JPH04186725A - Laser annealing device and alignment method - Google Patents
Laser annealing device and alignment methodInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体薄膜の局所レーザアニール時のアライメ
ント法及びその装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an alignment method and apparatus for local laser annealing of a semiconductor thin film.
従来、局所レーザアニール時の電子ビームやレーザビー
ムの照射領域の限定に関しては、特開昭６２−２０６８
２０号公報に記載のようにマスクを使用し行っている。Conventionally, regarding the limitation of the irradiation area of electron beam or laser beam during local laser annealing, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-2068
This is done using a mask as described in Publication No. 20.
具体的には、マスクに開口部を設け、前記開口部を所定
の寸法とし、マスク開口部と試料との相対的な位置を所
定の関係に合わせた後、マスクの開口幅よりも大きな幅
のビームを走査することでアニール領域をマスクの開口
下の領域に限定している。Specifically, after providing an opening in the mask, setting the opening to a predetermined size, and adjusting the relative position of the mask opening and the sample to a predetermined relationship, By scanning the beam, the annealing region is limited to the region under the opening of the mask.
又、薄膜トランジスタをスイッチング素子として供えた
液晶表示装置において、多結晶シリコンから成る周辺能
動用回路をアモルファスシリコンから成る画素用トラン
ジスタと同一基板上に内蔵しようとした場合、全面にア
モルファスシリコン膜を形成した後、周辺駆動回路部分
のシリコン膜のみを局所レーザアニールし、多結晶シリ
コンに改質することが考えられている（特開昭６２−１
０９０２６号）。Furthermore, in a liquid crystal display device that uses thin film transistors as switching elements, if peripheral active circuits made of polycrystalline silicon are to be built on the same substrate as pixel transistors made of amorphous silicon, an amorphous silicon film is formed over the entire surface. After that, it is considered that only the silicon film in the peripheral drive circuit portion is locally annealed with a laser to modify it into polycrystalline silicon (Japanese Patent Laid-Open No. 62-1
No. 09026).
照射領域の限定に関する上記従来技術は、開口部を設け
たマスクを使用している。しかし、薄膜半導体層を結晶
化させる場合、高エネルギーでレーザビームを照射する
必要があり、マスクが変形し開口部パターン精度の劣化
が著しい。又、マスク材質がレーザ光照射により飛散し
、ザンプルに付着するおそれもある。The above-mentioned conventional technology related to limiting the irradiation area uses a mask provided with an opening. However, when crystallizing a thin film semiconductor layer, it is necessary to irradiate a laser beam with high energy, which deforms the mask and significantly deteriorates the accuracy of the opening pattern. Furthermore, there is a risk that the mask material may be scattered by the laser beam irradiation and may adhere to the sample.
一方、液晶表示装置の製造プロセスにレーザアニールプ
ロセスを適用する場合においては、局所レーザアニール
時のアライメントに関する記載は従来具られない。しか
し、液晶表示装置の駆動回路を画素と同一基板上に内蔵
する場合、アニール領域が微細となるため正確にアライ
メントする必要があり、上記アライメントは局所レーザ
アニール時の重要な課題となる。On the other hand, when a laser annealing process is applied to the manufacturing process of a liquid crystal display device, there has been no description regarding alignment during local laser annealing. However, when a driving circuit for a liquid crystal display device is built on the same substrate as a pixel, the annealing region becomes minute and accurate alignment is required, and the above alignment becomes an important issue during local laser annealing.
本発明は、マスクを使用せずに局所レーザアニール時の
アライメントを容易に行うことを目的としており、さら
に前記目的を実現するためのレーザアニール装置を提供
することを目的とする。An object of the present invention is to easily perform alignment during local laser annealing without using a mask, and a further object is to provide a laser annealing apparatus for realizing the above object.
