JPH04226531A - Polyamide resin, its production, 5-alkoxy-isophthalic acid and its production - Google Patents

Polyamide resin, its production, 5-alkoxy-isophthalic acid and its production

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JPH04226531A
JPH04226531A JP13509391A JP13509391A JPH04226531A JP H04226531 A JPH04226531 A JP H04226531A JP 13509391 A JP13509391 A JP 13509391A JP 13509391 A JP13509391 A JP 13509391A JP H04226531 A JPH04226531 A JP H04226531A
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JP
Japan
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formula
general formula
acid
polyamide resin
alkoxyisophthalic
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JP13509391A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoichi Kimura
陽一 木村
Hiroshi Minamizawa
南沢 寛
Yoshiyuki Mukoyama
向山 吉之
Yoshihiro Nomura
好弘 野村
Koji Yoshida
吉田 功二
Takashi Morinaga
森永 喬
Kazuto Hanabusa
和人 花房
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To obtain a polyamide resin having excellent heat-resistance, solubility in organic solvent, film-forming property and formability and suitable as an electronic insulation material by using an aromatic diamine and a 5- alkoxyisophthalic acid (derivative) as starting materials. CONSTITUTION:A polyamide resin composed of the recurring unit of formula II and having a reduced viscosity of 0.2-5/g can be produced by the polycondensation reaction of an aromatic diamine of formula I (e.g. m- tolylenediamine) and a 5-alkoxyisophthalic acid (derivative) of formula II (R is 1-30C straight or branched-chain alkyl; X is hydroxyl, halogen, etc.) (e.g. 5-n-hexyloxyisophthalic acid). The 5-alkoxyisophthalic acid of formula V (R' is n-C6H13, etc.) is produced by reacting 5-hydroxyisophthalic acid of formula IV with an alkyl halide of formula R'-X (X is halogen).

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、新規なポリアミド樹脂
及びその製造法並びに5−アルコキシイソフタル酸及び
その製造法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a new polyamide resin and a method for producing the same, as well as a 5-alkoxyisophthalic acid and a method for producing the same.

【0002】0002

【従来の技術】芳香族ジアミンと芳香族ジカルボン酸と
から合成される全芳香族ポリアミドは、耐熱性及び電気
的・機械的特性に優れているため、電気絶縁材料、高温
用材料、ある種の保護衣料用材料など、広範な工業材料
として使用されている。
[Prior Art] Fully aromatic polyamides synthesized from aromatic diamines and aromatic dicarboxylic acids have excellent heat resistance and electrical and mechanical properties, and are used as electrical insulating materials, high-temperature materials, and certain types of materials. It is used in a wide range of industrial materials, including materials for protective clothing.

【0003】0003

【発明が解決しようとする課題】しかし、この種の芳香
族ポリアミドは、通常の有機溶剤に対する溶解性が悪く
、繊維、フィルム、塗膜などを形成する場合には、極め
て不都合である。また、このような芳香族ポリアミドは
、高融点及び高結晶性を有するために、射出成形や押出
成形が事実上不可能である。本発明者は、耐熱性、有機
溶剤溶解性、成膜性及び機械的性質に優れ、また、射出
成形、押出成形等の成形性の良好なポリアミド樹脂及び
その製造法並びに5−アルコキシイソフタル酸及びその
製造法を提供するものである。
However, this type of aromatic polyamide has poor solubility in ordinary organic solvents, which is extremely inconvenient when forming fibers, films, coatings, etc. Moreover, since such aromatic polyamides have a high melting point and high crystallinity, injection molding or extrusion molding is virtually impossible. The present inventor has developed a polyamide resin that has excellent heat resistance, solubility in organic solvents, film formability, and mechanical properties, and has good moldability in injection molding, extrusion molding, etc., a method for producing the same, and 5-alkoxyisophthalic acid and The present invention provides a method for producing the same.

【0004】0004

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式(I)
[Means for Solving the Problems] The present invention provides general formula (I)

【化8】 〔式中Arは芳香族ジアミンのアミノ基を除いた2価の
残基を示し、Rは炭素原子数1〜30の直鎖又は分岐鎖
アルキル基を示す〕で表される繰り返し単位を有するポ
リアミド樹脂に関する。
[Image Omitted] [In the formula, Ar represents a divalent residue of an aromatic diamine excluding the amino group, and R represents a linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms.] The present invention relates to a polyamide resin having units.

【0005】また、本発明は、一般式(II)The present invention also provides general formula (II)

【化9】 H2N−Ar−NH2               
     (II)〔式中Arは一般式(I)における
と同じものを示す〕で表される芳香族ジアミンを一般式
(III)
[Chemical 9] H2N-Ar-NH2
(II) [In the formula, Ar represents the same thing as in the general formula (I)] The aromatic diamine represented by the general formula (III)

【化10】 〔式中Rは一般式(I)におけると同じものを示し、X
はヒドロキシ基、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のアル
コキシ基を示す〕で表される5−アルコキシイソフタル
酸又はその誘導体と重縮合させることを特徴とする前記
一般式(I)で表される繰り返し単位を有するポリアミ
ド樹脂の製造法に関する。
[Formula R represents the same as in general formula (I),
represents a hydroxy group, a halogen atom, or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The present invention relates to a method for producing a polyamide resin having units.

【0006】また、本発明は、一般式(IV)The present invention also provides general formula (IV)

【化11
】 〔式中R′はn−C6H13,n−C11H23,n−
C12H25又はn−C18H37、を示す〕で表され
る5−アルコキシイソフタル酸に関する。
[Chem.11
] [In the formula, R' is n-C6H13, n-C11H23, n-
C12H25 or n-C18H37].

