JPH04186537A - 情報記録用部材 - Google Patents
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- JPH04186537A JPH04186537A JP2313945A JP31394590A JPH04186537A JP H04186537 A JPH04186537 A JP H04186537A JP 2313945 A JP2313945 A JP 2313945A JP 31394590 A JP31394590 A JP 31394590A JP H04186537 A JPH04186537 A JP H04186537A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザー光などの記録用エネルギービームによ
って、たとえば映像や音声などのアナログ信号をＦＭ変
調したものや、電子計算機のデータや、ファクシミリ信
号やディジタルオーディオ信号などのディジタル情報を
、リアルタイムで記録することが可能な情報の記録用薄
膜に関する。
って、たとえば映像や音声などのアナログ信号をＦＭ変
調したものや、電子計算機のデータや、ファクシミリ信
号やディジタルオーディオ信号などのディジタル情報を
、リアルタイムで記録することが可能な情報の記録用薄
膜に関する。
レーザー光によって薄膜に記録を行う記録原理は種々あ
るが、膜材料の相転移（相変化とも呼ばれる）、フォト
ダークニングなどの原子配列変化による記録は、膜の形
状変化をほとんど伴わないので、２枚のディスクを樹脂
により直接貼りあわせた両面ディスクが８来るという長
所を持っている。
るが、膜材料の相転移（相変化とも呼ばれる）、フォト
ダークニングなどの原子配列変化による記録は、膜の形
状変化をほとんど伴わないので、２枚のディスクを樹脂
により直接貼りあわせた両面ディスクが８来るという長
所を持っている。
この種の記録に関連する公知例としては、例えば特願昭
６０−２２６７２３号（３１８５０７７６６）が挙げら
れる。
６０−２２６７２３号（３１８５０７７６６）が挙げら
れる。
上記従来技術のうち、相変化による記録は記録用ビーム
の照射による熱によって膜形状変化をほとんど伴わない
原子配列変化を生じさせるものであるが、多数回の記録
の書き換えを行なうと、記録膜に発生する熱によって保
護膜にクラックが発生したり、保護層の熱膨張によって
記録膜が流動し、再生信号のノイズが増大する。そこで
、適当な熱伝導率をもち、かつ上記のクラック発生や記
録膜の流動を防止する効果の高い酸化物、セレン化物、
硫化物あるいは窒化物を主成分とする薄膜が望ましい。
の照射による熱によって膜形状変化をほとんど伴わない
原子配列変化を生じさせるものであるが、多数回の記録
の書き換えを行なうと、記録膜に発生する熱によって保
護膜にクラックが発生したり、保護層の熱膨張によって
記録膜が流動し、再生信号のノイズが増大する。そこで
、適当な熱伝導率をもち、かつ上記のクラック発生や記
録膜の流動を防止する効果の高い酸化物、セレン化物、
硫化物あるいは窒化物を主成分とする薄膜が望ましい。
しかし、単一の均一な薄膜ではこのようなものがない。
従って、本発明の目的は、記録信号に忠実な再生波形が
得られ、上記の薄膜の熱伝導によって記録感度が低下し
にくい、また、上記の保護層のクラックや記録膜の流動
により読み出しレーザ光が散乱されない、また、ピンホ
ールの少ない記録用部材を提供することにある。
得られ、上記の薄膜の熱伝導によって記録感度が低下し
にくい、また、上記の保護層のクラックや記録膜の流動
により読み出しレーザ光が散乱されない、また、ピンホ
ールの少ない記録用部材を提供することにある。
上記目的は、基板上に形成された記録用ビームの照射を
受けて変化を生ずる情報記録用薄膜を有する情報記録用
