JPH04214850A - Film structure and its manufacture - Google Patents

Film structure and its manufacture

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JPH04214850A
JPH04214850A JP2402360A JP40236090A JPH04214850A JP H04214850 A JPH04214850 A JP H04214850A JP 2402360 A JP2402360 A JP 2402360A JP 40236090 A JP40236090 A JP 40236090A JP H04214850 A JPH04214850 A JP H04214850A
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JP
Japan
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layer
substrate
diamond
film
coating
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2402360A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akitomo Tejima
手島 章友
Kazuaki Kurihara
和明 栗原
Kenichi Sasaki
謙一 佐々木
Motonobu Kawarada
河原田 元信
Takehiko Sato
武彦 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Abstract

PURPOSE:To offer a film structure easily formable with the film of the objective material having a thermal expansion coefficient different from that of a substrate as for the film structure of the substrate and its manufacturing method. CONSTITUTION:In a film structure in which the film of the objective material having a thermal expansion coefficient different from that of a substrate is formed on the substrate, a primary intermediate layer of a material having ductility higher than that of the material of the substrate is interposed between the substrate and the film.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、基材上の膜構造および
その製造方法に関し、特に基材上に基材と熱膨張係数の
異なる被膜を形成した膜構造およびその製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a membrane structure on a substrate and a method for manufacturing the same, and more particularly to a membrane structure in which a coating having a coefficient of thermal expansion different from that of the substrate is formed on the substrate, and a method for manufacturing the same.

【0002】以下、ダイヤモンドコーティングを例にと
って説明するが、本発明はダイヤモンドコーティングに
限定されるものではない。ダイヤモンドはその硬度、熱
伝導率、化学的安定性を始めとして、多くの優れた特性
を有するため、表面改質のためのコーティング材として
大きな注目を集めている。たとえば、ドリル等の工具や
、TABボンディングツール等ヘのコーティングが期待
されている。
[0002] Diamond coating will be explained below as an example, but the present invention is not limited to diamond coating. Diamond has many excellent properties including hardness, thermal conductivity, and chemical stability, so it is attracting a lot of attention as a coating material for surface modification. For example, it is expected to be used as a coating for tools such as drills and TAB bonding tools.

【0003】0003

【従来の技術】ダイヤモンドは、上述のような優れた特
性のため、コーティング材として注目されている。ダイ
ヤモンド膜の形成方法として、近年CVDが開発されて
いる。メタン等のCを含む原料ガスをエッチングガスと
して働くHを含むガス等と共に供給し、プラズマガス中
で基材上に結晶成長を行なう。ダイヤモンドと共に、グ
ラファイト、非晶質カーボン等も堆積するが、堆積と同
時にエッチングを行なうことにより、グラファイトや非
晶質カーボンはエッチング除去され、結合力の強いダイ
ヤモンドのみが残る。このようにしてダイヤモンド膜を
得ることができる。
2. Description of the Related Art Diamond is attracting attention as a coating material because of its excellent properties as described above. CVD has been developed in recent years as a method for forming diamond films. A raw material gas containing C, such as methane, is supplied together with a gas containing H that acts as an etching gas, and crystal growth is performed on the base material in the plasma gas. Along with diamond, graphite, amorphous carbon, etc. are also deposited, but by performing etching at the same time as the deposition, the graphite and amorphous carbon are etched away, leaving only diamond with strong bonding strength. A diamond film can be obtained in this way.