【0007】また、本発明は、一般式(V)The present invention also provides general formula (V)

【化12】 で表される5−ヒドロキシイソフタル酸に一般式(VI
5-hydroxyisophthalic acid represented by the general formula (VI
)

【化13】 R′−X                     
           (VI)〔式中R′は一般式(
IV)におけると同じものであり、Xはハロゲン原子を
示す〕で表されるハロゲン化アルキルを作用させること
を特徴とする一般式(IV)
[Chemical formula 13] R'-X
(VI) [In the formula, R' is the general formula (
The general formula (IV) is the same as in IV), and is characterized in that it is reacted with a halogenated alkyl represented by [X represents a halogen atom]

【化14】 〔式中R′は前記におけると同じものを示す〕で表され
る5−アルコキシイソフタル酸の製造法に関する。
embedded image This invention relates to a method for producing 5-alkoxyisophthalic acid represented by the formula [wherein R' is the same as defined above].

【0008】本発明のポリアミド樹脂は、前記一般式(
I)で表される繰り返し単位を有するものである。一般
式(I)におけるArは、芳香族ジアミンのアミノ基を
除いた二価の残基であるが、この芳香族ジアミンとして
は、後述の一般式(II)で表される芳香族ジアミンと
して例示したものをあげることができる。一般式(I)
における直鎖又は分岐鎖アルキル基Rの炭素原子数は、
1〜30であるが、6〜18であることが好ましい。3
0を越えると、耐熱性が低下する。前記アルキル基とし
ては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、
イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t
ert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキ
シル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
オクタデシル基、エイコシル基、トリアコンチル基等が
挙げられる。
The polyamide resin of the present invention has the general formula (
It has a repeating unit represented by I). Ar in the general formula (I) is a divalent residue of an aromatic diamine excluding the amino group, and the aromatic diamine is exemplified by the aromatic diamine represented by the general formula (II) below. I can give you what I did. General formula (I)
The number of carbon atoms of the straight chain or branched alkyl group R in is,
The number is from 1 to 30, preferably from 6 to 18. 3
When it exceeds 0, heat resistance decreases. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group,
Isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t
ert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group,
Examples include octadecyl group, eicosyl group, triacontyl group, and the like.

【0009】一般式(I)で表される繰り返し単位を有
するポリアミド樹脂は、該樹脂0.2gをジメチルホル
ムアミドに溶解し、100mlとした溶液の30℃にお
ける還元粘度が0.2〜5.0dl/gであるものが好
ましい。この粘度が低すぎると、樹脂の機械的強度が低
下する傾向があり、高すぎると、樹脂の有機溶剤溶解性
が劣る傾向がある。
[0009] The polyamide resin having a repeating unit represented by the general formula (I) has a reduced viscosity of 0.2 to 5.0 dl at 30°C of a solution obtained by dissolving 0.2 g of the resin in dimethylformamide to make 100 ml. /g is preferred. If this viscosity is too low, the mechanical strength of the resin tends to decrease, and if it is too high, the solubility of the resin in organic solvents tends to be poor.

【0010】なお、本明細書において還元粘度(ηSP
/c)とは次式により求められる。
[0010] In this specification, reduced viscosity (ηSP
/c) is determined by the following equation.

【数1】 〔式中η及びη0はそれぞれ溶液の粘度及び溶剤の粘度
を示し、ウベローデ型希釈型毛細管粘度計を用いて測定
したときの溶液及び溶媒の流下時間をそれぞれt及びt
0とした場合、η/η0=t/t0であり、cは溶液の
樹脂濃度(g/dl)である〕。
[Equation 1] [In the formula, η and η0 represent the viscosity of the solution and the viscosity of the solvent, respectively, and the flow times of the solution and solvent when measured using an Ubbelohde dilution type capillary viscometer are t and t, respectively.
0, η/η0=t/t0, and c is the resin concentration (g/dl) of the solution].

【0011】本発明のポリアミド樹脂は、N−メチル−
2−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホル
ムアミド等の極性溶剤に良好に溶解する。
The polyamide resin of the present invention has N-methyl-
It dissolves well in polar solvents such as 2-pyrrolidone, dimethylacetamide, and dimethylformamide.

【0012】本発明のポリアミド樹脂は、例えば、前記
一般式(II)で表される芳香族ジアミンを一般式(I
II)で表される5−アルコキシイソフタル酸又はその
誘導体と重縮合させることによって製造できる。
In the polyamide resin of the present invention, for example, the aromatic diamine represented by the general formula (II) can be combined with the aromatic diamine represented by the general formula (I).
It can be produced by polycondensation with 5-alkoxyisophthalic acid represented by II) or a derivative thereof.

【0013】一般式(II)で表される芳香族ジアミン
としては、例えば、m−トリレンジアミン、m−フェニ
レンジアミン、p−フェニレンジアミン、5−クロル−
m−フェニレンジアミン、4,4′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノ
ジフェニルエーテル、3,3′−ジメトキシ−4,4′
−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノジ
フェニルエーテル、3,4′−ジアミノジフェニルエー
テル、4,4′−ベンジジン、4,4′−ジアミノジフ
ェニルチオエーテル、3,3′−ジアミノジフェニルチ
オエーテル、4,4′−ジアミノベンゾフェノン、3,
3′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノ
ジフェニルメタン、2,2′−ビス(4−アミノフェニ
ル)プロパン、2,2′−ビス(3−アミノフェニル)
プロパン、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、4
,4′−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,3′−
ジアミノジフェニルスルホン、3,3′−ジアミノビフ
ェニル、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼ
ン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、
1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,
4′−〔1,3−フェニレンビス(1−メチルエチリデ
ン)〕、4,4′−〔1,4−フェニレンビス(1−メ
チルエチリデン)〕、2,2−ビス〔4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−
メチル−4−(アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン
、2,2−ビス〔3−クロロ−4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル〕プロパン、1,1−ビス〔4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル〕エタン、ビス〔4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕メタン、3,3′−ジ
メトキシ−4,4′−ジアミノビフェニル、ビス〔4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔
4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、2
,2−ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕
プロパン、4,4′−ビス(4−アミノフェノキシ)ビ
フェニル、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ
)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、9,9−ビス(
4−アミノフェニル)フルオレン等が挙げられる。
Examples of the aromatic diamine represented by the general formula (II) include m-tolylene diamine, m-phenylene diamine, p-phenylene diamine, 5-chloro-
m-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethoxy-4,4'
-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-benzidine, 4,4'-diaminodiphenylthioether, 3,3'-diaminodiphenylthioether, 4,4'- Diaminobenzophenone, 3,
3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2'-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2'-bis(3-aminophenyl)
Propane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4
, 4'-diaminodiphenylsulfoxide, 3,3'-
Diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminobiphenyl, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene,
1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 4,
4'-[1,3-phenylenebis(1-methylethylidene)], 4,4'-[1,4-phenylenebis(1-methylethylidene)], 2,2-bis[4-(4-amino phenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[3-
Methyl-4-(aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[3-chloro-4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 1,1-bis[4-(4-
aminophenoxy)phenyl]ethane, bis[4-(4
-aminophenoxy)phenyl]methane, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, bis[4-
(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[
4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 2
,2-bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]
Propane, 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 9,9-bis(
Examples include 4-aminophenyl)fluorene.