部材において、密度がバルク状態の密度の６０％以上９
０％以下の無機物および有機物のうち少なくとも一者か
らなる保護層を設けることにより達成される。上記保護
層の情報記録用薄膜に近い側の密度と上記情報記録用薄
膜に遠い側との密度が異なるようにするのも好ましい。
受けて変化を生ずる情報記録用薄膜を有する情報記録用
部材において、密度がバルク状態の密度の６０％以上９
０％以下の無機物および有機物のうち少なくとも一者か
らなる保護層を設けることにより達成される。上記保護
層の情報記録用薄膜に近い側の密度と上記情報記録用薄
膜に遠い側との密度が異なるようにするのも好ましい。
上記保護層の情報記録用薄膜に近い側の密度と上記情報
記録用薄膜から遠い側の密度の比を０．５＝１から０．
９ ： １の範囲にすることが好ましい。
記録用薄膜から遠い側の密度の比を０．５＝１から０．
９ ： １の範囲にすることが好ましい。
特に０．６以上０．８以下の範囲がより好ましい。
熱伝導率は５０ Ｗ ／ ｍ ／ Ｋ以下の範囲が好ま
しく、膜厚は１０ｎｍ以上１１０００ｎ以下の範囲が好
ましい。特に、熱伝導率がＩＯＷ／ｍ／に以上３０ Ｗ
／ ｍ ／ Ｋ以下、膜厚が約５０ｎｍ以上５００ｎ
ｍ以下の酸化物、セレン化物、硫化物あるいは窒化物を
主成分とする薄膜を用いるのが好ましい。
しく、膜厚は１０ｎｍ以上１１０００ｎ以下の範囲が好
ましい。特に、熱伝導率がＩＯＷ／ｍ／に以上３０ Ｗ
／ ｍ ／ Ｋ以下、膜厚が約５０ｎｍ以上５００ｎ
ｍ以下の酸化物、セレン化物、硫化物あるいは窒化物を
主成分とする薄膜を用いるのが好ましい。
上記の保護層は、酸化物、セレン化物、硫化物あるいは
窒化物を主成分とする材料より選ばれた少なくとも一者
を薄膜として設ける。上記の酸化物、セレン化物、硫化
物あるいは窒化物を主成分とする材料としては、Ｃａｂ
、ＺｒＯ２，ＭｇＯ。
窒化物を主成分とする材料より選ばれた少なくとも一者
を薄膜として設ける。上記の酸化物、セレン化物、硫化
物あるいは窒化物を主成分とする材料としては、Ｃａｂ
、ＺｒＯ２，ＭｇＯ。
Ｙ２０ａｔ Ｂ２Ｏ３，Ｓｉｎ、５ｉｎ２．ＴｉＯ２゜
Ａｌ２２０．、Ｔａ２０５．ＳｎＯ２，ＭｎＯ，５ｂ２
Ｓ。
Ａｌ２２０．、Ｔａ２０５．ＳｎＯ２，ＭｎＯ，５ｂ２
Ｓ。
Ｓｂ、Ｓｅ３．Ｇｅｍ、ＧｅＳｅ、Ｇｅ５２．ＧｅＳｅ
。
。
ＳｎＳ、５ｎＳｅ、５ｎＳ２ｔ ５ｎＳｅ２．ＰｂＳ。
Ｐｂ５ｅ、Ｉｎ２Ｓ３．Ｉｎ２Ｓｅ３．ＣｕｚＳ。
Ａｇ２Ｓ、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ。
Ｓｉ３Ｎ、、ＡＱＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＢＮおよびＣの
それぞれに近い組成の材料より選ばれた少なくとも一者
あるいはこれらの混合材料を用いる。
それぞれに近い組成の材料より選ばれた少なくとも一者
あるいはこれらの混合材料を用いる。
より好ましくは、Ｓ ｉ Ｏ２，Ａ Ｑ２０３． Ｚ
ｒ○２゜ＭｇＯ，ＺｎＳ、Ｓｉ、Ｎ４あるいはＡＱＮの
それぞれに近い組成の材料を主成分としたものを用いる
。特に好ましくはＴａ２Ｏ，を５〜３０ＩｌｏＱ％含み
、残部がＺｎＳまたはＺｎ５ｅよりなる材料を用いる。
ｒ○２゜ＭｇＯ，ＺｎＳ、Ｓｉ、Ｎ４あるいはＡＱＮの
それぞれに近い組成の材料を主成分としたものを用いる
。特に好ましくはＴａ２Ｏ，を５〜３０ＩｌｏＱ％含み
、残部がＺｎＳまたはＺｎ５ｅよりなる材料を用いる。
記録膜の片側の保護層だけが上記の材料より成ってもよ
いが、両側の保護層が上記の材料より成ればさらに好ま
しい。
いが、両側の保護層が上記の材料より成ればさらに好ま
しい。
各種材料のバルク状態の密度は以下のとおりである。
材料 密度
Ｔ ａ２０Ｂ ： ８．０２
Ｓｉ○、：２．６３
ＡＱ２０３：４．０８
ＺｒＯ２：５．５６
