JPH04229990A - 低電源線公害電力制御回路 - Google Patents

低電源線公害電力制御回路

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JPH04229990A
JPH04229990A JP3177800A JP17780091A JPH04229990A JP H04229990 A JPH04229990 A JP H04229990A JP 3177800 A JP3177800 A JP 3177800A JP 17780091 A JP17780091 A JP 17780091A JP H04229990 A JPH04229990 A JP H04229990A
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JP
Japan
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power
load
loads
power semiconductor
semiconductor unit
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Application number
JP3177800A
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English (en)
Inventor
Reinhard Kersten
ラインハルド　ケルステン
Martin Sonnek
マルチン　ゾンネック
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of JPH04229990A publication Critical patent/JPH04229990A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/735—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors

Landscapes

  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電力半導体ユニットと、
スイッチング素子と、負荷の電力消費を調整する制御ユ
ニットとを具え、少なくとも２つの負荷の低電源線公害
電力を制御する回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】起動電流及びスイッチング電流が極めて
大きく、冷抵抗が極めて低いランプ、特にハロゲンラン
プの制御及び調整には何かと問題がある。その理由はラ
ンプのスイッチングによって電力供給電源線電源に妨害
を与えるからである。電力消費を段階制御するかかるラ
ンプの電力制御を行なうに当たり、例えば２つのランプ
の並列作動、直列作動及びオフ状態のような電源線電力
モードを切換えること、又は電源線電力モードを特定の
時間間隔だけターンオンすることは既知である。負荷を
ターンオンする場合には不所望なスイッチングサージが
発生し、これにより関連する電源線電圧変動を生ずるよ
うになる。
【０００３】人間の眼は１０Ｈｚ前後の周波数範囲にお
いてかかる電源線電圧変動に特に敏感である。これがた
め、関連する装置に対し、ＩＥＣ　スタンダード５５５
　”　家庭電気器械により生ずる給電システムの妨害”
　のような極めて僅かなスイッチング過渡に関する規制
がある。原理的にはこのスタンダードによって高調波を
５０Ｈｚ以上に規定すると共に電源線電圧変動を５０Ｈ
ｚ以下にして不所望なフリッカが生ずるのを防止するよ
うにしている。具体的には、これは電源線電力モード間
の短いスイッチング時間での電力制御が高い負荷、例え
ば１０００Ｗ　の負荷に対しては最早や不可能となるこ
とを意味する。その理由は、この場合電源線電圧変動が