本発明は上記目的を達成するために、被結晶化膜の下地
膜にアライメント用パターンをレーザ光が透過するよう
に加工形成し、局所レーザアニール時に前記パターンに
アライメント用レーザを照射し、その透過光を基板裏側
に設置された受光素子により検出する。さらにフィード
バック機構により、前記受光エネルギーに応じてレーザ
光あるいは試料を移動させ、微小アライメントを実施す
る。このようにレーザ光の透過光を利用しアライメント
することにより、従来のようにマスクを使用せずに照射
領域が限定できる。又、基板裏側に設置された受光素子
は、レーザアニールの際に高エネルギーのレーザ光が照
射されないように照射領域外に移動するようにしておく
ことで、受光素子の特性劣化も防止できる。In order to achieve the above object, the present invention processes and forms an alignment pattern on the base film of a film to be crystallized so that laser light passes through it, and irradiates the alignment laser onto the pattern during local laser annealing, so that the alignment pattern is Light is detected by a light receiving element installed on the back side of the board. Further, a feedback mechanism moves the laser beam or the sample according to the received light energy to perform microalignment. By performing alignment using the transmitted light of the laser beam in this manner, the irradiation area can be limited without using a mask as in the past. Further, by moving the light-receiving element installed on the back side of the substrate out of the irradiation area so that it is not irradiated with high-energy laser light during laser annealing, deterioration of the characteristics of the light-receiving element can also be prevented.
アライメント用パターンは、レーザ光を透過するように
加工形成し、アライメント用レーザの光軸が基板上に形
成したアライメント用パターンに一致した場合に透過光
が最大となるように設計する。アライメント方法として
は、前記パターンにレーザ光を照射し、その透過光を基
板裏側に設置した受光素子により検出する。上記受光素
子により検出した透過光が最大となるようにステージあ
るいはレーザ光をＸ−Ｙ方向に微小走査させる。The alignment pattern is processed and formed to transmit laser light, and is designed so that the transmitted light is maximized when the optical axis of the alignment laser matches the alignment pattern formed on the substrate. As an alignment method, the pattern is irradiated with laser light, and the transmitted light is detected by a light receiving element installed on the back side of the substrate. The stage or laser beam is minutely scanned in the X-Y direction so that the transmitted light detected by the light receiving element is maximized.
上記アライメントを結晶化用レーザを走査する始点及び
終点で同時に行なうことで、容易にレーザ走査領域を限
定することができる。By simultaneously performing the above alignment at the starting point and end point of scanning with the crystallizing laser, the laser scanning area can be easily limited.
又、マスク等を使用しないためレーザアニールの際にマ
スク材料が飛散し、試料に付着されることもなくなり良
好な局所結晶化が可能となるとともに、マスク等のコス
トも不要となる。Furthermore, since no mask or the like is used, the mask material will not be scattered during laser annealing and will not be attached to the sample, making it possible to achieve good local crystallization and eliminating the cost of masks and the like.
以下、本発明の一実施例を示すレーザアニール装置を第
１図に示す。レーザアニール装置は、結晶化用レーザ１
１と２本のアライメント用レーザ１０、さらにサンプル
１７をセットするステージ１６と透過光を検出する受光
素子１２並びに信号処理回路１３、フィードバック機構
１４、ステージ制御機構１５から構成されている。例え
ば、結晶化用レーザ１１にはＸｅＣＱエキシマレーザや
アルゴンレーザを使用し、アライメント用レーザ１０に
は連続発信のＹＡＧレーザなどを使用する。A laser annealing apparatus showing one embodiment of the present invention is shown in FIG. 1 below. The laser annealing device uses crystallization laser 1.
It is composed of one and two alignment lasers 10, a stage 16 on which a sample 17 is set, a light receiving element 12 for detecting transmitted light, a signal processing circuit 13, a feedback mechanism 14, and a stage control mechanism 15. For example, a XeCQ excimer laser or an argon laser is used as the crystallization laser 11, and a continuous emission YAG laser or the like is used as the alignment laser 10.
