JPH04242930A - Method for drying object to be treated - Google Patents
Method for drying object to be treatedInfo
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回路
等の製造工程において半導体ウエハ等を乾燥させるため
に使用される、被処理物の乾燥方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for drying an object to be processed, which is used for drying semiconductor wafers and the like in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits and the like.
【０００２】0002
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、各種
処理工程の前後に、純水等を用いて半導体ウエハを洗浄
する工程が行われる。かかる洗浄工程の後には、この洗
浄によって半導体ウエハに付着した水滴を除去するため
の乾燥工程を、さらに行なう必要がある。2. Description of the Related Art In the manufacturing process of semiconductor devices, a process of cleaning a semiconductor wafer using pure water or the like is performed before and after various processing steps. After this cleaning process, it is necessary to further perform a drying process to remove water droplets attached to the semiconductor wafer due to this cleaning.
【０００３】従来、水滴が付着した半導体ウエハを乾燥
させる方法として、半導体ウエハに付着した水滴を、一
度凍結させた後に、減圧下で昇華させる方法が知られて
いる（特開昭６２−１６９４２０号公報、特開昭６３−
２２２４３３号公報）。Conventionally, as a method for drying a semiconductor wafer with water droplets attached to it, there is a known method in which the water droplets attached to the semiconductor wafer are once frozen and then sublimated under reduced pressure (Japanese Patent Laid-Open No. 169420/1982). Publication, JP-A-63-
222433).
【０００４】図４は、かかる乾燥方法を用いて半導体ウ
エハに付着した水滴を除去するときの、この水滴の状態
変化を説明するための水の状態図である。FIG. 4 is a state diagram of water for explaining changes in the state of water droplets when they are removed from a semiconductor wafer using such a drying method.
【０００５】洗浄時に半導体ウエハに付着した水滴は、
液相の状態にある。ここで、このときの水滴の温度をＴ
１０とし、圧力を７６０Ｔｏｒｒ（１気圧）とすると、
この水滴の状態はＳ１０で表される。Water droplets that adhere to semiconductor wafers during cleaning are
It is in a liquid phase. Here, the temperature of the water droplet at this time is T
10 and the pressure is 760 Torr (1 atmosphere),
The state of this water droplet is represented by S10.
【０００６】次に、処理室内で半導体ウエハを水の凝固
点（ここでは零度）よりも低い温度Ｔ１１まで低下させ
ると、この水滴の状態は、Ｓ１１で示すように、固相と
なる（すなわち、水滴は凍結する）。[0006] Next, when the semiconductor wafer is lowered to a temperature T11 lower than the freezing point of water (here, zero degrees) in the processing chamber, the state of the water droplets becomes a solid phase as shown at S11 (that is, the water droplets (freezes).
【０００７】その後、この処理室の雰囲気ガスを真空ポ
ンプで引くことにより、処理室内の圧力を、昇華曲線Ａ
Ｂよりも下の値となるまで低下させると、この水滴は気
相となって昇華する。例えば、処理室内の圧力をＰ１２
まで低下させると、この水滴の状態はＳ１２に移り、昇
華が行われるのである。この昇華によって発生した水蒸
気は、真空ポンプにより、処理室外へ排出される。[0007] Thereafter, by drawing the atmospheric gas in the processing chamber with a vacuum pump, the pressure inside the processing chamber is adjusted to the sublimation curve A.
When the temperature is lowered to a value below B, the water droplets turn into a gas phase and sublimate. For example, if the pressure inside the processing chamber is P12
When the water droplet is lowered to a certain level, the state of the water droplet moves to S12, and sublimation is performed. The water vapor generated by this sublimation is discharged outside the processing chamber by a vacuum pump.
【０００８】かかる方法には、水滴の昇華により発生し
た水蒸気を真空ポンプで処理室外へ排出するときに、こ
の水蒸気と併せて、水滴内に混入していた異物も処理室
外へ排出することができるという利点がある。すなわち
、洗浄水に混入していた異物が汚染物として半導体ウエ
ハの表面に残留することを防止することができるのであ
る。[0008] In this method, when water vapor generated by sublimation of water droplets is discharged outside the processing chamber using a vacuum pump, foreign matter mixed in the water droplets can also be discharged out of the processing chamber along with this water vapor. There is an advantage. That is, it is possible to prevent foreign matter mixed into the cleaning water from remaining as a contaminant on the surface of the semiconductor wafer.