最早や許容し得なくなるからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これがため、例えば高
出力ランプを直列又は並列作動で直接全電力に自動的に
設定することはできない。更に、電力を供給電圧の電力
以下に低減させるために、例えばランプの直列作動時に
供給電圧を低くする必要がある。又、切換モードの電力
供給を行なうことは通常行われているが、この場合極め
て複雑且つ高価となる。又、供給電圧の個別の位相を抑
圧することも考えられるが、この場合にも電源線電圧が
妨害されるようになる。
【０００５】ドイツ国公開特許第３７２６５３５号には
３個のトライアック又は６個のサイリスタを用いる複雑
な回路を用いて電気負荷を最小のスイッチング過渡で電
力制御する方法が記載されている。例えば、２つの負荷
の場合、この回路によって種々のスイッチングモードで
の制御、即ち２つの負荷を個別に、並列に又は直列に制
御することができる。この場合、かかる回路は使用する
多数の電力半導体装置のため複雑且つ高価な電子制御装
置を必要とし、且つ自己トリガし易く、従って電力半導
体装置が損傷するようになる。
【０００６】ここに言うスイッチング状態及び電源線電
源半サイクルパターンとは、スイッチングモードと同様
のことを意味するものとする。本発明の目的は技術的に
簡単で、従って小型調理器、アイロン、調理容器等小型
家庭電気器械に経済的に使用し得る低電源線電源公害の
電力制御回路を提供せんとするにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は電力半導体ユニ
ットと、スイッチング素子と、負荷の電力消費を調整す
る制御ユニットとを具え、少なくとも２つの負荷の低電
源線公害電力を制御する回路において、前記制御ユニッ
トによって２つのスイッチング方向に対し電力半導体ユ
ニットを制御すると共に１つ又は２つの負荷を前記スイ
ッチング素子を経て単一電力半導体ユニットに接続する
ようにしたことを特徴とする。
【０００８】本発明の好適な例では、前記電力半導体ユ
ニットは接地電位点に接続された第１端子側及び一方の
負荷に接続されると共にスイッチング素子を経て他方の
負荷に接続された第２端子側を有するようにする。
【０００９】本発明の有利な例では、　　前記電力半導
体ユニットは１つのトライアック又は逆並列接続サイリ
スタを具え、前記スイッチング素子は第１及び第２切換
スイッチを有する単一リレーを具えるようにする。
【００１０】本発明の好適な例では、前記リレーの第１
位置では電力半導体ユニットは一方の負荷、接続ライン
、第２切換スイッチ及び他方の負荷を経て供給電圧の位
相端子に接続し、前記リレーの第２位置では電力半導体
ユニットは一方の負荷及び第１切換スイッチを経て供給
電圧の前記位相端子に接続し、前記他方の負荷は前記電
力半導体ユニット、前記第１負荷及び前記第１切換スイ
ッチに並列に接続う得るようにする。
【００１１】本発明の更に好適な例では、半導体ユニッ
ト及び並列接続の２つの負荷を具える直列配置をスイッ
チング素子によって容易に得ることができる。
【００１２】本発明の更に好適な例ではリレーを具える
スイッチング素子によって前記負荷を電子制御ユニット
に依存し負荷を直列に、及び並列に接続し得るようにす
ると共に前記電力半導体ユニットは供給電圧源と負荷の
１つとの間に配列し、且つ１つのトライアック又は２つ
の逆並列サイリスタを具えるようにする。
【００１３】リレースイッチの接点間の接続ラインには
サーミスタを配列してターンオン過渡を制限するのが有
利である。更に本発明の好適な例では前記制御ユニット
は、マイクロプロセッサの形状の論理装置として構成し
、且つ前記負荷の電力消費の疑似公害のない制御に対し
回路を次の種々のスイッチング状態：ａ）　　供給電圧
により２つの負荷を並列作動させる、ｂ）　　供給電圧
により１つの負荷のみを作動させる、ｃ）　　供給電圧
により１つの負荷のみを作動させると共に他方の負荷を
　２／３、１／３　又は　１／５位相モードで作動させ
る、ｄ）　　パルス化位相でスイッチング状態ｃ）とし
