JPH042181B2 - - Google Patents

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JPH042181B2
JPH042181B2 JP59016258A JP1625884A JPH042181B2 JP H042181 B2 JPH042181 B2 JP H042181B2 JP 59016258 A JP59016258 A JP 59016258A JP 1625884 A JP1625884 A JP 1625884A JP H042181 B2 JPH042181 B2 JP H042181B2
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins

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Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は、解像力、即ち後述するγ値の改良さ
れたポジ型フオトレジスト組成物に関するもので
ある。 ナフトキノンジアジド基やベンゾキノンジアジ
ド基等のキノンジアジド基を有する化合物を含む
感光性樹脂組成物は300〜500μmの光照射により
キノンジアジド基が分解してカルボキシル基を生
ずることにより、アルカリ不溶の状態からアルカ
リ可溶性になることを利用してポジ型フオトレジ
ストに用いられる。この場合、通常ノボラツク樹
脂が組合せて用いられる。ノボラツク樹脂は均一
で丈夫なレジスト塗膜を得るのに重要である。こ
のポジ型フオトレジストはネガ型フオトレジスト
に比べ解像力が著しくすぐれているという特長を
有する。この高解像力を生かしてプリント配線用
銅張積層基板、ICやLSIなどの集積回路製作を行
うときの写真食刻法のエツチング保護膜として利
用されている。このうち集積回路については高集
積化に伴う微細化が進み、今や1μm巾のパターン
成形が要求されるに到つている。従来、集積回路
の成形にはマスク密着方式が用いられてきたが、
この方式では2μmが限界と言われており、これに
代り縮少投影露光方式が注目されている。この方
式はマスターマスク(レチクル)のパターンをレ
ンズ系により縮少投影して露光する方式であり、
解像力は約1μmまで可能である。一方装置の改良
とともにレジストにも高性能化が要求される。そ
の重要項目の一つにγ値の向上がある。γ値の定
義として、ここでは露光量がE1からE2に変化し
たとき、露光部の現像速度がR1からR2に変化し
たとすると、γ=(logR2−logR1)/(logE2
logE1)で表わされる値とする。γ値は解像力に
対応する指標であり、この値が大きいほど露光量
の変化に対する現像速度の変化が大きくなりパタ
ーンの切れがよくなる。 従来、このγ値の改良されたポジ型フオトレジ
スト組成物ないしその製造方法としてはキノンジ
アジドの改良にかかわるものが散見せられるのみ
で、最近の高解像度の要求に応えるには十分なも
のではなつた。そこで本願発明者等はこれまで等
閑視されていたノボラツク樹脂の改良によりγ値
を向上させる点に着目したものである。ところ
で、このノボラツク樹脂は古くより一般成型材料
用の樹脂として周知のものでありその改良につい
ては従来、種々の試みが積み重ねられているもの
の、一般成型材料用途とポジ型フオトレジスト用
途とは用途がかなり異り、前者用途用の樹脂をそ
のまま後者用途に供することができない。例えば
該樹脂の分子量についてみれば前者用途のそれは
重量平均分子量(Mw)2000以下であるが、フオ
トレジスト用としては最低3000以上は必要である
他原料フエノール類の選択基準も大幅に異るから
である。この一般成型材料用ノボラツク樹脂に関
する技術に関するものとして西独特許第1022005
号があり、これには水素よりイオン化傾向の大き
い二価の金属の有機酸塩を触媒として用いたノボ
ラツク樹脂の製法が示されている。このノボラツ
ク樹脂は酸触媒で合成されるノボラツク樹脂に比
べオルソ−オルソ結合が多く、所謂ハイオルソノ
ボラツク樹脂と呼ばれ、アミン系硬化剤と混合し
て成形すると酸触媒による樹脂よりも硬化速度が
速いという利点があるとされている。しかし、硬
化速度そのものは必ずしもポジ型フオトレジスト
に関し、好ましい属性であるわけでもなく、又同
公報にはポジ型フオトレジストに関する記載や示
唆があるわけではない。 このような背景で本願発明者らはノボラツク樹
脂について鋭意改良をすすめた結果、水素より電
気的陽性である二価金属の有機酸塩を触媒に用い
て、特に選ばれたフエノール類から合成されるノ
ボラツク樹脂をキノンジアジド化合物と組合せて
ポジ型フオトレジストに用いたところ、驚くべき
ことにレジストの重要基本性能であるγ値が大き
く向上することを見出し本発明を完成するに到つ
た。 即ち本発明は一般式
The present invention relates to a positive photoresist composition with improved resolution, that is, the γ value described below. A photosensitive resin composition containing a compound having a quinonediazide group such as a naphthoquinonediazide group or a benzoquinonediazide group changes from an alkali-insoluble state to an alkali-soluble state by decomposing the quinonediazide group and producing a carboxyl group when irradiated with light of 300 to 500 μm. It is used in positive photoresists to take advantage of this fact. In this case, novolac resins are usually used in combination. Novolac resins are important in obtaining uniform and durable resist coatings. This positive type photoresist has a feature of significantly superior resolution compared to a negative type photoresist. Taking advantage of this high resolution, it is used as an etching protection film for photolithography when manufacturing integrated circuits such as copper-clad laminates for printed wiring and ICs and LSIs. Among these, integrated circuits are becoming increasingly finer as they become more highly integrated, and pattern formation with a width of 1 μm is now required. Conventionally, a mask contact method has been used to mold integrated circuits, but
This method is said to have a limit of 2 μm, and as an alternative, reduced projection exposure methods are attracting attention. This method is a method in which the pattern of a master mask (reticle) is reduced and projected using a lens system for exposure.
Resolution is possible down to approximately 1 μm. On the other hand, as equipment improves, resists are also required to have higher performance. One of the important items is improving the γ value. As a definition of the γ value, when the exposure amount changes from E 1 to E 2 and the development speed of the exposed area changes from R 1 to R 2 , γ = (logR 2 - logR 1 ) / (logE 2
The value is expressed as logE1 ). The γ value is an index corresponding to resolution, and the larger the value, the greater the change in development speed with respect to the change in exposure amount, and the sharper the pattern. Until now, there have been only a few positive photoresist compositions with improved γ values and methods for producing the same that involve improving quinonediazide, and these are not sufficient to meet the recent demands for high resolution. . Therefore, the inventors of the present application focused on improving the γ value by improving novolac resins, which had been neglected until now. By the way, this novolac resin has been well known for a long time as a resin for general molding materials, and although various attempts have been made to improve it, there is a difference between its use as a general molding material and its use as a positive photoresist. The difference is quite significant, and the resin for the former use cannot be used as is for the latter use. For example, looking at the molecular weight of the resin, the weight average molecular weight (Mw) for the former application is less than 2000, but for photoresist use it is required to be at least 3000. This is because the selection criteria for other raw material phenols are also significantly different. be. West German Patent No. 1022005 relates to technology related to this novolak resin for general molding materials.
