JPH04212406A - Manufacture of x-ray mask - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 15
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明はＸ線マスクの製造方法に
関する。超ＬＳＩ の高密度化にともなって， 超微細
加工が要求されフォトリソグラフィ工程でＸ線露光が用
いられるようになってきた。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an X-ray mask. As the density of VLSI increases, ultra-fine processing is required, and X-ray exposure has come to be used in the photolithography process.
【０００２】Ｘ線マスクは，例えば線幅 ０．５μｍの
パターンを形成するためには， マスク自体の歪を少な
くとも０．０５μｍ以下に抑える必要がある。本発明は
この要求に対応したＸ線マスクの製造方法として利用で
きる。[0002] For an X-ray mask, in order to form a pattern with a line width of 0.5 μm, for example, the distortion of the mask itself must be suppressed to at least 0.05 μm or less. The present invention can be used as a method for manufacturing an X-ray mask that meets this requirement.
【０００３】0003
【従来の技術】従来のＸ線マスクでは，その製造工程に
おける歪を小さくするための一つの手段として， マス
クの背面エッチングをマスク表面のパターン部分に対応
する領域に限って行う方法がとられる場合がある。[Prior Art] In conventional X-ray masks, one way to reduce distortion in the manufacturing process is to perform etching on the back side of the mask only in the area corresponding to the pattern on the mask surface. There is.
【０００４】ここで，背面エッチングとは， マスク本
体の補強枠となるシリコン（Ｓｉ）ウエハの中央部の方
形領域 （マスク表面のパターン領域に対応する領域）
をエッチング除去することをいう。[0004] Here, backside etching refers to a rectangular area at the center of the silicon (Si) wafer that serves as a reinforcing frame for the mask body (an area corresponding to the pattern area on the mask surface).
It refers to removing by etching.
【０００５】この場合に表面と裏面のパターンのずれ量
を少なくとも１ｍｍ以下に抑えないと， マスク自体の
歪みを０．０５μｍ以下に抑えることは不可能となる。
上記のずれ量を小さくするために， 従来， パタ
ーン描画はウエハを支持枠に接着する前にウエハの状態
で行っていた。[0005] In this case, unless the amount of deviation between the patterns on the front and back surfaces is suppressed to at least 1 mm or less, it is impossible to suppress the distortion of the mask itself to 0.05 μm or less. In order to reduce the amount of deviation mentioned above, pattern drawing was conventionally performed on the wafer before it was bonded to the support frame.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが，パターン描
画の終わったマスクを炭化珪素（ＳｉＣ） 等で作成さ
れた支持枠に接着するときの歪や， 背面エッチングの
際のマスク表裏のパターンずれに起因する歩留低下が問
題となっていた。[Problems to be Solved by the Invention] However, problems arise due to distortion when adhering the mask after pattern drawing to a support frame made of silicon carbide (SiC), and misalignment of the pattern on the front and back sides of the mask during backside etching. The problem was a decrease in yield.
【０００７】本発明はマスクを支持枠に接着するときの
歪の影響をなくし，背面エッチングの位置精度を向上し
てマスクの歪を低減することを目的とする。An object of the present invention is to reduce the distortion of the mask by eliminating the influence of distortion when adhering the mask to the support frame, and improving the positional accuracy of back surface etching.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，１）
基板（４）の表面にＸ線を透過するメンブレン（３）と
Ｘ線吸収膜（２） を被着し，該Ｘ線吸収膜（２） 上
に第１のレジスト膜（７） を被着し，該基板（４）の
裏面に第２のレジスト膜（８） を被着し，両面露光に
より該第２のレジスト膜（８） に背面エッチング用パ
ターン（１０）を形成すると同時に該第１のレジスト膜
（７） に位置検出マーク用パターン（９） を形成す
る工程と，該位置検出マーク用パターン（９） を形成
した該第１のレジスト膜（７） をマスクにして該Ｘ線
吸収膜（２） をパターニングして位置検出マーク（５
） を形成する工程と，該背面エッチング用パターン（
１０）を形成した該第２のレジスト膜（８） をマスク
にして該基板（４）の中央領域をエッチング除去する工
程と，該Ｘ線吸収膜（２） 上に第３のレジスト膜（１
） を被着し，該位置検出マーク（５） を描画領域決
定の基準として該第３のレジスト膜（１） 上に電子線
のパターン描画を行う工程とを有することを特徴とする
Ｘ線マスクの製造方法，あるいは
２）基板（４）の表面にＸ線を透過するメンブレン（３
）とＸ線吸収膜（２） を被着し，該基板の中央部に位
置する背面エッチング領域（２３）をエッチング除去す
る工程と，次いで， 該Ｘ線吸収膜（２） 上にレジス
ト膜（１） を被着し，該基板（４）の表面より電子線
を照射し，該基板（４）の有無による透過電子線強度の
差により該背面エッチング領域（２３）の境界を検知す
る工程と，該境界を描画領域決定の基準として該レジス
ト膜（１） 上に電子線のパターン描画を行う工程とを
有するＸ線マスクの製造方法，あるいは
３）基板（４）の表面にＸ線を透過するメンブレン（３
）とＸ線吸収膜（２） を被着する工程と，該基板（４
