JPH04214900A - Device for supplying metal ion in electroplating - Google Patents

Device for supplying metal ion in electroplating

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JPH04214900A
JPH04214900A JP2132991A JP2132991A JPH04214900A JP H04214900 A JPH04214900 A JP H04214900A JP 2132991 A JP2132991 A JP 2132991A JP 2132991 A JP2132991 A JP 2132991A JP H04214900 A JPH04214900 A JP H04214900A
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JP
Japan
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metal
plating solution
tank
metal ion
sludge
Prior art date
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Application number
JP2132991A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadao Fujinaga
藤永 忠男
Toru Honjo
本庄 徹
Koji Yamato
康二 大和
Akira Yasuda
安田 顕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To prevent drainage of fine metallic particles into plating solution tank and to prevent generation of press scratches in the plated products in a supplying device of metal ion in the case of electroplating by using insoluble anode. Additionally, to effectively remove sludge and to prevent quality deteriora tion of the plated products. CONSTITUTION:In the case of draining plating solution having increased concentration of metal ion into plating solution tank, as the filter 10 is provided in free board part 8 of the main body of the metal dissolution tank 19 to prevent the drainage of fine particles, generation of pressed scratches in plated products and deterioration of plated products are diminished. Also, by disposing sludge removal tank 11 in lower part of packed tank part 5 of the main body of the metal dissolution tank 19, sludge (mainly consist of Zn, Fe, Ni, Pb.) are removed regularly and preventing redissolution of harmful metals such as Fe, Ni, Pb and to diminish deterioration of characteristic value of the plated products.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、不溶性陽極を使用する
電気めっきにおける金属イオンの供給装置に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for supplying metal ions in electroplating using an insoluble anode.

【0002】0002

【従来の技術】近年、鋼材、鋼板等の電気めっきにおい
ては、めっき液中のめっき金属イオン溶解量の安定化や
消費電力低減化等のため、めっき液中にめっき金属イオ
ンを溶出しない不溶性陽極を使用する電気めっきが指向
されている。金属めっきとしては種々のものが使われて
いるが、代表例としてZnについて述べる。
[Prior Art] In recent years, in electroplating of steel materials, steel plates, etc., insoluble anodes that do not elute plating metal ions into the plating solution are used to stabilize the amount of plating metal ions dissolved in the plating solution and to reduce power consumption. Electroplating using Although various metal platings are used, Zn will be described as a typical example.

【0003】不溶性陽極によるZnめっきでは、一般に
硫酸塩浴が用いられ、その陰、陽極の反応はそれぞれ、
      陰極    Zn2++2e→Zn   
                     …(1)
      陽極    SO42− +H2O →H
2SO4 + 1/2O2↑+2e  …(2)である
。すなわち、めっき液中において、(1)式によるZn
2+の減少と、(2)式によるpHの低下が起こるため
、金属イオンの供給またpHの調整を連続的に、また定
期的に行う必要がある。
[0003] In Zn plating using an insoluble anode, a sulfate bath is generally used, and the reactions at the anode and cathode are as follows:
Cathode Zn2++2e→Zn
...(1)
Anode SO42- +H2O →H
2SO4 + 1/2O2↑+2e (2). That is, in the plating solution, Zn according to formula (1)
Since a decrease in 2+ and a decrease in pH according to equation (2) occur, it is necessary to supply metal ions and adjust the pH continuously and periodically.

【0004】Znめっきの場合、金属イオンの供給源と
してZn金属またはその酸化物、水酸化物、炭酸塩など
があり、その供給方法としてコスト面、作業性などから
、Zn金属をZn2+イオンの減少しためっき液に浸漬
し、溶解する方法が採られている。この時の反応は、 
             Zn+H2SO4 →Zn
SO4 +H2↑              …(3
)であり、金属イオン (Zn2+) の増加とpHの
上昇が起こる。すなわち、この(3)式の反応により、
前述したZn2+イオンの減少とpHの低下を同時に補
うことができ好都合である。
[0004] In the case of Zn plating, there are Zn metal or its oxides, hydroxides, carbonates, etc. as a supply source of metal ions, and from the viewpoint of cost and workability, Zn metal is used to reduce Zn2+ ions. The method used is to immerse it in a plating solution and dissolve it. The reaction at this time is
Zn+H2SO4 →Zn
SO4 +H2↑ …(3
), and an increase in metal ions (Zn2+) and a rise in pH occur. That is, by the reaction of this formula (3),
This is advantageous because it can simultaneously compensate for the decrease in Zn2+ ions and the decrease in pH described above.