て作動させる、ｅ）　　供給電圧により２つの負荷を直
列で作動させる、ｆ）　　２つの負荷を２／３　、　１
／３又は１／５　位相モードで作動させる、ｇ）　　パ
ルス化位相でスイッチング状態ｆ）として作動させる、
ｈ）　　負荷の双方を“スイッチオフ”状態とする、ｉ
）　　供給電圧により一方の負荷を作動させると共に他
方の負荷の１／３　及び２／３　位相モードでの作動を
地縁させるようにする、ｊ）　　双方の負荷を１／３　
又は１／３　位相モードで作動させる、に設定し得るよ
うにする。
【００１４】スイッチング状態ｂ）及び関連する位相モ
ードは電力半導体ユニットの関連するターンオフによっ
て得るようにする。充分に公害のないターンオンは前記
制御ユニットがスイッチング状態ｆ）、ｅ）及びａ）を
順次に発生させることによって得ることができる。又、
最後に述べたスイッチング状態は、１　つの負荷を供給
電圧源に接続し、他の負荷を電力半導体ユニットを経て
遅延装置に接続するようにしたスイッチング状態ｉ）又
はｊ）によって置換することができる。これがためリレ
ーの無電流切換えを行なうことができる。スイッチング
オンのこの方法は位相制御方法と比較して極めて有利で
ある。その理由は無線周波妨害を抑圧するために簡単で
且つ高価なステップを必要としないからである。
【００１５】唯１個のリレー及び唯１個の電力半導体ユ
ニットを具える本発明回路は、従来の回路と比較するに
構成が極めて簡単であると共に例えば２つの高出力ラン
プをターンオン、ターンアップ及びほぼ妨害のないター
ンダウンを行うことができる。この場合半導体ユニット
によって制御ユニットが故障した場合の損傷を保護する
。又、複数の可能なスイッチング状態及びパルスモード
によっても最小の電力を制御することができる。更に接
地点に対する電力半導体ユニットの配列によって高電圧
トランジスタ及び保護ダイオードを用いることなく、電
力半導体ユニットの簡単な直流結合制御を行なうことが
できる。又、制御ユニットからの直線結合零点制御信号
によって、負荷による影響を受けることなく最も早い可
能な瞬時に電力制御ユニットを信頼性をもって起動させ
ることができる。
【００１６】更に、電力半導体ユニットを唯１個の負荷
に直列に配列する場合には熱消費を低減させることがで
きる。又、制御ユニットの制御中、リレーの動作接点を
経て負荷を直列に配列する他の利点があり、これは故障
時に有利である。その理由は最大可能な電力に到達し得
ないからである。更にリレーの切換スイッチを個別に切
換え得るようにして更に他のスイッチングモードを可能
にし得ることは勿論である。
【００１７】
【実施例】図面につき本発明の実施例を説明する。図１
は本発明による２つのオーミック負荷１１，　１２の電
力制御回路１０を示し、この回路は負荷１１，　１２の
電力消費を行なうことにより最小の電源線公害を有する
と共に負荷は高出力ランプとするのが好適である。この
回路１０は制御ユニットによって駆動すると共に２つの
スイッチング方向を有する電力半導体ユニット１３及び
スイッチング素子３０を具える。スイッチング素子３０
は第１切換スイッチ１５及び第２切換スイッチ１６を有
するリレー１４を具えるのが好適である。
【００１８】作動位置では第１切換スイッチ１５は供給
電圧源の位相端子１７を電力半導体ユニット１３に直列
に配列された第１負荷１１に先ず最初接続する。これら
スイッチ１５及び１６の休止位置では第２負荷１２を第
２切換スイッチ１６の関連する休止接点及び接続ライン
１８を経て第１負荷１１に接続し、この第１負荷を出力
側で電力半導体ユニットに接続し、この電力半導体ユニ
ット１３を接地点に接続する。
【００１９】電力半導体ユニット１３の制御端子１９は
制御信号を受け、この制御信号は例えばトランジスタ２
１及び抵抗２２により例えばマイクロプロセッサの形態
の論理装置から端子２０を経て発生させることができる
。この目的のため、トランジスタ２１のベース信号を鋸
歯状波の信号とする。又、マイクロプロセッサとし得る