）の裏面に支持枠（１１）を接着する工程と， 該基板
（４）の裏面に背面エッチング用パターン（１０）を形
成した背面側レジスト膜（８） を被着し， 該背面側
レジスト膜（８） をマスクにして該基板（４）の中央
領域をエッチング除去する工程と，前記の３工程に次い
で，該Ｘ線吸収膜（２） 上に表面側レジスト膜（１）
を被着し，該表面側レジスト膜（１） 上に電子線の
パターン描画を行う工程とを有するＸ線マスクの製造方
法により達成される。[Means for solving the problem] The solution to the above problem is 1)
A membrane (3) that transmits X-rays and an X-ray absorbing film (2) are deposited on the surface of the substrate (4), and a first resist film (7) is deposited on the X-ray absorbing film (2). Then, a second resist film (8) is deposited on the back side of the substrate (4), and a back side etching pattern (10) is formed on the second resist film (8) by double-sided exposure. forming a position detection mark pattern (9) on the resist film (7), and using the first resist film (7) on which the position detection mark pattern (9) is formed as a mask, the X-ray absorption The film (2) is patterned to form position detection marks (5
) and the process of forming the back side etching pattern (
A step of etching away the central region of the substrate (4) using the second resist film (8) on which the
) and drawing an electron beam pattern on the third resist film (1) using the position detection mark (5) as a reference for determining the drawing area. or 2) a method of manufacturing a membrane (3) that transmits X-rays on the surface of the substrate (4).
) and an X-ray absorbing film (2), and etching away the back side etching region (23) located in the center of the substrate, and then depositing a resist film (2) on the X-ray absorbing film (2). 1) irradiating an electron beam from the surface of the substrate (4) and detecting the boundary of the back side etching region (23) based on the difference in transmitted electron beam intensity depending on the presence or absence of the substrate (4); , a method for manufacturing an X-ray mask comprising the step of drawing an electron beam pattern on the resist film (1) using the boundary as a reference for determining a drawing area, or 3) transmitting X-rays to the surface of the substrate (4). Membrane (3)
) and the X-ray absorbing film (2), and the process of depositing the substrate (4).
), a step of adhering a support frame (11) to the back surface of the substrate (4), and depositing a back side resist film (8) with a back side etching pattern (10) formed on the back side of the substrate (4); (8) A step of etching away the central region of the substrate (4) using the substrate (4) as a mask, and following the above three steps, a resist film (1) on the front side is formed on the X-ray absorbing film (2).
This is achieved by a method of manufacturing an X-ray mask, which includes the steps of depositing a resist film (1) on the front side and drawing a pattern with an electron beam on the front side resist film (1).
【０００９】[0009]
【作用】第１の発明では， 両面露光により裏面の背面
エッチング用パターンと同時に表面に形成された位置検
出用マークを描画領域決定の基準としてＸ線吸収膜用の
パターン描画を行うようにして， マスクの表裏の位置
合わせ精度を向上して，パターンの歪を低減するように
したものである。[Operation] In the first invention, the pattern for the X-ray absorbing film is drawn using the position detection mark formed on the front surface as a reference for determining the drawing area at the same time as the back etching pattern on the back surface by double-sided exposure. This improves the alignment accuracy between the front and back sides of the mask and reduces pattern distortion.
【００１０】第２図は第１の発明の原理説明図である。
図において，１はレジスト膜，２はＸ線吸収膜，３はＸ
線を透過するメンブレン，４は基板でＳｉウエハ，５は
位置検出マークである。FIG. 2 is a diagram explaining the principle of the first invention. In the figure, 1 is a resist film, 2 is an X-ray absorption film, and 3 is an X-ray absorption film.