【0005】めっき液の金属イオンを供給する方法とし
て従来、充填層方式やバレル方式などがある。充填層方
式は、例えば特開昭58−151489号公報等に開示
されており、図5に示すように、電解槽を出た溶液は充
填槽26の下部の配管27より送り込まれ、多孔質板2
8、充填亜鉛粒子29を通過し充填槽上部の排出間隙3
0より排出され、再び電解槽へ送り込まれる。なお、充
填槽頂部の配管からは、発生した水素ガス32が排出さ
れる。
Conventional methods for supplying metal ions in a plating solution include a packed bed method and a barrel method. The packed bed method is disclosed, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-151489, and as shown in FIG. 2
8. Pass through the filling zinc particles 29 and discharge gap 3 at the top of the filling tank
0 and sent to the electrolytic cell again. Note that the generated hydrogen gas 32 is discharged from the piping at the top of the filling tank.

【0006】一方、実開昭60−25761号公報等に
開示されているバレル方式がある。これは図6に示すよ
うに、液槽33内には、めっき液34に浸漬して、外周
に多数の孔35を有し、内部に金属粒36を有する中空
回転体バレル37が回転自在に設けられている。ホッパ
ー38からは金属粒が、また導入管39から金属イオン
濃度の減少しためっき浴槽のめっき液が、それぞれ中空
回転体37に供給され、中空回転体37が回転して金属
粒36同士の接触を行わせ、各金属粒36表面に生成す
る水酸化物の皮膜を破壊して金属粒36の溶解を促進し
、この溶解により、金属イオン濃度の増大しためっき液
を、導出管40を介して液槽33から導出する方式であ
る。
On the other hand, there is a barrel method disclosed in Japanese Utility Model Application Publication No. 60-25761. As shown in FIG. 6, in the liquid tank 33, a hollow rotary barrel 37 is immersed in the plating solution 34, has a large number of holes 35 on the outer periphery, and has metal grains 36 inside. It is provided. The metal particles are supplied from the hopper 38 and the plating solution in the plating bath with reduced metal ion concentration is supplied from the introduction pipe 39 to the hollow rotary body 37, and the hollow rotary body 37 rotates to prevent the metal particles 36 from coming into contact with each other. This process destroys the hydroxide film formed on the surface of each metal particle 36 to promote dissolution of the metal particles 36, and as a result of this dissolution, the plating solution with increased metal ion concentration is discharged through the outlet pipe 40. This is a method in which the water is extracted from a tank 33.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の特開昭
58−151489号公報等に開示されている充填層方
式では、めっき液をめっき浴槽へ導出する際、フィルタ
ーの装着がないため微細な金属粉が導出されたり、ひい
てはめっき浴槽内に流入しロールに付着した場合、めっ
き製品に押しキズなどが発生し、めっき製品特性値を著
しく害する恐れがある。更に、スラッジの除去ができな
い等の欠点を有している。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the packed bed method disclosed in the above-mentioned Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 58-151489, etc., when the plating solution is delivered to the plating bath, there is no filter attached, so fine particles are removed. If the metal powder is drawn out or even flows into the plating bath and adheres to the rolls, it may cause press scratches on the plated product and significantly impair the properties of the plated product. Furthermore, it has drawbacks such as the inability to remove sludge.

【0008】また、実開昭60−25761号公報等に
開示されているバレル方式では、金属イオンの供給を律
するものは、前述のようにめっき液のpHであるので、
本方式においても、pH4近くなると溶解速度が極端に
低下するという問題とスラッジの除去ができないという
問題がある。 本発明は、このような問題を解決した電気めっきにおけ
る金属イオンの供給装置を提供することを目的とする。
[0008] Furthermore, in the barrel method disclosed in Japanese Utility Model Application Publication No. 60-25761, etc., what controls the supply of metal ions is the pH of the plating solution, as described above.
This method also has the problem that the dissolution rate is extremely reduced when the pH approaches 4, and that sludge cannot be removed. An object of the present invention is to provide a metal ion supply device for electroplating that solves these problems.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、所定の金属め
っきを行うめっき浴槽からの前記金属イオン濃度が低下
した循環めっき液に、金属チップを溶解させて前記金属
イオン濃度の上昇した液を、前記または他のめっき浴槽
に供給するための電気めっきにおける金属イオンの供給
装置であって、下部にめっき液の供給口、上部にめっき
液の排出口を有し、金属チップを充填保持する金属溶解
槽本体と、前記金属溶解槽本体のフリーボード部にあっ
て前記排出口に排出されるめっき液を濾過するフィルタ
ーと、前記金属溶解槽本体の下部に多孔板を介して連設
した、底部が水平面に対して30〜60°の角度で傾斜
しかつその底部の最下位置にスラッジ抜き出し口を有す
るスラッジ除去槽とを有することを特徴とする電気めっ
きにおける金属イオンの供給装置である。また、前記ス
ラッジ除去槽がスラッジの洗浄除去用流体のスプレーノ
ズルを有するものである電気めっきにおける金属イオン
の供給装置である。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a solution in which a metal chip is dissolved in a circulating plating solution in which the concentration of metal ions is reduced and the concentration of metal ions is increased from a plating bath in which predetermined metal plating is carried out. , a metal ion supply device for electroplating for supplying to the above or other plating baths, which has a plating solution supply port at the bottom and a plating solution discharge port at the top, and fills and holds metal chips. A dissolving tank main body, a filter that is located in a freeboard part of the metal dissolving tank main body and filters the plating solution discharged to the discharge port, and a bottom part that is connected to the lower part of the metal dissolving tank main body via a perforated plate. This is a metal ion supply device for electroplating, characterized in that it has a sludge removal tank which is inclined at an angle of 30 to 60° with respect to a horizontal plane and has a sludge extraction port at the lowest position of the bottom. The present invention also provides a metal ion supply device for electroplating, wherein the sludge removal tank has a spray nozzle for a fluid for cleaning and removing sludge.

【0010】また、前記スラッジ除去槽がスラッジの洗
浄除去用流体のスプレーノズルを有するものである。更
に、前記金属溶解槽本体が上部に金属チップ供給口を有
するものであり、また、前記金属溶解槽本体が上部に不
活性ガス供給口及びH2ガス排出口を有するものである
[0010] Furthermore, the sludge removal tank has a spray nozzle for a fluid for cleaning and removing sludge. Furthermore, the metal dissolving tank main body has a metal chip supply port at the top, and the metal dissolving tank main body has an inert gas supply port and an H2 gas discharge port at the top.

【0011】[0011]

【作  用】本発明の作用を図により説明する。本発明
の金属イオン供給装置には、図2のように、金属溶解槽
本体19のフリーボード部8内にフィルター10が設置
されているため、金属イオン濃度を上昇させためっき液
をめっき液槽へ導出する際に、微細な金属粉が導出され
ることがないので、めっき浴槽内に流入した金属粉がロ
ールに付着して、めっき製品に押しキズなどを発生し、
めっき製品特性値を害する恐れが無くなる。
[Operation] The operation of the present invention will be explained with reference to the drawings. In the metal ion supply device of the present invention, as shown in FIG. 2, a filter 10 is installed in the freeboard portion 8 of the metal dissolution tank main body 19, so that the plating solution with increased metal ion concentration is supplied to the plating solution tank. Since the fine metal powder is not extracted when the plating bath is taken out, the metal powder that has flowed into the plating bath will adhere to the roll and cause scratches on the plating product.
There is no risk of damaging the characteristic values of the plating product.

【0012】また、金属溶解槽本体19の充填槽部5の
下部にスラッジ除去槽11(傾斜30〜60度) を設
置したので、定期的にスラッジ(主としてZn、Fe、
Ni、Pb含有)を除去し、めっきに有害なFe、Ni
、Pb等の再溶解が防止でき、めっき製品の特性値を害
する恐れが無くなる。以上に加え、スラッジ除去槽11
がスラッジ洗浄除去用流体のスプレーノズル12を有す
るものは、効果的にスラッジを系外に排出することがで
きる。
Furthermore, since the sludge removal tank 11 (inclined at 30 to 60 degrees) is installed at the bottom of the filling tank section 5 of the metal dissolution tank main body 19, sludge (mainly Zn, Fe,
(contains Ni and Pb) and removes Fe and Ni that are harmful to plating.
, Pb, etc. can be prevented from being redissolved, eliminating the risk of damaging the characteristic values of the plated product. In addition to the above, sludge removal tank 11
A device having a spray nozzle 12 for cleaning and removing sludge can effectively discharge sludge out of the system.

【0013】また、図4のように、金属溶解槽本体19
が上部に金属チップ供給口20を有するものは、例えば
金属チップホッパー21から金属チップを定期的に金属
溶解槽に供給することにより、金属チップの連続的溶解
が可能である。また、図4のように、金属溶解槽本体1
9が上部に不活性ガス供給口24及びH2ガス排出口2
5を有するものは、金属チップの溶解に伴って発生する
H2をN2ガス等の不活性ガスで希釈することにより、
H2ガスによる爆発、燃焼を防止することができ安全上
有利である。
Further, as shown in FIG. 4, the metal melting tank body 19
In the case where the metal chip supply port 20 is provided at the upper part, the metal chips can be continuously melted by periodically supplying the metal chips from the metal chip hopper 21 to the metal melting tank, for example. In addition, as shown in FIG. 4, the metal melting tank body 1
9 has an inert gas supply port 24 and an H2 gas discharge port 2 at the top.
5, by diluting H2 generated as the metal chip melts with an inert gas such as N2 gas,
Explosion and combustion caused by H2 gas can be prevented, which is advantageous in terms of safety.

【0014】[0014]

【実施例】本発明の一実施例を図面に基づいて説明する
。図1は、本発明の金属イオン供給装置をめっき設備に
設置した第1の実施例の全体構成図、図2は第1の実施
例における金属イオン供給装置の詳細図である。図1に
おいて、1はめっき浴槽、2は本発明の金属イオン供給
装置、3はサーキュレーションタンクである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be explained based on the drawings. FIG. 1 is an overall configuration diagram of a first embodiment in which a metal ion supply device of the present invention is installed in plating equipment, and FIG. 2 is a detailed diagram of the metal ion supply device in the first embodiment. In FIG. 1, 1 is a plating bath, 2 is a metal ion supply device of the present invention, and 3 is a circulation tank.

【0015】サーキュレーションタンク3は、金属イオ
ン濃度の低下しためっき液が通過する液槽3aと、金属
イオン濃度の上昇しためっき液が通過する液槽3bを有
し、液槽3aはパイプ14、15によりそれぞれめっき
浴槽1と金属イオン供給装置2に連通し、液槽3bはパ
イプ16、17によりそれぞれめっき浴槽1と金属イオ
ン供給装置2に連通している。18はポンプである。
The circulation tank 3 has a liquid tank 3a through which a plating solution with a reduced metal ion concentration passes, and a liquid tank 3b through which a plating solution with an increased metal ion concentration passes, and the liquid tank 3a has a pipe 14, The liquid tank 3b is connected to the plating bath 1 and the metal ion supply device 2 through pipes 16 and 17, respectively. 18 is a pump.

【0016】そして、めっき浴槽1にて金属イオン濃度
の低下しためっき液は、パイプ14→液槽3aからポン
プ18を介して、パイプ15→多孔板7→金属イオン供
給装置2へ送り込まれる。金属イオン供給装置2内にお
いて、電鋳Znチップ4の溶解によって前記めっき液の
金属イオン濃度が上昇する。この金属イオン濃度の上昇
しためっき液は、パイプ16→液槽3b→パイプ17を
経て再びめっき浴槽1あるいは他のめっき浴槽に供給さ
れる。
Then, the plating solution whose metal ion concentration has been reduced in the plating bath 1 is sent from the pipe 14 to the liquid tank 3a to the pipe 15 to the perforated plate 7 to the metal ion supply device 2 via the pump 18. In the metal ion supply device 2, the metal ion concentration of the plating solution increases as the electroformed Zn chip 4 is dissolved. This plating solution with increased metal ion concentration is supplied again to the plating bath 1 or another plating bath via the pipe 16→liquid tank 3b→pipe 17.

【0017】次に、図2において、金属イオン供給装置
2内には、電鋳Znチップ4がSUS316LまたはT
i製の充填槽部5に接触するように任意に充填されてい
る。6は、充填槽部5の下部に設けためっき液の供給口
である。7は、供給口6の上方に設けた多孔板であり、
SUS 316LまたはTi製で、5mm間隔に2mm
φの孔があけられている。
Next, in FIG. 2, inside the metal ion supply device 2, an electroformed Zn chip 4 is made of SUS316L or T
It is arbitrarily filled so as to contact the filling tank part 5 manufactured by i. Reference numeral 6 denotes a plating solution supply port provided at the lower part of the filling tank section 5. 7 is a perforated plate provided above the supply port 6;
Made of SUS 316L or Ti, 2mm at 5mm intervals
A hole of φ is drilled.

【0018】8は、スラッジ沈降槽部である。9は、フ
リーボード部8の上部に設けた、金属イオンの濃度を上
昇させためっき液の排出口である。10は、排出口9か
ら排出されるめっき液を濾過する5〜10μmのフッ素
樹脂製のフィルターである。フィルター10により、め
っき液中に含まれる微少な金属粉がめっき液排出口から
排出されることはない。
8 is a sludge settling tank section. Reference numeral 9 denotes a discharge port for a plating solution provided at the top of the freeboard section 8 to increase the concentration of metal ions. 10 is a 5-10 μm fluororesin filter that filters the plating solution discharged from the discharge port 9. The filter 10 prevents fine metal powder contained in the plating solution from being discharged from the plating solution outlet.

【0019】11は、スラッジ除去槽である。金属溶解
槽本体19から多孔板7を介して落下したスラッジは、
スラッジ除去槽11に導かれ、定期的にスプレーノズル
12(圧力 0.5〜2kg/cm2 、10cm間隔
に設置) によりかき落され、電磁バルブ13の開閉に
よって系外に排出される。これにより、めっき品質を害
する恐れのあるFe、Ni、Pbを含むスラッジが除去
される。
11 is a sludge removal tank. The sludge that has fallen from the metal melting tank body 19 through the perforated plate 7 is
The sludge is introduced into a sludge removal tank 11, where it is periodically scraped off by spray nozzles 12 (pressure: 0.5 to 2 kg/cm2, installed at 10 cm intervals), and discharged outside the system by opening and closing an electromagnetic valve 13. This removes sludge containing Fe, Ni, and Pb that may impair plating quality.

【0020】次に、図3は本発明の第2の実施例の全体
構成図、図4は第2の実施例における金属イオン供給装
置の詳細図である。この実施例では、金属溶解槽本体1
9が上部に金属チップ供給口20を有する。金属チップ
供給口20には、金属チップホッパー21から、金属チ
ップ(又は電鋳Znチップ)4が供給される。
Next, FIG. 3 is an overall configuration diagram of a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a detailed diagram of a metal ion supply device in the second embodiment. In this embodiment, the metal melting tank body 1
9 has a metal chip supply port 20 at the top. Metal chips (or electroformed Zn chips) 4 are supplied to the metal chip supply port 20 from a metal chip hopper 21 .

【0021】22はバイブレーターであり、金属チップ
ホッパー21内の金属チップ(又は電鋳Znチップ)及
び金属チップ供給口20内の金属チップ(又は電鋳Zn
チップ)4の棚吊りを防止するために振動を付与するも
のである。 23は電磁バルブであり、電気めっきで消費されたZn
量と溶解されたZn量を算出して金属チップ(又は電鋳
Znチップ)4を定期的に切り出すものである。
22 is a vibrator which collects the metal chips (or electroformed Zn chips) in the metal chip hopper 21 and the metal chips (or electroformed Zn chips) in the metal chip supply port 20.
Vibration is applied to prevent chip) 4 from hanging on the shelf. 23 is a solenoid valve, and the Zn consumed in electroplating is
The amount of dissolved Zn is calculated and metal chips (or electroformed Zn chips) 4 are periodically cut out.

【0022】また、24はN2ガス供給口、25はN2
ガスによって希釈されたH2ガスの排出口であり、金属
チップ(又は電鋳Znチップ)4の溶解時に発生するH
2ガスの爆発を防止するためのものである。
Further, 24 is an N2 gas supply port, and 25 is an N2 gas supply port.
This is an outlet for H2 gas diluted by gas, and H2 gas generated when the metal chip (or electroformed Zn chip) 4 is melted.
This is to prevent explosion of two gases.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればめ
っき金属の溶解を充填槽方式により電鋳金属チップを用
いることにより、金属イオン濃度を上昇させためっき液
をめっき浴槽に導入しても、押しキズの発生がなく、ま
たスラッジを定期的に排出できるので、めっき製品特性
値を害する危険性が無くなる。
[Effects of the Invention] As described in detail above, according to the present invention, the plating solution with increased metal ion concentration is introduced into the plating bath by using an electroformed metal tip in a filled tank method for dissolving the plating metal. However, since there are no press scratches and the sludge can be discharged periodically, there is no risk of damaging the characteristic values of the plated product.

【0024】また、本発明の装置は、従来法のバレル方
式よりも安価であるから、製造コストを大幅に減少でき
る。さらに、従来法では、 Zn(OH)2やスラッジ
の発生大(バレル網目より金属粉が落下し沈積)のため
、金属イオンが増加しためっき液にこれらが混入し、ひ
いてはめっき浴槽内に運ばれる危険性を有し、めっき品
質特性値を悪化させていたが、電鋳金属チップはほぼ完
全に溶解されるため、溶解装置内にスラッジとして沈積
され難く、本発明ではその危険性が極めて小さい。
Furthermore, since the apparatus of the present invention is cheaper than the conventional barrel method, manufacturing costs can be significantly reduced. Furthermore, in the conventional method, a large amount of Zn(OH)2 and sludge are generated (metal powder falls from the barrel mesh and deposits), so these are mixed into the plating solution with increased metal ions, and are eventually carried into the plating bath. However, since electroformed metal chips are almost completely melted, they are less likely to be deposited as sludge in the melting device, and this risk is extremely small in the present invention.

【0025】また、金属溶解槽本体の上部に金属チップ
供給口を設けることにより、金属チップの連続的溶解が
可能である。また、金属溶解槽本体の上部に金属チップ
(又は電鋳Znチップ)の溶解時に発生するH2ガスを
希釈するためのN2ガス供給口を設けることにより、爆
発、燃焼を防止でき、金属チップ(又は電鋳Znチップ
)の酸化防止にも効果がある。
Further, by providing a metal chip supply port in the upper part of the metal melting tank main body, continuous melting of metal chips is possible. In addition, by providing an N2 gas supply port on the top of the metal melting tank body to dilute the H2 gas generated when metal chips (or electroformed Zn chips) are melted, explosions and combustion can be prevented, and metal chips (or electroformed Zn chips) can be melted. It is also effective in preventing oxidation of electroformed Zn chips.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の第1の実施例の全体構成図である。FIG. 1 is an overall configuration diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施例における金属イオン供給
装置の詳細図である。
FIG. 2 is a detailed diagram of the metal ion supply device in the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施例の全体構成図である。FIG. 3 is an overall configuration diagram of a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施例における金属イオン供給
装置の詳細図である。
FIG. 4 is a detailed diagram of a metal ion supply device in a second embodiment of the present invention.

【図5】従来の装置の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventional device.

【図6】従来の装置の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1              めっき浴槽2    
          金属イオン供給装置3     
         サーキュレーションタンク3a、3
b      液槽 4              電鋳Znチップ5  
            充填槽部6        
      供給口7              多
孔板8              フリーボード部9
              排出口10      
        フィルター11          
    スラッジ除去槽12            
  スプレーノズル13              
電磁バルブ14、15、16、17  パイプ
1 Plating bathtub 2
Metal ion supply device 3
Circulation tank 3a, 3
b Liquid tank 4 Electroformed Zn chip 5
Filling tank part 6
Supply port 7 Perforated plate 8 Free board part 9
Outlet 10
filter 11
Sludge removal tank 12
Spray nozzle 13
Solenoid valve 14, 15, 16, 17 pipe

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  所定の金属めっきを行うめっき浴槽か
らの前記金属イオン濃度が低下した循環めっき液に、金
属チップを溶解させて前記金属イオン濃度の上昇した液
を、前記または他のめっき浴槽に供給するための電気め
っきにおける金属イオンの供給装置であって、下部にめ
っき液の供給口、上部にめっき液の排出口を有し、金属
チップを充填保持する金属溶解槽本体と、前記金属溶解
槽本体のフリーボード部にあって前記排出口に排出され
るめっき液を濾過するフィルターと、前記金属溶解槽本
体の下部に多孔板を介して連設した、底部が水平面に対
して30〜60°の角度で傾斜しかつその底部の最下位
置にスラッジ抜き出し口を有するスラッジ除去槽とを有
することを特徴とする電気めっきにおける金属イオンの
供給装置。
1. A metal chip is dissolved in the circulating plating solution in which the metal ion concentration has been reduced from a plating bath in which a predetermined metal plating is performed, and the solution in which the metal ion concentration has been increased is transferred to the above or another plating bath. A metal ion supply device in electroplating for supplying metal ions, which has a plating solution supply port at the bottom and a plating solution discharge port at the top, and includes a metal dissolution tank body for filling and holding metal chips, and a metal dissolution tank body for filling and holding metal chips, and A filter that is located in the freeboard part of the tank body and filters the plating solution discharged to the discharge port, and a filter that is connected to the lower part of the metal dissolution tank body via a perforated plate, the bottom of which is 30 to 60 mm with respect to the horizontal surface. 1. A supply device for metal ions in electroplating, comprising a sludge removal tank that is inclined at an angle of .degree. and has a sludge outlet at the lowest position of the bottom.
【請求項2】  前記スラッジ除去槽がスラッジの洗浄
除去用流体のスプレーノズルを有するものであることを
特徴とする請求項1記載の電気めっきにおける金属イオ
ンの供給装置。
2. The apparatus for supplying metal ions in electroplating according to claim 1, wherein the sludge removal tank has a spray nozzle for a fluid for cleaning and removing sludge.
【請求項3】  前記金属溶解槽本体が上部に金属チッ
プ供給口を有するものであることを特徴とする請求項1
又は2記載の電気めっきにおける金属イオンの供給装置
3. Claim 1, wherein the metal melting tank body has a metal chip supply port at an upper part.
Or the metal ion supply device for electroplating according to 2.
【請求項4】  前記金属溶解槽本体が上部に不活性ガ
ス供給口及びH2ガス排出口を有するものであることを
特徴とする請求項1、2又は3記載の電気めっきにおけ
る金属イオンの供給装置。
4. The apparatus for supplying metal ions in electroplating according to claim 1, 2 or 3, wherein the metal dissolution tank body has an inert gas supply port and an H2 gas discharge port at an upper portion thereof. .
JP2132991A 1990-06-12 1991-02-15 Device for supplying metal ion in electroplating Pending JPH04214900A (en)

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JP2-151641 1990-06-12
JP15164190 1990-06-12
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018168434A (en) * 2017-03-30 2018-11-01 株式会社荏原製作所 Plating method and plating apparatus

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2018168434A (en) * 2017-03-30 2018-11-01 株式会社荏原製作所 Plating method and plating apparatus

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