【０００９】また、半導体ウエハの乾燥を低温下で行な
うので、水滴中のＨ２ Ｏ２ と半導体ウエハ中のＳｉ
とが反応することを防止することができるという利点も
ある。Furthermore, since the semiconductor wafer is dried at a low temperature, the H2O2 in the water droplets and the Si in the semiconductor wafer are
It also has the advantage of being able to prevent reactions between the two.
【００１０】0010
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな乾燥方法においては、凍結した水滴を昇華させる際
に、昇華の速度が遅いという課題があった。[Problems to be Solved by the Invention] However, in such a drying method, there is a problem that the rate of sublimation is slow when sublimating frozen water droplets.
【００１１】これは、本発明者等の検討によれば、昇華
熱として半導体ウエハの表面の熱エネルギーが消費され
るため、この半導体ウエハの温度が低下し（したがって
水滴の温度が低下し）、水滴の状態が気相から固相へ戻
ってしまうためであると思われる。すなわち、昇華が開
始される際の水滴が、図４にＳ１２で示した状態（すな
わち、気相）であっても、半導体ウエハの表面の温度が
低下して、昇華点よりも低くなることにより、Ｓ１３で
示したように、固相に戻ってしまうのである。したがっ
て、見かけ上水滴の昇華は行われなくなってしまう。こ
こで、処理室内の圧力が真空ポンプによってさらに低下
すると、水滴の状態は、図４にＳ１４で示したように再
び気相となり、これによって水滴の昇華が再開される。
しかし、昇華が再開されると、半導体ウエハの表面の温
度はさらに低下するので、Ｓ１５で示したように、水滴
は固相に戻ってしまう。このように、半導体ウエハの表
面に付着した水滴は、固相から気相への状態変化と気相
から固相への状態変化とを交互に繰り返すので、昇華を
断続的にしか行なうことができず、これにより、昇華の
速度が遅くなるのである。According to studies by the present inventors, this is because thermal energy on the surface of the semiconductor wafer is consumed as heat of sublimation, so the temperature of the semiconductor wafer decreases (therefore, the temperature of the water droplets decreases). This seems to be because the state of the water droplets returns from the gas phase to the solid phase. In other words, even if the water droplets are in the state shown in S12 in FIG. 4 (i.e., gas phase) when sublimation starts, the temperature of the surface of the semiconductor wafer decreases and becomes lower than the sublimation point. , as shown in S13, it returns to the solid phase. Therefore, apparently no sublimation of the water droplets takes place. Here, when the pressure inside the processing chamber is further reduced by the vacuum pump, the state of the water droplets becomes a gas phase again as shown at S14 in FIG. 4, and sublimation of the water droplets is thereby restarted. However, when sublimation is restarted, the temperature of the surface of the semiconductor wafer further decreases, so that the water droplets return to the solid phase as shown in S15. In this way, water droplets adhering to the surface of a semiconductor wafer alternately change state from solid phase to gas phase and from gas phase to solid phase, so sublimation can only occur intermittently. First, this slows down the rate of sublimation.
【００１２】また、本発明者等の検討によれば、昇華の
速度が遅くなる理由として、真空ポンプによる真空引き
を開始してから昇華が開始されるまでの時間（すなわち
、処理室内の圧力が昇華曲線ＡＢよりも下の値となるま
での時間）が長いことも、挙げることができる。[0012] According to the studies of the present inventors, the reason why the speed of sublimation is slow is that the time from the start of evacuation by the vacuum pump until the start of sublimation (that is, the pressure inside the processing chamber is Another factor that can be mentioned is that it takes a long time to reach a value below the sublimation curve AB.
【００１３】半導体ウエハの表面に付着した水滴を迅速
且つ完全に凍結させるためには、液滴の温度を十分に低
くしなければならない。しかし、図４の昇華曲線ＡＢか
ら解るように、水滴の温度が低い場合ほど、水滴が固相
から気相へ移る圧力は小さくなるので、処理室をこの圧
力まで減圧するために要する時間が長くなり、したがっ
て、半導体ウエハの乾燥に要する時間が全体として長く
なってしまうのである。[0013] In order to quickly and completely freeze water droplets adhering to the surface of a semiconductor wafer, the temperature of the droplets must be sufficiently low. However, as can be seen from the sublimation curve AB in Figure 4, the lower the temperature of the water droplets, the lower the pressure at which the water droplets move from the solid phase to the gas phase, so the time required to reduce the pressure in the processing chamber to this pressure increases. Therefore, the time required to dry the semiconductor wafer becomes longer as a whole.