4 is a substrate which is a Si wafer, and 5 is a position detection mark.
【００１１】この図は， Ｓｉウエハ４上にメンブレン
３，Ｘ線吸収膜２を被着し，Ｓｉウエハ４の背面エッチ
ングを行った後，Ｘ線吸収膜２上にレジスト膜１を被着
してパターン描画を行う場合の断面図である。 この
ときマスク上部より照射された電子線によりパターン描
画を行うが，Ｓｉウエハ４の背面エッチング用パターン
と同時に表面に形成された位置検出用マーク５を描画領
域決定の基準としてレジスト膜１上でパターン描画を行
う。This figure shows that after a membrane 3 and an X-ray absorbing film 2 are deposited on a Si wafer 4 and the back side of the Si wafer 4 is etched, a resist film 1 is deposited on the X-ray absorbing film 2. FIG. 3 is a cross-sectional view when pattern drawing is performed using At this time, a pattern is drawn using an electron beam irradiated from the upper part of the mask, and the pattern is drawn on the resist film 1 using the position detection mark 5 formed on the surface of the Si wafer 4 at the same time as the pattern for backside etching as a reference for determining the drawing area. Perform drawing.
【００１２】パターン描画前に背面エッチングを行い，
パターン描画の際に電子線の透過強度の差により背面
エッチング領域の境界を検知して表面のパターニングを
行うことにより， マスクの表面と裏面のパターンのず
れ量を低減するようにしている。[0012] Before pattern drawing, backside etching is performed,
During pattern writing, the boundary of the back etching area is detected based on the difference in the transmission intensity of the electron beam, and patterning is performed on the front surface, thereby reducing the amount of misalignment between the patterns on the front and back sides of the mask.
【００１３】さらに第３の発明により，マスクを支持枠
に接着した後にパターン描画を行うことにより， 接着
に起因する歪の影響を除外することができる。図４は第
２の発明の原理説明図である。Furthermore, according to the third invention, by drawing a pattern after adhering the mask to the support frame, it is possible to eliminate the influence of distortion caused by adhesion. FIG. 4 is a diagram explaining the principle of the second invention.
【００１４】図において，１はレジスト膜，２はＸ線吸
収膜，３はＸ線を透過するメンブレン，４はＳｉウエハ
，２１Ａ， ２１Ｂは電子線， ２２は電子線検出器で
ある。この図は， Ｘ線マスクの断面図の右半分を示し
，Ｓｉウエハ４上にメンブレン３，Ｘ線吸収膜２を被着
し，Ｓｉウエハ４の背面エッチングを行った後，Ｘ線吸
収膜２上にレジスト膜１を被着してパターン描画を行う
場合の断面図である。In the figure, 1 is a resist film, 2 is an X-ray absorbing film, 3 is a membrane that transmits X-rays, 4 is a Si wafer, 21A and 21B are electron beams, and 22 is an electron beam detector. This figure shows the right half of the cross-sectional view of the X-ray mask. After the membrane 3 and the X-ray absorbing film 2 are deposited on the Si wafer 4 and the back side of the Si wafer 4 is etched, the X-ray absorbing film 2 is removed. FIG. 3 is a cross-sectional view when pattern drawing is performed with a resist film 1 deposited thereon.
【００１５】このときマスク上部より照射された電子線
２１Ａ， ２１Ｂは，マスク下部に置かれた電子線検出
器２２で検出される。Ｓｉウエハ４の有無により透過さ
れる電子線強度に差が生ずる。この差によってＳｉウエ
ハのマスク背面エッチング領域の境界を検出することが
でき，検出位置を基準にして表面のパターン描画を行う
ようにする。At this time, the electron beams 21A and 21B irradiated from the upper part of the mask are detected by an electron beam detector 22 placed at the lower part of the mask. The intensity of the transmitted electron beam varies depending on the presence or absence of the Si wafer 4. Based on this difference, the boundary of the etched area on the back side of the mask on the Si wafer can be detected, and a pattern on the surface is drawn based on the detected position.
【００１６】第３の発明では， 基板の背面エッチング
後に，あるいはマスクを支持枠に接着した後にパターン
描画を行うことにより， 背面エッチング，あるいは接
着に起因する歪の影響を除外するようにしたものである
。[0016] In the third invention, by performing pattern drawing after etching the back side of the substrate or after bonding the mask to the support frame, the influence of distortion caused by back side etching or adhesion is excluded. be.