と共に他の論理装置ともし得る制御ユニットによってリ
レー１４、従ってスイッチング素子３０を端子２３を介
して接続する。
【００２０】過剰なターンオン過渡を制限するためには
接続ライン１８にサーミスタ２４を配設するのが極めて
有利である。制御ユニットは、回路１０を負荷１１及び
１２の電力消費の疑似公害のない制御に対する種々のス
イッチング状態に設定し得るように構成する。切換スイ
ッチ１５及び１６の位置に依存すると共に電力半導体ユ
ニット１３の制御に依存して、回路は次に示す有利なス
イッチング状態：ａ）　　供給電圧により２つの負荷１
１，　１２を並列作動させる、ｂ）　　供給電圧により
１つの負荷１２のみを作動させる、ｃ）　　供給電圧に
より１つの負荷１２のみを作動させると共に他方の負荷
１１を２／３　、１／３　又は　１／５位相モードで作
動させる、ｄ）　　パルス化位相でスイッチング状態ｃ
）として作動させる、ｅ）　　供給電圧により２つの負
荷１１，１２　を直列で作動させる、ｆ）　　２つの負
荷１１，１２　を２／３　、　１／３又は１／５　位相
モードで作動させる、ｇ）　　パルス化位相でスイッチ
ング状態ｆ）として作動させる、ｈ）　　負荷１１，１
２　の双方を“スイッチオフ”状態とする、ｉ）　　供
給電圧により一方の負荷１２を作動させると共に他方１
１の負荷の１／３　及び２／３　位相モードでの作動を
地縁させるようにする、ｊ）　　双方の負荷１１，１２
　を１／３　又は１／３　位相モードで作動させる、へ
の切換えを行なうことができる。状態ｈ）及び関連する
位相モードは、図６，７及び８につき後に説明するよう
に、電力半導体ユニット１３を好適にターンオフするこ
とにより得ることができる。更に、接地電位は、３相給
電線の中性導体の電位とすることができる。
【００２１】図２は図１の制御回路１０の変形例を示す
。 本例では第２切換スイッチ１６の動作位置を経て接続さ
れた動作接点２５を図１に示すように接点に接続しない
で、電力半導体ユニット１３に接続してスイッチング素
子３０の動作位置並びにリレー１４及びスイッチング接
点１５及び１６の動作位置において、電力半導体ユニッ
ト１３と、並列接続の負荷１１及び１２との直列配置を
得ることができる。
【００２２】この変更例の回路の特定の利点は、リレー
１４の休止位置から動作位置への切換中、又はその逆の
切換中２つの負荷１１及び１２の無電流スイッチングを
行うことができる点である。所望のスイッチング時間及
びリレー１４の接点はね返りのためリレー１４は電子制
御ユニットにより供給電圧の零交差時に切換わり得ると
共に電流を電力半導体ユニット１３により１〜２半サイ
クルに亘って遮断し得るものとすると、この変更例の回
路によってリレー１４を極めて経済的に切換え得、従っ
て、簡単且つ廉価なリレーを使用することができる。し
かし、かかる変更例によれば、電力半導体ユニット１３
の熱発散が一層高くなることも考慮する必要がある。そ
の理由は負荷１１及び１２の並列動作時に全電流が電力
半導体ユニット１３に流れるからである。図１及び２の
電力半導体ユニット１３はトライアック２３を具えるの
が好適である。
【００２３】図３，４及び５は電力半導体ユニット１３
の型式及び配列に関して図１に示す回路１０の種々の変
更例を示す。特に図３は、図１において２つの逆並列サ
イリスタ２７によって構成されたトライアック２９を具
え、従って再び２つの切換方向が可能となる電力半導体
ユニット１３を示す。
【００２４】図４は電力半導体ユニット１３を２部分に
分割した場合を示す。これら２部分の各々はサイリスタ
２７及びこれに逆並列のダイオード２８を具え、一方の
スイッチング方向でスイッチング（切換え）を行うと共
に一方の負荷１１又は他方の負荷１２と直列に配列され
る。この変更例の利点は半導体装置が自己トリガによっ
て破壊され得ない点である。
【００２５】図５は図１に示す回路１０の他の変更例を
示し、電力半導体ユニット１３は再びトライアック２９
を具え、このトライアックを端子１７及び負荷１２間に
配列する。電力半導体ユニット１３の半導体素子の依存