【0014】上記のような芳香族ジアミンとともに、ヘ
キサメチレンジアミン、エチレンジアミン等の脂肪族ジ
アミン、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメ
チルジシロキサン、1,3−ビス(4−アミノフェニル
)テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミンな
どをジアミン成分として併用してもよいが、その場合は
、全ジアミンに対して30モル%以下で使用することが
好ましい。これらが多すぎると、耐熱性が低下する傾向
がある。
In addition to the aromatic diamines mentioned above, aliphatic diamines such as hexamethylene diamine and ethylene diamine, 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane, 1,3-bis(4-aminophenyl) A siloxane diamine such as tetramethyldisiloxane may be used in combination as a diamine component, but in that case, it is preferably used in an amount of 30 mol % or less based on the total diamine. If there are too many of these, heat resistance tends to decrease.

【0015】前記の一般式(III)で表される5−ア
ルコキシイソフタル酸又はその誘導体における5−アル
コキシイソフタル酸としては、例えば、5−n−ヘキシ
ルオキシイソフタル酸、5−n−ドデシルオキシイソフ
タル酸、5−n−オクタデシルオキシイソフタル酸等が
挙げられる。5−アルコキシイソフタル酸は、J.Po
lym.Sci.Part  A−1、7卷3020(
1969)に記載されている方法に準じて製造すること
ができる。また、これらの5−アルコキシイソフタル酸
の誘導体としては、例えば、ジクロリド、ジブロミド等
のジハライド、例えば、メチルエステル、エチルエステ
ル等のジエステルなどが挙げられる。ジエステルにおけ
るアルコキシ基(一般式(III)中のXにおけるアル
コキシ基)の炭素原子数は1〜4である必要がある。炭
素原子数が4より多くなると、反応性が低下する。
[0015] Examples of the 5-alkoxyisophthalic acid in the 5-alkoxyisophthalic acid or its derivative represented by the general formula (III) include 5-n-hexyloxyisophthalic acid and 5-n-dodecyloxyisophthalic acid. , 5-n-octadecyloxyisophthalic acid and the like. 5-Alkoxyisophthalic acids are described in J. Po
lym. Sci. Part A-1, 7 volumes 3020 (
It can be produced according to the method described in (1969). Examples of these 5-alkoxyisophthalic acid derivatives include dihalides such as dichloride and dibromide, and diesters such as methyl ester and ethyl ester. The number of carbon atoms in the alkoxy group (the alkoxy group in X in general formula (III)) in the diester must be 1 to 4. When the number of carbon atoms is greater than 4, reactivity decreases.

【0016】一般式(III)で表される5−アルコキ
シイソメタル酸及びその誘導体のうちの一部のものが一
般式(IV)で表される5−アルコキシイソフタル酸で
ある。
Some of the 5-alkoxyisometallic acids represented by the general formula (III) and their derivatives are 5-alkoxyisophthalic acids represented by the general formula (IV).

【0017】一般式(IV)で表される5−アルコキシ
イソフタル酸の製造法は特に限定的ではないが、以下に
示すような調製法が好適である。すなわち、一般式(V
Although the method for producing 5-alkoxyisophthalic acid represented by the general formula (IV) is not particularly limited, the following preparation method is preferred. That is, the general formula (V
)

【化15】 で示される5−ヒドロキシイソフタル酸をメタノール、
エタノール等の低級アルコール(反応温度を高くするた
めに1,2−ジクロロエタン等の高沸点、非反応性、相
溶性溶媒をアルコールと同体積まで混合しても良い)中
、硫酸、p−トルエンスルホン酸等の酸触媒を用い、室
温から使用した有機溶剤の還流温度までの範囲の温度で
反応させ、一般式(VII)
5-hydroxyisophthalic acid represented by
Sulfuric acid, p-toluenesulfone in a lower alcohol such as ethanol (in order to increase the reaction temperature, a high boiling point, non-reactive, compatible solvent such as 1,2-dichloroethane may be mixed to the same volume as the alcohol). Using an acid catalyst such as an acid, the reaction is carried out at a temperature ranging from room temperature to the reflux temperature of the organic solvent used, and the general formula (VII) is obtained.

【化16】 〔式中R″はメチル基またはエチル基を示す〕で示され
るジエステルとすることができる。
It can be a diester represented by the formula [wherein R'' represents a methyl group or an ethyl group].

【0018】次に、このエステルと一般式(VI)Next, this ester and general formula (VI)

【化
17】 R′−X                     
           (VI)〔式中、R′は一般式
(IV)におけると同じもの、Xはハロゲン原子を示す
〕で表されるハロゲン化アルキルを、アセトン等の非プ
ロトン性極性溶媒中で炭酸カリウム等の塩基を用いて、
室温から使用した有機溶剤の還流温度までの範囲の温度
で反応させ、一般式(VIII)
[Chemical formula 17] R'-X
(VI) [In the formula, R' is the same as in general formula (IV), and X represents a halogen atom] is dissolved in potassium carbonate or the like in an aprotic polar solvent such as acetone. Using a base,
The reaction was carried out at a temperature ranging from room temperature to the reflux temperature of the organic solvent used, and the general formula (VIII)

【化18】 〔式中、R′は一般式(IV)と同意義、R″は一般式
(VII)と同意義〕で表される5−アルコキシイソフ
タル酸ジエステルとすることができる。
It can be a 5-alkoxyisophthalic acid diester represented by the following formula: [wherein R' has the same meaning as in general formula (IV), and R'' has the same meaning as in general formula (VII)].

