer. However, in order to prevent pattern misalignment between each layer, it is necessary to confirm that no misalignment occurs between this resist pattern and the pattern formed on the (n-1)th layer. There is.
従来は、ｎ層目の層のパターニングに使用されるレジス
トパターンの一部領域に位置ずれ計測用マークを形成し
、下層、すなわち（ｎ−１）層目のパターンの一部領域
に形成されている位置ずれ計測用マークとの間の相対位
置関係を人間が顕微鏡で観察して、位置ずれの良・否を
判定している。Conventionally, a positional deviation measurement mark is formed in a partial area of the resist pattern used for patterning the n-th layer, and a mark is formed in a partial area of the pattern of the lower layer, that is, the (n-1)th layer. A person observes the relative positional relationship between the positional deviation measurement mark and the positional deviation measurement mark using a microscope, and determines whether the positional deviation is acceptable or not.
人間が観察して良・否を判定する方法には個人差があり
、また、位置ずれ量を精度よく測定することも困難であ
る。そのため、レジストパターンと下層のパターンとの
間の位置ずれ情報を解析して、適切な補正情報を露光装
置にフィードバックすることができず、したがって、製
造ラインの品質管理が良好になされないと云う欠点があ
る。There are individual differences in how humans observe and determine pass/fail, and it is also difficult to accurately measure the amount of positional deviation. As a result, it is not possible to analyze positional misalignment information between the resist pattern and the underlying pattern and feed back appropriate correction information to the exposure device, resulting in poor quality control on the manufacturing line. There is.
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、フォ
トリソグラフィー工程において形成されたレジストパタ
ーンと下層パターンとの間の位置ずれを精度よく測定し
、位置ずれの要因を短時間に解析してその情報を製造ラ
インにフィードバックすることによって、製造ラインの
品質を良好に管理し、さらには、位置ずれ管理装置自身
の性能を常に最良の状態に維持するようにして、製品の
品質と歩留りとを同上するようにする自動位置ずれ管理
装置を提供することにある。The purpose of the present invention is to eliminate this drawback by accurately measuring the positional deviation between the resist pattern formed in the photolithography process and the underlying pattern, and analyzing the cause of the positional deviation in a short time. By feeding that information back to the manufacturing line, the quality of the manufacturing line can be well controlled, and the performance of the misalignment control device itself can always be maintained at its best, improving product quality and yield. An object of the present invention is to provide an automatic positional deviation management device that does the same as the above.
〔！！８を解決するための手段〕
上記の目的は、下記いずれの手段によっても達成される
。[! ! Means for Solving Problem 8] The above object can be achieved by any of the following means.
第１の手段は、ウェーハ（２）を載置する検査ステージ
（１）と、この検査ステージ（１）をＸ−Ｙ方向に移動
するＸ−Ｙステージ（３）と、前記のウェーハ（２）に
形成された位置ずれ計測用マークを拡大する顕微鏡〔４
）と、この顕微鏡（４）をもって拡大された前記の位置
ずれ計測用マークの像を電気信号に変換する光電変換手
段（５）と、この光電変換手段（５）の出力する輝度信
号を入力されて、位置ずれ量を演算する位置ずれ量演算
手段（６）と、この位置ずれ量演算手段（６）の出力す
る位置ずれ量を入力されて、位置ずれ補正値を露光装置
に出力する補正ｆｌＫ出手段（７）とを有する自動位置
ずれ管理装置であり第２の手段は、前記第１の手段の自
動位置ずれ管理装置に、この自動位置ずれ管理装置の性
能を自動的に確認する装置性能自動！追手段（９）が具
備された自動値１ずれ管理装置である。The first means includes an inspection stage (1) on which a wafer (2) is placed, an X-Y stage (3) that moves this inspection stage (1) in the X-Y direction, and a A microscope that magnifies the positional deviation measurement marks formed on the [4]
), a photoelectric conversion means (5) for converting the image of the positional deviation measurement mark magnified by the microscope (4) into an electric signal, and a luminance signal output from the photoelectric conversion means (5) is inputted. and a correction flK that receives the positional deviation amount output from the positional deviation amount calculation means (6) and outputs a positional deviation correction value to the exposure device. The second means is an automatic positional deviation management device having a device performance for automatically confirming the performance of the automatic positional deviation management device in the automatic positional deviation management device of the first means. Automatic! This is an automatic value 1 deviation management device equipped with an additional means (9).