No. 1, which describes a method for producing a novolak resin using an organic acid salt of a divalent metal, which has a greater tendency to ionize than hydrogen, as a catalyst. This novolak resin has more ortho-ortho bonds than novolak resins synthesized using acid catalysts, and is called a high-ortho novolak resin. When mixed with an amine curing agent and molded, the curing speed is faster than resins synthesized with acid catalysts. It is said to have the advantage of being fast. However, the curing speed itself is not necessarily a desirable attribute for positive type photoresists, and this publication does not contain any description or suggestion regarding positive type photoresists. Against this background, the inventors of the present application have made intensive improvements to novolac resins, and as a result, they have developed a resin that can be synthesized from specially selected phenols using an organic acid salt of a divalent metal that is more electropositive than hydrogen as a catalyst. When a novolak resin is combined with a quinone diazide compound and used in a positive type photoresist, the inventors surprisingly found that the γ value, which is an important basic performance of a resist, was greatly improved, and the present invention was completed. That is, the present invention is based on the general formula

【式】(Rは水素 又は炭素数1〜4のアルキル基)で示される1種
又は2種以上の化合物の混合物であつて、フエノ
ール骨格1個あたりの平均置換基炭素数が0.5〜
1.5個であり、水酸基に対しオルソ又はパラの位
置に置換基を有する化合物の占める割合が50モル
%以下であるフエノール類とホルムアルデヒド
を、水素より電気的陽性である二価金属の有機酸
塩を触媒に用い、PH4〜7の条件下で付加縮合反
応させて(以下、一段法と称する。)得られるノ
ボラツク樹脂とキノンジアジド化合物を含むこと
を特徴とするポジ型フオトレジスト組成物、並び
に前記のごとく該金属有機酸塩を触媒に用いPH4
〜7の条件下で部分的に付加縮合反応させた後、
酸を触媒に用い、PH4未満の条件下でさらに付加
縮合反応させて(以下、二段法と称する。)得ら
れるノボラツク樹脂とキノンジアジド化合物を含
むことを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物
に関するものである。 以下に本発明をさらに詳しく述べる。まず、ノ
ボラツク樹脂について説明する。原料として用い
るフエノール類としては一般式
A mixture of one or more compounds represented by the formula (R is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms), and the average number of substituent carbon atoms per phenol skeleton is 0.5 to 0.
Phenols and formaldehyde in which the proportion of compounds having a substituent in the ortho or para position relative to the hydroxyl group is 50 mol% or less, and organic acid salts of divalent metals that are more electropositive than hydrogen. A positive photoresist composition characterized by containing a novolac resin and a quinonediazide compound obtained by an addition condensation reaction under conditions of PH4 to 7 (hereinafter referred to as a one-step method) using a catalyst, and as described above. Using the metal organic acid salt as a catalyst, PH4
After partial addition condensation reaction under the conditions of ~7,
A positive photoresist composition characterized by containing a novolac resin and a quinonediazide compound obtained by further carrying out an addition condensation reaction using an acid as a catalyst under conditions of pH below 4 (hereinafter referred to as a two-step method). It is. The present invention will be described in more detail below. First, the novolak resin will be explained. The general formula for phenols used as raw materials is

【式】で 示される1種の化合物又は2種以上の化合物の混
合物を用いる。前記一般式においてRは水素又は
炭素数1〜4のアルキル基を示し、そしてRは水
酸基に対してオルソ、メタ、パラのいずれの位置
に結合していてもよい。このような化合物として
は、フエノール、o−クレゾール、m−クレゾー
ル、p−クレゾール、o−エチルフエノール、m
−エチルフエノール、p−エチルフエノール、プ
ロピルフエノールの各異性体、ブチルフエノール
の各異性体があげられる。これらの化合物の1種
又は2種以上の混合物を用いるのであるが、その
場合、フエノール骨格1個あたりの平均置換基
炭素数が0.5〜1.5個でありかつ水酸基に対しオ
ルソ又はパラの位置に置換基を有する化合物の占
める割合が50モル%以下であるという条件を満足
するように選んで用いる。の条件に対し、フエ
ノール骨格1個あたりの平均置換基炭素数が0.5
個未満の場合は、ノボラツク樹脂が現像液(アル
カリ水溶液)に速く溶解しすぎるため、残るべき
非露光部の残膜率が低下し、逆にこの平均置換基
炭素数が1.5個を超える場合は、ノボラツク樹脂
が現像液に溶解する速度が遅くなり、露光部の現
像に時間がかかるという問題が生じる。従つてこ
の平均置換基炭素数は0.5〜1.5個となるように選
ぶ。又、の条件に対し、水酸基に対しオルソ又
はパラの位置に置換基を有する化合物の占める割
合が、50モル%を超えると本発明の目的とするγ
値の向上効果が小さくなるので好ましくない。従
つて、この割合が50モル%以下となるように選
ぶ。これら,の条件について以下に具体例を
あげて説明する。例えば、m−クレゾールとp−
クレゾールの混合物を用いる場合は、フエノール
骨格1個あたりの平均置換基炭素数が1個であり
の条件は満たされているのでの水酸基に対し
オルソ又はパラの位置に置換基を有する化合物の
占める割合が50モル%以下という条件よりm−ク
レゾール/p−クレゾール≧1の範囲で混合して
用いればよい。 次に、フエノールとm−エチルフエノールの混
合物を用いる場合は、水酸基に対しオルソ又はパ
ラの位置に置換基を有する化合物に該当するもの
が0%でありの条件は満足されているのでの
フエノール骨格1個あたりの平均置換基炭素数が
0.5〜1.5個の条件より、1/3≦フエノール/m
−エチルフエノール≦3(モル比)の範囲で用い