【0019】つぎに、この5−アルコキシイソフタル酸
ジエステルを水中、水酸化カリウム等の強塩基を用い、
室温から水の還流温度までの範囲の温度で反応させ、一
般式(IV)
Next, this 5-alkoxyisophthalic acid diester is dissolved in water using a strong base such as potassium hydroxide.
The reaction is carried out at a temperature ranging from room temperature to the reflux temperature of water, and the general formula (IV)

【化19】 〔式中、R′は前述におけると同じものを示す〕で表さ
れる5−アルコキシイソフタル酸を得ることができる。
A 5-alkoxyisophthalic acid represented by the formula [wherein R' is the same as defined above] can be obtained.

【0020】ジカルボン酸成分として、前記一般式(I
II)で表される5−アルコキシイソフタル酸又はその
誘導体とともに、テレフタル酸、イソフタル酸、4,4
′−ジフェニルエーテルジカルボン酸、4,4′−ジフ
ェニルカルボン酸、1,5−ナフタリンジカルボン酸、
2,6−ナフタリンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン
酸を用いてもよい。これらは、全カルボン酸成分に対し
て50モル%以下で使用することが好ましい。これが多
すぎると、有機溶剤溶解性が低下する傾向がある。 また、ジカルボン酸成分としてアジピン酸、セバシン酸
等の脂肪族ジカルボン酸を全カルボン酸成分に対して5
0モル%以下で用いてもよい。脂肪族ジカルボン酸が多
すぎると、耐熱性が低下する傾向がある。
As the dicarboxylic acid component, the general formula (I
II) together with 5-alkoxyisophthalic acid or its derivatives, terephthalic acid, isophthalic acid, 4,4
'-diphenyl ether dicarboxylic acid, 4,4'-diphenylcarboxylic acid, 1,5-naphthalene dicarboxylic acid,
Aromatic dicarboxylic acids such as 2,6-naphthalene dicarboxylic acid may also be used. These are preferably used in an amount of 50 mol % or less based on the total carboxylic acid components. If this amount is too large, the solubility in organic solvents tends to decrease. In addition, as a dicarboxylic acid component, aliphatic dicarboxylic acids such as adipic acid and sebacic acid are added to the total carboxylic acid component.
It may be used in an amount of 0 mol% or less. Too much aliphatic dicarboxylic acid tends to reduce heat resistance.

【0021】上記の一般式(II)で表される芳香族ジ
アミンと上記一般式(III)で表される5−アルコキ
シイソフタル酸又はその誘導体とを重縮合させるが、こ
の重縮合方法としては、特に制限はなく、例えば低温重
縮合法、直接重縮合法、活性エステル法など採用するこ
とができる。
The aromatic diamine represented by the above general formula (II) and the 5-alkoxyisophthalic acid or its derivative represented by the above general formula (III) are polycondensed, and the polycondensation method is as follows: There is no particular restriction, and for example, a low temperature polycondensation method, a direct polycondensation method, an active ester method, etc. can be employed.

【0022】低温重縮合法を採用する場合には、一般式
(II)で表される芳香族ジアミン1当量に対して一般
式(III)で表される5−アルコキシイソフタル酸の
ジハライドを好ましくは0.9〜1.2当量使用し、ト
リエチルアミン、酸化プロピレン、スチレンオキシド、
シクロヘキセンオキシド等の1,2−エポキシドなどの
酸受容剤の存在下、N−メチル−2−ピロリドン、ジメ
チルアセトアミド等の非反応性極性溶剤中でマイナス十
数℃から、使用した有機溶剤の還流温度までの範囲の温
度で反応させることができる。
When employing the low temperature polycondensation method, preferably the dihalide of 5-alkoxyisophthalic acid represented by the general formula (III) is added to 1 equivalent of the aromatic diamine represented by the general formula (II). Use 0.9 to 1.2 equivalents of triethylamine, propylene oxide, styrene oxide,
In the presence of an acid acceptor such as 1,2-epoxide such as cyclohexene oxide, in a non-reactive polar solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone or dimethylacetamide, the temperature ranges from -10-odd degrees Celsius to the reflux temperature of the organic solvent used. The reaction can be carried out at temperatures ranging up to

【0023】また、直接重縮合法を採用する場合には、
一般式(II)で表される芳香族ジアミンと一般式(I
II)で表される5−アルコキシイソフタル酸を当量又
はほぼ当量で使用し、トリフェニルホスファイト、三塩
化リン、縮合リン酸エステル等のリン系触媒及びピリジ
ン又は上記と同様の非反応性極性溶剤中で室温から使用
した有機溶剤の還流温度までの範囲の温度で反応させる
ことができる。この場合、リン系触媒は、上記ジカルボ
ン酸又は上記芳香族ジアミンと当量又はほぼ当量で使用
され、ピリジン又は有機溶剤は、上記ジカルボン酸又は
上記芳香族ジアミンに対して10モル%以上使用するの
が好ましい。
[0023] Furthermore, when employing the direct polycondensation method,
Aromatic diamine represented by general formula (II) and general formula (I
5-alkoxyisophthalic acid represented by II) is used in an equivalent or nearly equivalent amount, a phosphorus catalyst such as triphenyl phosphite, phosphorus trichloride, condensed phosphoric acid ester, and pyridine or a non-reactive polar solvent similar to the above. The reaction can be carried out at a temperature ranging from room temperature to the reflux temperature of the organic solvent used. In this case, the phosphorus catalyst is used in an equivalent or approximately equivalent amount to the dicarboxylic acid or the aromatic diamine, and the pyridine or organic solvent is used in an amount of 10 mol% or more based on the dicarboxylic acid or the aromatic diamine. preferable.