【００１４】さらに、上述のごとき従来の乾燥方法には
、半導体ウエハを乾燥させた後、処理室外に搬出したと
きに、この半導体ウエハの表面が結露してしまうという
課題もあった。これは、半導体ウエハの表面温度を低下
させることにより、半導体ウエハの表面温度と外気の温
度との差が激しくなるためである。このため、半導体ウ
エハを乾燥させても、その後処理室外に搬出したときに
、再び水滴が付着してしまうこととなる。なお、乾燥前
の半導体ウエハに付着している水滴の量が大きいほど、
昇華熱による半導体ウエハの温度低下は顕著となり、し
たがって、この課題も重要なものとなる。Furthermore, the conventional drying method as described above has the problem that dew condensation occurs on the surface of the semiconductor wafer when the semiconductor wafer is dried and then transported out of the processing chamber. This is because lowering the surface temperature of the semiconductor wafer increases the difference between the surface temperature of the semiconductor wafer and the temperature of the outside air. Therefore, even if the semiconductor wafer is dried, water droplets will adhere to it again when it is subsequently carried out of the processing chamber. Note that the larger the amount of water droplets attached to the semiconductor wafer before drying,
The temperature of the semiconductor wafer decreases significantly due to heat of sublimation, and therefore this issue also becomes important.
【００１５】本発明は、このような従来技術の課題に鑑
みて試されたものであり、被処理物の乾燥を迅速かつ確
実に行なうことができる、被処理物の乾燥方法を提供す
ることを目的とする。[0015] The present invention has been attempted in view of the problems of the prior art, and aims to provide a method for drying a workpiece that can quickly and reliably dry the workpiece. purpose.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】第１の発明に係わる被処
理物の乾燥方法は、被処理物に付着した液滴を冷却して
凍結させた後に、凍結したこの液滴を減圧下で昇華させ
ることにより、前記被処理物を乾燥させる被処理物の乾
燥方法において、前記凍結した液滴を減圧下で昇華させ
る際に、この凍結した液滴の温度を、この液滴の昇華点
よりも低くならないように制御することを特徴とする。[Means for Solving the Problems] A method for drying a workpiece according to the first invention cools and freezes droplets attached to a workpiece, and then sublimates the frozen droplets under reduced pressure. In the method for drying the object to be processed, when the frozen droplets are sublimated under reduced pressure, the temperature of the frozen droplets is lower than the sublimation point of the droplets. It is characterized by being controlled so that it does not become low.
【００１７】また、第２の発明に係わる被処理物の乾燥
方法は、被処理物に付着した液滴を第１の温度まで冷却
して凍結させた後に、凍結したこの液滴を減圧下で昇華
させることにより、前記被処理物を乾燥させる被処理物
の乾燥方法において、前記凍結した液滴の温度を、前記
第１の温度よりも高く、且つ、この液滴の融解点よりも
低い第２の温度まで上昇させた後に、減圧下で昇華させ
ることを特徴とする。[0017] Furthermore, in the method of drying the object to be treated according to the second invention, after the droplets adhering to the object to be treated are cooled to a first temperature and frozen, the frozen droplets are dried under reduced pressure. In the method of drying the object to be processed by drying the object by sublimation, the temperature of the frozen droplet is set to a temperature higher than the first temperature and lower than the melting point of the droplet. It is characterized by subliming under reduced pressure after raising the temperature to 2.
【００１８】これらの発明においては、半導体ウエハの
温度を処理室の外部温度よりも高い温度まで昇温した後
に、この半導体ウエハを前記処理室から搬出することが
望ましい。[0018] In these inventions, it is desirable that the temperature of the semiconductor wafer be raised to a temperature higher than the external temperature of the processing chamber before the semiconductor wafer is carried out of the processing chamber.
【００１９】[0019]
【作用】第１の発明によれば、被処理物に付着した液滴
を、凝固点よりも低い温度まで冷却することにより凍結
させた後で昇華させる際に、この液滴の温度が昇華点よ
りも低くならないように制御することにより、この液滴
が気相から再度固相へ戻ることを防止することができる
。[Operation] According to the first invention, when the droplets attached to the object to be treated are sublimated after being frozen by cooling them to a temperature lower than the freezing point, the temperature of the droplets is lower than the sublimation point. By controlling the droplets so that they do not become too low, it is possible to prevent the droplets from returning from the gas phase to the solid phase.