ればよい。又、別の例としてフエノールとp−エ
チルフエノールの混合物を用いる場合は、の条
件から1/3≦フエノール/p−エチルフエノー
ル≦3(モル比)となり、の条件からフエノー
ル/p−エチルフエノール≧1となるので,
の条件を合わせて1≦フエノール/p−エチルフ
エノール≦3(モル比)の範囲で用いればよい。 特に、フエノール類として1種の化合物のみを
選ぶ場合は,の条件よりm−クレゾールが唯
一のものとしてあげられる。以上、フエノール類
の具体例についてのべたが、この他に種々の組合
せ、3種以上の組合せが考えられ、その場合には
上記具体例による場合と同様に、,の条件よ
り混合比を選んで用いる。これらのうちでも、特
にm−クレゾールを95モル%以上含むフエノール
類は好適である。すなわち、m−クレゾールを95
%以上含むフエノール類は、m−クレゾール単味
に近く、ホルムアルデヒドとの付加縮合反応を精
密にコントロールでき、品質の非常に安定したノ
ボラツク樹脂が得られ、ひいてはロツト間バラツ
キの非常に少ないポジ型フオトレジスト組成物を
与えるという点でメリツトが大きい。 次にフエノール類と付加縮合反応させるホルム
アルデヒドについて説明する。 ホルムアルデヒドとしては、ホルムアルデヒド
水溶液(ホルマリン)、ホルムアルデヒドのオリ
ゴマーであるパラホルムアルデヒドを用いること
ができる。特に37%ホルマリンが工業的に多量に
生産されており好都合である。 次に、触媒として用いる水素より電気的陽性で
ある二価金属の有機酸塩について説明する。金属
が電子を放出してイオン化する傾向の大小を順番
にならべたものはイオン化列として知られてお
り、共立出版刊化学大辞典には一例としてK>
Ca>Na>Mg>Zn>Fe>Co>Pb>H>Cu>Ag
>Hg>Auの順で記載されている。本発明に用い
る金属の有機酸塩としては、このイオン化列で水
素より左側にある、すなわち水素よりイオン化傾
向が大きくかつ二価の金属の有機酸塩を用いる。
このような金属としては、バリウム、ストロンチ
ウム、カルシウム、マグネシウム、マンガン、亜
鉛、カドミウム、コバルト、鉛等があげられる。
このうち特にマグネシウム、マンガン、亜鉛、カ
ドミウム、コバルト、鉛が好適である。この他
鉄、クロム、ニツケル、錫も用いることができる
が、これらの二価金属は安定性が悪いため有用性
は低い。本発明の触媒としては、以上の二価金属
と有機酸の塩を用いる。この二価金属の有機塩と
しては、反応混合物に溶解性があり、かつ反応混
合物のPHが4〜7となるようなものを用いる。こ
のような塩の具体例としては酢酸、蟻酸、乳酸、
安息香酸等の塩があげられる。これらのうち、特
に酢酸塩が好適である。 この触媒として用いる二価金属の塩の量は、フ
エノール類に対して、0.1〜5重量%量用いるの
が適当である。0.1重量%未満であると触媒効果
が十分でなく5重量%を越えると効果が頭打ち、
不経済となり好ましくない。 以上説明したフエノール類とホルムアルデヒド
を前記二価金属塩を触媒として付加縮合反応させ
る方法は、公知の方法に従つて行うことができる
が、フエノール類の種類、触媒の種類によつて反
応速度が異なるので、反応系に応じた適切な条件
を選ぶ必要がある。特に反応系のPHは重要で、本
発明のノボラツク樹脂を得るにはPH4〜7とす
る。又、反応はバルクで行なうことも適当な溶剤
を用いて行うこともいずれも可能である。 次に、フエノール類とホルムアルデヒドを前記
の二価金属塩を触媒に用いて部分的に付加縮合反
応させた後、さらに酸を触媒に用いて付加縮合反
応させる方法について説明する。この場合、前段
の二価金属塩を触媒に用いて部分的に付加縮合さ
せる方法は前述の方法と同様に行なえばよい。後
段の付加縮合反応については、酸を触媒に用いる
が、ここで用いる酸は無機酸、有機酸のいずれで
もよい。具体的には塩酸、硫酸、リン酸、p−ト
ルエンスルホン酸、蓚酸、トリクロル酢酸等があ
げられる。反応は二価金属塩を用いて所定時間付
加縮合反応させた後に、反応系に酸を添加するこ
とによつて行う。この前段の反応時間と後段の反
応時間の割合を調整することにより、レジストの
γ値を制御することができる。前段の反応時間を
長くするとγ値は高くなるが、一方感度は低くな
る傾向となるので、この割合を調整すればγ値の
向上したかつ感度も良好なバランスのとれたノボ
ラツク樹脂が得られる。酸を添加した後のPHは4
未満となるように調節して行う。PHが低くなるほ
ど反応速度は速くなるが、フエノール類の種類に
より反応速度が異なるので適当な触媒、PHを選ん
で行う。又、反応はバルクで行なうことも適当な
溶剤を用いて行うこともいずれも可能である。 次にノボラツク樹脂の分子量についてである
が、フエノール類の種類、触媒の種類、反応条件
の違いにより、最適範囲が異なるが、触媒として
二価金属塩のみを用いる場合は、おおむねGPC
より求めた重量平均分子量Mwが3000〜8000が適
当である。又、触媒として前段に二価金属塩、後
段に酸を用いる場合はおおむねGPCより求めた
Mwが3000〜20000が適当である。分子量の調節
は、ホルムアルデヒドとフエノール類の比の変化
により行なう。ここに示したMwはGPCのクロマ
トグラムより単分散ポリスチレンを用いて得られ
る検量線を用いて計算した値であり、GPCクロ
マトグラムの測定は日本分析工業製のLC−08型
分取液体クロマトグラフ装置を用い、カラムとし
て、日本分析工業製のJAIGEL,LS255と
JAIGEL,2Hを1本づつ直列にしたものを、又、
キヤリア溶媒としてテトラヒドロフランを使用
し、流速約2.5ml/minで行なつた。 次に感光成分であるキノンジアジド化合物につ
いて述べる。キノンジアジド化合物はナフトキノ
ンジアジドスルホン酸クロリドやベンゾキノンジ
アジドスルホン酸クロリドとヒドロキシル基を有
する化合物を弱アルカリの存在下に縮合させるこ
とにより得られる。ヒドロキシル基を有する化合
物の例としては、ハイドロキノン、レゾルシン、
フロログルシン、2,4−ジヒドロキシベンゾフ
エノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエ
ノン、没食子酸アルキルエステル等があげられ
る。 このキノンジアジド化合物とノボラツク樹脂の
配合比は1:1〜1:6の範囲で用いるのが好ま
しい。 レジスト液の調製は、キノンジアジド化合物と
ノボラツク樹脂を溶剤に混合溶解することによつ
て行う。ここで用いる溶剤は、適当な乾燥速度で
溶剤が蒸発した後、均一で平滑な塗膜を与えるも
のがよい。そのようなものとしては、エチルセロ
ソルブアセテート、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、酢酸
ブチル、メチルイソブチルケトン、キシレン等が
あげられる。 以上のポジ型フオトレジスト組成物は、さらに
付加的な添加物として少量の付加的な樹脂、可塑
剤、染料などが添加されていてもよい。このう
ち、付加的な樹脂としてエポキシ樹脂が特に好適
である。エポキシ樹脂を添加することにより、密
着性が改良される。エポキシ樹脂は1分子中にエ
ポキシ基を2個以上もつ低分子または高分子化合
物であるが、分子量200〜20000のものが好適であ
る。工業的にはエピクロルヒドリンと活性水素化
合物から合成したものと、オレフインの酸化によ
るものがあるがいずれも用いうる。前者の例とし
てはビスフエノールAとエピクロルヒドリンの反
応物、テトラブロムビスフエノールAとエピクロ
ルヒドリンの反応物、レゾルシンとエピクロルヒ
ドリンの反応物、フエノール−ホルムアルデヒド
ノボラツク樹脂とエピクロルヒドリンの反応物、
クレゾール−ホルムアルデヒドノボラツク樹脂と
エピクロルヒドリンの反応物、p−アミノフエノ
ールとエピクロルヒドリンの反応物、アニリンと
エピクロルヒドリンの反応物等があげられる。ま
た後者の例としては、エポキシ化ポリブタジエ
ン、エポキシ化大豆油等があげられる。このエポ
キシ樹脂の添加量は、レジストの感光特性を大き
く変化させない範囲で用いるのが好ましく、エポ
キシ樹脂の種類、分子量によつて変つてくるが、
ノボラツク樹脂とキノンジアジド化合物の合計に
対し1〜20wt%の範囲で用いるのがよい。 次に本発明を実施例により、具体的に説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 参考例 1 (一段法) 500mlのセパラブルフラスコに、m−クレゾー
ル(純度99.4%)66.3g、ホルマリン(37.0%水
溶液)42.5g、酢酸亜鉛二水物0.66gを仕込み
(反応系のPH約6)、115℃の油浴で4時間加熱撹
拌し反応させ、中和、水洗、減圧乾燥してノボラ
ツク樹脂を得た。GPCクロマトグラフによる重
量平均分子量は4420であつた。 参考例 2,3 (二段法) 500mlのセパラブルフラスコにm−クレゾール
(純度99.4%)66.3g、ホルマリン(37%水溶液)
47.3g、酢酸亜鉛二水物0.66gを仕込み(反応系
のPH約6)、115℃の油浴で30分間加熱撹拌し反応
させた後、蓚酸二水物1.02g、イオン交換水6
g、エチルセロソルブアセテート60gを仕込み
(反応系のPH約1)、さらにX時間加熱撹拌し反応
させ中和、水洗、脱水してノボラツク樹脂のエチ
ルセロソルブアセテート溶液を得た。GPCクロ
マトグラフによる重量平均分子量は次のとおりで
あつた。