例えば、第１図に示すＸ方向にレーザアニールする場合
について述べる。第２図（ａ）に示すように、結晶化さ
せる領域のＸ方向の距離をＸｏ とすると、予め２本の
アライメント用レーザ１０は光学系によりＸいＸ２の位
置にＸ２−Ｘ工＝Ｘ０が成立するように調整しておく。For example, a case where laser annealing is performed in the X direction shown in FIG. 1 will be described. As shown in FIG. 2(a), if the distance in the X direction of the region to be crystallized is Xo, the two alignment lasers 10 are set in advance at the position of Adjust it so that it works.
次に、結晶化領域の両端にアライメント用パターンが形
成されているサンプル１７をステージ１６にセットし、
２個のアライメント用パターンに２本のアライメント用
レーザ１０を照射する。サンプル１７からの透過光は、
基板裏側に設置された受光素子１２により感知される。Next, the sample 17 with alignment patterns formed at both ends of the crystallized region is set on the stage 16,
Two alignment lasers 10 are irradiated onto two alignment patterns. The transmitted light from sample 17 is
It is sensed by the light receiving element 12 installed on the back side of the substrate.
その透過光が最大となるようにＸ方向、Ｙ方向に微小走
査することでアライメントする。受光素子１２により感
知された信号は、信号処理回路１３により演算され、そ
の結果をフィードバック機構１４に送信する。そして、
透過光が最大となるようにフィードバック機構１４がス
テージ制御装置１５にステージ１６の走査方向を指示す
る。上記工程により、自動的にアライメントされる。次
に実際のアライメント方法を示す。ここではレーザ光を
走査する場合について述べる。Alignment is performed by micro-scanning in the X and Y directions so that the transmitted light is maximized. The signal sensed by the light receiving element 12 is processed by the signal processing circuit 13, and the result is sent to the feedback mechanism 14. and,
The feedback mechanism 14 instructs the stage control device 15 in the scanning direction of the stage 16 so that the transmitted light is maximized. Through the above steps, alignment is automatically performed. Next, the actual alignment method will be shown. Here, we will discuss the case of scanning with laser light.
第２図（ｂ）に示すように、最初Ｘ（＋）方向にレーザ
光を微小走査した時に、透過光強度■が増加するような
場合は、そのままＸ（＋）に走査する。走査を続けると
第２図（Ｃ）のような状態となり、透過光強度工が減少
し始める。そこで、次に逆にＸ（−）方向に走査する。As shown in FIG. 2(b), when the laser beam is first minutely scanned in the X(+) direction, if the transmitted light intensity (■) increases, scanning is continued in the X(+) direction. As the scanning continues, the state shown in FIG. 2(C) is reached, and the transmitted light intensity begins to decrease. Therefore, scanning is then performed in the opposite direction in the X (-) direction.
これを数回繰り返し、第２図（ｄ）のように透過光強度
工が最大となるような位置に固定する。この時の透過光
強度工の変化を第２図（ｅ）に示す。また、最初Ｘ（÷
）方向に走査した時に透過光強度Ｉが減少した場合には
、Ｘ（−）方向に走査してやることで第２図（ｅ）に示
したものと同様な透過光強度工の変化が得られる。This is repeated several times, and the device is fixed at a position where the transmitted light intensity is maximized, as shown in FIG. 2(d). The change in transmitted light intensity at this time is shown in FIG. 2(e). Also, initially X (÷
) If the transmitted light intensity I decreases when scanning in the X (-) direction, a change in the transmitted light intensity similar to that shown in FIG. 2(e) can be obtained by scanning in the X (-) direction.
Ｘ方向の位置が固定したら、次に同じ作業をＹ方向に関
して行うことで、アライメント用レーザ１０の光軸とア
ライメント用パターンを一致させることができる。又、
レーザ光を走査する代わりにステージを走査しても良い
。Once the position in the X direction is fixed, the optical axis of the alignment laser 10 can be aligned with the alignment pattern by performing the same operation in the Y direction. or,
Instead of scanning the laser beam, the stage may be scanned.