〔作用］
第２図（ａ）に位置ずれ計測用マークの平面図を示し、
第２図（ｂ）にそのＡ−Ａ断面図を示す。[Function] FIG. 2(a) shows a plan view of the positional deviation measurement mark,
FIG. 2(b) shows a sectional view taken along the line AA.
図において、２１はウェーハ２上に形成された第１層の
パターンの一部領域に形成された位置ずれ計測用マーク
であり、２２はこれからバターニングされる第２層であ
り、２３は第２層をバターニングするためのマスクとし
て使用されるレジストパターンの一部領域に形成された
位置ずれ計測用マークであり、これらのマーク（上記の
位置ずれ計測用マーク２１と第２層をバターニングする
ためのマスクとして使用されるレジストパターンの一部
領域に形成された位置ずれ計測用マーク２３）相互間の
位置ずれを計測するものである。In the figure, 21 is a positional deviation measurement mark formed in a partial area of the first layer pattern formed on the wafer 2, 22 is the second layer to be patterned, and 23 is the second layer. These are positional deviation measurement marks formed in a partial area of the resist pattern used as a mask for patterning the layer, and these marks (the above-mentioned positional deviation measurement mark 21 and the second layer patterning mark) A mark 23) for measuring positional deviation formed in a partial area of a resist pattern used as a mask for measuring the positional deviation between each other.
本発明に係る自動位置ずれ管理装置においては、顕微鏡
４を使用してウェーハ２に形成された位置ずれ計測用マ
ーク２１．２３を拡大し、これを光電変換手段５を使用
して、第３図に示すような輝度信号に変換する。第３図
（ａ）は位置ずれ計測用マークの平面図であり、第２図
（ａ）に示す位置ずれ計測用マークと同一である。第３
図（ｂ）は位置ずれ計測用マークのＢ−Ｂ線上の輝度分
布図である。この輝度信号を位置ずれ量演算手段６に入
力し、最小自乗法、スライス法等を使用して位置ずれ計
測用マークの境界部を画定し、位置ずれ量を夏出する。In the automatic positional deviation management apparatus according to the present invention, the positional deviation measurement marks 21 and 23 formed on the wafer 2 are enlarged using the microscope 4, and the marks 21 and 23 for measuring the positional deviation formed on the wafer 2 are enlarged using the photoelectric conversion means 5, as shown in FIG. Convert to a luminance signal as shown in . FIG. 3(a) is a plan view of the positional deviation measurement mark, which is the same as the positional deviation measurement mark shown in FIG. 2(a). Third
Figure (b) is a brightness distribution diagram on line B-B of the mark for measuring positional deviation. This luminance signal is input to the positional deviation calculation means 6, and the boundaries of the positional deviation measurement marks are defined using the least square method, the slice method, etc., and the positional deviation amount is calculated.
スライス法とは、第３図（ｂ）に示すように、位置ずれ
計測用マークの輝度曲線と輝度が一定である直線Ｃとの
交点から位置ずれ計測用マークの境界部を画定する方法
である。上記の方法を使用すれば、位置ずれ量を±０．
０２ｎの精度をもって測定することができる。The slicing method, as shown in FIG. 3(b), is a method in which the boundary of the positional deviation measurement mark is defined from the intersection of the brightness curve of the positional deviation measurement mark and a straight line C whose brightness is constant. . If the above method is used, the amount of positional deviation can be reduced to ±0.
It can be measured with an accuracy of 0.02n.
ところで、本発明に係る自動位置ずれ管理装置は、（イ
）製品検査目的、及び、（ロ）製造装置（ステッパ）管
理目的のいずれかを選択して使用することができる。By the way, the automatic positional deviation management device according to the present invention can be selectively used for either (a) product inspection purposes or (b) manufacturing equipment (stepper) management purposes.