Ｍｇ０ ：３．６２
ＺｎＳ ：４．０８
Ｓｉ３Ｎ、：３．４４
ＡＱＮ ：３．０５
〔作用〕
上記の酸化物、セレン化物、硫化物あるいは窒化物を主
成分とする物質を所望の密度としたり、膜厚方向に密度
を変化させた薄膜を保護層とすることによって、外力、
特に引っ張り力に対して強く、上記の記録用ビームの照
射によって記録膜に生じる熱を拡散し、樹脂層に伝わる
のを防止することができる。また、上記の記録用ビーム
の照射によって生ずるクラックの発生と記録膜の流動を
防止する効果が顕著であり、記録感度の低下も少ない。
成分とする物質を所望の密度としたり、膜厚方向に密度
を変化させた薄膜を保護層とすることによって、外力、
特に引っ張り力に対して強く、上記の記録用ビームの照
射によって記録膜に生じる熱を拡散し、樹脂層に伝わる
のを防止することができる。また、上記の記録用ビーム
の照射によって生ずるクラックの発生と記録膜の流動を
防止する効果が顕著であり、記録感度の低下も少ない。
熱拡散係数はＱ 、４６ ｃ ｍ２／ｓｅｃ以上６．９
ａ＆／ｓｅｅ以下が好ましい。記録膜の膜厚は２０ｎｍ
以上２５０ｎｍ以下の範囲が記録感度、Ｓ／Ｎなどの点
で好ましく、上部保護層の膜厚と合せて調整することが
好ましい。上部保護層の膜厚はｌＱｎｍ以上１１０００
ｎ以下の範囲が好ましい。
ａ＆／ｓｅｅ以下が好ましい。記録膜の膜厚は２０ｎｍ
以上２５０ｎｍ以下の範囲が記録感度、Ｓ／Ｎなどの点
で好ましく、上部保護層の膜厚と合せて調整することが
好ましい。上部保護層の膜厚はｌＱｎｍ以上１１０００
ｎ以下の範囲が好ましい。
一般に薄膜に光を照射すると、その反射光は薄膜表面か
らの反射光と薄膜裏面からの反射光との重ねあわせにな
るため干渉をおこす。反射率で信号を読み取る場合には
、上記のそれぞれの膜の膜厚を調整して反射率の値が小
さい条件を満たすことが好ましい。これは、信号読みだ
し時のコントラスト比が大きくなり、記録感度も高くな
るからである。光入射側保護層の特に好ましい膜厚範囲
は８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲である。記録膜の
屈折率と膜厚の積は２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下（屈
折率約５．２）、保護層の屈折率と膜厚の積は１２０ｎ
ｍ以上１５０．Ｏｎ、ｍ以下の範囲が特に好ましい。た
だし、記録膜については、記録膜の少なくとも一部分の
屈折率と膜厚の積が上記の範囲内にあればよい。保護層
の使用するレーザ光゛に対する消衰係数ｋが０．０３以
上１．０以下であると、記録感度が高く好ましい。本発
明の酸化物、セレン化物、硫化物および窒化物を主成分
とする薄膜に近接してさらに上記の保護層に使用可能な
材料の層や金属層を設ければさらに強度が増す。記録膜
と光反射層との間の保護層の消衰係数は０．１ 以下が
好ましいので１例えば酸化物の場合、酸素欠陥を少なく
する方がよい。本発明の酸化物、セレン化物、硫化物お
よび窒化物を主成分とする薄膜は、記録膜と基板との間
に形成してもよいし、記録膜の基板とは反対の側に設け
てもよい。両側に設ければさらに好ましい。基板は光入
射側でもその反対側しこあっても良い。記録膜の光入射
側と反対側の保護層と、それに隣接する金属層との間に
、Ｗ ｒ Ｍ ｏ ＋ Ｃｒのうちの少なくとも一元素
を主成分とする接着性改善層を設ければさらに好ましい
。この層の膜厚は１ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましい。
らの反射光と薄膜裏面からの反射光との重ねあわせにな
るため干渉をおこす。反射率で信号を読み取る場合には
、上記のそれぞれの膜の膜厚を調整して反射率の値が小
さい条件を満たすことが好ましい。これは、信号読みだ
し時のコントラスト比が大きくなり、記録感度も高くな