上記操作を信号処理回路１３及びフィードバック機構１
４により自動的に行うことにより精度良くかつ高速に行
うことが可能となる。The above operation is performed by the signal processing circuit 13 and the feedback mechanism 1.
By automatically performing the process according to 4, it becomes possible to perform the process with high precision and at high speed.
次に、アライメント用パターンについて第３図を用いて
説明する。レーザ光に対して非透過のＡＱやＣｒなどの
金属膜を堆積後、第３図に示すようにレーザ光が透過光
するようにＡＱやＣｒ膜を選択除去後、半導体薄膜を形
成する。レーザ光の形状が円形の場合、パターン形状は
、短径方向の長さがビーム径と同一の楕円形や、あるい
はビーム形状と同一の円形とする。この様にすることで
、レーザ光がパターンの中心に合ったときに透過光が最
大となる。Next, the alignment pattern will be explained using FIG. 3. After depositing a metal film such as AQ or Cr that does not transmit the laser beam, the AQ or Cr film is selectively removed so that the laser beam is transmitted as shown in FIG. 3, and then a semiconductor thin film is formed. When the shape of the laser beam is circular, the pattern shape is an ellipse whose length in the minor axis direction is the same as the beam diameter, or a circle whose length is the same as the beam shape. By doing this, the amount of transmitted light is maximized when the laser beam is aligned with the center of the pattern.
結晶化用レーザのビーム幅は、光学系により結晶化領域
の幅に合わせておくかあるいは結晶化領域の幅よりも小
さくしておき、数回レーザビームをスキャンニングする
ようにする。上記方法により所望の領域のみ精度良くレ
ーザアニールすることができる。The beam width of the crystallizing laser is adjusted to the width of the crystallized region by an optical system, or is made smaller than the width of the crystallized region, and the laser beam is scanned several times. By the above method, only desired regions can be laser annealed with high precision.
第４図、第５図に本発明の一実施例として、薄膜トラン
ジスタをスイッチング素子として供えたアクティブマト
リクス方式の液晶表示装置に適用した場合を示す。駆動
回路を画素と同一の基板上に形成する際に、回路の駆動
能力を増すためにガラス基板上に形成した非晶質シリコ
ン膜の回路内蔵部分のみを局所レーザアニールする必要
がある。FIGS. 4 and 5 show an embodiment of the present invention in which the present invention is applied to an active matrix type liquid crystal display device equipped with thin film transistors as switching elements. When forming a driving circuit on the same substrate as a pixel, it is necessary to locally laser anneal only the circuit-containing portion of the amorphous silicon film formed on the glass substrate in order to increase the driving ability of the circuit.
その際のレーザアニール領域の設定に本発明を適用した
。まずトランジスタのゲート電極となるＡＱをスパッタ
法により２８００人堆積する。その後、画素部４１及び
回路部４２．４３はホトエツチングによりゲート電極に
パターニングする。The present invention was applied to setting the laser annealing region at that time. First, 2,800 layers of AQ, which will become the gate electrode of the transistor, are deposited by sputtering. Thereafter, the pixel portion 41 and the circuit portions 42 and 43 are patterned into gate electrodes by photoetching.