【００１７】[0017]
【実施例】図１ （Ａ），（Ｂ） は第１の発明の一実
施例を説明する断面図である。図１（Ａ） において，
Ｓｉウエハ４の表面にメンブレン３，Ｘ線吸収膜２を被
着し，Ｓｉウエハ （基板） ４の裏面に背面エッチン
グ用マスクとなるＳｉＣ 膜６を被着する。Embodiment FIGS. 1A and 1B are sectional views illustrating an embodiment of the first invention. In Figure 1(A),
A membrane 3 and an X-ray absorbing film 2 are deposited on the front surface of the Si wafer 4, and a SiC film 6 serving as a backside etching mask is deposited on the back surface of the Si wafer (substrate) 4.
【００１８】ＳｉＣ 膜６はメンブレン３をＳｉＣ で
形成し，これと同時に形成してもよい。つぎに，Ｘ線吸
収膜２上にレジスト膜７を，裏面のＳｉＣ 膜６上にレ
ジスト膜８を被着する。The SiC film 6 may be formed at the same time as the membrane 3 is formed of SiC. Next, a resist film 7 is deposited on the X-ray absorption film 2, and a resist film 8 is deposited on the SiC film 6 on the back side.
【００１９】ついで， 両面露光によりレジスト膜８に
背面エッチング領域を開口したパターン１０を形成する
と同時に，レジスト膜７に位置検出マーク形成用のパタ
ーン９を形成する。Next, by double-sided exposure, a pattern 10 with an opening in the back side etching area is formed in the resist film 8, and at the same time, a pattern 9 for forming a position detection mark is formed in the resist film 7.
【００２０】ついで，パターニングされたレジスト膜７
をマスクにしたエッチングによりＸ線吸収膜２上に位置
検出マーク５を形成する。ついで，パターニングされた
レジスト膜８をマスクにしてＳｉＣ 膜６をエッチング
して開口する。 ＳｉＣ のエッチング条件は，反応
ガスとして ＣＦ４＋０２を用い，これを０．１ Ｔｏ
ｒｒに減圧した雰囲気中でＲＦ電力を基板当たり２００
Ｗ 印加する。Next, the patterned resist film 7
A position detection mark 5 is formed on the X-ray absorbing film 2 by etching using the mask as a mask. Then, using the patterned resist film 8 as a mask, the SiC film 6 is etched to form an opening. The etching conditions for SiC are as follows: CF4+02 is used as the reaction gas, and this is 0.1 To
200 RF power per board in an atmosphere reduced to rr.
Apply W.
【００２１】次いで，パターニングされたＳｉＣ 膜６
をマスクにしてＳｉウエハ４の背面エッチングを行う。
Ｓｉのエッチングは弗酸と硝酸の混酸を用いる。Next, the patterned SiC film 6
The back side of the Si wafer 4 is etched using as a mask. Etching of Si uses a mixed acid of hydrofluoric acid and nitric acid.
【００２２】次いで，レジスト膜７，８を除去する。図
１（Ｂ） において，ＳｉＣ 膜６上に支持枠１１を接
着する。この場合，支持枠１１の接着は， ＳｉＣ 膜
６のエッチング後， Ｓｉウエハ４のエッチング前に行
ってもよい。Next, the resist films 7 and 8 are removed. In FIG. 1(B), a support frame 11 is bonded onto the SiC film 6. In this case, the support frame 11 may be bonded after the SiC film 6 is etched and before the Si wafer 4 is etched.
【００２３】つぎに，Ｘ線吸収膜２上にレジスト膜１を
被着し，電子線を走査して位置検出マーク５を検出して
パターン描画領域を決定し，続いてパターン描画を行う
。図３ （Ａ），（Ｂ） は第２の発明の一実施例を説
明する平面図と断面図である。Next, the resist film 1 is deposited on the X-ray absorbing film 2, and the position detection mark 5 is detected by scanning with an electron beam to determine a pattern drawing area, and then the pattern is drawn. FIGS. 3A and 3B are a plan view and a sectional view illustrating an embodiment of the second invention.
【００２４】図は，Ｓｉウエハ４上にメンブレン３，Ｘ
線吸収膜２を被着し，Ｓｉウエハ４の背面エッチングを
行った後， 支持枠１１を接着し，Ｘ線吸収膜２上にレ
ジスト膜１を被着してパターン描画を行う場合を示す。The figure shows membranes 3 and X on a Si wafer 4.