One type of compound or a mixture of two or more types of compounds represented by the formula is used. In the general formula, R represents hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R may be bonded to the hydroxyl group at any of the ortho, meta, and para positions. Such compounds include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, m-cresol,
Examples include isomers of -ethylphenol, p-ethylphenol, propylphenol, and isomers of butylphenol. One type or a mixture of two or more of these compounds is used, and in that case, the average number of substituent carbon atoms per phenol skeleton is 0.5 to 1.5, and the substituent is substituted in the ortho or para position with respect to the hydroxyl group. It is selected and used so as to satisfy the condition that the proportion of the group-containing compound is 50 mol% or less. For the conditions, the average number of substituent carbons per phenol skeleton is 0.5
If the average number of substituent carbon atoms exceeds 1.5, the novolak resin will dissolve too quickly in the developer (alkaline aqueous solution), resulting in a decrease in the remaining film rate in the unexposed areas. However, there arises a problem that the rate at which the novolac resin dissolves in the developer becomes slow, and it takes time to develop the exposed areas. Therefore, the average number of substituent carbon atoms is selected to be 0.5 to 1.5. In addition, if the proportion of the compound having a substituent at the ortho or para position with respect to the hydroxyl group exceeds 50 mol%, the target of the present invention is γ.
This is not preferable because the effect of improving the value becomes small. Therefore, this proportion is selected to be 50 mol% or less. These conditions will be explained below using specific examples. For example, m-cresol and p-
When using a mixture of cresols, the average number of substituent carbon atoms per phenol skeleton is 1, and the following condition is satisfied, so the ratio of compounds having a substituent at the ortho or para position to the hydroxyl group is Under the condition that m-cresol/p-cresol is 50 mol% or less, it is preferable to use the mixture in the range of m-cresol/p-cresol≧1. Next, when using a mixture of phenol and m-ethylphenol, the phenol skeleton is The average number of carbon atoms per substituent is
From the condition of 0.5 to 1.5, 1/3≦phenol/m
- Ethylphenol may be used within the range of 3 (molar ratio). In addition, as another example, when using a mixture of phenol and p-ethylphenol, from the condition, 1/3≦phenol/p-ethylphenol≦3 (molar ratio), and from the condition, phenol/p-ethylphenol≧ 1, so
It may be used within the range of 1≦phenol/p-ethylphenol≦3 (molar ratio), including the following conditions. In particular, when only one type of compound is selected as the phenol, m-cresol is the only one selected from the following conditions. Above, specific examples of phenols have been described, but various other combinations and combinations of three or more types are possible.In that case, the mixing ratio should be selected from the conditions of , as in the case of the specific examples above. use Among these, phenols containing 95 mol % or more of m-cresol are particularly suitable. That is, m-cresol at 95
% or more of phenols is similar to m-cresol alone, and the addition condensation reaction with formaldehyde can be precisely controlled, resulting in a novolak resin with very stable quality, and as a result, a positive-working photo film with very little variation between lots. It has a great advantage in that it provides a resist composition. Next, formaldehyde to be subjected to an addition condensation reaction with phenols will be explained. As the formaldehyde, an aqueous formaldehyde solution (formalin) and paraformaldehyde, which is an oligomer of formaldehyde, can be used. In particular, 37% formalin is produced industrially in large quantities and is convenient. Next, an organic acid salt of a divalent metal that is more electropositive than hydrogen and used as a catalyst will be explained. The order of magnitude of the tendency of metals to emit electrons and become ionized is known as an ionization series, and Kyoritsu Shuppan's Chemistry Dictionary lists K> as an example.