【００２０】第２の発明によれば、被処理物に付着した
液滴を、凝固点よりも低い第１の温度まで冷却すること
により凍結させ、さらに、凍結した液滴の温度を第１の
温度よりも高く且つ液滴の融点よりも低い第２の温度ま
で昇温させ、その後、処理室内を減圧することにより、
より高い圧力で液滴が固相から気相に移るようにし、こ
れによって、減圧が開始されてから昇華が始まるまでの
時間を短縮することができる。According to the second invention, the droplets attached to the object to be treated are frozen by cooling them to a first temperature lower than the freezing point, and further, the temperature of the frozen droplets is lowered to the first temperature. By raising the temperature to a second temperature higher than the temperature and lower than the melting point of the droplets, and then reducing the pressure inside the processing chamber,
The higher pressure allows the droplets to move from the solid phase to the gas phase, thereby reducing the time from the start of depressurization to the start of sublimation.
【００２１】また、これらの発明において、半導体ウエ
ハの乾燥が終了した後に、温度を処理室の外部温度より
も高い温度まで昇温させてから、この処理室から搬出す
ることにより、処理室から搬出した際の結露を防止する
ことができる。Furthermore, in these inventions, after the drying of the semiconductor wafer is completed, the temperature is raised to a temperature higher than the external temperature of the processing chamber, and then the semiconductor wafer is carried out from the processing chamber. It is possible to prevent condensation when
【００２２】[0022]
【実施例】以下、本発明方法の一実施例として、本発明
の被処理物の乾燥方法を、純水で洗浄された半導体ウエ
ハを乾燥させるために使用する場合について説明する。EXAMPLE As an example of the method of the present invention, a case will be described below in which the method of drying a processed object of the present invention is used to dry a semiconductor wafer that has been cleaned with pure water.
【００２３】図１は、本実施例に係わる半導体ウエハの
乾燥方法を実施するための処理装置の構成を概略的に示
す概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram schematically showing the configuration of a processing apparatus for carrying out the semiconductor wafer drying method according to this embodiment.
【００２４】図に示したように、処理室１は、ゲート２
を有しており、このゲート２から半導体ウエハ１０の搬
入および搬出が行なわれる。なお、半導体ウエハ１０は
、キャリア１１に保持された状態で、処理室１内に搬入
される。As shown in the figure, the processing chamber 1 has a gate 2
The semiconductor wafer 10 is loaded and unloaded from this gate 2. Note that the semiconductor wafer 10 is carried into the processing chamber 1 while being held by the carrier 11.
【００２５】また、この処理室１は、バルブ３を介して
真空ポンプ（図示せず）とつながれている。この真空ポ
ンプで真空引きを行なうことによって、処理室内の減圧
が行なわれる。なお、このときの処理室１内の圧力は、
圧力ゲージ９によって測定することができる。Further, the processing chamber 1 is connected to a vacuum pump (not shown) via a valve 3. By evacuating with this vacuum pump, the pressure inside the processing chamber is reduced. Note that the pressure inside the processing chamber 1 at this time is
It can be measured by a pressure gauge 9.
【００２６】さらに、処理室１は、バルブ４を介して液
体窒素源（図示せず）とつながれており、このバルブ４
を開くことにより、処理室１内に低温窒素ガスを流入さ
せることができる。なお、この低温窒素ガスは、洗浄工
程後、半導体ウエハ１０の表面に付着している水滴状液
体を凍結させるために使用される。Further, the processing chamber 1 is connected to a liquid nitrogen source (not shown) via a valve 4.
By opening it, low-temperature nitrogen gas can flow into the processing chamber 1. Note that this low-temperature nitrogen gas is used to freeze droplet-like liquid adhering to the surface of the semiconductor wafer 10 after the cleaning process.
【００２７】赤外線ランプ６が発する赤外光は、ガラス
窓５を介して半導体ウエハ１０に照射される。これによ
り、この半導体ウエハ１０の表面に付着した凍結水滴の
温度を上昇させることができる。Infrared light emitted by the infrared lamp 6 is irradiated onto the semiconductor wafer 10 through the glass window 5. Thereby, the temperature of the frozen water droplets adhering to the surface of the semiconductor wafer 10 can be increased.