A case is shown in which after a radiation absorbing film 2 is deposited and the back side of the Si wafer 4 is etched, a support frame 11 is bonded, a resist film 1 is deposited on the X-ray absorbing film 2, and a pattern is drawn.
【００２５】支持枠１１の接着はＳｉウエハ４の背面エ
ッチング前に行ってもよい。このときマスク上部より照
射された電子線２１Ａ， ２１Ｂは，マスク下部の方形
の背面エッチング領域２３の四隅に置かれた４個の電子
線検出器２２で検出される。電子線の透過強度差によっ
て背面エッチング領域２３の境界を検出することができ
，この検出位置を基準にして表面のパターン描画を行う
。The support frame 11 may be bonded before the back side of the Si wafer 4 is etched. At this time, the electron beams 21A and 21B irradiated from the upper part of the mask are detected by four electron beam detectors 22 placed at the four corners of the rectangular back etching area 23 at the lower part of the mask. The boundary of the back side etching region 23 can be detected based on the difference in transmission intensity of the electron beam, and a pattern on the surface is drawn based on this detected position.
【００２６】電子線検出器２２はｐｉｎ ダイオードま
たはファラデーカップを用いる。つぎに， 第１，第２
の実施例の効果を従来例と対比して説明する。前記のよ
うに表側のパターンと裏側のパターンが １ ｍｍ も
ずれれば， 表側のパターンは０．０５μｍは歪むと考
えられる。そこで従来は背面の矩形エッチングを行う場
合には， 通常ウエハ状態で表裏同時に露光して表裏の
位置合わせを行って， この問題に対処している。しか
しながら，この場合パターン描画後に背面エッチングを
行うことになり， このエッチングにより生ずる歪が
０．１×数μｍ程度発生するが， 実施例ではこの歪を
０にすることができる。The electron beam detector 22 uses a pin diode or a Faraday cup. Next, the first and second
The effects of the embodiment will be explained in comparison with the conventional example. As mentioned above, if the pattern on the front side and the pattern on the back side deviate by as much as 1 mm, the pattern on the front side is thought to be distorted by 0.05 μm. Conventionally, when rectangular etching is performed on the back side, this problem is usually addressed by exposing the front and back sides of the wafer simultaneously to align the front and back sides. However, in this case, back side etching is performed after pattern drawing, and the distortion caused by this etching is
This distortion occurs on the order of 0.1×several μm, but in the embodiment, this distortion can be reduced to zero.
【００２７】図５ （Ａ）〜（Ｃ） は第３の発明の実
施例を説明する断面図である。図５（Ａ） において，
Ｓｉウエハ４の表面にメンブレン３，Ｘ線吸収膜２を被
着し，Ｓｉウエハ４の裏面に背面エッチング用マスクと
なるＳｉＣ 膜６を被着する。FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views illustrating an embodiment of the third invention. In Figure 5(A),
A membrane 3 and an X-ray absorbing film 2 are deposited on the front surface of the Si wafer 4, and a SiC film 6 serving as a mask for backside etching is deposited on the back surface of the Si wafer 4.
【００２８】次いで，ＳｉＣ 膜６上に支持枠１１を接
着する。次いで，パターニングされた背面側レジスト膜
８をマスクにしてＳｉＣ 膜６をエッチングして開口す
る。 ＳｉＣのエッチング条件は，図１の実施例と同様
である。Next, a support frame 11 is bonded onto the SiC film 6. Next, using the patterned back side resist film 8 as a mask, the SiC film 6 is etched to form an opening. The etching conditions for SiC are the same as in the embodiment shown in FIG.
【００２９】図５（Ｂ） において，パターニングされ
たＳｉＣ膜６をマスクにし，弗酸と硝酸の混酸を用いて
Ｓｉウエハ４の背面エッチングを行う。ついで，背面側
レジスト膜８を除去する。In FIG. 5B, using the patterned SiC film 6 as a mask, the back side of the Si wafer 4 is etched using a mixed acid of hydrofluoric acid and nitric acid. Then, the back side resist film 8 is removed.
【００３０】図５（Ｃ） において，Ｘ線吸収膜２上に
レジスト膜１を被着し，電子線でパターン描画を行う。
つぎに， 実施例の効果を従来例と対比して説明する。In FIG. 5C, a resist film 1 is deposited on the X-ray absorbing film 2, and a pattern is drawn using an electron beam. Next, the effects of the embodiment will be explained in comparison with the conventional example.