るからである。光入射側保護層の特に好ましい膜厚範囲
は８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲である。記録膜の
屈折率と膜厚の積は２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下（屈
折率約５．２）、保護層の屈折率と膜厚の積は１２０ｎ
ｍ以上１５０．Ｏｎ、ｍ以下の範囲が特に好ましい。た
だし、記録膜については、記録膜の少なくとも一部分の
屈折率と膜厚の積が上記の範囲内にあればよい。保護層
の使用するレーザ光゛に対する消衰係数ｋが０．０３以
上１．０以下であると、記録感度が高く好ましい。本発
明の酸化物、セレン化物、硫化物および窒化物を主成分
とする薄膜に近接してさらに上記の保護層に使用可能な
材料の層や金属層を設ければさらに強度が増す。記録膜
と光反射層との間の保護層の消衰係数は０．１ 以下が
好ましいので１例えば酸化物の場合、酸素欠陥を少なく
する方がよい。本発明の酸化物、セレン化物、硫化物お
よび窒化物を主成分とする薄膜は、記録膜と基板との間
に形成してもよいし、記録膜の基板とは反対の側に設け
てもよい。両側に設ければさらに好ましい。基板は光入
射側でもその反対側しこあっても良い。記録膜の光入射
側と反対側の保護層と、それに隣接する金属層との間に
、Ｗ ｒ Ｍ ｏ ＋ Ｃｒのうちの少なくとも一元素
を主成分とする接着性改善層を設ければさらに好ましい
。この層の膜厚は１ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましい。
この層を設けるのは、本発明以外の記録媒体にも有効で
ある。
ある。
本発明の酸化物、セレン化物、硫化物および窒化物を主
成分とする保護層は、上記情報記録用薄膜に近い側の低
密度部分と上記情報記録用薄膜から遠い側の高密度部分
の界面は必ずしも明確である必要はない。密度が連続的
に変化していた方が。
成分とする保護層は、上記情報記録用薄膜に近い側の低
密度部分と上記情報記録用薄膜から遠い側の高密度部分
の界面は必ずしも明確である必要はない。密度が連続的
に変化していた方が。
界面の剥離のおそれがない。しかし、密度は必ずしも連
続的に変化していなくてもよく、例えば２層以上の多層
膜で、それぞれの領域の平均の密度、熱伝導率、屈折率
、および熱拡散係数が上記の範囲内にあるものであって
もよい。
続的に変化していなくてもよく、例えば２層以上の多層
膜で、それぞれの領域の平均の密度、熱伝導率、屈折率
、および熱拡散係数が上記の範囲内にあるものであって
もよい。
本発明はディスク状記録媒体ばかりでなく、テープ状、
カード状などの記録媒体にも有効である。
カード状などの記録媒体にも有効である。
また光磁気記録膜など、他の記録原理による記録膜を用
いた記録媒体にも有効である。
いた記録媒体にも有効である。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。まず
、案内溝を有する基板１（ポリカーボネート、直径１３
０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）に、本発明の保護層として（
Ｚ ｎ Ｓ）、ｏＣＴ ａ２０．”）２． Ｌこ近い組
成の薄膜２（約１０１００ｎを、密度がバルク状態の密
度の８０％で、かつ情報記録用薄膜３に近い側の密度と
上記情報記録用薄膜に遠い側の密度の比を０．８ ：
１ にして積層した後、記録用ビームの照射を受けて
ほとんど変形を伴わないで原子配列変化を生ずるＳ ｎ
−Ｓ ｂ −Ｔ ｅ糸情報記録用薄膜３（厚さ約３０
ｎ ｍ）を形成し、次に（Ｚ ｎ Ｓ ）ｉｏ （Ｔ
ａ ｚ ０５）２０に近い組成の中間層４（厚さ約２
１０ｎｍ、屈折率約２．０）も、上記保護層２と同様に