（イ）製品検査目的に使用する場合
１０ツトのウェーハの中の１〜２枚にレジストパターン
を形成してパイロットウェーハを作成し、それらの位置
ずれ量を位置ずれ量演算手段６において夏出して補正値
算出手段７に入力し、補正値算出手段７において、ステ
ッパのステージのＸ−Ｙ方向あるいは回転方向等の偏移
量を夏出し、この偏移量を修正する補正値をステッパに
入力してステッパを調整した後、そのロフトに含まれる
すべてのウェーハのフォトリソグラフィー工程を実行す
る。なお、レジストパターンの形成された製品について
の位置ずれ量を測定し、ロント内の位置ずれのばらつき
を製造ラインにフィードバックして、品質の向上に役立
てることができる。(B) When used for product inspection purposes, a resist pattern is formed on one or two of the 10 wafers to create a pilot wafer, and the amount of misalignment is calculated using the misalignment amount calculating means 6. The correction value calculation means 7 calculates the amount of deviation of the stage of the stepper in the X-Y direction or rotational direction, and inputs a correction value for correcting this amount of deviation into the stepper. After adjusting the stepper, perform the photolithography process on all wafers in that loft. Note that by measuring the amount of misalignment of a product on which a resist pattern has been formed, the variation in misalignment within the front can be fed back to the manufacturing line, which can be used to improve quality.
（ロ）製造装置（ステッパ）管理目的に使用する場合
試験用のウェーハを使用してウェーハ上に多数形成され
た位置ずれ計測用マークの位置ずれ量を計測し、その情
報を補正値算出手段７に入力して、ステッパの走行の直
交度、移動量、再現性等のステージ走り精度、レンズの
歪みの影響によるレンズ歪み精度、ウェーハをステージ
に載置する時のアライメント精度等が最良になるような
補正信号をステッパに出力してステッパを調整する。(b) When used for manufacturing equipment (stepper) management purposes A test wafer is used to measure the amount of positional deviation of a number of positional deviation measurement marks formed on the wafer, and the information is transmitted to the correction value calculation means 7. input to optimize stage running accuracy such as orthogonality of stepper travel, amount of movement, reproducibility, lens distortion accuracy due to lens distortion, alignment accuracy when placing the wafer on the stage, etc. The stepper is adjusted by outputting a corrected correction signal to the stepper.
また、本発明に係る自動位置ずれ管理装置には、装置性
能自動確認手段９が設けられており、基準ウェーハを使
用して測定債の絶対値精度、再現性精度、輝度信号の形
状、ウェーハの位置決め精度、検査ステージ送り精度、
搬送体転性、防振効果、ゴミ付着等自動位置ずれ管理装
置自身の性能を自動的に確認することによって、自動位
置ずれ管理装置を常に最良の状態にしておくことができ
る。Further, the automatic positional deviation management device according to the present invention is provided with device performance automatic confirmation means 9, which uses a reference wafer to check the absolute value accuracy, reproducibility accuracy, shape of the brightness signal of the measurement bond, and the wafer performance. Positioning accuracy, inspection stage feeding accuracy,
By automatically checking the performance of the automatic misalignment management device itself, such as conveyor rollability, anti-vibration effect, dust adhesion, etc., the automatic misalignment management device can always be kept in the best condition.