又、第４図に示すように回路内蔵部４２．４３の両端に
レーザ光が透過するようにゲート電極パターンと同一の
ホトエツチング工程によりＡＱを選択除去し、第３図に
示すようなアライメント用パターン４４を形成する。そ
の後ゲート電極となる部分を陽極化成した後、プラズマ
ＣＶＤ法によりＳｉＮ膜５膜製２５０’Ｃ１？２０００
人、ａ−８ｉ膜５３を３００℃で１５００人連続形成す
る。この時の断面構造図を第５図に示す。そこで第１図
に示すレーザアニール装置を使用し、駆動回路の
′内蔵部分のみを局所的に結晶化させる。まず第４図に
示す信号回路部４２となる結晶化領域両端のアライメン
ト用パターン４４にアライメント用レーザを照射し、本
発明の方法によりアライメントする。又、アライメント
終了後、信号回路部４２をレーザアニールし、非晶質シ
リコンを多結晶シリコンに改質する。その後、ステージ
を９０”回転し、信号回路部４２の結晶化と同様なレー
ザアニールプロセス（アライメントも含めて）を走査回
路部４３に適用する。前記プロセスにより、回路内蔵部
の結晶化が精度良く実現できる。その後、プラズマＣＶ
Ｄ法により、ｎ−８ｉ膜を２５０℃で４００人堆積する
。さらにスパッタ法により、Ｃｒ膜を６００人、ＡＱ膜
を３７００人堆積し、ホトエツチングによりソース・ド
レイン電極にパターニングする。上記プロセスにより、
駆動回路内蔵型液晶表示装置を実現できる。Further, as shown in FIG. 4, AQ is selectively removed by the same photoetching process as the gate electrode pattern so that the laser beam passes through both ends of the circuit built-in portions 42 and 43, and an alignment pattern as shown in FIG. 3 is formed. Form 44. After that, after anodizing the part that will become the gate electrode, a 250'C1?2000 made of 5 SiN films was formed using the plasma CVD method.
The a-8i film 53 was continuously formed by 1500 people at 300°C. A cross-sectional structural diagram at this time is shown in FIG. Therefore, we used the laser annealing equipment shown in Figure 1 to develop the drive circuit.
' Locally crystallize only the internal parts. First, alignment patterns 44 at both ends of the crystallized region, which will become the signal circuit section 42 shown in FIG. 4, are irradiated with an alignment laser, and alignment is performed by the method of the present invention. Further, after the alignment is completed, the signal circuit section 42 is laser annealed to modify the amorphous silicon to polycrystalline silicon. Thereafter, the stage is rotated 90" and the same laser annealing process (including alignment) as for the crystallization of the signal circuit section 42 is applied to the scanning circuit section 43. Through the above process, the circuit built-in section is crystallized with high precision. It can be realized.After that, plasma CV
An n-8i film is deposited by 400 people at 250° C. using the D method. Furthermore, 600 Cr films and 3,700 AQ films were deposited by sputtering, and patterned into source and drain electrodes by photoetching. Through the above process,
A liquid crystal display device with a built-in drive circuit can be realized.
次に、第６図にイメージセンサ製造工程に本発明を適用
した場合の一実施例を示す。センサ部６１の駆動用回路
６２をセンサと同一基板上に形成する場合、上記液晶表
示装置同様に回路部を局所レーザアニールし、多結晶シ
リコンにする必要がある。センサ及び回路部を構成する
各膜の堆積条件及びレーザアニール時のアライメント方
法は前記液晶表示装置と同様である。本発明のアライメ
ント法により、駆動回路内蔵型イメージセンサが実現で
きる。Next, FIG. 6 shows an embodiment in which the present invention is applied to an image sensor manufacturing process. When the driving circuit 62 of the sensor section 61 is formed on the same substrate as the sensor, it is necessary to perform local laser annealing on the circuit section to form polycrystalline silicon, similarly to the liquid crystal display device described above. The deposition conditions for each film constituting the sensor and circuit section and the alignment method during laser annealing are the same as those for the liquid crystal display device. By the alignment method of the present invention, an image sensor with a built-in drive circuit can be realized.
以上述べたとおり、本発明によればマスクを使用せずに
局所レーザアニール時のアライメントを容易に行うこと
ができる効果がある。さらに、本発明のレーザアニール
装置により、前記アライメントを精度良く行うことがで
きる効果もある。As described above, the present invention has the advantage that alignment during local laser annealing can be easily performed without using a mask. Furthermore, the laser annealing apparatus of the present invention has the effect that the alignment can be performed with high precision.
第１図は本発明の一実施例を示すレーザアニール装置の
概略図、第２図はアライメント方法の概略図、第３図は
アライメント用パターンの平面模式図、第４図は周辺回
路内蔵型液晶表示装置の平面図、第５図は回路内蔵部の
構造図、第６図はイメージセンサ製造工程に本発明を適
用した場合の実施例を示す図である。
１０・・・アライメント用レーザ、１１・・・結晶化用
レーザ、１２・・・受光素子、１３・・・信号処理回路
、１４・・・フィードバック機構、１５・・・ステージ
制御装置、１６・・・ステージ、１７・・・サンプル、
２０・・・非透過膜、２１・・・結晶化膜、３０・・・
アライメント用パターン、４０・・・ガラス基板、４１
・・・画素部、４２・・・信号回路部、４３・・・走査
回路部、４４・・・アライメント用パターン、５１・・
・ＡＱ膜、５２・・・ＳｉＮ膜、５３− ａ −Ｓ ｉ
膜、６１−・・センサ部、６２・・・駆動用回路部。
第 １ 図
第２ｒＩＡ
（ｂ） （Ｃン （ｄ）第３図
（Ｑ−）
（ｂ）
第４図
第５図Fig. 1 is a schematic diagram of a laser annealing apparatus showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a schematic diagram of an alignment method, Fig. 3 is a schematic plan view of an alignment pattern, and Fig. 4 is a liquid crystal display with built-in peripheral circuitry. FIG. 5 is a plan view of the display device, FIG. 5 is a structural diagram of a built-in circuit portion, and FIG. 6 is a diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to an image sensor manufacturing process. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Laser for alignment, 11... Laser for crystallization, 12... Light receiving element, 13... Signal processing circuit, 14... Feedback mechanism, 15... Stage control device, 16...・Stage, 17...Sample,
20... Non-transparent film, 21... Crystallized film, 30...
Alignment pattern, 40... glass substrate, 41
... Pixel section, 42... Signal circuit section, 43... Scanning circuit section, 44... Alignment pattern, 51...
・AQ film, 52...SiN film, 53- a -S i
Membrane, 61--Sensor section, 62--Drive circuit section. Fig. 1 Fig. 2rIA (b) (Cn (d) Fig. 3 (Q-) (b) Fig. 4 Fig. 5
Claims (1)
ターン及び半導体薄膜とを有する薄膜半導体装置のレー
ザアニール法において、前記不透明の薄膜のパターンに
レーザ光が透過するようにアライメント用パターンを加
工形成し、前記レーザ光を前記パターンに照射し、その
透過光を検出することにより位置合わせすることを特徴
とするアライメント法。 ２、アニール用レーザ及びその光学系並びにサンプル走
査用ステージを有するレーザアニール装置において、レ
ーザ光を透過するアライメント用パターンが形成された
薄膜半導体装置にアライメント用レーザを照射し、その
透過光を基板裏面に設置された受光素子で検出して、ス
テージあるいはレーザ光を移動させるフィードバック機
構を備えることで、局所レーザアニール時のアライメン
トを正確に行うことを特徴とするレーザアニール装置。 ３、請求項１において、アライメント用レーザの発振波
長を赤外光領域とすることを特徴とするアライメント法
。 ４、請求項２において、アライメント用レーザの発振波
長を赤外光領域とすることを特徴とするレーザアニール
装置。 ５、請求項１において、アライメント用レーザの発振形
式を連続発振とすることを特徴とするアライメント法。 ６、請求項２において、アライメント用レーザの発振形
式を連続発振とすることを特徴とするレーザアニール装
置。 ７、請求項１において、半導体薄膜が非晶質シリコンで
あることを特徴とするアライメント法。 ８、請求項２において、レーザアニール時に受光素子に
結晶化用レーザが照射されない機構を設けることを特徴
とするレーザアニール装置。 ９、薄膜トランジスタ駆動方式の液晶表示装置用薄膜ト
ランジスタの製造方法における、ガラス基板上にゲート
電極配線、ゲート絶縁膜、シリコン半導体膜を形成した
後、シリコン半導体膜を局所的にレーザアニールする工
程において、ゲート電極・配線層にアライメント用パタ
ーンをレーザ光が透過するように加工形成し、前記パタ
ーンにアライメント用レーザを照射し、その透過光を検
出することによりアライメントすることを特徴とする薄
膜トランジスタの製造方法。 １０、薄膜トランジスタ駆動方式のイメージセンサの製
造方法におけるガラス基板上にゲート電極配線、ゲート
絶縁膜、シリコン半導体膜を形成した後、シリコン半導
体膜を局所的にレーザアニールする工程において、ゲー
ト電極・配線層にアライメント用パターンをレーザ光が
透過するように加工形成し、前記パターンにアライメン
ト用レーザを照射し、その透過光を検出することにより
アライメントすることを特徴とする薄膜トランジスタの
