JPH04221825A - 選択ドライエッチング方法 - Google Patents
選択ドライエッチング方法Info
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- JPH04221825A JPH04221825A JP2413331A JP41333190A JPH04221825A JP H04221825 A JPH04221825 A JP H04221825A JP 2413331 A JP2413331 A JP 2413331A JP 41333190 A JP41333190 A JP 41333190A JP H04221825 A JPH04221825 A JP H04221825A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
- H01L21/30621—Vapour phase etching
Landscapes
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体結晶の選択
ドライエッチング方法に関する。
ドライエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】これまでＧａＡｓ半導体結晶のＡｌＧａ
Ａｓ半導体結晶に対する選択ドライエッチング技術は、
彦坂らによってジャパンジャーナル・オブ・アプライド
フィジックスレターズ第２０巻，１９８１年，第８４７
頁（Ｊａｐａｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２０・Ｌ８
４７（１９８１）に報告されているようにＡｌＧａＡｓ
／ＧａＡｓヘテロ接合トランジスタのしきい値電圧制御
に用いられた。
Ａｓ半導体結晶に対する選択ドライエッチング技術は、
彦坂らによってジャパンジャーナル・オブ・アプライド
フィジックスレターズ第２０巻，１９８１年，第８４７
頁（Ｊａｐａｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２０・Ｌ８
４７（１９８１）に報告されているようにＡｌＧａＡｓ
／ＧａＡｓヘテロ接合トランジスタのしきい値電圧制御
に用いられた。
【０００３】これは、ＡｌＧａＡｓ層の上層に成長する
ＧａＡｓ層中に２ｎｍのＡｌＧａＡｓ層を挿入し、この
挿入層によりドライエッチングを自動的に停止させるも
のである。この方法によりトランジスタのしきい値電圧
を決定するゲート電極と活性層までの距離を均一性，再
現性良く形成できる。
ＧａＡｓ層中に２ｎｍのＡｌＧａＡｓ層を挿入し、この
挿入層によりドライエッチングを自動的に停止させるも
のである。この方法によりトランジスタのしきい値電圧
を決定するゲート電極と活性層までの距離を均一性，再
現性良く形成できる。
【０００４】選択ドライエッチングは、エッチングガス
によって半導体結晶表面上に形成される反応生成物の蒸
発の容易さが物質によって異なることを利用している。 すなわちアルニウム（Ａｌ）の弗化物（ＡｌＦｘがガリ
ウム（Ｇａ）の弗化物（ＧａＦｘ）に対して非常に蒸発
しにくいことを利用している。エッチングガスとしては
彦坂らによってジャパンジャーナル・オブ・アプライド
フィジックスレターズ第２０巻，１９８１年，第８４７
頁（Ｊａｐａｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２０・Ｌ８
４７（１９８１）に報告されているように、塩素と弗素
原子を含むフロン１２（ＣＣｌ２Ｆ２）ガスがこれまで
多く用いられてきた。
によって半導体結晶表面上に形成される反応生成物の蒸
発の容易さが物質によって異なることを利用している。 すなわちアルニウム（Ａｌ）の弗化物（ＡｌＦｘがガリ
ウム（Ｇａ）の弗化物（ＧａＦｘ）に対して非常に蒸発
しにくいことを利用している。エッチングガスとしては
彦坂らによってジャパンジャーナル・オブ・アプライド
フィジックスレターズ第２０巻，１９８１年，第８４７
頁（Ｊａｐａｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２０・Ｌ８
４７（１９８１）に報告されているように、塩素と弗素
原子を含むフロン１２（ＣＣｌ２Ｆ２）ガスがこれまで
多く用いられてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フロン
１２（ＣＣｌ２Ｆ２）ガスは、選択エッチングが行える
条件と塩化炭素系（ＣＣｌｘ）のプラズマ重合膜が形成
される条件が近いため再現性良くエッチングを行うには
エッチング装置管理を厳重にする必要があった。また加
工損傷を小さくするため自己バイアス電圧を下げようと