【００３１】従来の工程では，基板表面のパターン描画
後に裏面の背面エッチング，あるいは支持枠の接着を行
っていた。そのため， 背面エッチング時、あるいは支
持枠の接着時に発生するストレスが基板表面のパターン
を歪ませる一因となっていた。In the conventional process, after the pattern is drawn on the front surface of the substrate, the back surface is etched or the support frame is bonded. Therefore, the stress generated during backside etching or bonding of the support frame was a factor in distorting the pattern on the substrate surface.
【００３２】これに対して実施例では， 背面エッチン
グ後， さらに支持枠の接着後にパターン描画を行うた
めこれらに起因する歪を防止することができる。本発明
はメンブレンの状態で電子線描画装置で露光できる技術
（この技術は従来不可能視されていたため，メンブレン
を基板にはりつけた状態で電子線描画を行っていた）が
確立されたため，実施可能となった。On the other hand, in the embodiment, since the pattern is drawn after the back side is etched and further after the support frame is bonded, distortions caused by these can be prevented. The present invention can be carried out because a technology has been established that allows exposure of the membrane in an electron beam lithography system (this technology was considered impossible in the past, so electron beam lithography was performed with the membrane attached to a substrate). It became.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば，マ
スクを支持枠に接着するときの歪の影響をなくし，背面
エッチングの位置精度を向上することができた。As explained above, according to the present invention, it is possible to eliminate the influence of distortion when adhering a mask to a support frame, and to improve the positional accuracy of back side etching.
【００３４】この結果，Ｘ線吸収膜の応力歪を低減する
ことができた。As a result, the stress strain of the X-ray absorbing film could be reduced.
【図１】 第１の発明の一実施例を説明する断面図[Fig. 1] Cross-sectional view explaining one embodiment of the first invention
【
図２】 第１の発明の原理説明図[
Fig. 2 Diagram explaining the principle of the first invention
【図３】 第２の発明の一実施例を説明する平面図と
断面図[Fig. 3] A plan view and a sectional view illustrating an embodiment of the second invention.
【図４】 第２の発明の原理説明図[Figure 4] Diagram explaining the principle of the second invention
【図５】 第３の発明の一実施例を説明する断面図[Fig. 5] Cross-sectional view illustrating an embodiment of the third invention
１ レジスト膜
２ Ｘ線吸収膜
３ Ｘ線を透過するメンブレン
４ 基板でＳｉウエハ
５ 位置検出マーク
６ 裏面のエッチングマスク膜でＳｉＣ 膜７， ８
レジスト
９ 位置検出マーク用パターン
１０ 背面エッチング用パターン
１１ 支持枠
２１Ａ， ２１Ｂは電子線
２２は電子線検出器
２３は背面エッチング領域1 Resist film 2 X-ray absorption film 3 Membrane that transmits X-rays 4 Si wafer as a substrate 5 Position detection mark 6 SiC film as an etching mask film on the back side 7, 8
Resist 9 Position detection mark pattern 10 Back side etching pattern 11 Support frames 21A and 21B are electron beam 22 and electron beam detector 23 is back side etching area
Claims (3)
ンブレン（３）とＸ線吸収膜（２） を被着し，該Ｘ線
吸収膜（２） 上に第１のレジスト膜（７） を被着し
，該基板（４）の裏面に第２のレジスト膜（８） を被
着し，両面露光により該第２のレジスト膜（８） に背
面エッチング用パターン（１０）を形成すると同時に該
第１のレジスト膜（７） に位置検出マーク用パターン
（９） を形成する工程と，該位置検出マーク用パター
ン（９） を形成した該第１のレジスト膜（７） をマ
スクにして該Ｘ線吸収膜（２） をパターニングして位
置検出マーク（５） を形成する工程と，該背面エッチ
ング用パターン（１０）を形成した該第２のレジスト膜
（８） をマスクにして該基板（４）の中央領域をエッ
チング除去する工程と，該Ｘ線吸収膜（２） 上に第３
のレジスト膜（１） を被着し，該位置検出マーク（５
） を描画領域決定の基準として該第３のレジスト膜（
１） 上に電子線のパターン描画を行う工程とを有する
ことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。Claim 1: A membrane (3) that transmits X-rays and an X-ray absorbing film (2) are deposited on the surface of a substrate (4), and a first resist film (2) is deposited on the X-ray absorbing film (2). 7), a second resist film (8) is deposited on the back side of the substrate (4), and a pattern for back etching (10) is formed on the second resist film (8) by double-sided exposure. At the same time, a step of forming a position detection mark pattern (9) on the first resist film (7) and using the first resist film (7) on which the position detection mark pattern (9) has been formed as a mask are performed. a step of patterning the X-ray absorbing film (2) to form a position detection mark (5), and a step of patterning the X-ray absorbing film (2) using the second resist film (8) on which the back side etching pattern (10) is formed as a mask. A step of etching away the central region of the substrate (4) and etching a third layer on the X-ray absorbing film (2).
The resist film (1) is applied, and the position detection mark (5) is applied.
) is used as a reference for determining the drawing area and the third resist film (
1) A method for manufacturing an X-ray mask, comprising the step of drawing an electron beam pattern on the mask.
レン（３）とＸ線吸収膜（２） を被着し，該基板の中
央部に位置する背面エッチング領域（２３）をエッチン
グ除去する工程と，次いで， 該Ｘ線吸収膜（２） 上
にレジスト膜（１） を被着し，該基板（４）の表面よ
り電子線を照射し，該基板（４）の有無による透過電子
線強度の差により該背面エッチング領域（２３）の境界
を検知する工程と，該境界を描画領域決定の基準として
該レジスト膜（１） 上に電子線のパターン描画を行う
工程とを有することを特徴とするＸ線マスクの製造方法
。2. A membrane (3) that transmits X-rays and an X-ray absorbing film (2) are deposited on the surface of the substrate (4), and a back etching region (23) located in the center of the substrate is etched. Next, a resist film (1) is deposited on the X-ray absorbing film (2), and an electron beam is irradiated from the surface of the substrate (4), and the transmission is determined by the presence or absence of the substrate (4). The method includes a step of detecting a boundary of the back side etching region (23) based on a difference in electron beam intensity, and a step of drawing an electron beam pattern on the resist film (1) using the boundary as a reference for determining a drawing region. A method for manufacturing an X-ray mask characterized by:
ンブレン（３）とＸ線吸収膜（２） を被着する工程と
，該基板（４）の裏面に支持枠（１１）を接着する工程
と， 該基板（４）の裏面に背面エッチング用パターン
（１０）を形成した背面側レジスト膜（８） を被着し
， 該背面側レジスト膜（８） をマスクにして該基板
（４）の中央領域をエッチング除去する工程と，前記の
３工程に次いで，該Ｘ線吸収膜（２） 上に表面側レジ
スト膜（１） を被着し，該表面側レジスト膜（１）
上に電子線のパターン描画を行う工程とを有することを
特徴とするＸ線マスクの製造方法。3. A step of depositing a membrane (3) that transmits X-rays and an X-ray absorbing film (2) on the surface of the substrate (4), and attaching a support frame (11) to the back surface of the substrate (4). A process of adhering, a back side resist film (8) with a back side etching pattern (10) formed on the back side of the substrate (4), and using the back side resist film (8) as a mask, the substrate ( 4) After the step of etching away the central region and the above three steps, a front side resist film (1) is deposited on the X-ray absorbing film (2), and the front side resist film (1) is
A method for manufacturing an X-ray mask, comprising the step of drawing an electron beam pattern on the mask.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3007456A JPH04212406A (en) | 1990-11-20 | 1991-01-25 | Manufacture of x-ray mask |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31458190 | 1990-11-20 | ||
| JP2-314582 | 1990-11-20 | ||
| JP2-314581 | 1990-11-20 | ||
| JP3007456A JPH04212406A (en) | 1990-11-20 | 1991-01-25 | Manufacture of x-ray mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212406A true JPH04212406A (en) | 1992-08-04 |
Family
ID=26341755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3007456A Withdrawn JPH04212406A (en) | 1990-11-20 | 1991-01-25 | Manufacture of x-ray mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04212406A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5570405A (en) * | 1995-06-06 | 1996-10-29 | International Business Machines Corporation | Registration and alignment technique for X-ray mask fabrication |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP3007456A patent/JPH04212406A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5570405A (en) * | 1995-06-06 | 1996-10-29 | International Business Machines Corporation | Registration and alignment technique for X-ray mask fabrication |
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