【0024】また、活性エステル法を採用する場合には
、一般式(III)で表される5−アルコキシイソフタ
ル酸のジハライドと1−ヒドロキシベンゾトリアゾール
との反応によりベンゾトリアジルエステルを製造し、こ
のエステルと上記一般式(II)で表される芳香族ジア
ミンを当量又はほぼ当量使用し、上記したのと同様の非
反応性極性有機溶剤中で室温又はそれ以上の温度で反応
させることができる。
When the active ester method is adopted, a benzotriazyl ester is produced by reacting the dihalide of 5-alkoxyisophthalic acid represented by the general formula (III) with 1-hydroxybenzotriazole. The ester and the aromatic diamine represented by the above general formula (II) can be used in equivalent or nearly equivalent amounts, and the reaction can be carried out in the same non-reactive polar organic solvent as described above at room temperature or higher temperature.

【0025】いずれかの方法で得えられた反応液をメタ
ノール等の低級アルコール、水等の上記有機溶剤と相溶
性であって、樹脂に対して貧溶媒である溶剤の大過剰に
注いで、沈殿物を得る。これをろ別し、乾燥することに
よって本発明のポリアミド樹脂を回収することができる
[0025] The reaction solution obtained by either method is poured into a large excess of a lower alcohol such as methanol or a solvent that is compatible with the above organic solvent such as water and is a poor solvent with respect to the resin. Obtain a precipitate. The polyamide resin of the present invention can be recovered by filtering this and drying it.

【0026】本発明のポリアミド樹脂は、脂肪族側鎖を
有しており、その嵩高さのために従来の芳香族ポリアミ
ドに比較してはるかに優れた有機溶剤溶解性を有し、他
の溶剤可溶性の樹脂と同様にキャスト法によりフィルム
、塗膜などに成膜することができ、そのフィルム、塗膜
などは、優れた耐熱性を示し、機械的性質にも優れ、電
子絶縁材料、耐熱性接着剤、高温用材料として使用する
のに好適である。
The polyamide resin of the present invention has aliphatic side chains, and due to its bulk, it has much better solubility in organic solvents than conventional aromatic polyamides, and is resistant to other solvents. Like soluble resins, it can be formed into films, coatings, etc. by the casting method, and these films, coatings, etc. exhibit excellent heat resistance and mechanical properties, and are useful as electronic insulating materials and heat resistance. Suitable for use as adhesives and high temperature materials.

【0027】[0027]

【実施例】次に、実施例により本発明を説明する。[Examples] Next, the present invention will be explained by examples.

【0028】実施例1リービッヒ冷却管、温度計を付け
た三口フラスコに5−ヒドロキシイソフタル酸100g
(0.55mol)を入れ、メタノール300ml、1
,2−ジクロロエタン300ml、硫酸50mlを添加
し懸濁させた。懸濁液を加熱撹拌すると5−ヒドロキシ
イソフタル酸は完全に溶解した。1日加熱還流し、反応
終了後メタノールを減圧留去し析出した白色固形物をジ
エチルエーテルに溶解した。このジエチルエーテル溶液
を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し
、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧で溶媒を留去
し、得られた白色結晶を再結晶(メタノール/ヘキサン
)により精製し、5−ヒドロキシイソフタル酸ジメチル
エステルを得た。 収量  104.1g  収率  90.2%
Example 1 100 g of 5-hydroxyisophthalic acid was placed in a three-necked flask equipped with a Liebig condenser and a thermometer.
(0.55 mol), methanol 300 ml, 1
, 300 ml of 2-dichloroethane and 50 ml of sulfuric acid were added and suspended. When the suspension was heated and stirred, 5-hydroxyisophthalic acid was completely dissolved. The mixture was heated under reflux for one day, and after the reaction was completed, methanol was distilled off under reduced pressure, and the precipitated white solid was dissolved in diethyl ether. This diethyl ether solution was washed with a saturated aqueous sodium bicarbonate solution and saturated brine, and dried over anhydrous magnesium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure, and the obtained white crystals were purified by recrystallization (methanol/hexane) to obtain 5-hydroxyisophthalic acid dimethyl ester. Yield 104.1g Yield 90.2%

【002
9】つぎにリービッヒ冷却管、温度計を付けた三口フラ
スコに5−ヒドロキシイソフタル酸ジメチルエステル5
0g(0.24mol)、臭化ヘキシル50g(0.3
7mol)、炭酸カリウム35g(0.25mol)、
ヨウ化カリウム0.2g(0.0012mol)を入れ
、アセトン500mlに懸濁した。この懸濁液を1日加
熱還流し、反応終了後、沈殿物を濾過して除き、溶媒を
減圧留去した。得られた5−ヘキシルオキシイソフタル
酸ジメチルエステルは、精製せずに次の反応に用いた。
002
9] Next, add 5-hydroxyisophthalic acid dimethyl ester 5 to a three-necked flask equipped with a Liebig condenser and a thermometer.
0g (0.24mol), hexyl bromide 50g (0.3
7 mol), potassium carbonate 35 g (0.25 mol),
0.2 g (0.0012 mol) of potassium iodide was added and suspended in 500 ml of acetone. This suspension was heated under reflux for one day, and after the reaction was completed, the precipitate was removed by filtration, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The obtained 5-hexyloxyisophthalic acid dimethyl ester was used in the next reaction without purification.

【0030】リービッヒ冷却管、温度計を付けた三口フ
ラスコに前述で得られた5−ヘキシルオキシイソフタル
酸ジメチルエステルを入れ、水酸化カリウム50g(0
.89mol)の水溶液(250ml)に懸濁した。7
時間加熱還流し、反応終了後この水溶液を塩化メチレン
で洗浄した。水層を濃塩酸でpH1に調整し、硫酸アン
モニウムを用いて塩析しながらジエチルエーテルで抽出
した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。溶媒を減圧で留去し、得られた白色結晶
を再結晶(アセトン)により精製し、5−n−ヘキシル
オキシイソフタル酸を得た。
The 5-hexyloxyisophthalic acid dimethyl ester obtained above was placed in a three-necked flask equipped with a Liebig condenser and a thermometer, and 50 g (0.0 g) of potassium hydroxide was added.
.. 89 mol) in an aqueous solution (250 ml). 7
The mixture was heated under reflux for a period of time, and after the reaction was completed, the aqueous solution was washed with methylene chloride. The aqueous layer was adjusted to pH 1 with concentrated hydrochloric acid, and extracted with diethyl ether while salting out using ammonium sulfate. The organic layer was washed with saturated brine and dried over anhydrous sodium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure, and the obtained white crystals were purified by recrystallization (acetone) to obtain 5-n-hexyloxyisophthalic acid.