するとプラズマ重合膜が形成され低損傷加工を行うにも
限界があった。
１２（ＣＣｌ２Ｆ２）ガスは、選択エッチングが行える
条件と塩化炭素系（ＣＣｌｘ）のプラズマ重合膜が形成
される条件が近いため再現性良くエッチングを行うには
エッチング装置管理を厳重にする必要があった。また加
工損傷を小さくするため自己バイアス電圧を下げようと
するとプラズマ重合膜が形成され低損傷加工を行うにも
限界があった。
【０００６】さらにフロンガスは、オゾン層を破壊する
ことが問題となり地球環境保護のため使用しないことが
取り決められ、選択ドライエッチング用代替ガスが必要
とされている。
ことが問題となり地球環境保護のため使用しないことが
取り決められ、選択ドライエッチング用代替ガスが必要
とされている。
【０００７】本発明の目的は、フロンガスを用いないＡ
ｌＧａＡｓに対するＧａＡｓの低加工損傷選択ドライエ
ッチング方法を提供することにある。
ｌＧａＡｓに対するＧａＡｓの低加工損傷選択ドライエ
ッチング方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明は、ＡｌＧａＡｓ半導体結晶に対するＧａＡｓ
半導体結晶の選択ドライエッチング法において、エッチ
ングガスとして塩素ガスと六弗化硫黄ガスとの混合ガス
を用いるものである。
、本発明は、ＡｌＧａＡｓ半導体結晶に対するＧａＡｓ
半導体結晶の選択ドライエッチング法において、エッチ
ングガスとして塩素ガスと六弗化硫黄ガスとの混合ガス
を用いるものである。
【０００９】
【作用】従来の選択ドライエッチングはフロン１２（Ｃ
Ｃｌ２Ｆ２）ガスを用いていた。そのため、プラズマ重
合膜が形成されやすく、エッチング条件の管理が困難で
あった。また低加工損傷化にも限界があった。さらにオ
ゾン層を破壊するフロンガスは使用が規制されている。
Ｃｌ２Ｆ２）ガスを用いていた。そのため、プラズマ重
合膜が形成されやすく、エッチング条件の管理が困難で
あった。また低加工損傷化にも限界があった。さらにオ
ゾン層を破壊するフロンガスは使用が規制されている。
【００１０】本発明によれば、塩素（Ｃｌ２）ガスと六
弗化硫黄（ＳＦ６）ガスの混合ガスを用いて選択ドライ
エッチングを行うことによりプラズマ中の塩素と弗素の
混合比を自由に変化させることができる。そのため必要
最小限の弗素だけを用いればよい。混合ガスは炭素を含
んでいないためプラズマ重合膜を形成しない。そのため
自己バイアス電圧を下げてもエッチング可能となり加工
損傷も低減できる。またフロンガスを使用せず選択ドラ
イエッチングができる。
弗化硫黄（ＳＦ６）ガスの混合ガスを用いて選択ドライ
エッチングを行うことによりプラズマ中の塩素と弗素の
混合比を自由に変化させることができる。そのため必要
最小限の弗素だけを用いればよい。混合ガスは炭素を含
んでいないためプラズマ重合膜を形成しない。そのため
自己バイアス電圧を下げてもエッチング可能となり加工
損傷も低減できる。またフロンガスを使用せず選択ドラ
イエッチングができる。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。ドライエッチングの実験は、図２に示す、電
子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を利用してプラズマを
発生するＥＣＲドライエッチング装置を用いて行った。 エッチングガスは塩素（Ｃｌ２）と六弗化硫黄（ＳＦ６
）との混合ガスを用い、反応性ガス導入口１より導入し
た。全流量は３４ｓｃｃｍとし、Ｃｌ２に対するＳＦ６
の混合比（ＳＦ６／Ｃｌ２）を制御した。このときのプ
ラズマ室２のガス圧力は７×１０−４Ｔｏｒｒであった
。プラズマは、２．４５ＧＨｚの周波数をもつマイクロ
波３を電力にして３００Ｗ入射した。試料４は、ＥＣＲ
ポジションにおき、試料４にＲＦバイアス電源５により
周波数１３．５６ＭＨｚの、電力を５０Ｗを加え、試料
４に入射するイオンのエネルギーを制御した。エッチン
グガスは排気口６から排出される。またＥＣＲ放電用に
磁場用コイル７を用いた。
説明する。ドライエッチングの実験は、図２に示す、電
子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を利用してプラズマを
発生するＥＣＲドライエッチング装置を用いて行った。 エッチングガスは塩素（Ｃｌ２）と六弗化硫黄（ＳＦ６
）との混合ガスを用い、反応性ガス導入口１より導入し
た。全流量は３４ｓｃｃｍとし、Ｃｌ２に対するＳＦ６
の混合比（ＳＦ６／Ｃｌ２）を制御した。このときのプ
ラズマ室２のガス圧力は７×１０−４Ｔｏｒｒであった
。プラズマは、２．４５ＧＨｚの周波数をもつマイクロ
波３を電力にして３００Ｗ入射した。試料４は、ＥＣＲ