Ca>Na>Mg>Zn>Fe>Co>Pb>H>Cu>Ag
They are listed in the order of >Hg>Au. As the organic acid salt of a metal used in the present invention, an organic acid salt of a divalent metal that is on the left side of hydrogen in this ionization series, that is, has a larger ionization tendency than hydrogen, and is divalent.
Examples of such metals include barium, strontium, calcium, magnesium, manganese, zinc, cadmium, cobalt, lead, and the like.
Among these, magnesium, manganese, zinc, cadmium, cobalt, and lead are particularly preferred. In addition, iron, chromium, nickel, and tin can also be used, but these divalent metals have poor stability and are therefore less useful. As the catalyst of the present invention, a salt of the above divalent metal and an organic acid is used. As the organic salt of the divalent metal, one is used that is soluble in the reaction mixture and has a pH of 4 to 7. Specific examples of such salts include acetic acid, formic acid, lactic acid,
Examples include salts such as benzoic acid. Among these, acetate is particularly preferred. The appropriate amount of the divalent metal salt used as the catalyst is 0.1 to 5% by weight based on the phenol. If it is less than 0.1% by weight, the catalytic effect will not be sufficient, and if it exceeds 5% by weight, the effect will reach a plateau.
This is uneconomical and undesirable. The above-described addition condensation reaction between phenols and formaldehyde using the divalent metal salt as a catalyst can be carried out according to a known method, but the reaction rate varies depending on the type of phenol and the type of catalyst. Therefore, it is necessary to select appropriate conditions depending on the reaction system. In particular, the pH of the reaction system is important, and in order to obtain the novolak resin of the present invention, the pH is set at 4 to 7. Further, the reaction can be carried out either in bulk or by using a suitable solvent. Next, a method will be described in which a phenol and formaldehyde are subjected to a partial addition-condensation reaction using the above divalent metal salt as a catalyst, and then further subjected to an addition-condensation reaction using an acid as a catalyst. In this case, the partial addition condensation using the divalent metal salt as a catalyst in the first stage may be carried out in the same manner as the above-mentioned method. For the subsequent addition condensation reaction, an acid is used as a catalyst, and the acid used here may be either an inorganic acid or an organic acid. Specific examples include hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, p-toluenesulfonic acid, oxalic acid, and trichloroacetic acid. The reaction is carried out by carrying out an addition condensation reaction using a divalent metal salt for a predetermined period of time, and then adding an acid to the reaction system. By adjusting the ratio between the reaction time in the first stage and the reaction time in the second stage, the γ value of the resist can be controlled. If the reaction time in the first stage is increased, the γ value increases, but the sensitivity tends to decrease. Therefore, by adjusting this ratio, a well-balanced novolak resin with an improved γ value and good sensitivity can be obtained. PH after adding acid is 4
Adjust so that it is less than The lower the PH, the faster the reaction rate, but since the reaction rate varies depending on the type of phenol, select an appropriate catalyst and PH. Further, the reaction can be carried out either in bulk or by using a suitable solvent. Next, regarding the molecular weight of novolak resin, the optimum range differs depending on the type of phenol, the type of catalyst, and the reaction conditions, but when using only a divalent metal salt as a catalyst, the GPC
It is appropriate that the weight average molecular weight Mw determined by this method is 3000 to 8000. In addition, when using a divalent metal salt in the first stage and an acid in the second stage as a catalyst, it is generally determined by GPC.
Mw of 3000 to 20000 is appropriate. Molecular weight is controlled by changing the ratio of formaldehyde to phenols. The Mw shown here is a value calculated from a GPC chromatogram using a calibration curve obtained using monodisperse polystyrene, and the GPC chromatogram was measured using an LC-08 preparative liquid chromatograph manufactured by Nippon Analytical Kogyo. Using the equipment, the column was JAIGEL, LS255 manufactured by Nippon Analytical Industry Co., Ltd.
JAIGEL, 2H connected one by one in series,
Tetrahydrofuran was used as a carrier solvent at a flow rate of about 2.5 ml/min. Next, the quinonediazide compound, which is a photosensitive component, will be described. A quinonediazide compound can be obtained by condensing naphthoquinonediazide sulfonic acid chloride or benzoquinonediazide sulfonic acid chloride with a compound having a hydroxyl group in the presence of a weak alkali. Examples of compounds with hydroxyl groups include hydroquinone, resorcinol,
Examples include phloroglucin, 2,4-dihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, gallic acid alkyl ester, and the like. The mixing ratio of the quinonediazide compound and the novolac resin is preferably in the range of 1:1 to 1:6. The resist solution is prepared by mixing and dissolving a quinonediazide compound and a novolak resin in a solvent. The solvent used here is preferably one that provides a uniform and smooth coating film after the solvent evaporates at an appropriate drying rate. Such substances include ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve, methyl cellosolve, butyl acetate, methyl isobutyl ketone, xylene, and the like. The positive photoresist composition described above may further contain small amounts of additional resins, plasticizers, dyes, etc. as additional additives. Among these, epoxy resin is particularly suitable as the additional resin. Adhesion is improved by adding epoxy resin. Epoxy resins are low-molecular or high-molecular compounds having two or more epoxy groups in one molecule, and those having a molecular weight of 200 to 20,000 are preferred. Industrially, there are two types: one synthesized from epichlorohydrin and an active hydrogen compound, and one based on oxidation of olefin, both of which can be used. Examples of the former include a reaction product of bisphenol A and epichlorohydrin, a reaction product of tetrabromobisphenol A and epichlorohydrin, a reaction product of resorcinol and epichlorohydrin, a reaction product of phenol-formaldehyde novolak resin and epichlorohydrin,
Examples include a reaction product of cresol-formaldehyde novolac resin and epichlorohydrin, a reaction product of p-aminophenol and epichlorohydrin, and a reaction product of aniline and epichlorohydrin. Examples of the latter include epoxidized polybutadiene and epoxidized soybean oil. The amount of this epoxy resin added is preferably within a range that does not significantly change the photosensitive characteristics of the resist, and will vary depending on the type and molecular weight of the epoxy resin.