可能なトリガリングのため、本発明制御回路の変更例全
部におけるトリガリングは直流結合零点制御信号により
負荷１１及び１２に影響されることなく、最も早く可能
な瞬時に行うことができる。又、半導体素子のトリガ電
圧が負荷に依存するため、制御により適用し得る短いト
リガパルスの場合にはトリガパルスがシフトするように
なる。従って比較的遅い、特に直流分離トリガリングに
よって無線に干渉を与えると共に追加の構成的な改善を
必要とする。
【００２６】図６は時間軸ｔに沿ってプロットされた１
／３　位相モードにおける基本電圧波形を示す。即ち、
実線で示す各有効半サイクルの後に破線で示す２つの無
効半サイクルが続くようになる。同様にして１／５　位
相モード（図示せず）を得ることができる。
【００２７】図７は図６の１／３　位相モードに関連す
るパルス化電圧波形Ｕを示すが、時間軸ｔは他のスケー
ルにプロットしている。例えば３００ｍｓより広いか又
はこれに等しいターンオンパルス幅及び数１０ｍｓ乃至
数秒のターンオフパルス幅によって、例えば２つのハロ
ゲンランプを前述したＩＥＣ　５５５　スタンダードに
従って夫々１０００ｗで給電することができる。
【００２８】図８は図６と同様に時間軸ｔにプロットし
た２／３　位相モードにおける基本電圧波形Ｕを示す。 この場合２つの実線で示す有効半サイクルに次いで破線
で示す１つの無効半サイクルが続く。図９は零電力から
、一般に供給電圧の最小公害を発生する最大電力までの
ソフトな起動／タンーアップルサイクルに対する時間ｔ
の関数として縦軸に電力消費を示す。
【００２９】スイッチング状態ｈ）　は零電力に相当し
、スイッチング状態ａ）　は最大電力に相当する。各ス
イッチング状態に対するタンーオン時間はスイッチング
状態ｆ）　に対し１２０ｍｓ　であり、１／３　位相モ
ード及び２／３　位相モードにけおる１つの半サイクル
に対する各時間はスイッチング状態ｅ）　に対し１８０
ｍｓ　である。例えば２つの負荷１１及び１２を１００
０Ｗで給電するスイッチング状態ａ）に次いで、各負荷
は図１及び２　の回路の２　つの変更例に対し相違する
ようになる。
【００３０】図１において、リレー１４はほぼ２０ｍｓ
内にスイッチオーバーし、スイッチング状態ｂ）　は、
負荷１２のみが供給電圧源に接続される他の６０ｍｓに
対して優勢となる。次いでスイッチング状態ｃ）　では
負荷１１のほかに１／３　及び２／３　位相モードにお
ける１半サイクルの各時間に対し１２０ｍｓ　を必要と
する。
【００３１】図２において、リレー１４は先ず最初ほぼ
２０ｍｓ内にスイッチオーバーし電力半導体ユニット１
３をタンーオフする。次いで、ソフト過渡を達成するに
は２つの負荷１１，　１２をスイッチング状態ｊ）　で
、即ち３０ｍｓの　１／３位相モード及び他の　３０ｍ
ｓ　の２／３　位相モードで並列に作動する。
【００３２】他の電力状態、例えば、最大電力及び半分
の電力間の電力によるスイッチング状態ｃ）　及びｄ）
　、又はパルス比を任意に選択し最大電力のほぼ５％〜
１５％の最小電力によるスイッチング状態ｇ）　に夫々
相当する電力状態を加熱装置の保温状態として用いるこ
とができる。
【００３３】他の有利な起動／ターンアップサイクル（
図示せず）はスイッチング状態ｆ），ｅ）　及びａ）　
を順次用いて得ることができる。或いは又、最後に述べ
たスイッチング状態ａ）　はスイッチング状態ｉ）　又
はｊ）　によって置換することができる。
【００３４】位相制御方法と比較するに、本発明で述べ
た起動サイクルは無線周波干渉を抑圧するために高価な
手段を必要とせず、電源線の公害を著しく少なくするに
十分ソフトである。本発明は上述した例にのみ限定され
るものではなく、要旨を変更しない範囲内で種々の変形
又は変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】２つの負荷を直接接続し、一方の負荷のみを作
動させ、他方の負荷を任意のスイッチングモードで追加
し得るようにした本発明制御回路の構成を示す回路図で