【0031】収量54.8g  収率86.5%(5−
ヒドロキシイソフタル酸ジメチルエステルから)mp(
℃)234〜238 1H−NMR(60MHz,DMSO−d6)0.6−
2.0(br,11H),3.8−4.3(br,2H
),7.69(s,2H),8.14(s,1H)IR
(KBr,cm−1)2954,2642,2571,
1711,1597,1466,1416,1311,
1277,1047
Yield 54.8g Yield 86.5% (5-
from hydroxyisophthalic acid dimethyl ester)mp(
°C) 234-238 1H-NMR (60MHz, DMSO-d6) 0.6-
2.0 (br, 11H), 3.8-4.3 (br, 2H
), 7.69 (s, 2H), 8.14 (s, 1H) IR
(KBr, cm-1) 2954, 2642, 2571,
1711, 1597, 1466, 1416, 1311,
1277, 1047

【0032】実施例2臭化ヘキシル50g(0.37m
ol)の代わりに臭化ウンデシル87g(0.37mo
l)を使用した以外は、実施例1と同様の操作を行い、
白色結晶の5−ウンデシルオキシイソフタル酸を得た。
Example 2 Hexyl bromide 50g (0.37m
ol) instead of undecyl bromide 87 g (0.37 mo
Perform the same operation as in Example 1 except for using l),
5-undecyloxyisophthalic acid was obtained as white crystals.

【0033】収量63.3g  収率78.4%(5−
ヒドロキシイソフタル酸ジメチルエステルから)mp(
℃)189〜194 1H−NMR(60MHz,DMSO−d6)0.6−
2.0(br,21H),3.8−4.2(br,2H
),7.60(s,2H),8.04(s,1H)IR
(KBr,cm−1)2927,2634,2565,
1709,1593,1466,1412,1308,
1273,914
Yield 63.3g Yield 78.4% (5-
from hydroxyisophthalic acid dimethyl ester)mp(
°C) 189-194 1H-NMR (60MHz, DMSO-d6) 0.6-
2.0 (br, 21H), 3.8-4.2 (br, 2H
), 7.60 (s, 2H), 8.04 (s, 1H) IR
(KBr, cm-1) 2927, 2634, 2565,
1709, 1593, 1466, 1412, 1308,
1273,914

【0034】実施例3臭化ヘキシル50g(0.37m
ol)の代わりに臭化ラウリル92g(0.37mol
)を使用した以外は、実施例1と同様の操作を行い、白
色結晶の5−ドデシルオキシイソフタル酸を得た。
Example 3 Hexyl bromide 50g (0.37m
92 g (0.37 mol) of lauryl bromide instead of
) was used, but the same operation as in Example 1 was performed to obtain white crystalline 5-dodecyloxyisophthalic acid.

【0035】収量32.3g  収率38.4%(5−
ヒドロキシイソフタル酸ジメチルエステルから)mp(
℃)173〜176 1H−NMR(60MHz,DMSO−d6)0.6−
2.0(br,23H),3.8−4.2(br,2H
),7.55(s,2H),8.00(s,1H)IR
(KBr,cm−1)2920,2636,2561,
1695,1597,1466,1309,1277,
1057
Yield 32.3g Yield 38.4% (5-
from hydroxyisophthalic acid dimethyl ester)mp(
°C) 173-176 1H-NMR (60MHz, DMSO-d6) 0.6-
2.0 (br, 23H), 3.8-4.2 (br, 2H
), 7.55 (s, 2H), 8.00 (s, 1H) IR
(KBr, cm-1) 2920, 2636, 2561,
1695, 1597, 1466, 1309, 1277,
1057

【0036】実施例4臭化ヘキシル50g(0.37m
ol)の代わりに臭化ステアリル123g(0.37m
ol)を使用した以外は、実施例1と同様の操作を行い
、白色結晶の5−オクタデシルオキシイソフタル酸を得
た。
Example 4 Hexyl bromide 50g (0.37m
123 g (0.37 m
The same operation as in Example 1 was performed except that 5-octadecyloxyisophthalic acid was obtained as white crystals, except that 5-octadecyloxyisophthalic acid was used.

【0037】収量93.1g  收率83.8%(5−
ヒドロキシイソフタル酸ジメチルエステルから)mp(
℃)157〜161 1H−NMR(60MHz,DMSO−d6)0.7−
2.0(br,35H),3.8−4.3(br,2H
),7.74(s,2H),8.18,s,1H)IR
(KBr,cm−1)2918,2638,2567,
1707,1695,1597,1470,1427,
1311,1279,1057
Yield 93.1g Yield 83.8% (5-
from hydroxyisophthalic acid dimethyl ester)mp(
°C) 157-161 1H-NMR (60MHz, DMSO-d6) 0.7-
2.0 (br, 35H), 3.8-4.3 (br, 2H
), 7.74 (s, 2H), 8.18, s, 1H) IR
(KBr, cm-1) 2918, 2638, 2567,
1707, 1695, 1597, 1470, 1427,
1311, 1279, 1057

【0038】実施例5撹拌装置、窒素導入管及び温度計
を備えた四口フラスコに窒素下に2,2−ビス〔4−(
4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン6.07g
(14.8ミリモル)及び酸化プロピレン2.6g(4
4.8ミリモル)を入れ、N−メチル−2−ピロリドン
40mlに溶解した。撹拌しながら、5−n−ヘキシル
オキシイソフタル酸クロリド4.50g(14.8ミリ
モル)を少しずつ添加した。このとき、系内の温度は3
0℃以下に保った。反応系の粘度が高くなるので、所望
の粘度になったら撹拌を停止し、反応液を大量の水に注
ぎ、ポリマーを単離し、100℃で減圧乾燥した。
Example 5 2,2-bis[4-(
4-aminophenoxy)phenyl]propane 6.07g
(14.8 mmol) and propylene oxide 2.6 g (4
4.8 mmol) was dissolved in 40 ml of N-methyl-2-pyrrolidone. While stirring, 4.50 g (14.8 mmol) of 5-n-hexyloxyisophthalic acid chloride was added in portions. At this time, the temperature in the system is 3
The temperature was kept below 0°C. Since the viscosity of the reaction system increased, stirring was stopped when the desired viscosity was reached, the reaction solution was poured into a large amount of water, and the polymer was isolated and dried under reduced pressure at 100°C.