密度がバルク状態の密度の８０％で、かつ上記情報記録
用薄膜３に近い側の密度に対して上記情報記録用薄膜に
遠い側の密度の比を０．８ にして積層し、さらに金
属元素を主成分とする薄＠５としてＡΩ５ＧＣｕ４合金
の薄膜（約８０ｎｍ）を積層した後、酸化物の粒状物よ
りなるフィラーを混入した熱硬化樹脂６を用いて、前記
金属元素を主成分とする薄膜５と保護板７（直径１３０
ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）を貼りあわせた。
、案内溝を有する基板１（ポリカーボネート、直径１３
０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）に、本発明の保護層として（
Ｚ ｎ Ｓ）、ｏＣＴ ａ２０．”）２． Ｌこ近い組
成の薄膜２（約１０１００ｎを、密度がバルク状態の密
度の８０％で、かつ情報記録用薄膜３に近い側の密度と
上記情報記録用薄膜に遠い側の密度の比を０．８ ：
１ にして積層した後、記録用ビームの照射を受けて
ほとんど変形を伴わないで原子配列変化を生ずるＳ ｎ
−Ｓ ｂ −Ｔ ｅ糸情報記録用薄膜３（厚さ約３０
ｎ ｍ）を形成し、次に（Ｚ ｎ Ｓ ）ｉｏ （Ｔ
ａ ｚ ０５）２０に近い組成の中間層４（厚さ約２
１０ｎｍ、屈折率約２．０）も、上記保護層２と同様に
密度がバルク状態の密度の８０％で、かつ上記情報記録
用薄膜３に近い側の密度に対して上記情報記録用薄膜に
遠い側の密度の比を０．８ にして積層し、さらに金
属元素を主成分とする薄＠５としてＡΩ５ＧＣｕ４合金
の薄膜（約８０ｎｍ）を積層した後、酸化物の粒状物よ
りなるフィラーを混入した熱硬化樹脂６を用いて、前記
金属元素を主成分とする薄膜５と保護板７（直径１３０
ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）を貼りあわせた。
次に、上記の情報記録用薄膜３に基板１側（紙面上で下
方）より記録用レーザビームを照射し、情報の記録を行
った。次に、上記の情報記録用薄膜３に情報を記録した
部分の上記の樹脂６と薄膜５を上記保護板７側（図の上
方）より、また、上記ＺｎＳを主成分とする保護層の薄
膜２を上記基板１側（図の下方）より顕微鏡（Ｘ４００
倍）で観察し、上記樹脂保護層、および基板に変質およ
び変形が生じていないことを確認した。本実施例の（Ｚ
ｎ Ｓ ）ｓｏ （Ｔ ａ 、 Ｏ，）、ｏに近い組
成で密度がバルク状態の密度の８０％の保護層において
、上記情報記録用薄膜に近い側の密度と上記情報記録用
薄膜に遠い側の密度の比を変化させたとき、記録に必要
なレーザパワーと１００回記録書き換え後の雑音レベル
は次のように変化した。
方）より記録用レーザビームを照射し、情報の記録を行
った。次に、上記の情報記録用薄膜３に情報を記録した
部分の上記の樹脂６と薄膜５を上記保護板７側（図の上
方）より、また、上記ＺｎＳを主成分とする保護層の薄
膜２を上記基板１側（図の下方）より顕微鏡（Ｘ４００
倍）で観察し、上記樹脂保護層、および基板に変質およ
び変形が生じていないことを確認した。本実施例の（Ｚ
ｎ Ｓ ）ｓｏ （Ｔ ａ 、 Ｏ，）、ｏに近い組
成で密度がバルク状態の密度の８０％の保護層において
、上記情報記録用薄膜に近い側の密度と上記情報記録用
薄膜に遠い側の密度の比を変化させたとき、記録に必要
なレーザパワーと１００回記録書き換え後の雑音レベル
は次のように変化した。
密度比 記録レーザパワー 雑音レベル０．４
： １ ５．５ｍＷ −８５ｄＢｍＯ，５
： １ ６．ＯｍＷ −８５ｄＢｍ０．６
： ｌ ６．５ｍＷ −８
５ｄ ＢｍＯ，７： ｌ ７．ＯｍＷ
−８５ｄＢｍＯ，８： ｌ ７．５
ｍＷ −８５ｄ ＢｍＯ，９： １
８．ＯｍＷ −８０ｄＢｍ１．０
： １ ９．ＯｍＷ −７５ｄ
Ｂｍまた、保護層の膜厚はＩＱｒｚ７＋以上１１０００