ある。
【図２】２つの負荷を任意のスイッチングモードで直列
及び並列配置し得る図１の変形例を示す回路図である。
【図３】変更した電力半導体ユニットを具える図１の回
路と同様の回路構成を示す回路図である。
【図４】分割し且つ変更した電力半導体ユニットを具え
る図１と同様の構成を示す回路図である。
【図５】供給電圧源及び負荷間の電力半導体ユニットを
有する図１と同様の構成を示す回路図である。
【図６】１／３　位相モードにおける基本電圧波形を示
す特性図である。
【図７】パルス化　１／３モードにおける基本電圧波形
を示す特性図である。
【図８】２／３　位相モードにおける基本電圧波形を示
す特性図である。
【図９】最小電源線公害で最大電力サイクルへの起動／
スイッチングを線図的に示す説明図である。
【符号の説明】
１０　　低電源線公害電力制御回路 １１，　１２　　負荷 １３　　電力半導体ユニット １４　　リレー １５　　第１切換スイッチ １６　　第２切換スイッチ １７　　端子 １８　　接続ライン １９　　制御端子 ２０　　端子 ２２　　抵抗 ２３　　端子 ２４　　サーミスタ ２５　　動作接点 ２７　　サイリスタ ２８　　逆並列ダイオード ２９　　トライアック ３０　　スイッチング素子

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　電力半導体ユニットと、スイッチング
    素子と、負荷の電力消費を調整する制御ユニットとを具
    え、少なくとも２つの負荷の低電源線公害電力を制御す
    る回路において、前記制御ユニットによって２つのスイ
    ッチング方向に対し電力半導体ユニット（１３）　を制
    御すると共に１つ又は２つの負荷（１１，１２）　を前
    記スイッチング素子（３０）を経て単一電力半導体ユニ
    ット（１３）に接続するようにしたことを特徴とする低
    電源線公害電力制御回路。
  2. 【請求項２】　　前記電力半導体ユニット（１３）は接
    地電位点に接続された第１端子側及び一方の負荷（１１
    ）に接続されると共にスイッチング素子（３０）を経て
    他方の負荷（１２）に接続された第２端子側を有するこ
    とを特徴とする請求項１に記載の低電源線公害電力制御
    回路。
  3. 【請求項３】　　前記電力半導体ユニット（１３）は１
    つのトライアック（２９）又は逆並列接続サイリスタ（
    ２７）を具え、前記スイッチング素子（３０）は第１及
    び第２切換スイッチ（１５，１６）　を有する単一リレ
    ー（１４）を具えることを特徴とする請求項２に記載の
    低電源線公害電力制御回路。
  4. 【請求項４】　　前記リレー（１４）の第１位置では電
    力半導体ユニット（１３）は一方の負荷（１１）、接続
    ライン（１８）、第２切換スイッチ（１６）及び他方の
    負荷（１２）を経て供給電圧の位相端子（１７）に接続
    し、前記リレー（１４）の第２位置では電力半導体ユニ
    ット（１３）は一方の負荷（１１）及び第１切換スイッ
    チ（１５）を経て供給電圧の前記位相端子（１７）に接
    続し、前記他方の負荷（１２）は前記電力半導体ユニッ
    ト、前記第１負荷及び前記第１切換スイッチに並列に接
    続するようにしたことを特徴とする請求項３に記載の低
    電源線公害電力制御回路。
  5. 【請求項５】　　前記リレー（１４）の第１位置では、
    前記電力半導体ユニット（１３）は一方の負荷（１１）
    、接続ライン（１８）、第２第２切換スイッチ（１６）
    及び他方の負荷（１２）を経て供給電圧の位相端子（１
    ７）に接続し、前記リレー（１４）の他方の位置では電
    力半導体ユニット（１３）は一方の負荷（１１）及び第
    １切換スイッチ（１５）を経て供給電圧の前記位相端子
    （１７）に接続し、前記他方の負荷（１２）は第２切換
    スイッチ（１６）及び接続ライン（２６）を経て前記第