以下、図面を参照しつ＼、本発明の一実施例に係る自動
位置ずれ管理装置について説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An automatic positional deviation management device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図参照
第１図に、自動位置ずれ管理装置の機能ブロンク図を示
す、図において、１はウェーハ２を載置する検査ステー
ジであり、３は、検査ステージをＸ−Ｙ方向に移動する
Ｘ−Ｙステージであり、４は顕微鏡であり、５は顕微鏡
４でｗ！測された位置ずれ計測用マーク像を電気信号に
変換する光電変換手段であり、６は光！変換手段５の出
力する輝度信号を入力され、スライス法、最小自乗法等
の幾何学的手法を使用して位置ずれ計測用マークの境界
部を画定して位置ずれ量を算出する位置ずれ量演算手段
あり、７は位置ずれ量演算手段６の出力する位置ずれ情
報を人力され、露光に使用されるステッパに、各種の補
正値を出力する補正値算出手段であり、９は基準ウェー
ハを使用して位置ずれずれ量を測定し、自動位置ずれ管
理装置自身の性能、例えば、測定値の絶対値精度、再現
性精度、輝度信号の形状、ウェーハの位置決め精度、検
査ステージ送り精度、搬送信頼性、防振効果、ゴミ付着
等を自動的に確認する装置性能自動確認手段であり、８
は位置ずれを画面に表示する陰極線管（ＣＲＴ）であり
、１０はウェーハ２を検査ステージ１上に載置する搬送
手段であり、１］はウェーハを収納するウェーハカセッ
トである。See Fig. 1 Fig. 1 shows a functional block diagram of the automatic misalignment management device. In the figure, 1 is an inspection stage on which a wafer 2 is placed, and 3 is a part that moves the inspection stage in the X-Y direction. It is an X-Y stage, 4 is a microscope, and 5 is a microscope 4 lol! It is a photoelectric conversion means that converts the measured positional deviation measurement mark image into an electric signal, and 6 is light! A positional deviation amount calculation that receives the luminance signal output from the converting means 5 and calculates the positional deviation amount by defining the boundary of the positional deviation measurement mark using a geometric method such as the slice method or the least squares method. 7 is a correction value calculation means that manually inputs the positional deviation information output from the positional deviation amount calculation means 6 and outputs various correction values to a stepper used for exposure; 9 is a correction value calculation means that uses a reference wafer. The system measures the amount of positional deviation and evaluates the performance of the automatic positional deviation management system itself, such as the absolute value accuracy of the measured value, the repeatability accuracy, the shape of the brightness signal, the wafer positioning accuracy, the inspection stage feeding accuracy, the transport reliability, It is an automatic device performance check method that automatically checks vibration isolation effects, dust adhesion, etc.
1 is a cathode ray tube (CRT) that displays positional deviations on the screen, 10 is a transport means for placing the wafer 2 on the inspection stage 1, and 1] is a wafer cassette for storing the wafer.
本装置を製品の検査目的に使用する場合には、先ず１０
ントのウェーハの中の１〜２枚にレジストパターンを形
成し、搬送手段１０を使用して検査ステージ１上に載置
し、下層に形成されている位置ずれ計測用マークとレジ
ストパターンに形成された位置ずれ計測用マークとの間
のずれを位置ずれ量演算手段６を使用して夏出し、その
情報を補正値算出手段７に入力して、ステッパのステー
ジのＸ−Ｙ方向、回転方向等の偏移量を算出し、その偏
移量に対する補正値を算出してステッパに入力し、ステ
ッパを調整する。１］整されたステッパを使用してＩＥ
、ｌ−ロット内のすべてのウェーハにレジストパターン
を形成し、それらの製品についても同様に位置ずれ量を
測定して、ロフト内の位置ずれ量のばらつきを求め、生
産管理に使用する。When using this device for product inspection purposes, first
A resist pattern is formed on one or two of the wafers of the client, and the wafers are placed on the inspection stage 1 using the transport means 10, and the resist pattern is formed on the positional deviation measurement mark formed on the lower layer. The positional deviation amount calculation means 6 is used to determine the deviation between the positional deviation measurement mark and the positional deviation measurement mark, and the information is inputted to the correction value calculation means 7 to calculate the X-Y direction, rotational direction, etc. of the stepper stage. The amount of deviation is calculated, a correction value for the amount of deviation is calculated and input to the stepper, and the stepper is adjusted. 1] IE using a prepared stepper
, L-A resist pattern is formed on all wafers in the lot, and the amount of positional deviation is similarly measured for those products to determine the variation in the amount of positional deviation within the loft, which is used for production control.
製造装置（ステッパ）の管理目的に使用する場合には、
テスト用のウェーハを検査ステージ２上に載置して、前
記と同様にして、ウェーハ内に多数形成された位置ずれ
計測用マークの位置ずれ量を測定し、その信号を補正値
算出手段７に入力してステージの走り精度、レンズの歪
み精度、ウェーハのアライメント精度等が最良となるよ
うに補正値を算出してステッパに入力し、ステッパを調
整する。When used for the purpose of controlling manufacturing equipment (steppers),
A test wafer is placed on the inspection stage 2, and in the same manner as described above, the amount of positional deviation of the positional deviation measurement marks formed in large numbers on the wafer is measured, and the signal is sent to the correction value calculation means 7. A correction value is calculated to optimize stage running accuracy, lens distortion accuracy, wafer alignment accuracy, etc., and is input to the stepper to adjust the stepper.