製造方法。[Claims] 1. In a laser annealing method for a thin film semiconductor device having a transparent substrate, an opaque thin film pattern formed on the substrate, and a semiconductor thin film, a laser beam is transmitted through the opaque thin film pattern. An alignment method characterized by processing and forming an alignment pattern, irradiating the pattern with the laser beam, and detecting the transmitted light for alignment. 2. In a laser annealing apparatus that includes an annealing laser, its optical system, and a sample scanning stage, the alignment laser is irradiated onto a thin film semiconductor device on which an alignment pattern that transmits the laser beam is formed, and the transmitted light is directed to the back surface of the substrate. A laser annealing apparatus characterized in that it is equipped with a feedback mechanism that moves a stage or laser beam by detecting it with a light receiving element installed in the laser annealing device, thereby accurately performing alignment during local laser annealing. 3. The alignment method according to claim 1, characterized in that the oscillation wavelength of the alignment laser is in the infrared region. 4. The laser annealing apparatus according to claim 2, wherein the oscillation wavelength of the alignment laser is in the infrared region. 5. The alignment method according to claim 1, wherein the oscillation format of the alignment laser is continuous oscillation. 6. The laser annealing apparatus according to claim 2, wherein the oscillation format of the alignment laser is continuous oscillation. 7. The alignment method according to claim 1, wherein the semiconductor thin film is amorphous silicon. 8. The laser annealing apparatus according to claim 2, further comprising a mechanism that prevents the crystallization laser from being irradiated onto the light receiving element during laser annealing. 9. In the method of manufacturing a thin film transistor for a liquid crystal display device using a thin film transistor driving method, after forming a gate electrode wiring, a gate insulating film, and a silicon semiconductor film on a glass substrate, in a step of locally annealing the silicon semiconductor film with a laser, the gate A method for manufacturing a thin film transistor, comprising processing and forming an alignment pattern on an electrode/wiring layer so that laser light passes through it, irradiating the pattern with an alignment laser, and detecting the transmitted light to perform alignment. 10. In the process of locally laser annealing the silicon semiconductor film after forming a gate electrode wiring, a gate insulating film, and a silicon semiconductor film on a glass substrate in a method for manufacturing an image sensor using a thin film transistor drive method, a gate electrode/wiring layer is formed. A method for manufacturing a thin film transistor, comprising processing and forming an alignment pattern so that a laser beam passes through it, irradiating the pattern with an alignment laser, and detecting the transmitted light to perform alignment.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313877A JPH04186725A (en) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | Laser annealing device and alignment method |
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| JP (1) | JPH04186725A (en) |
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- 1990-11-21 JP JP2313877A patent/JPH04186725A/en active Pending
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