【0039】このようにして得られたポリアミド樹脂の
還元粘度、収率、有機溶剤溶解性及びフィルム作成後の
耐熱性の指標であるガラス転移温度を第1表に示した。 また、上記ポリアミド樹脂の赤外線吸収スペクトル(フ
ィルム法)を図1に示した。図1から明らかなとおり、
1653cm−1にアミド結合のカルボニルの吸収及び
3304cm−1にN−H伸縮振動に基づく吸収が認め
られ、アミド結合が形成されていることが確認できた。
Table 1 shows the reduced viscosity, yield, organic solvent solubility, and glass transition temperature, which is an index of the heat resistance after film formation, of the polyamide resin thus obtained. Further, the infrared absorption spectrum (film method) of the above polyamide resin is shown in FIG. As is clear from Figure 1,
Absorption of the carbonyl of the amide bond was observed at 1653 cm-1 and absorption based on N-H stretching vibration was observed at 3304 cm-1, confirming that an amide bond was formed.

【0040】実施例6 2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕プロパン6.07g(14.8ミリモル)の代わりに
4,4′−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル5
.45g(14.8ミリモル)を使用した以外は、実施
例5と同様の操作を行った。試験結果を表1に示した。 また、得られたポリアミド樹脂の赤外線吸収スペクトル
を図2に示した。
Example 6 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl 5 instead of 6.07 g (14.8 mmol) of 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane
.. The same operation as in Example 5 was performed except that 45 g (14.8 mmol) was used. The test results are shown in Table 1. Moreover, the infrared absorption spectrum of the obtained polyamide resin is shown in FIG.

【0041】実施例7 2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕プロパン6.07g(14.8ミリモル)の代わりに
ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホ
ン6.42g(14.8ミリモル)を使用した以外は、
実施例5と同様の操作を行った。試験結果を表1に示し
た。また、得られたポリアミド樹脂の赤外線吸収スペク
トルを図3に示した。
Example 7 6.07 g (14.8 mmol) of 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane was replaced by bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone. Except that 42 g (14.8 mmol) was used.
The same operation as in Example 5 was performed. The test results are shown in Table 1. Moreover, the infrared absorption spectrum of the obtained polyamide resin is shown in FIG.

【0042】実施例8 2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕プロパン6.07g(14.8ミリモル)の代わりに
1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン4.3
3g(14.8ミリモル)を使用した以外は、実施例5
と同様の操作を行った。試験結果を表1に示した。また
、得られたポリアミド樹脂の赤外線吸収スペクトルを図
4に示した。
Example 8 4.3 g of 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene was substituted for 6.07 g (14.8 mmol) of 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane.
Example 5 except that 3 g (14.8 mmol) was used.
The same operation was performed. The test results are shown in Table 1. Moreover, the infrared absorption spectrum of the obtained polyamide resin is shown in FIG.

【0043】実施例9 2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕プロパン6.07g(14.8ミリモル)の代わりに
1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン4.3
3g(14.8ミリモル)を使用した以外は、実施例5
と同様の操作を行った。試験結果を表1に示した。また
、得られたポリアミド樹脂の赤外線吸収スペクトルを図
5に示した。
Example 9 4.3 g of 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene was substituted for 6.07 g (14.8 mmol) of 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane.
Example 5 except that 3 g (14.8 mmol) was used.
The same operation was performed. The test results are shown in Table 1. Moreover, the infrared absorption spectrum of the obtained polyamide resin is shown in FIG.

【0044】実施例10 2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕プロパン6.07g(14.8ミリモル)の代わりに
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル2.96g(1
4.8ミリモル)を使用した以外は、実施例5と同様の
操作を行った。試験結果を表1に示した。また、得られ
たポリアミド樹脂の赤外線吸収スペクトルを図6に示し
た。
Example 10 2.96 g (14.8 mmol) of 4,4'-diaminodiphenyl ether was substituted for 6.07 g (14.8 mmol) of 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane.
The same operation as in Example 5 was performed except that 4.8 mmol) was used. The test results are shown in Table 1. Moreover, the infrared absorption spectrum of the obtained polyamide resin is shown in FIG.

【0045】実施例11 2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕プロパン6.07g(14.8ミリモル)の代わりに
m−フェニレンジアミン1.60g(14.8ミリモル
)を使用した以外は、実施例5と同様の操作を行った。 試験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド樹
脂の赤外線吸収スペクトルを図7に示した。
Example 11 1.60 g (14.8 mmol) of m-phenylenediamine was used in place of 6.07 g (14.8 mmol) of 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane. The same operation as in Example 5 was performed except for the following. The test results are shown in Table 1. Moreover, the infrared absorption spectrum of the obtained polyamide resin is shown in FIG.

【0046】実施例12 2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕プロパン6.07g(14.8ミリモル)の代わりに
p−フェニレンジアミン1.60g(14.8ミリモル
)を使用した以外は、実施例5と同様の操作を行った。 試験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド樹
脂の赤外線吸収スペクトルを図8に示した。
Example 12 1.60 g (14.8 mmol) of p-phenylenediamine was used in place of 6.07 g (14.8 mmol) of 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane. The same operation as in Example 5 was performed except for the following. The test results are shown in Table 1. Moreover, the infrared absorption spectrum of the obtained polyamide resin is shown in FIG.

【0047】なお、表1に示したガラス転移温度は、熱
機械分析による熱膨張係数の変位温度を、昇温速度10
℃/分で測定したものである。溶解性は、ポリアミド樹
脂500mgを1mlの有機溶剤と混合し、下記の基準
で評価した。 +………樹脂が可溶した。 ±………樹脂が膨潤した。 −………樹脂は不溶であった。
The glass transition temperature shown in Table 1 is calculated by calculating the displacement temperature of the coefficient of thermal expansion by thermomechanical analysis at a heating rate of 10.
Measured in °C/min. Solubility was evaluated by mixing 500 mg of polyamide resin with 1 ml of organic solvent and using the following criteria. +……Resin was dissolved. ±……Resin swelled. -...Resin was insoluble.

【0048】[0048]

【表1】[Table 1]

【0049】[0049]

【発明の効果】本発明の5−アルコキシイソフタル酸を
用いたポリアミド樹脂は、耐熱性、有機溶剤溶解性、成
膜性及び機械的性質に優れており、射出成形、押出成形
等の成形性も良好で、電気絶縁材料、耐熱性接着剤、高
温用材料などに好適である。
Effects of the Invention The polyamide resin using 5-alkoxyisophthalic acid of the present invention has excellent heat resistance, solubility in organic solvents, film formability, and mechanical properties, and has excellent moldability in injection molding, extrusion molding, etc. It is suitable for electrical insulation materials, heat-resistant adhesives, high-temperature materials, etc.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】実施例5で得られたポリアミド樹脂の赤外線吸
収スペクトル。
FIG. 1 shows an infrared absorption spectrum of the polyamide resin obtained in Example 5.

【図2】実施例6で得られたポリアミド樹脂の赤外線吸
収スペクトル。
FIG. 2 shows an infrared absorption spectrum of the polyamide resin obtained in Example 6.

【図3】実施例7で得られたポリアミド樹脂の赤外線吸
収スペクトル。
FIG. 3 shows an infrared absorption spectrum of the polyamide resin obtained in Example 7.

【図4】実施例8で得られたポリアミド樹脂の赤外線吸
収スペクトル。
FIG. 4 shows an infrared absorption spectrum of the polyamide resin obtained in Example 8.

【図5】実施例9で得られたポリアミド樹脂の赤外線吸
収スペクトル。
FIG. 5 shows an infrared absorption spectrum of the polyamide resin obtained in Example 9.

【図6】実施例10で得られたポリアミド樹脂の赤外線
吸収スペクトル。
FIG. 6 shows an infrared absorption spectrum of the polyamide resin obtained in Example 10.

【図7】実施例11で得られたポリアミド樹脂の赤外線
吸収スペクトル。
FIG. 7 shows an infrared absorption spectrum of the polyamide resin obtained in Example 11.

【図8】実施例12で得られたポリアミド樹脂の赤外線
吸収スペクトル。
FIG. 8 shows an infrared absorption spectrum of the polyamide resin obtained in Example 12.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  一般式(I) 【化1】 〔式中Arは芳香族ジアミンのアミノ基を除いた2価の
残基を示し、Rは炭素原子数1〜30の直鎖又は分岐鎖
アルキル基を示す〕で表される繰り返し単位を有するポ
リアミド樹脂。
Claim 1: General formula (I) [In the formula, Ar represents a divalent residue of an aromatic diamine excluding the amino group, and R represents a straight chain or branched chain having 1 to 30 carbon atoms. A polyamide resin having a repeating unit represented by ] representing an alkyl group.
【請求項2】  ポリアミド樹脂0.2gをジメチルホ
ルムアミドに溶解し、100mlとした溶液の30℃に
おける還元粘度が0.2〜5.0dl/gである請求項
1記載のポリアミド樹脂。
2. The polyamide resin according to claim 1, wherein a solution obtained by dissolving 0.2 g of the polyamide resin in dimethylformamide to make 100 ml has a reduced viscosity of 0.2 to 5.0 dl/g at 30°C.
【請求項3】  一般式(II) 【化2】 H2N−Ar−NH2               
     (II)〔式中Arは一般式(I)における
と同じものを示す)で表される芳香族ジアミンを一般式
(III)【化3】 〔式中Rは一般式(I)におけると同じものを示し、X
はヒドロキシ基、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のアル
コキシ基を示す〕で表される5−アルコキシイソフタル
酸又はその誘導体と重縮合させることを特徴とする請求
項1記載のポリアミド樹脂の製造法。
[Claim 3] General formula (II) [Chemical formula 2] H2N-Ar-NH2
(II) [In the formula, Ar is the same as in the general formula (I)] An aromatic diamine represented by the general formula (III) [Formula, R is the same as in the general formula (I)] indicates something, X
2. The method for producing a polyamide resin according to claim 1, wherein the polyamide resin is polycondensed with 5-alkoxyisophthalic acid or a derivative thereof represented by the following formula: hydroxy group, halogen atom, or alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.
【請求項4】  一般式(IV) 【化4】 〔式中R′はn−C6H13,n−C11H23,n−
C12H25又はn−C18H37、を示す〕で表され
る5−アルコキシイソフタル酸。
[Claim 4] General formula (IV) [In the formula, R' is n-C6H13, n-C11H23, n-
5-alkoxyisophthalic acid represented by C12H25 or n-C18H37.
【請求項5】  一般式(V) 【化5】 で表される5−ヒドロキシイソフタル酸に一般式(VI
) 【化6】R′−X                 
               (VI)〔式中R′は
一般式(IV)におけると同じものであり、Xはハロゲ
ン原子を示す〕で表されるハロゲン化アルキルを作用さ
せることを特徴とする一般式(IV) 【化7】 〔式中R′は前記一般式(IV)におけると同じものを
示す〕で表される5−アルコキシイソフタル酸の製造法
5. General formula (VI) is added to 5-hydroxyisophthalic acid represented by general formula (V)
) [Chemical formula 6] R'-X
(VI) [In the formula (IV), R' is the same as in the general formula (IV), and X represents a halogen atom]. 7. A method for producing 5-alkoxyisophthalic acid represented by [wherein R' is the same as in the general formula (IV)].
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