ステッパに対する補正値を算出するのに、従来２時間程
度の時間を必要としたが、本発明に係る自動位置ずれ管
理装置を使用すると、１５分間程度に短縮することがで
き、製造ラインの品質を良好に管理することができる。Conventionally, it took about 2 hours to calculate the correction value for the stepper, but by using the automatic positional deviation management device of the present invention, the time can be shortened to about 15 minutes, improving the quality of the production line. Can be managed well.
〔発明の効果］
以上に説明したとおり、本発明に係る自動位置ずれ管理
装置においては、ウェーハに形成された位置ずれ計測用
マークが顕微鏡と光電変換手段とを使用して輝度信号に
変換され、この輝度信号が位置ずれ量演算手段に入力さ
れて、位置ずれ測定用マークの境界部が画定され、位置
ずれ量が算出されるので、位置ずれ量が高い精度をもっ
て算出される。この位置ずれ量が補正ＷＸＸ千手段入力
されて、露光装置に対する補正値が短時間のうちに算出
され、この補正値が露光装置にフィードバックされて、
位置ずれが解消するように露光装置が調整されるので、
製造ラインの品質が良好に管理される。また、自動位置
ずれ管理装置自身が装置性能自動確認手段によって常に
最良の状態に保持されるので、製品の品質が向上すると
−もに、製品歩留りも高くなる。[Effects of the Invention] As explained above, in the automatic positional deviation management device according to the present invention, a positional deviation measurement mark formed on a wafer is converted into a brightness signal using a microscope and a photoelectric conversion means, This luminance signal is input to the positional deviation amount calculation means to define the boundary of the positional deviation measurement mark and calculate the positional deviation amount, so that the positional deviation amount can be calculated with high accuracy. This positional deviation amount is input to the correction WXX thousand means, a correction value for the exposure device is calculated in a short time, and this correction value is fed back to the exposure device.
The exposure device is adjusted to eliminate the positional shift, so
The quality of the production line is well controlled. Further, since the automatic positional deviation management device itself is always maintained in the best condition by the device performance automatic confirmation means, the quality of the product is improved and the product yield is also increased.
第１図は、本発明の一実施例に係る自動位置ずれ管理装
置の機能ブロック図である。
第２図は、位置ずれ計測用マークの構成図である。
第３図け、位置ずれ計測用マークの輝度分布図である。
検査ステージ、
ウェーハ、
Ｘ−Ｙステージ、
顕微鏡、
光電変換手段、
６ ・
７ ・
８ ・
９ ・
１０・
１］・
２１・
２２・
２３・
位置ずれ量演算手段、
補正値算出手段、
ＣＲＴ。
装置性能自動確認手段、
搬送手段、
ウェーハカセット、
第１層の位置ずれ計測用マーク、
第２層、
第２層パターニング用レジストツマターンの位置ずれ計
測用マーク。FIG. 1 is a functional block diagram of an automatic positional deviation management device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a configuration diagram of the positional deviation measurement mark. FIG. 3 is a brightness distribution diagram of the positional deviation measurement mark. Inspection stage, wafer, X-Y stage, microscope, photoelectric conversion means, 6, 7, 8, 9, 10, 1], 21, 22, 23, positional deviation amount calculation means, correction value calculation means, CRT. Equipment performance automatic confirmation means, transport means, wafer cassette, mark for measuring positional deviation of the first layer, mark for measuring positional deviation of the second layer, resist pattern for patterning the second layer.