    １負荷（１１）及び第１切換スイッチに並列に接続する
    ようにしたことを特徴とする請求項３に記載の低電源線
    公害電力制御回路。
  6. 【請求項６】　　前記２つの切換スイッチ（１５，１６
    ）　を有するリレー（１４）はスイッチング素子（３０
    ）を構成すると共に前記制御ユニットに依存して前記負
    荷（１１，１２）　を直列又は並列に接続し、各スイッ
    チング方向に対して分割された電力半導体ユニット（１
    ３）は前記負荷（１１，１２）　の各々に関連させ、前
    記２つの負荷（１１，１２）　の並列作動時に前記電力
    半導体ユニット（１３）の関連部分は接地電位点に接続
    された第１端子側を有すると共に逆並列接続ダイオード
    （２８）及びサイリスタ（２７）を具えることを特徴と
    する請求項１に記載の低電源線公害電力制御回路。
  7. 【請求項７】　　前記２つの切換スイッチ（１５，１６
    ）　を有するリレー（１４）はスイッチング素子（３０
    ）を構成すると共に前記制御ユニットに依存して前記負
    荷（１１，１２）　を直列又は並列に接続し、前記電力
    半導体ユニット（１３）は供給電圧の位相端子（１７）
    に接続された第１端子側を有すると共に１つのトライア
    ック（２９）又は２つの逆並列接続サイリスタ（２７）
    を具えることを特徴とする請求項１に記載の低電源線公
    害電力制御回路。
  8. 【請求項８】　　前記第１切換スイッチ（１５）の作動
    接点及び第２切換スイッチの残りの接点との間の接続ラ
    イン（１８）にサーミスタ（２４）を配列し、ターンオ
    ン過渡を制限し得るようにしたことを特徴とする請求項
    １〜７の何れかの項に記載の低電源線公害電力制御回路
    。
  9. 【請求項９】　　前記制御ユニットは、マイクロプロセ
    ッサの形状の論理装置として構成し、且つ前記負荷（１
    １，１２）　の電力消費の疑似公害のない制御に対し、
    次のスイッチング状態：ａ）　　供給電圧により２つの
    負荷（１１，１２）　を並列作動させる、ｂ）　　供給
    電圧により１つの負荷（１１）のみを作動させる、ｃ）
    　　供給電圧により１つの負荷（１２）のみを作動させ
    ると共に他方の負荷（１１）を２／３　、１／３　又は
    １／５　位相モードで作動させる、ｄ）　　パルス化位
    相でスイッチング状態ｃ）として作動させる、ｅ）　　
    供給電圧により２つの負荷（１１，１２）　を直列で作
    動させる、ｆ）　　２つの負荷（１１，１２）　を２／
    ３　、　１／３又は１／５　位相モードで作動させる、
    ｇ）　　パルス化位相でスイッチング状態ｆ）として作
    動させる、ｈ）　　負荷（１１，１２）　の双方を“ス
    イッチオフ”状態とする、ｉ）　　供給電圧により一方
    の負荷（１２）を作動させると共に他方の負荷（１１）
    の１／３　及び２／３　位相モードでの作動を遅延させ
    るようにする、ｊ）　　双方の負荷（１１，１２）　を
    １／３　又は１／３　位相モードで作動させる、を制御
    し得るようにしたことを特徴とする請求項１〜８の何れ
    かに記載の低電源線公害電力制御回路。
  10. 【請求項１０】　　スタート／ターンオンサイクルで、
    スイッチング状態ｆ）、ｅ）及びａ）、ｉ）又はｊ）を
    順次作動させて最大電力を得ると共にスイッチング状態
    ｂ）〜ｊ）の少なくとも１つを移行させて電力消費を低
    減させるようにしたことを特徴とする請求項１〜９の何
    れかに記載の低電源線公害電力制御回路。
JP3177800A 1990-06-22 1991-06-24 低電源線公害電力制御回路 Pending JPH04229990A (ja)

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