ポジションにおき、試料４にＲＦバイアス電源５により
周波数１３．５６ＭＨｚの、電力を５０Ｗを加え、試料
４に入射するイオンのエネルギーを制御した。エッチン
グガスは排気口６から排出される。またＥＣＲ放電用に
磁場用コイル７を用いた。
【００１２】図１にＧａＡｓのＡｌＧａＡｓに対するエ
ッチング速度の比、すなわち選択比のＳＦ６／Ｃｌ２混
合比に対する依存性を示す。塩素ガスのみではＧａＡｓ
とＡｌＧａＡｓは等速度でエッチングされ選択比は１で
ある。ＳＦ６を添加するとＧａＡｓの方がエッチング速
度が速くなり選択性が高くなりＳＦ６／Ｃｌ２＝０．０
２５で最大１００を得た。さらにＳＦ６の比率を上げＳ
Ｆ６／Ｃｌ２＝１にすると再び選択比は１まで低下した
（この点は図に示していない）。
ッチング速度の比、すなわち選択比のＳＦ６／Ｃｌ２混
合比に対する依存性を示す。塩素ガスのみではＧａＡｓ
とＡｌＧａＡｓは等速度でエッチングされ選択比は１で
ある。ＳＦ６を添加するとＧａＡｓの方がエッチング速
度が速くなり選択性が高くなりＳＦ６／Ｃｌ２＝０．０
２５で最大１００を得た。さらにＳＦ６の比率を上げＳ
Ｆ６／Ｃｌ２＝１にすると再び選択比は１まで低下した
（この点は図に示していない）。
【００１３】図３は、図１のＧａＡｓとＡｌＧａＡｓと
のエッチング速度比をそれぞれのエッチング速度になお
して表示したものである。図３からＳＦ６を添加するこ
とにより表面に弗素系反応生成物ができ、ＧａＡｓ，Ａ
ｌＧａＡｓのエッチング速度が低下し、そのエッチング
減少量がＡｌＧａＡｓに比較してＧａＡｓのほうが少な
いことにより、ＳＦ６／Ｃｌ２＝０．０２５で最大の選
択比１００が得られることがわかる。さらにＳＦ６の比
率を増加するとＧａＡｓのエッチング速度も低下しＳＦ
６／Ｃｌ２の比率が１になるとエッチング速度が０とな
り選択比は１となってしまう。従ってその比率が０以上
１以下であれば本発明の効果はあり、特にこの実施例の
ガス圧，流量では比率０．０１〜０．０５で数十倍以上
の速度比が得られる。
のエッチング速度比をそれぞれのエッチング速度になお
して表示したものである。図３からＳＦ６を添加するこ
とにより表面に弗素系反応生成物ができ、ＧａＡｓ，Ａ
ｌＧａＡｓのエッチング速度が低下し、そのエッチング
減少量がＡｌＧａＡｓに比較してＧａＡｓのほうが少な
いことにより、ＳＦ６／Ｃｌ２＝０．０２５で最大の選
択比１００が得られることがわかる。さらにＳＦ６の比
率を増加するとＧａＡｓのエッチング速度も低下しＳＦ
６／Ｃｌ２の比率が１になるとエッチング速度が０とな
り選択比は１となってしまう。従ってその比率が０以上
１以下であれば本発明の効果はあり、特にこの実施例の
ガス圧，流量では比率０．０１〜０．０５で数十倍以上
の速度比が得られる。
【００１４】この条件で加工損傷の評価を行った。図４
に評価用の試料構造を示す。高抵抗ＧａＡｓ基板８上に
、ノンドープＧａＡｓバッファ層９を０．５μｍ成長し
、ノンドープＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層１０（厚さ６
ｎｍ）、ＳｉドープＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層１１（
Ｓｉドープ２×１０１８ｃｍ−３、厚さ６０ｎｍ）を成
長した、二次元電子ガス構造を用いた。
に評価用の試料構造を示す。高抵抗ＧａＡｓ基板８上に
、ノンドープＧａＡｓバッファ層９を０．５μｍ成長し
、ノンドープＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層１０（厚さ６
ｎｍ）、ＳｉドープＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層１１（
Ｓｉドープ２×１０１８ｃｍ−３、厚さ６０ｎｍ）を成
長した、二次元電子ガス構造を用いた。
【００１５】加工損傷の評価は、ガス混合比ＳＦ６／Ｃ
ｌ２＝０．０２５でＧａＡｓのエッチング深さ２００ｎ
ｍに対応する時間試料の表面をエッチングした。このと
き、ＡｌＧａＡｓの表面のエッチングされる量は２ｎｍ
以下である。図５は、温度７７Ｋで測定したものであり
、エッチング前１２とエッチング後１３の電子濃度（面
密度）及び電子の移動度を示す。図５からわかるように
、加工前後で電子濃度，移動度の低下はなく加工損傷が
ないことがわかる。また塩素（Ｃｌ２）と六弗化硫黄（
ＳＦ６）との混合ガスを用いることにより、従来のマグ
ネトロンエンハンスメントリアクチィブエッチング（Ｍ
ＥＲＩＥ）装置においても低い自己バイアス電圧（１０
Ｖ）でプラズマ重合膜が発生せず選択エッチングが可能
となり、加工損傷も低減できた。
ｌ２＝０．０２５でＧａＡｓのエッチング深さ２００ｎ
ｍに対応する時間試料の表面をエッチングした。このと