Claims (1)
、 該検査ステージ（１）をＸ−Ｙ方向に移動するＸ−Ｙス
テージ（３）と、 前記ウェーハ（２）に形成された位置ずれ計測用マーク
を拡大する顕微鏡（４）と、 該顕微鏡（４）をもって拡大された前記位置ずれ計測用
マークの像を電気信号に変換する光電変換手段（５）と
、 該光電変換手段（５）の出力する輝度信号を入力されて
、位置ずれ量を演算する位置ずれ量演算手段（６）と、 該位置ずれ量演算手段（６）の出力する位置ずれ量を入
力されて、位置ずれ補正値を露光装置に出力する補正値
算出手段（７）とを有する ことを特徴とする自動位置ずれ管理装置。 ［２］請求項［１］記載の自動位置ずれ管理装置に、該
自動位置ずれ管理装置の性能を自動的に確認する装置性
能自動確認手段（９）が具備されてなる ことを特徴とする自動位置ずれ管理装置。[Claims] [1] An inspection stage (1) on which a wafer (2) is placed; an X-Y stage (3) that moves the inspection stage (1) in the X-Y direction; a microscope (4) for enlarging the positional deviation measurement mark formed in 2); and a photoelectric conversion means (5) for converting an image of the positional deviation measurement mark enlarged by the microscope (4) into an electrical signal. , positional deviation amount calculation means (6) which receives the luminance signal output from the photoelectric conversion means (5) and calculates the amount of positional deviation; An automatic positional deviation management device comprising: correction value calculation means (7) for inputting a positional deviation correction value and outputting the positional deviation correction value to an exposure apparatus. [2] The automatic misalignment management device according to claim [1] is equipped with device performance automatic confirmation means (9) for automatically confirming the performance of the automatic misalignment management device. Misalignment management device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125130A JP2630484B2 (en) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | Automatic misalignment management device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125130A JP2630484B2 (en) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | Automatic misalignment management device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0424913A true JPH0424913A (en) | 1992-01-28 |
| JP2630484B2 JP2630484B2 (en) | 1997-07-16 |
Family
ID=14902599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2125130A Expired - Fee Related JP2630484B2 (en) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | Automatic misalignment management device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2630484B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008166681A (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hynix Semiconductor Inc | Overlay vernier of semiconductor element and method of manufacturing same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62298113A (en) * | 1986-06-18 | 1987-12-25 | Nec Corp | Cahrged particle beam exposure method |
-
1990
- 1990-05-15 JP JP2125130A patent/JP2630484B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62298113A (en) * | 1986-06-18 | 1987-12-25 | Nec Corp | Cahrged particle beam exposure method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008166681A (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hynix Semiconductor Inc | Overlay vernier of semiconductor element and method of manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2630484B2 (en) | 1997-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6498640B1 (en) | Method to measure alignment using latent image grating structures | |
| US5894350A (en) | Method of in line intra-field correction of overlay alignment | |
| US5733690A (en) | Reticle for fabricating semiconductor device | |
| JPH043008A (en) | Method and device for detecting image plane | |
| US6124922A (en) | Exposure device and method for producing a mask for use in the device | |
| JPH1116833A (en) | Method and apparatus for detecting particle and control method for particle detecting device | |
| US6309944B1 (en) | Overlay matching method which eliminates alignment induced errors and optimizes lens matching | |
| US6417516B1 (en) | Electron beam lithographing method and apparatus thereof | |
| JPH0424913A (en) | Automatic position shift control device | |
| KR100549054B1 (en) | Method for exposing at least one or at least two semiconductor wafers | |
| KR20020012110A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and semicontuctor device | |
| JPS59169134A (en) | Device for exposure with reduced projection | |
| KR101089839B1 (en) | Pojection exposure device and position alignment method | |
| US7307715B2 (en) | Method for the formation of a structure size measured value | |
| JP2630484C (en) | ||
| JPH02157844A (en) | Exposure condition measuring mask and method and device for measuring exposure condition using the same mask | |
| US5516605A (en) | Photo mask provided with development rate measuring pattern and method for measuring development rate uniformity | |
| JP3576722B2 (en) | Scanning exposure apparatus and device manufacturing method using the same | |
| US6365302B1 (en) | Pattern for measuring focus of light exposing apparatus and method thereof | |
| JP3797638B2 (en) | Exposure apparatus, method for obtaining distortion of projection optical system, and device manufacturing method | |
| EP4060409A1 (en) | Novel interface definition for lithographic apparatus | |
| CN113050383B (en) | Photoetching exposure method, device and photoetching system | |
| JPS6154622A (en) | Pattern transfer process and device and applicable prealigner and mask holder | |
| KR20230029114A (en) | Overlay measurement method, and semiconductor device manufacturing method and overlay measurement equipment using the measurement method | |
| JPS6279621A (en) | Projecting exposure equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |