JPH04188738A - Integrated circuit element - Google Patents

Integrated circuit element

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JPH04188738A
JPH04188738A JP31844990A JP31844990A JPH04188738A JP H04188738 A JPH04188738 A JP H04188738A JP 31844990 A JP31844990 A JP 31844990A JP 31844990 A JP31844990 A JP 31844990A JP H04188738 A JPH04188738 A JP H04188738A
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JP
Japan
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integrated circuit
bonding
substrate
chip
bonding pad
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Japanese (ja)
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Kazuto Ishida
和人 石田
Toshiro Tsukada
敏郎 塚田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To shorten a propagation delay time between transmitting paths, reduce a parasitic inductance, and readily make the characteristic measurement by a method wherein first bonding pads are arranged on the same circumference of a circle on a substrate. CONSTITUTION:Both first bonding pads 4 and second bonding pads 7 are concentrically arranged on the circumferences of circles, whereby the distance between each first bonding pad 4 and each corresponding bonding pad 7 is wholly made equal and all the lengths of a bonding wire 5 to be coupled to each other becomes equal. Further, the intervals of bonding wires 5 becomes equal. Further, if the shape of a substrate is a disk, when the second bonding pads 7 are arranged on the circumference of a circle, the distances between the first bonding pads 4 and the second bonding pads 7 are small, that is the lengths of the bonding wires 5 are short. Thus, a propagation delay time between transmitting paths is short, a parasitic inductance can be reduced, and the characteristics can easily be measured.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、光伝送等に使用する超高速の集積回路素子に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an ultrahigh-speed integrated circuit element used for optical transmission and the like.

[従来の技術] 従来、集積回路素子の集積回路チップ上のボンディング
パッドは、ウェーハをダイシングした4角形のチップの
各辺に沿って配置されていた。
[Prior Art] Conventionally, bonding pads on an integrated circuit chip of an integrated circuit element have been arranged along each side of a rectangular chip obtained by dicing a wafer.

この方法は、集積回路チップから多数の入出力信号がと
れることや、セルを効率的に集積回路チップ上にレイア
ウトできるなどの利点がある。
This method has the advantage that a large number of input/output signals can be obtained from the integrated circuit chip, and that cells can be efficiently laid out on the integrated circuit chip.

なお、従来の集積回路チップ上のボンディングパッド配
置例については、管野・大森著「超高速化合物半導体デ
バイス」 (培風館)巻頭写真や、柳井・永田著「改訂
集積回路光学」 (1)プロセス・デバイス技術編pp
199等に記載されている。
For examples of bonding pad placement on conventional integrated circuit chips, see the front page photo of ``Ultrahigh-speed Compound Semiconductor Devices'' by Kanno and Omori (Baifukan) and ``Revised Integrated Circuit Optics'' (1) Process Devices by Yanai and Nagata. Technical edition pp
199 etc.

[発明が解決しようとする課題] しかし、上記従来技術においては、集積回路チップ上の
ボンディングパッドからICパッケージ(以下ICPK
Gとl1i8)のピン先端までの信号伝播距離が配慮さ
れていなかった。そのため、複数の超高速信号(≧GH
z)を伝送する場合には、ICパッケージ内部で伝播遅
延差が生じる問題があった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above-mentioned conventional technology, the bonding pad on the integrated circuit chip is connected to the IC package (hereinafter referred to as ICPK).
The signal propagation distance to the pin tip of G and l1i8) was not considered. Therefore, multiple ultra-high speed signals (≧GH
z), there is a problem in that a propagation delay difference occurs inside the IC package.

一般に、GHz以上の動作速度をもつフリップフロップ
(FF)のセットアツプタイム(t、)ホールドタイム
(t、)は数十ps以下である。
Generally, the setup time (t,) and hold time (t,) of a flip-flop (FF) having an operating speed of GHz or higher are several tens of ps or less.

また、ゲート1段あたりの伝搬遅延時間(tpd)もL
oops以下になる傾向にある。光伝送用工Cの超高速
化に伴ない、これらの数値は、確実に小さくなってきて
いる。
In addition, the propagation delay time (tpd) per gate stage is also L
It tends to be less than oops. With the ultra-high speed of optical transmission equipment C, these numbers are steadily becoming smaller.

これに対し、比誘導率(εr)が10の基板材質を用い
て、マイクロストリップラインを構成した場合、信号の
伝搬時間は、約8 p s / rrrnである。
On the other hand, when a microstrip line is constructed using a substrate material with a specific dielectric constant (εr) of 10, the signal propagation time is approximately 8 ps/rrrn.

従って、伝送速度のより超高速化が進むにつれて、この
伝搬時間が信号のマージンを少なくすることが予想され
る。
Therefore, as transmission speeds become increasingly faster, it is expected that this propagation time will reduce the signal margin.

特に通信用ICではt#+ t、を確保するために、同
一チャネルのデータとクロックとは、その位相差を厳守
する必要がある。しかし、非常に注意深いレイアウト設
計を行なわないかぎり、これらの伝搬時間を等しくする
ことは困難になりつつある。
In particular, in communication ICs, in order to ensure t#+t, it is necessary to strictly maintain the phase difference between data and clock on the same channel. However, it is becoming difficult to equalize these propagation times without very careful layout design.

特に信号の挿入と分岐を機能としたICにおいては、入
出力するデータとクロックのペアは増え、信号伝搬時間
の設計が困難になることが予想される。
Particularly in ICs that function as signal insertion and branching, the number of input/output data and clock pairs increases, making it difficult to design signal propagation time.

この場合、IC内部のメタル配線の場合とは異なり、ボ
ンディングワイヤ配線における信号伝搬時間の設計は不
可能に近い。
In this case, unlike the case of metal wiring inside an IC, it is almost impossible to design the signal propagation time in bonding wire wiring.

特に、4角形のICPKGの場合、4角形の頂点付近の
ピンを通る信号と、各辺の中点付近のピンを通る信号と
の間で生ずる遅延差は無視できない、各辺の中点付近の
ピンのみを使用することで遅延差を最小化できるが、ピ
ンの有効利用の観点からは不利である。
In particular, in the case of a quadrilateral ICPKG, the delay difference that occurs between the signal passing through the pin near the apex of the quadrilateral and the signal passing through the pin near the midpoint of each side cannot be ignored. Although delay differences can be minimized by using only pins, this is disadvantageous from the standpoint of effective use of pins.

丸形ICPKGを使用すれば、全てのピンにおけるIC
PKG上の伝送線路長を同一にして、ICPKG上にお
ける遅延差を最小化することは可能である。しかし、一
般に、ICPKGに実装するチップは4角形であり、チ
ップのボンディングパッドは該チップの4辺に沿って配
置されている。
If you use a round ICPKG, the IC on all pins will be
It is possible to minimize the delay difference on the ICPKG by making the transmission line length on the PKG the same. However, generally, the chip mounted on the ICPKG is square, and the bonding pads of the chip are arranged along the four sides of the chip.

そのため、チップのボンデインパッドと、ICPKGの
ボンディングパッドとを結ぶボンディングワイヤの長さ
は各パッド毎に異なり、結局、伝搬遅延時間を均一には
できなかった。また、均等間隔、均等長にワイヤ登張る
ことは困難で、寄生素子(インダクタンス等)によるノ
イズの発生要因になりかねない9 また、集積回路素子の特性を調べるプローブカードは円
形の測定穴を持つにも関わらず、測定対象のチップは、
各辺にボンディングパッドが配された4角形であること
が多い。そのため、プローブ探針の設定が4角形または
それに準じる形となリ、設定が面倒であった。
Therefore, the length of the bonding wire connecting the bonding pad of the chip and the bonding pad of the ICPKG differs for each pad, and as a result, the propagation delay time cannot be made uniform. In addition, it is difficult to string wires at equal intervals and lengths, which can lead to noise generation due to parasitic elements (inductance, etc.) 9 In addition, probe cards for testing the characteristics of integrated circuit elements have circular measurement holes. Nevertheless, the chip to be measured is
It is often rectangular with bonding pads arranged on each side. Therefore, the probe tip is set in a rectangular shape or in a similar shape, which is cumbersome to set.

本発明は、超高速ディジタル伝送に不可欠な信号相互の
タイミングマージンを確保するため、ICPKG内にお
ける伝送路間の伝播遅延時間を同じくし、さらに寄生素
子を減らした、超高速かつ信頼性の高い集積回路素子を
提供することを目的としている。
The present invention aims to achieve ultra-high-speed and highly reliable integration that equalizes the propagation delay time between transmission lines within an ICPKG and reduces parasitic elements in order to ensure mutual timing margins between signals that are essential for ultra-high-speed digital transmission. The purpose is to provide circuit elements.

また、プローブによる測定が容易な集積回路素子を提供
することを目的としている。
Another object of the present invention is to provide an integrated circuit element that can be easily measured using a probe.

[課題を解決するための手段] 本発明は上記目的を達成するためになされたもので、そ
の−態様としては、基板と該基板上に設けられた回路お
よび第1ボンディングパッドとを有する集積回路チップ
と、該集積回路との結線に使用する第2ボンディングパ
ッドを有し該集積回路を収納するパッケージと、該第1
ボンディングパッドと該第2ボンディングパッドとを結
線するボンディングワイヤとを備えた集積回路素子にお
いて、上記第1ボンディングパッドを、上記基板上の同
一円周上に配置したことを特徴とする集積回路素子が提
供される。
[Means for Solving the Problems] The present invention has been made to achieve the above-mentioned objects, and its aspects include an integrated circuit having a substrate, a circuit provided on the substrate, and a first bonding pad. a package containing a chip and a second bonding pad used for connection with the integrated circuit and housing the integrated circuit;
An integrated circuit device comprising a bonding pad and a bonding wire connecting the second bonding pad, wherein the first bonding pad is arranged on the same circumference on the substrate. provided.

なお、この場合、上記第2ボンディングパッドが同一円
周上に配置され、該第2ボンディングパッドの形成する
円の中心と、上記第1ボンディングパッドの形成する円
の中心とを一致させることが好ましい。
In this case, it is preferable that the second bonding pads are arranged on the same circumference, and the center of the circle formed by the second bonding pads is made to coincide with the center of the circle formed by the first bonding pads. .

また、上記基板が、円形又は頂点の数が5以上の多角形
であることが好ましい。
Further, it is preferable that the substrate is circular or polygonal with five or more vertices.

他の態様としては、基板と該基板上に設けられた回路と
を有する集積回路チップにおいて、集積回路の特性を測
定する際に使用するプローブ測定用バッドを備え、これ
を上記基板において、同一円周上に配置したことを特徴
とする集積回路チップが提供される。
As another aspect, an integrated circuit chip having a substrate and a circuit provided on the substrate is provided with a probe measurement pad used when measuring the characteristics of the integrated circuit, and the probe measurement pad is placed in the same circle on the substrate. An integrated circuit chip is provided that is characterized in that it is arranged on a circumference.

また、別の態様としては、基板と該基板上に設けられた
回路および第1ボンディングパッドとを有する集積回路
チップと、該集積回路との結線に使用する第2ボンディ
ングパッドを有し該集積回路を収納するパッケージと、
該第1ボンディングパッドと該第2ボンディングパッド
とを結線するボンディングワイヤとを備えた集積回路素
子において、上記第1ボンディングパッドを、上記基板
上の同一円周上に配置した集積回路素子を備えた電子装
置が提供される。なお、この電子装置は、光信号を電気
信号に変換し該集積回路素子に入力する光/電気変換手
段と、該集積回路素子から出力された電気信号を光信号
に変換し出力する電気/光変換手段と、信号を多重化し
、該多重化信号を上記集積回路素子に入力する多重化手
段と、該集積回路素子から出力される信号を分離して出
力する分離手段とを備えていてもよい [作 用コ 第1ボンディングパッド及び第2ボンディングパッドは
、共に円周上に配置され、その中心を同一としているた
め、各1ボンディングパッドとこれに対応する各第2ボ
ンディングパッドの距離は全て等しくなり、これらを結
線するボンディングワイヤの長さは全て等しくなる。ま
た、各ボンディングワイヤの間隔は、均等になる。
In another aspect, an integrated circuit chip includes a substrate, a circuit provided on the substrate, and a first bonding pad, and a second bonding pad used for connection with the integrated circuit. A package that stores the
An integrated circuit device comprising a bonding wire connecting the first bonding pad and the second bonding pad, the integrated circuit device having the first bonding pad arranged on the same circumference on the substrate. An electronic device is provided. Note that this electronic device includes an optical/electrical converter that converts an optical signal into an electrical signal and inputs it to the integrated circuit element, and an electrical/optical converter that converts the electrical signal output from the integrated circuit element into an optical signal and outputs it. It may include a converting means, a multiplexing means for multiplexing signals and inputting the multiplexed signal to the integrated circuit element, and a separating means for separating and outputting the signal output from the integrated circuit element. [Function] The first bonding pad and the second bonding pad are both arranged on the circumference and have the same center, so the distances between each bonding pad and each corresponding second bonding pad are all equal. Therefore, the lengths of the bonding wires connecting these wires are all equal. Further, the intervals between the bonding wires are equal.

さらに、基板の形状を、円形または頂点が5以上の多角
形とすると、第2ボンディングパッドを円周上に配置す
る際に、該円の直径を、基板の角部分にじゃまされるこ
となく、第1ボンディングパッドの形成する直径の大き
さに近付けることができる。すなわち、第1ボンディン
グパッドと第2ボンディングパッドとの距離が小さくな
り、ボンディングワイヤの長さが短くなる。
Furthermore, if the shape of the substrate is a circle or a polygon with five or more vertices, when arranging the second bonding pad on the circumference, the diameter of the circle can be adjusted without being obstructed by the corners of the substrate. The diameter can be made close to that of the first bonding pad. That is, the distance between the first bonding pad and the second bonding pad becomes smaller, and the length of the bonding wire becomes shorter.

また、集積回路の特性を測定する際に使用するプローブ
測定用パッドを、同一円周上に配置したことにより、円
形の測定穴を持つことの多いプローブカード等による測
定時に、プローブ探針の設定が容易となる。
In addition, by arranging the probe measurement pads used when measuring the characteristics of integrated circuits on the same circumference, it is possible to set the probe tips when making measurements using probe cards, etc., which often have circular measurement holes. becomes easier.

他の態様である電子装置は、集積回路素子と、光/電気
変換手段は入力された光信号を電気信号に変換し該集積
回路素子に入力する。また、多重化手段は、信号を多重
化し、該多重化した信号を上記集積回路素子に入力する
。集積回路素子は、このように入力される信号に処理を
行い電気光変換手段、または、分離手段に出力する。電
気/光変換手段は、集積回路素子から出力された電気信
号を光信号に変換し出力する。また、分離手段は集積回
路素子から出力される信号を、分離して出力する。
Another aspect of the electronic device includes an integrated circuit element, and an optical/electrical conversion means that converts an input optical signal into an electrical signal and inputs the electrical signal to the integrated circuit element. Further, the multiplexing means multiplexes the signals and inputs the multiplexed signals to the integrated circuit element. The integrated circuit element processes the input signal in this way and outputs it to the electro-optical conversion means or separation means. The electrical/optical conversion means converts the electrical signal output from the integrated circuit element into an optical signal and outputs the optical signal. Further, the separating means separates and outputs the signal output from the integrated circuit element.

[実施例] 以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。[Example] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図にその構成を示す。Figure 1 shows its configuration.

この集積回路素子は、ICパッケージ(以下、ICPK
G、という)2に、回路の形成されたチップ6を実装し
たものである。
This integrated circuit element is an IC package (hereinafter referred to as ICPK).
A chip 6 on which a circuit is formed is mounted on a chip 2 (referred to as G) 2.

ICPKG2は、その全体の形状が丸形である。The overall shape of ICPKG2 is round.

そして、このICPKG2には、チップ6との間を結ぶ
ボンディングワイヤ5を結線するための工CPKG2自
身のボンディングパッド4が、チップ6を取り巻くよう
に配置されている。本実施例のボンディングパッド4の
配置は、円形となっている。なお、該ボンディングパッ
ド4からは、マイクロストリップライン3、ICピン1
を通じて、外部へ信号を伝えるようになっている。
In this ICPKG 2, bonding pads 4 of the ICPKG 2 for connecting bonding wires 5 to the chip 6 are arranged so as to surround the chip 6. The arrangement of the bonding pads 4 in this embodiment is circular. Note that from the bonding pad 4, a microstrip line 3 and an IC pin 1 are connected.
It is designed to transmit signals to the outside world.

チップ6は、シリコン等の基板を四角形にダイシングし
たもので、その上には各種回路が形成されている。
The chip 6 is made by dicing a substrate made of silicon or the like into a rectangular shape, and various circuits are formed on the chip 6.

本実施例の、チップ6は、全体の形状は四角形であるが
、ボンディングワイヤ5を結線するためにチップ6上に
設けられたボンディングパッド7は1円形に配置されて
いる。
Although the chip 6 of this embodiment has a rectangular overall shape, the bonding pads 7 provided on the chip 6 for connecting the bonding wires 5 are arranged in a circle.

そして、このチップ6をICPKG2に実装する際には
、上述の、ボンディングパッド4の形成する円の中心と
、該ボンディングパッド7の形成する円の中心とが一致
するように配置されている。
When this chip 6 is mounted on the ICPKG 2, it is arranged so that the center of the circle formed by the bonding pads 4 and the center of the circle formed by the bonding pads 7 are aligned with each other.

これにより、ボンディングワイヤ5の長さ及び相互の間
隔は、均等になっている。
Thereby, the lengths of the bonding wires 5 and the mutual spacing between them are made equal.

次に動作を説明する。Next, the operation will be explained.

ICピン1を入力ピンとする信号は、ICPKG2内の
マイクロストリップライン3を通り、ICPKG2のボ
ンディングパッド4に到達する。
A signal whose input pin is IC pin 1 passes through the microstrip line 3 in the ICPKG 2 and reaches the bonding pad 4 of the ICPKG 2 .

そして、この信号は、ボンディングワイヤ5を通じてチ
ップ6に伝送され、チップ6のボンディングパッド7か
らチップ6上に設けられた回路へと信号が届く。
This signal is then transmitted to the chip 6 through the bonding wire 5, and the signal reaches the circuit provided on the chip 6 from the bonding pad 7 of the chip 6.

一方、チップ6からの出力信号については、この逆の過
程となる。
On the other hand, for the output signal from the chip 6, this process is reversed.

この場合、ボンディングワイヤ5の長さおよび相互の間
隔は、上述のとおり均等であるため、伝送線路毎の信号
の伝搬遅延はほとんど発生しない。
In this case, since the lengths of the bonding wires 5 and the mutual spacing between them are equal as described above, almost no signal propagation delay occurs for each transmission line.

また、ボンディングワイヤ5間の寄生素子(主に相互イ
ンダクタンス)等を大幅に減少させることができる。
Furthermore, parasitic elements (mainly mutual inductance) between the bonding wires 5 can be significantly reduced.

次に実施例2を説明する。Next, Example 2 will be explained.

この集積回路素子は、実施例1とほぼ同様の構成である
が、集積回路チップの形状に、特徴を有する。
This integrated circuit element has almost the same configuration as Example 1, but has a unique feature in the shape of the integrated circuit chip.

すなわち、チップ6′自身の形状を多角形、本実施例に
おいては四角形とし、チップ6′全体の形状を円形に近
付けたものである。また、これに伴い、ボンディングパ
ッド4′の設置位置を実施例1よりも、チップ6′近付
けて、ボンディングワイヤ5′の長さを短くしている。
That is, the shape of the chip 6' itself is a polygon, in this embodiment, a square, and the shape of the entire chip 6' is approximated to a circle. Further, in accordance with this, the bonding pad 4' is placed closer to the chip 6' than in the first embodiment, and the length of the bonding wire 5' is shortened.

ボンディングワイヤのインダクタンスは1nH/−前後
の値で、これはGHz帯の信号を伝送するには無視でき
ない値である。
The inductance of the bonding wire is around 1 nH/-, which is a value that cannot be ignored for transmitting GHz band signals.

従って、ボンディングパッド7′を円形に配列する場合
には、チップ6′も丸形とすることが理想的であるが、
ダイシングが困難である。しかし、本実施例のような8
角形のチップは、比較的容易に実現し得る。
Therefore, when the bonding pads 7' are arranged in a circle, it is ideal that the chip 6' is also round.
Dicing is difficult. However, 8
Square chips can be realized relatively easily.

また、多角形のチップ6′を用いた場合四角形のチップ
6を使用した場合と比べて、ボンディングワイヤ5′の
長さを均等にしつつ、大幅に短縮することが可能となる
。従って、ICPKG2の面積に占めるチップ面積の利
用効率も大きく向上する。これにより、ボンディングワ
イヤ5′の寄生素子が大幅に減少し、ボンディングワイ
ヤの自己/相互インダクタンスの影響が小さくなる。そ
の結果、高周波特性にきわめて優れた集積回路素子の製
作が可能である。また超高速集積回路素子の多ピン化も
、本技術により可能である。
Further, when a polygonal chip 6' is used, the length of the bonding wire 5' can be made uniform and significantly shortened compared to a case where a square chip 6 is used. Therefore, the utilization efficiency of the chip area in the area of ICPKG2 is also greatly improved. This significantly reduces the parasitic elements of the bonding wire 5' and reduces the influence of the bonding wire's self/mutual inductance. As a result, it is possible to manufacture integrated circuit elements with extremely excellent high frequency characteristics. Furthermore, the present technology also makes it possible to increase the number of pins in ultra-high-speed integrated circuit elements.

実施例3を説明する。Example 3 will be explained.

本実施例は、上記実施例1.または実施例2に示した集
積回路を利用した電子装置である。
This example is based on the example 1 above. Alternatively, it is an electronic device using the integrated circuit shown in Example 2.

第3図にその構成を示す。Figure 3 shows its configuration.

この電子装置は、光ファイバ12a、12bと、電気/
光変換回路13と、光/電気変換回路23と、多重化回
路20と、工C11とからなる。そして、これらの要素
は、以下のような関係を有して構成されている。
This electronic device includes optical fibers 12a, 12b and electrical/
It consists of an optical conversion circuit 13, an optical/electrical conversion circuit 23, a multiplexing circuit 20, and a circuit C11. These elements are configured with the following relationship.

すなわち、光ファイバ12bより入力された光信号は、
光/電気変換回路(以下、「○/E回路」という)23
を経て、ICIIへ入力される。また、多重化回路(以
下rMUX回路」という)20にて多重化された信号は
工C11へ入力される。
That is, the optical signal input from the optical fiber 12b is
Optical/electric conversion circuit (hereinafter referred to as "○/E circuit") 23
The data is then input to the ICII. Further, signals multiplexed by a multiplexing circuit (hereinafter referred to as rMUX circuit) 20 are input to the circuit C11.

逆にICI 1より出力された信号は電気/光変換回路
(以下、rE/○回路」という)13を経て、光ファイ
バ12aへ出力される。また同じ<IC511より出力
された信号は分離回路(以下rDMUX回路」という)
17を経て、周辺回路ブロックへ伝送される。
Conversely, the signal output from the ICI 1 passes through an electrical/optical conversion circuit (hereinafter referred to as rE/circuit) 13 and is output to the optical fiber 12a. Also, the signal output from the same <IC511 is connected to a separation circuit (hereinafter referred to as rDMUX circuit).
17, and is transmitted to the peripheral circuit block.

この時の、本実施例のICIIの機能の一例を第4図に
示す。
An example of the function of the ICII of this embodiment at this time is shown in FIG.

第4図に示す様に、ICIIの基本機能は、セレクタ2
6とセレクタ27とによる回線設定である。
As shown in Figure 4, the basic functions of ICII are selector 2.
6 and selector 27.

第4図と第3図とにおいては、データ/クロック入力2
8はデータ人力24とクロック入力25とに対応してい
る。データ/クロック入力29は。
In FIGS. 4 and 3, data/clock input 2
8 corresponds to the data input 24 and the clock input 25. Data/clock input 29 is.

データ人力21とクロック入力22とに対応している。It corresponds to data input 21 and clock input 22.

また、データ/クロック出力30は、データ出力14と
クロック出力15とに対応している。
Further, the data/clock output 30 corresponds to the data output 14 and the clock output 15.

さらに、データ/クロック出力31は、データ出力18
とクロック出力19とに対応している。
Additionally, data/clock output 31 is connected to data output 18.
and clock output 19.

この様な電子装置においては、データとクロックの位相
関係が大変重要であり、G b / s以上の超高速伝
送を行う電子装置では前述した通り、■C内の伝送路長
による遅延のずれや、寄生素子による伝送品質の劣化が
大きく問題となる。
In such electronic devices, the phase relationship between data and clock is very important, and as mentioned above, in electronic devices that perform ultra-high-speed transmission at Gb/s or higher, delays due to the length of the transmission path in C and , deterioration of transmission quality due to parasitic elements becomes a major problem.

しかし1本実施例においては、ICI 1として、実施
例1、実施例2で示した集積回路素子を使用しているた
め、ICI l内の伝送路長による遅延のずれや、寄生
素子による伝送品質の劣化が少ない。
However, in this embodiment, since the integrated circuit element shown in embodiments 1 and 2 is used as ICI 1, delay deviation due to the transmission path length within ICI 1 and transmission quality due to parasitic elements may occur. There is little deterioration.

IC11は、2系統の入力と2系統の出力により構成さ
れているが、この構成が複雑化するにつれて、超高速信
号の多ピン化は不可避である。しかし、そのような場合
についても、本実施例のように、実施例1.実施例2に
示した集積回路素子を使用すれば、寄生素子減少により
、ノイズの低下が期待でき、超高速信号の多ピン化も可
能である。
The IC 11 is configured with two input systems and two output systems, but as this configuration becomes more complex, it is inevitable to increase the number of pins for ultra-high-speed signals. However, even in such a case, Example 1. If the integrated circuit element shown in Example 2 is used, a reduction in noise can be expected due to a reduction in parasitic elements, and it is also possible to increase the number of pins for ultra-high-speed signals.

実施例4を説明する。Example 4 will be explained.

本実施例の集積回路素子の平面図を第5図に示す。FIG. 5 shows a plan view of the integrated circuit element of this example.

本実施例においては、チップ44には、通常のパッド4
3とは別に、測定用バッド41が設けられている。そし
て、この測定用パッド41は円周上に配置されている。
In this embodiment, the chip 44 has a normal pad 4.
3, a measurement pad 41 is provided. The measurement pads 41 are arranged on the circumference.

そして、この測定用パッド41は、パッド43へ、メタ
ル配線42をにより接続されている。
This measurement pad 41 is connected to a pad 43 by a metal wiring 42.

また、測定用パッド41を、バッド43としても使用で
きるように構成しても良い。
Further, the measurement pad 41 may be configured so that it can also be used as a pad 43.