【0004】ダイヤモンド膜をコーティングできる基材
としては、Si、Mo、W、WC等が知られている。鉄
(Fe)等の材料の上にもダイヤモンド膜をコーティン
グすることが強く望まれている。
[0004] Si, Mo, W, WC, etc. are known as base materials that can be coated with a diamond film. It is strongly desired to coat materials such as iron (Fe) with a diamond film.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、ダイヤ
モンド膜をコーティングできる基材は、少数の材料に限
定されている。その他の一般的な基材上へのダイヤモン
ド膜の成長が困難な理由は、核形成を含む成膜機構およ
びダイヤモンドの熱膨張係数が一般的な材料の熱膨張係
数よりも大幅に小さいことにあると考えられる。後者の
原因によれば、ダイヤモンドが仮に800〜1000℃
の成膜温度で成膜されても、室温に降温した時剥離した
り、クラックが生じるという結果になる。このような熱
膨張係数の違いによる応力をなんらかの手段で緩和する
ことが望まれる。
As mentioned above, the substrates that can be coated with a diamond film are limited to a few materials. Growth of diamond films on other common substrates is difficult because of the deposition mechanism, including nucleation, and because diamond's coefficient of thermal expansion is significantly lower than that of common materials. it is conceivable that. According to the latter cause, diamonds could be heated to temperatures between 800 and 1000 degrees Celsius.
Even if the film is formed at a film-forming temperature of , it will result in peeling or cracking when the temperature drops to room temperature. It is desirable to alleviate stress caused by such a difference in thermal expansion coefficients by some means.

【0006】本発明の目的は、基材と熱膨張係数が異な
る目的物質の被膜を基板上に容易に形成することのでき
る膜構造を提供することである。
[0006] An object of the present invention is to provide a film structure that allows a film of a target substance having a different coefficient of thermal expansion from that of the base material to be easily formed on a substrate.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。左側の部分においては、基材1の上に、基材
の物質よりも延性の大きな材料の第1の中間層3が形成
されており、その上に目的物質の被膜2が形成されてい
る。
[Means for Solving the Problems] FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention. In the left part, a first intermediate layer 3 of a material more ductile than the substance of the substrate is formed on the substrate 1, on which a coating 2 of the target substance is formed.

【0008】また、図中中央部分に示すように、目的物
質の被膜2の下に、目的物質2の成膜を促進させる材料
の第2の中間層4を形成してもよい。また、図中右側部
分に示すように、基材1、第1の中間層3、第2の中間
層4、目的物質の被膜2の間のいずれかに、隣接する両
層の材料の固溶体で形成された固溶体層7、8、9を配
置してもよい。
Further, as shown in the center part of the figure, a second intermediate layer 4 of a material that promotes the formation of the target substance 2 may be formed under the target substance coating 2. Further, as shown on the right side of the figure, a solid solution of the materials of both adjacent layers may be formed between the base material 1, the first intermediate layer 3, the second intermediate layer 4, and the target substance coating 2. The formed solid solution layers 7, 8, and 9 may be arranged.

【0009】[0009]

【作用】基材1よりも延性の大きな第1の中間層3が目
的物質の被膜2の下に配置されると、基材1と目的物質
の被膜2との間に生じる熱膨張係数の差による応力が第
1の中間層3中で吸収され、緩和される。
[Operation] When the first intermediate layer 3, which has greater ductility than the base material 1, is placed under the coating 2 of the target material, the difference in thermal expansion coefficient that occurs between the base material 1 and the coating 2 of the target material. The stress caused by this is absorbed and relaxed in the first intermediate layer 3.

【0010】また、第1の中間層と目的物質の被膜3の
中間に目的物質の成膜を促進させる材料で形成された第
2の中間層4を配置すると、目的物質の被膜2の成長が
容易にされる。
[0010] Furthermore, when a second intermediate layer 4 made of a material that promotes the formation of a target substance film is placed between the first intermediate layer and the target substance coating 3, the growth of the target substance coating 2 is facilitated. made easy.

【0011】また、基材1、第1の中間層3、第2の中
間層4、被膜2の間に隣接層の材料の固溶体で形成され
た固溶体層7、8、9を形成すると、それらの層間の密
着力が増大する。
[0011] Furthermore, when solid solution layers 7, 8, and 9 formed of a solid solution of the materials of the adjacent layers are formed between the base material 1, the first intermediate layer 3, the second intermediate layer 4, and the coating 2, The adhesion between the layers increases.

【0012】固溶体層を組成勾配層で形成すれば、密着
力は大幅に増大する。
[0012] If the solid solution layer is formed of a composition gradient layer, the adhesion strength will be greatly increased.

【0013】[0013]

【実施例】以下、成膜が極めて困難な例として、鉄(F
e)の基材上にダイヤモンドをコーティングする場合を
説明するが、同様の構成を他の材料の組合せに対しても
採用することができることは当業者に自明であろう。
[Example] Hereinafter, as an example where film formation is extremely difficult, iron (F
Although the case of coating diamond on the base material in e) will be described, it will be obvious to those skilled in the art that similar configurations can be adopted for other combinations of materials.

【0014】図2に本発明の実施例による膜構造を示す
。Fe基板11の上に、Fe−Ti組成勾配層12が形
成され、その上にTi層13が形成されている。Fe−
Ti組成勾配層12は、Fe基板11側でFe成分が高
く、Ti13側でTi成分が高い組成を有する。Ti層
13は、Feよりも延性の大きな材料で形成された層で
ある。このTi層13が上にダイヤモンド膜をコーティ
ングした際、ダイヤモンドとFeとの間の熱膨張係数の
差による応力を吸収する役目を果す。
FIG. 2 shows a membrane structure according to an embodiment of the present invention. A Fe--Ti composition gradient layer 12 is formed on the Fe substrate 11, and a Ti layer 13 is formed thereon. Fe-
The Ti composition gradient layer 12 has a composition in which the Fe component is high on the Fe substrate 11 side and the Ti component is high on the Ti 13 side. The Ti layer 13 is a layer formed of a material with greater ductility than Fe. When this Ti layer 13 is coated with a diamond film, it serves to absorb stress due to the difference in thermal expansion coefficient between diamond and Fe.

【0015】ダイヤモンドは核形成を含む成膜機構が複
雑な材料であり、成膜の容易な下地材料と成膜の困難な
下地材料とがある。Ti下地の上にはダイヤモンドを直
接成膜することは困難である。このため、ダイヤモンド
を成膜するためには、Ti層13の上にダイヤモンドの
成膜を行ない易いSi、Mo、W、WC等の材料の層を
形成することが好ましい。そこで、本実施例においては
、Mo層15が形成されている。TiとMoとの性質の
差を緩和し、密着性を高めるため、これら両層の間にT
i−Mo組成勾配層14を配置する。このTi−Mo組
成勾配層14はTi層13側でTi成分が高く、Mo層
15側でMo成分が高くなるようにする。また、Mo1
5の上に直接ダイヤモンド膜をコーティングすることも
できるが、ダイヤモンド膜の密着度を増強させるため、
中間にMo−ダイヤモンド組成勾配層16を配置し、そ
の上にダイヤモンド層17を形成する。この組成勾配層
16もMo層15側でMo成分が高く、ダイヤモンド層
17側でダイヤモンド成分が高くなるようにする。
Diamond is a material whose film formation mechanism including nucleation is complicated, and there are base materials that are easy to form a film and base materials that are difficult to form a film on. It is difficult to directly form a diamond film on a Ti base. Therefore, in order to form a diamond film, it is preferable to form a layer of a material such as Si, Mo, W, or WC on which diamond film can be easily formed. Therefore, in this embodiment, a Mo layer 15 is formed. In order to alleviate the difference in properties between Ti and Mo and increase adhesion, T is added between these two layers.
An i-Mo composition gradient layer 14 is disposed. The Ti--Mo composition gradient layer 14 has a high Ti component on the Ti layer 13 side and a high Mo component on the Mo layer 15 side. Also, Mo1
Although it is possible to directly coat a diamond film on 5, in order to enhance the adhesion of the diamond film,
A Mo-diamond composition gradient layer 16 is placed in the middle, and a diamond layer 17 is formed thereon. This composition gradient layer 16 also has a high Mo component on the Mo layer 15 side and a high diamond component on the diamond layer 17 side.

【0016】このような構成とすると、ダイヤモンド層
17はMo−ダイヤモンド組成勾配層16を介してMo
層15の上に堅固に成膜される。このMo層15は、T
i−Mo組成勾配層14を介して延性の大きな材料であ
るTi層13に強固に結合される。Tiは延性の大きな
材料であり、ダイヤモンド層17が発生する応力を吸収
し、緩和する機能を果す。Ti層13はFe−Ti組成
勾配層12を介してFe基板11に強固に結合される。
With such a structure, the diamond layer 17 is made of Mo through the Mo-diamond composition gradient layer 16.
A solid film is deposited on top of layer 15. This Mo layer 15 has T
It is firmly bonded to the Ti layer 13, which is a highly ductile material, via the i-Mo composition gradient layer 14. Ti is a highly ductile material and functions to absorb and relieve stress generated by the diamond layer 17. The Ti layer 13 is firmly bonded to the Fe substrate 11 via the Fe--Ti composition gradient layer 12.

【0017】なお、延性の大きな材料の層は基板11の
材料よりも大きな延性を有することが必要であり、好ま
しくは延性が大きな金(Au)、銀(Ag)、チタン(
Ti)のいずれか、またはそれらの組合せで形成する。 ダイヤモンド層17の代りにより成膜の容易な材料を目
的物質とする場合には、目的物質の成膜を容易にするた
めの第2の中間層15は省略することもできる。また、
基材11、延性の大きな層13、成膜を容易にするため
の層15、目的物質の層17の間の組成勾配層12、1
4、16は、目的とする用途、材料の組合せ等に応じて
任意に省略してもよい。
Note that the layer of material with high ductility needs to have higher ductility than the material of the substrate 11, and is preferably made of gold (Au), silver (Ag), titanium (
Ti) or a combination thereof. If a material that is easier to form into a film is used as the target substance instead of the diamond layer 17, the second intermediate layer 15 for facilitating the film formation of the target substance may be omitted. Also,
A composition gradient layer 12, 1 between the base material 11, the highly ductile layer 13, the layer 15 for facilitating film formation, and the layer 17 of the target material.
4 and 16 may be optionally omitted depending on the intended use, combination of materials, etc.

【0018】以下に具体例を説明する。Fe基板として
厚さ約0.5mmのFe基板を用いた。この基板を、図
3に示すようなプラズマトーチ装置内にセットした。な
お、基板11は図示しないが、水冷された基板ホルダの
上に載置した。プラズマトーチ装置はプラズマトーチ2
0を含む。プラズマトーチ20はカソード21の周囲を
アノード22が取り囲み、その間にプラズマガス供給路
24を形成する。このプラズマガス供給路24にプラズ
マ形成ガス、たとえばArを供給する。ダイヤモンド成
膜時には、プラズマ形成ガスとして、たとえばCH4と
H2の混合ガスを供給する。また、カソード21、アノ
ード22の間に直流電源23を接続し、両電極間に直流
電圧を印加して直流ガスプラズマを発生させる。このよ
うにして、プラズマトーチ20の出射口からプラズマジ
ェット28を噴出させる。プラズマの噴出口の近傍に、
所望数の粉末供給路25、26を設ける。これらの粉末
供給路には、たとえばFe粉末、Ti粉末を供給する。 Arプラズマの場合、これらの粉末がプラズマ中で溶け
、基板上に溶射される。
A specific example will be explained below. An Fe substrate with a thickness of about 0.5 mm was used as the Fe substrate. This substrate was set in a plasma torch device as shown in FIG. Although the substrate 11 is not shown, it was placed on a water-cooled substrate holder. Plasma torch device is Plasma Torch 2
Contains 0. In the plasma torch 20, an anode 22 surrounds a cathode 21, and a plasma gas supply path 24 is formed therebetween. A plasma forming gas such as Ar is supplied to this plasma gas supply path 24 . During diamond film formation, a mixed gas of CH4 and H2, for example, is supplied as a plasma forming gas. Further, a DC power supply 23 is connected between the cathode 21 and the anode 22, and a DC voltage is applied between both electrodes to generate DC gas plasma. In this way, the plasma jet 28 is ejected from the exit port of the plasma torch 20. Near the plasma spout,
A desired number of powder supply channels 25, 26 are provided. For example, Fe powder and Ti powder are supplied to these powder supply paths. In the case of Ar plasma, these powders are melted in the plasma and sprayed onto the substrate.

【0019】図示の場合、粉末供給路25にFe粉末を
供給し、粉末供給路26にTi粉末を供給している。な
お、他にMo粉末供給路も設けられている。これらのF
eおよびTiの量を調整することにより、Fe基板11
の上に組成をFeからTiに徐々に変化させたFe−T
i組成勾配層12を形成する。図2のFe−Ti組成勾
配層12として、組成がFeから徐々にTiに変化した
厚さ約10μmの層を形成した。
In the illustrated case, Fe powder is supplied to the powder supply path 25, and Ti powder is supplied to the powder supply path 26. In addition, a Mo powder supply path is also provided. These F
By adjusting the amounts of e and Ti, the Fe substrate 11
Fe-T whose composition was gradually changed from Fe to Ti on top of the
i Form a composition gradient layer 12. As the Fe--Ti composition gradient layer 12 shown in FIG. 2, a layer having a thickness of about 10 μm and whose composition gradually changed from Fe to Ti was formed.

【0020】次に、Feの供給を断って、Tiのみを供
給し、図2のTi層13を同じプラズマ溶射で形成し、
厚さ約25μmの層を形成した。この層の厚さは、目的
とするダイヤモンド層とFe基板との間の応力を十分緩
和することのできる厚さに選ぶ。
Next, the supply of Fe is cut off and only Ti is supplied, and the Ti layer 13 shown in FIG. 2 is formed by the same plasma spraying.
A layer approximately 25 μm thick was formed. The thickness of this layer is selected to be a thickness that can sufficiently relieve the stress between the intended diamond layer and the Fe substrate.

【0021】次に、上述の組成勾配層の形成と同様の方
法により、図2のTi−Mo組成勾配層14を形成する
。この例においては、組成がTiからMoに徐々に変化
する厚さ10μmのTi−Mo組成勾配層14を形成し
た。
Next, the Ti--Mo composition gradient layer 14 shown in FIG. 2 is formed by the same method as for forming the composition gradient layer described above. In this example, a 10 μm thick Ti-Mo composition gradient layer 14 whose composition gradually changes from Ti to Mo was formed.

【0022】この上に、同様のプラズマ溶射でMoのみ
で形成された厚さ約15μmのMお層を形成し、図2の
Mo層15を形成した。次に、プラズマガス供給路24
にArの代りにメタン(CH4)と水素(H2)を流し
、プラズマジェットを発生させ、同時に粉末供給路から
Moを供給した。最初、Moの量を多く流し、徐々に減
らした。こうすることにより、図2のMoとダイヤモン
ドの組成勾配層16が形成される。厚さ約10μmのM
o−ダイヤモンド組成勾配層16を形成した。
[0022] On top of this, an M layer made of only Mo and having a thickness of about 15 μm was formed by the same plasma spraying, thereby forming the Mo layer 15 shown in FIG. Next, the plasma gas supply path 24
Methane (CH4) and hydrogen (H2) were flowed instead of Ar to generate a plasma jet, and at the same time Mo was supplied from the powder supply path. At first, a large amount of Mo was poured, and the amount was gradually reduced. By doing so, the composition gradient layer 16 of Mo and diamond shown in FIG. 2 is formed. M with a thickness of about 10 μm
An o-diamond composition gradient layer 16 was formed.

【0023】最後に、Mo粉末の供給を止め、メタンと
水素の混合ガスからなるプラズマジェットをFe基板に
吹き付けることにより、図2のダイヤモンドのみで形成
されたダイヤモンド層17を厚さ約50μm成長した。 この時の基板温度は800℃であった。このようにして
形成したFe基板上のダイヤモンド層はダイヤモンドの
剥離やクラックもなく、また基板の反りも生じなかった
。製造後引っ掻き試験を行なったが、全くダイヤモンド
の剥離は生じず、密着性も問題ないことが立証された。
Finally, by stopping the supply of Mo powder and spraying a plasma jet consisting of a mixed gas of methane and hydrogen onto the Fe substrate, a diamond layer 17 formed only of diamond as shown in FIG. 2 was grown to a thickness of approximately 50 μm. . The substrate temperature at this time was 800°C. The diamond layer formed on the Fe substrate in this way had no peeling or cracking of the diamond, and no warping of the substrate. A scratch test was conducted after production, and it was verified that no diamond peeling occurred at all, and that there were no problems with adhesion.

【0024】なお、溶射材料の供給を粉末でなく線材で
行なうこともできる。成分制御は線材の方が行ない易い
。以上、Fe基板の上にダイヤモンド層を形成する場合
を説明したが、基板とコーティング層との間の熱膨張係
数の違いが大きな他の組合せにも同様の構成、製造方法
が適用できる。基板、第1の中間層、第2の中間層、目
的物質の被膜の各々の間に組成勾配層を配置したが、こ
れらの組成勾配層の代りに単一組成の固溶体を用いても
多くの場合十分高い密着力を得ることができる。もちろ
ん、組成勾配層を用いることにより密着性をさらに高め
ることは可能である。また、Mo層とダイヤモンド層の
間の組成勾配層ないしは固溶体層を省略してもダイヤモ
ンド層の密着性は大幅に低下することはない。また、必
要とされる密着性を満たすには、他の場所に形成された
組成勾配層ないしは固溶体層を省略できる場合も多くあ
る。熱膨張係数の異なる基板材料と目的物質の層との組
合せにより、目的物質の成膜を容易にするための第2の
中間層を省略できる場合もある。
[0024] The thermal spraying material can also be supplied in the form of a wire instead of a powder. Component control is easier with wire rods. Although the case in which a diamond layer is formed on an Fe substrate has been described above, the same configuration and manufacturing method can be applied to other combinations in which there is a large difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the coating layer. A composition gradient layer was arranged between the substrate, the first intermediate layer, the second intermediate layer, and the target substance coating, but even if a solid solution of a single composition was used instead of these composition gradient layers, many In this case, a sufficiently high adhesion force can be obtained. Of course, it is possible to further improve adhesion by using a composition gradient layer. Further, even if the composition gradient layer or solid solution layer between the Mo layer and the diamond layer is omitted, the adhesion of the diamond layer will not be significantly reduced. Furthermore, in order to satisfy the required adhesion, it is often possible to omit the composition gradient layer or solid solution layer formed elsewhere. The combination of a substrate material with a different coefficient of thermal expansion and a layer of the target material may make it possible to omit the second intermediate layer to facilitate the deposition of the target material.

【0025】以上、実施例に沿って本発明を説明したが
、本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば
、種々の変更、改良、組合せ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
Although the present invention has been described above with reference to examples, the present invention is not limited thereto. For example, it will be obvious to those skilled in the art that various changes, improvements, combinations, etc. are possible.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基材とコーティング材との間に延性の大きな材料の中間
層を導入することにより、熱膨張係数の異なる基材上へ
のコーティングが可能となる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention,
By introducing an intermediate layer of a highly ductile material between the substrate and the coating material, it is possible to coat onto substrates with different coefficients of thermal expansion.

【0027】中間層とコーティング材の間にコーティン
グ材の成膜を容易にする材料の層を挿入することにより
、コーティング材の成膜が容易になる。また、これらの
層の間に組成勾配層を挿入すれば、密着性も大幅に向上
する。
By inserting a layer of material that facilitates the deposition of the coating material between the intermediate layer and the coating material, the deposition of the coating material is facilitated. Furthermore, if a composition gradient layer is inserted between these layers, adhesion can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】 本発明の膜構造を説明するための原理説明図
である。
FIG. 1 is a principle explanatory diagram for explaining the membrane structure of the present invention.

【図2】本発明の実施例による膜構造を説明するための
概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a membrane structure according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例による膜構造を製造するための
製造プロセスを説明する概略図である。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process for manufacturing a membrane structure according to an embodiment of the invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  基材 2  被膜 3  第1の中間層 4  第2の中間層 7、8、9  固溶体層 11  Fe基板 13  Ti層 15  Mo層 17  ダイヤモンド層 12、14、16  組成勾配層 1 Base material 2 Coating 3 First intermediate layer 4 Second intermediate layer 7, 8, 9 Solid solution layer 11 Fe substrate 13 Ti layer 15 Mo layer 17 Diamond layer 12, 14, 16 Composition gradient layer

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  基材(1)上に基材と熱膨張係数が異
なる目的物質の被膜(2)を形成した膜構造であって、
基材(1)と被膜(2)との間に基材の物質より延性の
大きな材料の第1の中間層(3)を介在させたことを特
徴とする膜構造。
1. A film structure in which a coating (2) of a target substance having a coefficient of thermal expansion different from that of the substrate is formed on a substrate (1),
A membrane structure characterized in that a first intermediate layer (3) of a material having greater ductility than the substance of the base material is interposed between the base material (1) and the coating (2).
【請求項2】  請求項1記載の膜構造であって、前記
第1の中間層(3)と前記被膜(2)との間に配置され
、前記被膜の成膜を促進させる材料で形成された第2の
中間層(8)を有することを特徴とする膜構造。
2. The membrane structure according to claim 1, wherein the membrane structure is disposed between the first intermediate layer (3) and the coating (2) and is made of a material that promotes the formation of the coating. A membrane structure characterized in that it has a second intermediate layer (8).
【請求項3】  請求項1ないし2記載の膜構造であっ
て、さらに前記基材(1)、中間層(3、4)、被膜(
2)の内、少なくとも一対の隣接するものの間に配置さ
れ、両者の材料の固溶体で形成された固溶体層(7、8
、9)を有することを特徴とする膜構造。
3. The membrane structure according to claim 1, further comprising the base material (1), the intermediate layer (3, 4), and the coating (
2), the solid solution layer (7, 8
, 9).
【請求項4】  請求項3記載の膜構造であって、前記
固溶体層(7、8、9)の少なくとも1つが厚さ方向に
組成勾配を有することを特徴とする膜構造。
4. The membrane structure according to claim 3, wherein at least one of the solid solution layers (7, 8, 9) has a composition gradient in the thickness direction.
【請求項5】  基材(1)上に基材と熱膨張係数が異
なる目的物質の被膜(2)を形成する膜構造の製造方法
であって、基材(1)上に目的物質より延性の大きな材
料の中間層(3)を形成する工程と、その後、中間層(
3)上に目的物質の被膜(2)を形成する工程とを含む
膜構造の製造方法。
5. A method for producing a film structure in which a film (2) of a target material having a different coefficient of thermal expansion than the base material is formed on a base material (1), the film comprising: forming an intermediate layer (3) of a large material;
3) A method for producing a membrane structure, including the step of forming a coating (2) of a target substance thereon.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019524997A (en) * 2016-07-13 2019-09-05 エリコン メテコ アクチェンゲゼルシャフト、ヴォーレン Cylinder bore coating that does not pre-activate the surface
JP2021118287A (en) * 2020-01-28 2021-08-10 国立研究開発法人物質・材料研究機構 Magnetic sensor

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