It is preferably used in an amount of 1 to 20 wt% based on the total of the novolac resin and the quinonediazide compound. EXAMPLES Next, the present invention will be specifically explained with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples. Reference Example 1 (One-stage method) Into a 500 ml separable flask, 66.3 g of m-cresol (purity 99.4%), 42.5 g of formalin (37.0% aqueous solution), and 0.66 g of zinc acetate dihydrate were charged (the pH of the reaction system was approximately 6). ), heated and stirred in a 115°C oil bath for 4 hours to react, neutralized, washed with water, and dried under reduced pressure to obtain a novolak resin. The weight average molecular weight determined by GPC chromatography was 4420. Reference Examples 2 and 3 (Two-step method) 66.3 g of m-cresol (purity 99.4%) and formalin (37% aqueous solution) in a 500 ml separable flask.
After charging 47.3 g of zinc acetate dihydrate and 0.66 g of zinc acetate dihydrate (PH of the reaction system is about 6), heating and stirring in an oil bath at 115°C for 30 minutes to react, add 1.02 g of oxalic acid dihydrate and 6 g of ion-exchanged water.
g, and 60 g of ethyl cellosolve acetate were charged (PH of the reaction system was about 1), and the mixture was heated and stirred for further X hours to react, neutralized, washed with water, and dehydrated to obtain a solution of novolac resin in ethyl cellosolve acetate. The weight average molecular weight determined by GPC chromatography was as follows.

【表】 参考例 4 (二段法) 500mlのセパラブルフラスコにm−クレゾール
(純度99.4%)66.3%、酢酸亜鉛二水物0.66g、イ
オン交換水6.6gを仕込み、115℃の油浴で加熱撹
拌しながらホルマリン(37.0%)水溶液45.0gを
40分間かけて滴下し、その後2時間さらに加熱、
撹拌反応させた。ついでエチルセロソルブアセテ
ート60gと5%蓚酸水溶液12.5gを仕込みさらに
115℃の油浴で7時間加熱撹拌反応させ、その後
中和、水洗、脱水してノボラツク樹脂のエチルセ
ロソルブアセテート溶液を得た。GPCクロマト
グラフによる重量平均分子量は、7430であつた。 参考例 5〜7 (二段法) 500mlのセパラブルフラスコにm−クレゾール
(純度99.4%)66.3g、酢酸亜鉛二水物0.66g、イ
オン交換水6.6gを仕込み、115℃の油浴で加熱撹
拌しながらホルマリン(37.0%)水溶液47.3gを
40分間かけて滴下し、その後40分間さらに加熱撹
拌反応させた。ついでエチルセロソルブアセテー
ト60gを仕込み、続いて5%蓚酸水溶液12.5gを
40分間かけて滴下し、その後X時間加熱撹拌反応
させその後中和、水洗、脱水してノボラツク樹脂
のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。
GPCクロマトグラフによる重量平均分子量は次
のとおりであつた。
[Table] Reference Example 4 (Two-step method) Charge 66.3% m-cresol (purity 99.4%), 0.66 g of zinc acetate dihydrate, and 6.6 g of ion-exchanged water into a 500 ml separable flask, and heat in an oil bath at 115°C. While heating and stirring, add 45.0 g of formalin (37.0%) aqueous solution.
Dropped over 40 minutes, then further heated for 2 hours.
The reaction was stirred. Next, add 60 g of ethyl cellosolve acetate and 12.5 g of 5% oxalic acid aqueous solution.
The reaction mixture was heated and stirred in an oil bath at 115° C. for 7 hours, and then neutralized, washed with water, and dehydrated to obtain an ethyl cellosolve acetate solution of novolak resin. The weight average molecular weight determined by GPC chromatography was 7430. Reference Examples 5 to 7 (Two-step method) Charge 66.3 g of m-cresol (purity 99.4%), 0.66 g of zinc acetate dihydrate, and 6.6 g of ion-exchanged water in a 500 ml separable flask and heat in an oil bath at 115°C. While stirring, add 47.3 g of formalin (37.0%) aqueous solution.
The mixture was added dropwise over a period of 40 minutes, and the reaction was continued with stirring for an additional 40 minutes. Next, add 60g of ethyl cellosolve acetate, followed by 12.5g of 5% oxalic acid aqueous solution.
The mixture was added dropwise over 40 minutes, followed by heating and stirring reaction for X hours, followed by neutralization, washing with water, and dehydration to obtain a solution of novolac resin in ethyl cellosolve acetate.
The weight average molecular weight determined by GPC chromatography was as follows.

【表】 参考例 8 500mlのセパラブルフラスコにm−クレゾール
(純度99.4%)66.3g、ホルマリン(37%水溶液)
47.3g、蓚酸二水物1.02g、イオン交換水6g、
エチルゼロソルブアセテート60gを仕込み、115
℃の油浴で5時間加熱撹拌し反応させ、中和、水
洗、脱水してノボラツク樹脂のエチルセロソルブ
アセテート溶液を得た。 GPCクロマトグラフによる重量平均分子量は
8220であつた。 参考例 9 (二段法) 500mlのセパラブルフラスコにm−クレゾー
ル/p−クレゾール=6/4の混合クレゾール
66.3g、ホルマリン(37%水溶液)45.0g、酢酸
亜鉛二水物0.66gを仕込み、115℃の油浴で0.5時
間加熱撹拌し反応させた後、蓚酸二水物1.02g、
イオン交換水6g、エチルセロソルブアセテート
60gを仕込み、さらに3.5時間加熱撹拌し反応さ
せ、さらに中和、水洗、脱水してノボラツク樹脂
のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。
GPCクロマトグラフによる重量平均分子量は
5010であつた。 参考例 10 500mlのセパラブルフラスコにm−クレゾー
ル/p−クレゾール=6/4の混合クレゾール
66.3g、ホルマリン(37%水溶液)45.0g、蓚酸
二水物1.02g、イオン交換水6g、エチルセロソ
ルブアセテート60gを仕込み、115℃の油浴で3
時間加熱撹拌し、反応させ、中和、水洗、脱水し
てノボラツク樹脂のエチルセロソルブアセテート
溶液を得た。GPCクロマトグラフによる重量平
均分子量は5280であつた。 参考例 11 (二段法) 500mlのセパラブルフラスコにフエノール28.9
g、m−エチルフエノール37.5g、ホルマリン
(37%水溶液)45.0g、酢酸亜鉛二水物0.66gを
仕込み、115℃の油浴で0.5時間加熱撹拌し反応さ
せた後、蓚酸二水物1.02g、イオン交換水6g、
エチルセロソルブアセテート60gを仕込み、さら
に8時間加熱撹拌し反応させ、中和、水洗、脱水
してノボラツク樹脂のエチルセロソルブアセテー
ト溶液を得た。 GPCクロマトグラフによる重量平均分子量は
4830であつた。 参考例 12 500mlのセパラブルフラスコにフエノール28.9
g、m−エチルフエノール37.5g、ホルマリン
(37%水溶液)47.5g、蓚酸二水物1.02g、イオ
ン交換水6g、エチルセロソルブアセテート20g
を仕込み、115℃の油浴で3時間加熱、撹拌、反
応させた後、エチルセロソルブアセテート40gを
仕込みさらに3時間加熱、撹拌、反応させ中和、
水洗、脱水してノボラツク樹脂のエチルセロソル
ブアセテート溶液を得た。GPCクロマトグラフ
による重量平均分子量は5570であつた。 参考例 13〜19 (一段法) 500mlのセパラブルフラスコにm−クレゾール
(純度99.4%)66.3g、ホルマリン(37.0%水溶
液)42.5g、下記の金属塩0.66gを仕込み(反応
系のPHはいずれも4〜7の範囲に入る)、115℃の
油浴で4時間加熱撹拌反応させ、中和、水洗、減
圧乾燥してノボラツク樹脂を得ることができる。
[Table] Reference example 8 66.3 g of m-cresol (purity 99.4%) and formalin (37% aqueous solution) in a 500 ml separable flask.
47.3g, oxalic acid dihydrate 1.02g, ion exchange water 6g,
Prepare 60g of ethyl zero solve acetate, 115
The reaction mixture was heated and stirred in an oil bath at 0.degree. C. for 5 hours, neutralized, washed with water, and dehydrated to obtain an ethyl cellosolve acetate solution of novolak resin. The weight average molecular weight by GPC chromatography is
It was 8220. Reference Example 9 (Two-step method) Mixed cresol of m-cresol/p-cresol = 6/4 in a 500 ml separable flask.
66.3 g, formalin (37% aqueous solution) 45.0 g, and zinc acetate dihydrate 0.66 g were heated and stirred in an oil bath at 115°C for 0.5 hours to react, and then oxalic acid dihydrate 1.02 g,
6g of ion exchange water, ethyl cellosolve acetate
60 g of the solution was added, heated and stirred for 3.5 hours to react, and further neutralized, washed with water, and dehydrated to obtain an ethyl cellosolve acetate solution of novolak resin.
The weight average molecular weight by GPC chromatography is
It was 5010. Reference example 10 Mixed cresol of m-cresol/p-cresol = 6/4 in a 500ml separable flask.
66.3g, formalin (37% aqueous solution) 45.0g, oxalic acid dihydrate 1.02g, ion-exchanged water 6g, and ethyl cellosolve acetate 60g were prepared and heated in an oil bath at 115°C.
The mixture was heated and stirred for a period of time to react, neutralized, washed with water, and dehydrated to obtain a solution of novolak resin in ethyl cellosolve acetate. The weight average molecular weight determined by GPC chromatography was 5280. Reference example 11 (Two-step method) Phenol 28.9 in a 500ml separable flask
37.5 g of m-ethylphenol, 45.0 g of formalin (37% aqueous solution), and 0.66 g of zinc acetate dihydrate were heated and stirred in an oil bath at 115°C for 0.5 hours to react, and then 1.02 g of oxalic acid dihydrate was prepared. , 6g of ion exchange water,
60 g of ethyl cellosolve acetate was added, heated and stirred for further 8 hours to react, neutralized, washed with water, and dehydrated to obtain a solution of novolak resin in ethyl cellosolve acetate. The weight average molecular weight by GPC chromatography is
It was 4830. Reference example 12 Phenol 28.9 in a 500ml separable flask
g, m-ethylphenol 37.5g, formalin (37% aqueous solution) 47.5g, oxalic acid dihydrate 1.02g, ion exchange water 6g, ethyl cellosolve acetate 20g
After heating, stirring, and reacting in an oil bath at 115°C for 3 hours, 40 g of ethyl cellosolve acetate was added, and the mixture was heated, stirred, and reacted for an additional 3 hours, and then neutralized.
The mixture was washed with water and dehydrated to obtain a solution of novolak resin in ethyl cellosolve acetate. The weight average molecular weight determined by GPC chromatography was 5570. Reference Examples 13 to 19 (One-stage method) 66.3 g of m-cresol (purity 99.4%), 42.5 g of formalin (37.0% aqueous solution), and 0.66 g of the following metal salts were placed in a 500 ml separable flask (the pH of the reaction system (also falls within the range of 4 to 7), the reaction is heated and stirred in an oil bath at 115° C. for 4 hours, neutralized, washed with water, and dried under reduced pressure to obtain a novolak resin.

【表】 実施例1〜9、比較例1〜8 表1に示すように、参考例1〜12に示すノボラ
ツク樹脂を各々、感光剤、エポキシ樹脂、染料と
ともにエチルセロソルブアセテート/酢酸n−ブ
チル/キシレン=8/1/1の混合比の溶剤に溶
解し、レジスト液を調合した(溶剤の量は以下に
示す塗布条件で1.25μmとなるように調製)。これ
らの組成物をポアサイズ0.2μmのフイルターでロ
過、異物粒子を除去した。これを常法によつて洗
浄したシリコンウエハーに回転塗布機を用い
4000r.p.mで塗布した。ついでこのシリコンウエ
ハーを900℃のクリーンオーブンに入れ20分間ベ
ークした。その後、350Wの超高圧水銀灯を光源
とするコンタクトアライナーを用い、光学的透過
率が段階的に変化しているステツプタブレツトマ
スクを通して5秒間露光した。ついでテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキサイドの水溶液(2.38
%)を用い75秒間現像した。リンス、乾燥後各ス
テツプの現像速度と露光量をプロツトしてγ値を
求めた。結果を表1に示す。 表から明らかなように実施例1〜9のγ値は比
較例1〜3に比べ格段に改良された。
[Table] Examples 1 to 9, Comparative Examples 1 to 8 As shown in Table 1, the novolac resins shown in Reference Examples 1 to 12 were mixed with ethyl cellosolve acetate/n-butyl acetate/n-butyl acetate/photosensitive agent, epoxy resin, and dye, respectively. A resist solution was prepared by dissolving it in a solvent with a mixing ratio of xylene = 8/1/1 (the amount of solvent was adjusted to 1.25 μm under the coating conditions shown below). These compositions were filtered through a filter with a pore size of 0.2 μm to remove foreign particles. This was applied to a silicon wafer that had been cleaned using a conventional method using a spin coating machine.
It was applied at 4000r.pm. This silicon wafer was then placed in a clean oven at 900°C and baked for 20 minutes. Thereafter, using a contact aligner using a 350 W ultra-high pressure mercury lamp as a light source, exposure was performed for 5 seconds through a step tablet mask with stepwise changing optical transmittance. Then an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (2.38
%) for 75 seconds. After rinsing and drying, the development speed and exposure amount at each step were plotted to determine the γ value. The results are shown in Table 1. As is clear from the table, the γ values of Examples 1 to 9 were significantly improved compared to Comparative Examples 1 to 3.

【表】【table】

【表】 実施例 13〜19 参考例13〜19に示すノボラツク樹脂17部、実施
例1に用いたと同じ感光剤7部、実施例1に用い
たと同じエポキシ樹脂2.0部、実施例1に用いた
と同じ染料0.15部をエチルセロソルブアセテー
ト/酢酸n−ブチル=7/3の混合比の溶剤に溶
解し、レジスト液を調合する。(溶剤の量は、
4000r.p.mの回転塗布により1.25μmとなるように
調製)。これら組成物を実施例1と同様にロ過、
シリコンウエハーへの塗布、ベーク、露光、現
像、リンス、乾燥後各ステツプの現像速度と露光
量をプロツトしてγ値を求める。表2に示される
ように、いずれもγ値が格段に改良されている。
[Table] Examples 13 to 19 17 parts of the novolac resin shown in Reference Examples 13 to 19, 7 parts of the same photosensitizer used in Example 1, 2.0 parts of the same epoxy resin used in Example 1, and 2.0 parts of the same epoxy resin used in Example 1. A resist solution is prepared by dissolving 0.15 parts of the same dye in a solvent with a mixing ratio of ethyl cellosolve acetate/n-butyl acetate=7/3. (The amount of solvent is
Adjusted to 1.25μm by spin coating at 4000rpm). These compositions were filtered in the same manner as in Example 1,
After coating the silicon wafer, baking, exposing, developing, rinsing, and drying, the development speed and exposure amount for each step are plotted to determine the γ value. As shown in Table 2, the γ value was significantly improved in all cases.

【表】【table】

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 一般式【式】(Rは水素又は炭素数 1〜4のアルキル基)で示される1種又は2種以
上の化合物の混合物であつて、フエノール骨格1
個あたりの平均置換基炭素数が0.5〜1.5個であ
り、水酸基に対しオルソ又はパラの位置に置換基
を有する化合物の占める割合が50モル%以下であ
るフエノール類とホルムアルデヒドを、バリウ
ム、ストロンチウム、カルシウム、マグネシウ
ム、マンガン、亜鉛、カドミウム、コバルト、
鉛、鉄、クロム、ニツケル及び錫の中から選ばれ
る少なくとも1つの二価金属の有機酸塩を触媒に
用い、PH4〜7の条件下で付加縮合反応させて得
られるノボラツク樹脂とキノンジアジド化合物を
含むことを特徴とするポジ型フオトレジスト組成
物。 2 一般式【式】(Rは水素又は炭素数 1〜4のアルキル基)で示される1種又は2種以
上の化合物の混合物であつて、フエノール骨格1
個あたりの平均置換基炭素数が0.5〜1.5個であ
り、水酸基に対しオルソ又はパラの位置に置換基
を有する化合物の占める割合が50モル%以下であ
るフエノール類とホルムアルデヒドを、バリウ
ム、ストロンチウム、カルシウム、マグネシウ
ム、マンガン、亜鉛、カドミウム、コバルト、
鉛、鉄、クロム、ニツケル及び錫の中から選ばれ
る少なくとも1つの二価金属の有機酸塩を触媒に
用い、PH4〜7の条件下で部分的に付加縮合反応
させた後、酸を触媒に用い、PH4未満の条件下で
さらに付加縮合反応させて得られるノボラツク樹
脂とキノンジアジド化合物を含むことを特徴とす
るポジ型フオトレジスト組成物。 3 フエノール類がm−クレゾールを95モル%以
上含むフエノール類であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載のポジ型フオトレジスト組
成物。 4 フエノール類がm−クレゾールを95モル%以
上含むクレゾールであることを特徴とする特許請
求の範囲第2項記載のポジ型フオトレジスト組成
物。
[Scope of Claims] 1 A mixture of one or more compounds represented by the general formula [Formula] (R is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms), which has a phenol skeleton 1
Barium, strontium, Calcium, magnesium, manganese, zinc, cadmium, cobalt,
Contains a novolak resin and a quinone diazide compound obtained by addition condensation reaction under conditions of PH4 to 7 using an organic acid salt of at least one divalent metal selected from lead, iron, chromium, nickel, and tin as a catalyst. A positive photoresist composition characterized by: 2 A mixture of one or more compounds represented by the general formula [Formula] (R is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms), which has a phenol skeleton 1
Barium, strontium, Calcium, magnesium, manganese, zinc, cadmium, cobalt,
Using an organic acid salt of at least one divalent metal selected from lead, iron, chromium, nickel, and tin as a catalyst, a partial addition condensation reaction is carried out under conditions of PH4 to 7, and then an acid is used as a catalyst. 1. A positive photoresist composition comprising a novolak resin and a quinone diazide compound obtained by further addition-condensation reaction under conditions of pH below 4. 3. The positive photoresist composition according to claim 1, wherein the phenol is a phenol containing 95 mol% or more of m-cresol. 4. The positive photoresist composition according to claim 2, wherein the phenol is cresol containing 95 mol% or more of m-cresol.
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