なお、測定用パッド41、バッド43の形状はこれに限
定されるものではない。
Note that the shapes of the measurement pad 41 and pad 43 are not limited to this.

本実施例のチップ44は、円形に配置された測定用パッ
ド41を有しているため、プローブカード等による測定
の際、探針を円形に配置するだけでよく、探針の調整が
非常に簡単になる。また、メタル配線42は、ボンディ
ングワイヤに対し、ICレイアウト上で配線遅延を設計
することができ、本メタル配線42の長さの差による信
号遅延は、回避できる。
Since the chip 44 of this embodiment has the measurement pads 41 arranged in a circle, when making measurements using a probe card, etc., it is only necessary to arrange the probes in a circle, and the adjustment of the probes is very easy. It gets easier. Further, the metal wiring 42 can be designed with wiring delay on the IC layout with respect to the bonding wire, and signal delay due to the difference in length of the metal wiring 42 can be avoided.

以上の上記実施例においては、伝送路遅延差を最小化(
原理的に0)することができ、伝送路の遅延によるタイ
ミングのずれを防止することができる。そのため、設計
時には、超高速信号(≧IGHz)を取り扱う集積回路
を設計する場合でも、伝送路遅延について考慮する必要
がなく、周辺のプリント基板等とのタイミング条件のみ
を考えればよい。その結果、精度の高いタイミング設計
が期待できる。
In the above embodiments, the transmission path delay difference is minimized (
0) in principle, and can prevent timing shifts due to delays in the transmission path. Therefore, at the time of design, even when designing an integrated circuit that handles ultra-high-speed signals (≧IGHz), there is no need to consider transmission path delays, and only timing conditions with peripheral printed circuit boards and the like need be considered. As a result, highly accurate timing design can be expected.

また、パッケージ形状、ボンディングパッドの配置、チ
ップ形状等を円形酸は多角形としたことにより、ボンデ
ィングワイヤの長さを短かくできた。これにより、イン
ダクタンス等の寄生素子を減らし、発振やノイズの発生
源を減らすことができた。例えば、ボンディングワイヤ
の長さを約1閣短縮すると、自己インダクタンスが1n
H前後、減少する。さらに、チップの利用効率を減らさ
ないで済む。
Furthermore, by changing the package shape, bonding pad arrangement, chip shape, etc. to a polygon instead of a circular one, the length of the bonding wire can be shortened. This reduces parasitic elements such as inductance and reduces sources of oscillation and noise. For example, if the length of the bonding wire is shortened by about one inch, the self-inductance will be reduced to 1n.
It decreases around H. Furthermore, chip utilization efficiency does not need to be reduced.

さらに、プローブカードでのウェーハ検査時に、探針を
等長かっ円形に配置するだけで測定を行うことが可能で
あり、測定の容易化を図ることができた。
Furthermore, when inspecting a wafer using a probe card, it is possible to perform measurement simply by arranging the probes in a circular shape with equal lengths, making the measurement easier.

[発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば、集積回路の、伝送
路の長さによる遅延を、減少させることができる。また
、伝送路の長さを短くし、寄生インダクタンスを減少さ
せることができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the delay due to the length of the transmission path of an integrated circuit can be reduced. Furthermore, the length of the transmission path can be shortened and parasitic inductance can be reduced.

さらに、特性の測定時の測定装置の調整が容易となるFurthermore, it is easier to adjust the measuring device when measuring characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明を適用した実施例1を示す集積回路素子
の平面図、第2図は実施例2を示す集積回路素子の平面
図、第3図は、本発明の集積回路素子を利用した電子装
置の構成図、第4図はその電子装置における、集積回路
素子の機能を示すブロック図である、第5図は他の実施
例である集積回路チップの平面図である。 1・・・ICピン、2・・ICPKG、3・・・マイク
ロストリップライン、4・・・ボンディングパッド、5
・・・ボンディングワイヤ、6・・・チップ、7・・・
ボンディングパッド、11・・・IC512a・・・光
ファイバ。 12b・・・光ファイバ、13・・・電気/光変換回路
、14・・・データ出力、15・・・クロック出力、1
7・・・分離回路、18・・・データ出力、19・・・
クロック出力、20・・・多重化回路、21・・・デー
タ入力、22・・・クロック入力、23・・・光/電気
変換回路、24・・・データ入力、25・・・クロック
入力、26・・・セレクタ、27・・・セレクタ、28
・・・データ/クロック入力、29・・・データ/クロ
ック入力、30・・・データ/クロック出力、データ/
クロック出力、41・・・測定用パッド、42・・・メ
タル配線、43・・・パッド、44・・・チップ。
FIG. 1 is a plan view of an integrated circuit device showing Example 1 to which the present invention is applied, FIG. 2 is a plan view of an integrated circuit device showing Example 2, and FIG. 3 is a plan view of an integrated circuit device using the integrated circuit device of the present invention. FIG. 4 is a block diagram showing the functions of integrated circuit elements in the electronic device, and FIG. 5 is a plan view of an integrated circuit chip according to another embodiment. 1... IC pin, 2... ICPKG, 3... Microstrip line, 4... Bonding pad, 5
... bonding wire, 6... chip, 7...
Bonding pad, 11...IC512a...Optical fiber. 12b... Optical fiber, 13... Electric/optical conversion circuit, 14... Data output, 15... Clock output, 1
7... Separation circuit, 18... Data output, 19...
Clock output, 20... Multiplexing circuit, 21... Data input, 22... Clock input, 23... Optical/electric conversion circuit, 24... Data input, 25... Clock input, 26 ...Selector, 27...Selector, 28
...Data/clock input, 29...Data/clock input, 30...Data/clock output, data/
Clock output, 41...Measurement pad, 42...Metal wiring, 43...Pad, 44...Chip.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、基板と該基板上に設けられた回路および第1ボンデ
ィングパッドとを有する集積回路チップと、該集積回路
チップとの結線に使用する第2ボンディングパッドを有
し該集積回路チップを収納するパッケージと、該第1ボ
ンディングパッドと該第2ボンディングパッドとを結線
するボンディングワイヤとを備えた集積回路素子におい
て、 上記第1ボンディングパッドを、上記基板上の同一円周
上に配置したことを特徴とする集積回路素子。 2、上記第2ボンディングパッドが同一円周上に配置さ
れ、該第2ボンディングパッドの形成する円の中心と、
上記第1ボンディングパッドの形成する円の中心とを一
致させたことを特徴とする請求項1記載の集積回路素子
。 3、上記基板が、円形又は頂点の数が5以上の多角形で
あることを特徴とする請求項1記載の集積回路素子。 4、基板と該基板上に設けられた回路とを有する集積回
路チップにおいて、 集積回路の特性を測定する際に使用するプローブ測定用
パッドを備え、これを上記基板において、同一円周上に
配置したことを特徴とする集積回路チップ。 5、基板と該基板上に設けられた回路およびボンディン
グパッドとを有する集積回路チップにおいて、 上記ボンディングパッドを、上記基板上の同一円周上に
配置したことを特徴とする集積回路チップ。 6、請求項1または2記載の集積回路素子を備えたこと
を特徴とする電子装置。 7、請求項1または2記載の集積回路素子と、光信号を
電気信号に変換し該集積回路素子に入力する光/電気変
換手段と、該集積回路素子から出力された電気信号を光
信号に変換し出力する電気/光変換手段と、信号を多重
化し、該多重化した信号を上記集積回路素子に入力する
多重化手段と、該集積回路素子から出力される信号を分
離して、出力する分離手段とを備えたことを特徴とする
電子装置。
[Claims] 1. An integrated circuit chip having a substrate, a circuit provided on the substrate and a first bonding pad, and a second bonding pad used for connection with the integrated circuit chip. In an integrated circuit device comprising a package that accommodates a circuit chip and a bonding wire that connects the first bonding pad and the second bonding pad, the first bonding pad is placed on the same circumference on the substrate. An integrated circuit element characterized in that: 2. The second bonding pads are arranged on the same circumference, and the center of the circle formed by the second bonding pads,
2. The integrated circuit device according to claim 1, wherein the center of a circle formed by said first bonding pad is coincident with said first bonding pad. 3. The integrated circuit device according to claim 1, wherein the substrate is circular or polygonal with five or more vertices. 4. In an integrated circuit chip having a substrate and a circuit provided on the substrate, a probe measurement pad used for measuring the characteristics of the integrated circuit is provided, and these are arranged on the same circumference on the substrate. An integrated circuit chip characterized by: 5. An integrated circuit chip having a substrate, a circuit provided on the substrate, and bonding pads, wherein the bonding pads are arranged on the same circumference on the substrate. 6. An electronic device comprising the integrated circuit element according to claim 1 or 2. 7. An integrated circuit element according to claim 1 or 2, an optical/electrical conversion means for converting an optical signal into an electrical signal and inputting it to the integrated circuit element, and an electrical signal output from the integrated circuit element into an optical signal. electrical/optical conversion means for converting and outputting; multiplexing means for multiplexing signals and inputting the multiplexed signals to the integrated circuit element; and separating and outputting the signals output from the integrated circuit element. An electronic device comprising: separation means.
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