【００２８】温度センサ７は、半導体ウエハ１０の近傍
に設置されており、この半導体ウエハ１０の温度を測定
するために使用される。この温度センサ７を用いて測定
した半導体ウエハ１０の温度（すなわち、水滴の温度）
に基づいて、温度コントローラ８で、赤外線ランプ６の
発光強度を制御することにより、半導体ウエハ１０の温
度制御を行うことができる。The temperature sensor 7 is installed near the semiconductor wafer 10 and is used to measure the temperature of the semiconductor wafer 10. The temperature of the semiconductor wafer 10 measured using this temperature sensor 7 (i.e., the temperature of the water droplet)
The temperature of the semiconductor wafer 10 can be controlled by controlling the emission intensity of the infrared lamp 6 with the temperature controller 8 based on the above.
【００２９】以下、図１に示した処理装置を用いて半導
体ウエハ１０を乾燥させる手順について、図２を参照し
つつ説明する。The procedure for drying the semiconductor wafer 10 using the processing apparatus shown in FIG. 1 will be described below with reference to FIG. 2.
【００３０】まず、純水で洗浄された直後の半導体ウエ
ハ１０をキャリア１１で保持させ、ゲート２を開いて、
このキャリア１１を処理室１内に搬入する。キャリア１
１を処理室１内の所定の位置に設置した後、ゲート２を
閉じる。半導体ウエハ１０の表面には、洗浄に使用され
た純水が、水滴として付着している。このとき、処理室
内は１気圧であり、半導体ウエハ１０に付着した水滴の
温度は常温Ｔ１ であるものとする。この状態を、図２
にＳ１ で表わす。First, the semiconductor wafer 10 that has just been cleaned with pure water is held by the carrier 11, and the gate 2 is opened.
This carrier 11 is carried into the processing chamber 1. career 1
1 is installed at a predetermined position in the processing chamber 1, the gate 2 is closed. Pure water used for cleaning adheres to the surface of the semiconductor wafer 10 in the form of water droplets. At this time, it is assumed that the inside of the processing chamber is at 1 atmosphere, and the temperature of the water droplets adhering to the semiconductor wafer 10 is room temperature T1. This state is shown in Figure 2.
is expressed as S1.
【００３１】次に、バルブ４を開いて、処理室１内に低
温窒素ガスを流入させる。本実施例では、この低温窒素
ガスの温度を、零下２３度とする。半導体ウエハの表面
に付着した水滴の温度は、この低温窒素ガスにより、図
２にＳ２ で示したように、零下２３度まで急激に低下
する。これにより、この水滴を瞬時に凍結させることが
できる。なお、水滴を零下２３度まで冷却することとし
たのは、霧状の水分を迅速に且つ完全に凍結させるため
には、温度を十分に低くする必要があるからである。凍
結が終了すると、バルブ４を閉じて低温窒素ガスの流入
を終了する。Next, the valve 4 is opened to allow low-temperature nitrogen gas to flow into the processing chamber 1. In this embodiment, the temperature of this low-temperature nitrogen gas is 23 degrees below zero. Due to this low-temperature nitrogen gas, the temperature of the water droplets adhering to the surface of the semiconductor wafer is rapidly lowered to -23 degrees Celsius, as shown at S2 in FIG. This allows the water droplets to be instantly frozen. The reason why the water droplets were cooled to -23 degrees is that the temperature needs to be sufficiently low in order to quickly and completely freeze the water mist. When freezing ends, the valve 4 is closed to end the inflow of low-temperature nitrogen gas.
【００３２】続いて、赤外線ランプ６の発光を開始し、
赤外光を半導体ウエハ１０に照射することにより、半導
体ウエハ１０の温度を上昇させる。本実施例では、半導
体ウエハ１０の温度を、図２にＳ３ で示したように、
零下５度まで上昇させることとする。これにより、後に
処理室１内を減圧した際に、水滴の昇華熱によって、水
滴が気相から液相に戻ってしまうことを防止することが
でき、また、水滴が固相から気相に移る圧力を高くする
ことができるので（図２の昇華曲線ＡＢ参照）、昇華に
要する速度を速くすることができる。ここで、水滴の温
度が零度を越えると水滴の一部が融解してしまうので、
半導体ウエハ１０の温度が零下５度付近で一定するよう
に、温度センサ７と温度コントローラ８とを用いて、赤
外線ランプ６の発光強度を制御する。Next, the infrared lamp 6 starts emitting light,
By irradiating the semiconductor wafer 10 with infrared light, the temperature of the semiconductor wafer 10 is increased. In this embodiment, the temperature of the semiconductor wafer 10 is as shown by S3 in FIG.
The temperature will rise to -5 degrees. This can prevent the water droplets from returning from the gas phase to the liquid phase due to the sublimation heat of the water droplets when the pressure inside the processing chamber 1 is reduced later, and also prevent the water droplets from returning from the solid phase to the gas phase. Since the pressure can be increased (see sublimation curve AB in FIG. 2), the speed required for sublimation can be increased. Here, if the temperature of the water droplets exceeds zero degrees, some of the water droplets will melt, so
The emission intensity of the infrared lamp 6 is controlled using the temperature sensor 7 and the temperature controller 8 so that the temperature of the semiconductor wafer 10 is constant around 5 degrees below zero.
【００３３】温度が一定になると、ゲート３を開いて、
処理室１内の真空引きを開始する。処理室１内の圧力が
低下し、昇華曲線ＡＢ上の点Ｓ４ （昇華点）よりも低
圧側に達すると、凍結した水滴の昇華が開始される。な
お、温度制御は、このときも、引き続き行われる。When the temperature becomes constant, gate 3 is opened and
Vacuuming of the processing chamber 1 is started. When the pressure in the processing chamber 1 decreases and reaches a pressure lower than point S4 (sublimation point) on the sublimation curve AB, sublimation of the frozen water droplets starts. Note that temperature control is continued at this time as well.
【００３４】また、真空引きの開始と同時に、圧力ゲー
ジ９による処理室１内の圧力の測定を開始する。この圧
力ゲージ９によって、処理室１内の圧力の経時変化を測
定することにより、水滴の昇華が終了したか否かを判断
することができる。[0034] Simultaneously with the start of evacuation, measurement of the pressure inside the processing chamber 1 using the pressure gauge 9 is started. By measuring the change in pressure within the processing chamber 1 over time using the pressure gauge 9, it is possible to determine whether or not the sublimation of the water droplets has been completed.
【００３５】この理由について、図３を用いてを説明す
る。図３は、処理室１内の圧力の経時変化を示すグラフ
であり、縦軸は圧力ゲージ９によって測定された処理室
１内の圧力、横軸は真空引きを開始してからの経過時間
である。The reason for this will be explained using FIG. 3. FIG. 3 is a graph showing changes in the pressure within the processing chamber 1 over time, where the vertical axis represents the pressure within the processing chamber 1 measured by the pressure gauge 9, and the horizontal axis represents the elapsed time after evacuation was started. be.
【００３６】半導体ウエハ１０に付着した水滴が昇華し
ている最中は、この昇華によって水蒸気が発生するため
、処理室１内の圧力は緩やかに低下する。これに対して
、水滴の昇華が終了すると、もはや水蒸気は発生しない
ため、処理室１内の圧力の変化は激しくなる。したがっ
て、処理室１内の圧力の変化が激しくなったことを観察
することにより、水滴の昇華が終了したと判断すること
ができるのである。この圧力の変化は圧電センサにより
検出することができる。While the water droplets adhering to the semiconductor wafer 10 are sublimating, water vapor is generated by the sublimation, so the pressure in the processing chamber 1 gradually decreases. On the other hand, once the sublimation of the water droplets is completed, water vapor is no longer generated, so the pressure within the processing chamber 1 changes rapidly. Therefore, by observing that the pressure within the processing chamber 1 has drastically changed, it can be determined that the sublimation of the water droplets has ended. This change in pressure can be detected by a piezoelectric sensor.
【００３７】半導体ウエハ１０に付着した水滴の昇華が
終了すると、バルブ３を閉じて、真空引きを終了する。When the sublimation of the water droplets adhering to the semiconductor wafer 10 is completed, the valve 3 is closed and the evacuation is completed.
【００３８】次に、温度コントローラ８の設定温度を変
更し、半導体ウエハ１０の温度を、常温Ｔ２ よりも若
干高い温度であるＴ３ まで上昇させる（図２参照）。
このように、水滴の昇華後に、半導体ウエハ１０の温度
を、外気の温度よりも若干高い温度とすることにより、
後に半導体ウエハ１０を処理室１の外に搬出した際に、
半導体ウエハ１０の表面が結露することを防止すること
ができる。Next, the set temperature of the temperature controller 8 is changed to raise the temperature of the semiconductor wafer 10 to a temperature T3 which is slightly higher than the room temperature T2 (see FIG. 2). In this way, by setting the temperature of the semiconductor wafer 10 to a temperature slightly higher than the temperature of the outside air after the water droplets sublimate,
Later, when the semiconductor wafer 10 is carried out of the processing chamber 1,
It is possible to prevent dew condensation on the surface of the semiconductor wafer 10.
【００３９】半導体ウエハ１０の温度がＴ３ に達する
と、図示していない手段により常温の窒素ガスを流入さ
せ、処理室１内の圧力を大気圧に戻す。When the temperature of the semiconductor wafer 10 reaches T3, nitrogen gas at room temperature is introduced by means not shown, and the pressure inside the processing chamber 1 is returned to atmospheric pressure.
【００４０】最後に、ゲート２を開いて、半導体ウエハ
１０を、キャリア１１に保持させたまま、処理室１の外
へ搬出し、半導体ウエハ１０の乾燥処理を終了する。Finally, the gate 2 is opened and the semiconductor wafer 10 is carried out of the processing chamber 1 while being held by the carrier 11, thereby completing the drying process of the semiconductor wafer 10.
【００４１】なお、本発明は、以上説明した実施例に限
定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲内で
適宜変更して実施できることはもちろんである。It should be noted that the present invention is not limited to the embodiments described above, and it goes without saying that the present invention can be practiced with appropriate modifications within the scope of not changing the gist thereof.
【００４２】例えば、本実施例では、半導体ウエハ１０
に付着した水滴を零下２３度で凍結させた後、この液滴
を零下５度になるまでまで加熱してから真空引きを開始
したが、まず真空引きを開始して、凍結した水滴の昇華
が始まってから加熱を行なってもよく、また、真空引き
と加熱とを同時に開始してもよい。これらの方法によっ
ても、従来の乾燥方法と比べれば、乾燥に要する時間を
十分に短くすることが可能である。For example, in this embodiment, the semiconductor wafer 10
After freezing the water droplets attached to the surface at -23 degrees Celsius, the droplets were heated to -5 degrees Celsius and then vacuuming was started. Heating may be performed after the heating has started, or evacuation and heating may be started at the same time. These methods also allow the time required for drying to be sufficiently shortened compared to conventional drying methods.
【００４３】また、本実施例では水滴の凍結と昇華とを
同じ処理室内で行なったが、これらを別々の処理室で行
なってもよい。ここで、昇華を行なうための処理室をあ
らかじめ真空引きしておき、その後、半導体ウエハ１０
をこの処理室に搬入することとすれば、昇華に要する時
間をさらに短縮することができる。ただし、この場合、
昇華を行うための処理室のゲートを開いたときに生じる
急激な空気の流れによって半導体ウエハ１０に歪み等が
生じる場合があるので、注意すべきである。Further, in this embodiment, freezing and sublimation of water droplets were performed in the same processing chamber, but these may be performed in separate processing chambers. Here, the processing chamber for sublimation is evacuated in advance, and then the semiconductor wafer 10 is
The time required for sublimation can be further shortened by transporting the sublimation into this processing chamber. However, in this case,
Care should be taken because the semiconductor wafer 10 may be distorted due to the sudden flow of air that occurs when the gate of the processing chamber for sublimation is opened.
【００４４】加えて、本実施例では、ガラス窓５を介し
て赤外光を照射することにより、半導体ウエハ１０を加
熱することとしたが、赤外線ランプ６を処理室１内に設
けることも可能である。また、加熱手段としては、赤外
線ランプ６以外のものを使用してもよい。In addition, in this embodiment, the semiconductor wafer 10 is heated by irradiating infrared light through the glass window 5, but it is also possible to provide an infrared lamp 6 inside the processing chamber 1. It is. Further, as the heating means, a device other than the infrared lamp 6 may be used.
【００４５】さらに、本実施例では、半導体ウエハ１０
に付着した水滴を除去する場合について説明したが、他
の液体であっても同様の効果を得ることができることも
もちろんである。また、液晶製造工程での液晶基板でも
マスク製造工程のマスク等液体の乾燥であれば何れにも
適用できる。さらに上記実施例では洗浄後の乾燥の例に
ついて説明したが、液体の乾燥であれば水滴，液膜を問
わず適用できる。Furthermore, in this embodiment, the semiconductor wafer 10
Although the case of removing water droplets attached to a liquid has been described, it goes without saying that the same effect can be obtained using other liquids. Further, it can be applied to any liquid drying process, such as a liquid crystal substrate in a liquid crystal manufacturing process or a mask in a mask manufacturing process. Further, in the above embodiments, an example of drying after washing has been described, but the present invention can be applied to drying a liquid regardless of whether it is a water droplet or a liquid film.
【００４６】[0046]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の被
処理物の乾燥方法によれば、被処理体の乾燥に要する時
間を短縮することができると共に、乾燥させた被処理物
を処理室から搬出する際の被処理物の結露を防止するこ
とができる。Effects of the Invention As explained above in detail, according to the method for drying the object to be processed of the present invention, the time required for drying the object to be processed can be shortened, and the dried object to be processed can be processed. It is possible to prevent dew condensation on the object to be processed when it is carried out from the chamber.
【図１】本発明の１実施例に係わる被処理体の乾燥方法
を実施するための処理装置の構成を概略的に示す概念図
である。FIG. 1 is a conceptual diagram schematically showing the configuration of a processing apparatus for carrying out a method of drying an object to be processed according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の１実施例に係わる被処理物の乾燥方法
を説明するための水の状態図である。FIG. 2 is a state diagram of water for explaining a method of drying an object to be treated according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の１実施例に係わる被処理物の乾燥方法
における、処理室内の圧力の経時変化を示すグラフであ
る。FIG. 3 is a graph showing a change in pressure within a processing chamber over time in a method for drying an object to be processed according to an embodiment of the present invention.
【図４】従来の被処理物の乾燥方法を説明するための水
の状態図である。FIG. 4 is a state diagram of water for explaining a conventional method of drying an object to be treated.
１ 処理室 ２ ゲート ３，４ バルブ ５ ガラス窓 ６ 赤外線ランプ ７ 温度センサ ８ 温度コントローラ ９ 圧力ゲージ １０ 半導体ウエハ １１ キャリア 1 Processing room 2 Gate 3,4 Valve 5 Glass window 6 Infrared lamp 7 Temperature sensor 8 Temperature controller 9 Pressure gauge 10 Semiconductor wafer 11 Career
Claims (3)
結させた後に、凍結したこの液滴を減圧下で昇華させる
ことにより、前記被処理物を乾燥させる被処理物の乾燥
方法において、前記凍結した液滴を減圧下で昇華させる
際に、この凍結した液滴の温度を、この液滴の前記減圧
下における昇華点よりも低くならないように制御するこ
とを特徴とする被処理物の乾燥方法。1. A method for drying a workpiece, which comprises cooling and freezing droplets attached to the workpiece, and then sublimating the frozen droplets under reduced pressure to dry the workpiece. , when sublimating the frozen droplets under reduced pressure, the temperature of the frozen droplets is controlled so as not to be lower than the sublimation point of the droplets under the reduced pressure. drying method.
まで冷却して凍結させた後に、凍結したこの液滴を減圧
下で昇華させることにより、前記被処理物を乾燥させる
被処理物の乾燥方法において、前記凍結した液滴の温度
を、前記第１の温度よりも高く、且つ、この液滴の融解
点よりも低い第２の温度まで上昇させた後に、減圧下で
昇華させることを特徴とする被処理物の乾燥方法。2. A process for drying the process object by cooling droplets attached to the process object to a first temperature and freezing the process object, and then sublimating the frozen droplets under reduced pressure. In the method for drying a product, the temperature of the frozen droplets is raised to a second temperature higher than the first temperature and lower than the melting point of the droplets, and then sublimated under reduced pressure. A method for drying a processed material, characterized by:
理物の乾燥方法において、被処理物の温度を処理室の外
部温度よりも高い温度まで昇温した後に、この被処理物
を前記処理室から搬出することを特徴とする被処理物の
乾燥方法。3. In the method for drying a workpiece according to claim 1 or 2, after raising the temperature of the workpiece to a temperature higher than the external temperature of the processing chamber, the workpiece is A method for drying an object to be processed, characterized by carrying it out from a processing chamber.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41584790A JPH04242930A (en) | 1990-12-29 | 1990-12-29 | Method for drying object to be treated |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41584790A JPH04242930A (en) | 1990-12-29 | 1990-12-29 | Method for drying object to be treated |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04242930A true JPH04242930A (en) | 1992-08-31 |
Family
ID=18524123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41584790A Withdrawn JPH04242930A (en) | 1990-12-29 | 1990-12-29 | Method for drying object to be treated |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04242930A (en) |
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- 1990-12-29 JP JP41584790A patent/JPH04242930A/en not_active Withdrawn
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