き、ＡｌＧａＡｓの表面のエッチングされる量は２ｎｍ
以下である。図５は、温度７７Ｋで測定したものであり
、エッチング前１２とエッチング後１３の電子濃度（面
密度）及び電子の移動度を示す。図５からわかるように
、加工前後で電子濃度，移動度の低下はなく加工損傷が
ないことがわかる。また塩素（Ｃｌ２）と六弗化硫黄（
ＳＦ６）との混合ガスを用いることにより、従来のマグ
ネトロンエンハンスメントリアクチィブエッチング（Ｍ
ＥＲＩＥ）装置においても低い自己バイアス電圧（１０
Ｖ）でプラズマ重合膜が発生せず選択エッチングが可能
となり、加工損傷も低減できた。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｇ
ａＡｓ半導体結晶のＡｌＧａＡｓ半導体結晶に対する選
択ドライエッチング法において、フロンガスを使用せず
に高選択性が得られる。またプラズマ重合膜ができない
ため低いイオンエネルギーで加工が行え、低損傷加工が
可能となる。
ａＡｓ半導体結晶のＡｌＧａＡｓ半導体結晶に対する選
択ドライエッチング法において、フロンガスを使用せず
に高選択性が得られる。またプラズマ重合膜ができない
ため低いイオンエネルギーで加工が行え、低損傷加工が
可能となる。
【図１】本発明によるＧａＡｓのＡｌＧａＡｓに対する
エッチング速度比のＳＦ６／Ｃｌ２ガス混合比依存性を
示す図である。
エッチング速度比のＳＦ６／Ｃｌ２ガス混合比依存性を
示す図である。
【図２】本実施例に用いたＥＣＲドライエッチング装置
図である。
図である。
【図３】ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓのエッチング速度のＳ
Ｆ６／Ｃｌ２ガス混合比依存性を示す図である。
Ｆ６／Ｃｌ２ガス混合比依存性を示す図である。
【図４】加工損傷評価用試料の構造図である。
【図５】エッチング前後での電子の面密度と移動度の変
化を示す図である。
化を示す図である。
１ 反応性ガス導入口
２ プラズマ室
３ マイクロ波
４ 試料
５ ＲＦバイアス電源
６ 排気口
７ 磁場用コイル
８ 高抵抗ＧａＡｓ基板
９ ＧａＡｓバッファ層
１０，１１ ＡｌＧａＡｓ層
Claims (1)
- 【請求項１】 ＡｌＧａＡｓ半導体結晶に対するＧａ
Ａｓ半導体結晶の選択ドライエッチング法において、エ
ッチングガスとして塩素ガスと六弗化硫黄ガスとの混合
ガスを用いることを特徴とする選択ドライエッチング方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2413331A JPH04221825A (ja) | 1990-12-24 | 1990-12-24 | 選択ドライエッチング方法 |
| DE69112592T DE69112592T2 (de) | 1990-12-24 | 1991-12-18 | Trockenätzprozess für Galliumarsenid. |
| EP91311735A EP0492951B1 (en) | 1990-12-24 | 1991-12-18 | Dry etching process for gallium arsenide |
| US07/811,679 US5364499A (en) | 1990-12-24 | 1991-12-23 | Dry etching process for gallium arsenide excellent in selectivity with respect to aluminum gallium arsenide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2413331A JPH04221825A (ja) | 1990-12-24 | 1990-12-24 | 選択ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04221825A true JPH04221825A (ja) | 1992-08-12 |
Family
ID=18522001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2413331A Pending JPH04221825A (ja) | 1990-12-24 | 1990-12-24 | 選択ドライエッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5364499A (ja) |
| EP (1) | EP0492951B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04221825A (ja) |
| DE (1) | DE69112592T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5370769A (en) * | 1991-10-29 | 1994-12-06 | Sony Corporation | Dry etching method of GaAs |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06314668A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Fujitsu Ltd | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| FR2876841B1 (fr) * | 2004-10-19 | 2007-04-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de multicouches sur un substrat |
| RU2576412C1 (ru) * | 2014-12-01 | 2016-03-10 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры |
| RU2734845C1 (ru) * | 2019-12-27 | 2020-10-23 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ InP |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0212817A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-17 | Nec Corp | ドライエッチング方法 |
| JPH03270243A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57170534A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-20 | Hitachi Ltd | Dry etching method for aluminum and aluminum alloy |
| JPS59189633A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60169140A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法 |
| US4734152A (en) * | 1986-12-22 | 1988-03-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Dry etching patterning of electrical and optical materials |
| US4874459A (en) * | 1988-10-17 | 1989-10-17 | The Regents Of The University Of California | Low damage-producing, anisotropic, chemically enhanced etching method and apparatus |
-
1990
- 1990-12-24 JP JP2413331A patent/JPH04221825A/ja active Pending
-
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0212817A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-17 | Nec Corp | ドライエッチング方法 |
| JPH03270243A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5370769A (en) * | 1991-10-29 | 1994-12-06 | Sony Corporation | Dry etching method of GaAs |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5364499A (en) | 1994-11-15 |
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| EP0492951A2 (en) | 1992-07-01 |
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