ｎ以下の範囲で使用可能であったが、５０ｎｍ以上２０
０ｎｍ以下のとき、雑音レベルが一８５ｄＢｍ以下、記
録パワーマージン上１５％以上となり、かつ、低いレー
ザーパワーで記録できた。
： １ ５．５ｍＷ −８５ｄＢｍＯ，５
： １ ６．ＯｍＷ −８５ｄＢｍ０．６
： ｌ ６．５ｍＷ −８
５ｄ ＢｍＯ，７： ｌ ７．ＯｍＷ
−８５ｄＢｍＯ，８： ｌ ７．５
ｍＷ −８５ｄ ＢｍＯ，９： １
８．ＯｍＷ −８０ｄＢｍ１．０
： １ ９．ＯｍＷ −７５ｄ
Ｂｍまた、保護層の膜厚はＩＱｒｚ７＋以上１１０００
ｎ以下の範囲で使用可能であったが、５０ｎｍ以上２０
０ｎｍ以下のとき、雑音レベルが一８５ｄＢｍ以下、記
録パワーマージン上１５％以上となり、かつ、低いレー
ザーパワーで記録できた。
上記の金属元素を主成分とする薄膜５のＡＱ−Ｃｕの一
部または全部をＡＱ、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｕ。
部または全部をＡＱ、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｕ。
Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃａ、Ｔｉｅ Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ。
Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ。
Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔａ、Ｗ、Ｉ ｒ、Ｐｔ、Ｐｂ。
Ｂ１およびＣより成る群より選ばれた少なくとも一部を
主成分とする金属で置き換えても同様の特性が得られた
。例えばＮｉ−Ｃｒ合金、Ｔｉ−Ａｆ１合金を用いると
記録感度が向上した。ＡＱ−Ａｇ、Ｃｕ Ａｇ、Ａｕ
−Ｃｕ、’Ａｕ−Ａｇ合金では消去特性が向上した。上
記の金属元素を主成分とする薄膜５がＡｕを主成分とす
る接着性の悪い薄膜などの場合、中間層４との間に接着
性改良層としてＣｒ、Ｍｏ、Ｗのうちの一部よりなる接
着性改良層を設けると、書き換え可能回数が大福に向上
した。この膜厚はｌｎｍ以上３０ｎｍ以下が適当であっ
た。また、上記の（ＺｎＳ）、 、（Ｔａ２０Ｓ ）ｚ
。
主成分とする金属で置き換えても同様の特性が得られた
。例えばＮｉ−Ｃｒ合金、Ｔｉ−Ａｆ１合金を用いると
記録感度が向上した。ＡＱ−Ａｇ、Ｃｕ Ａｇ、Ａｕ
−Ｃｕ、’Ａｕ−Ａｇ合金では消去特性が向上した。上
記の金属元素を主成分とする薄膜５がＡｕを主成分とす
る接着性の悪い薄膜などの場合、中間層４との間に接着
性改良層としてＣｒ、Ｍｏ、Ｗのうちの一部よりなる接
着性改良層を設けると、書き換え可能回数が大福に向上
した。この膜厚はｌｎｍ以上３０ｎｍ以下が適当であっ
た。また、上記の（ＺｎＳ）、 、（Ｔａ２０Ｓ ）ｚ
。
の薄膜の一部または全部を、Ｃａ Ｏ＋ Ｚ ｒ ０２
＋Ｍｇ○ｇ Ｙ２ｏ３？ Ｂ２０３ｔ Ｓ Ｉ Ｏ＋
Ｓ ｌ ０２＋Ｔｉｅ２．ＡＱ２０．、Ｔａ２Ｏ，、
ＳｎＯ２，ＭｎＯ。
＋Ｍｇ○ｇ Ｙ２ｏ３？ Ｂ２０３ｔ Ｓ Ｉ Ｏ＋
Ｓ ｌ ０２＋Ｔｉｅ２．ＡＱ２０．、Ｔａ２Ｏ，、
ＳｎＯ２，ＭｎＯ。
５ｂ２Ｓ、、５ｂ２Ｓｅ、、ＧｅＳ、ＧｅＳｅ。
ＧｅＳ、、ＧｅＳｅ２．ＳｎＳ、５ｎＳｅ、ＳｎＳ、。
５ｎＳｅ２．ＰｂＳ、Ｐｂ５ｅ、Ｉｎ２Ｓ３゜Ｉｎ２５
８３＋ Ｃｕ２Ｓ、Ａｇ２Ｓ、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ。
８３＋ Ｃｕ２Ｓ、Ａｇ２Ｓ、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ。
ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、Ｓｉ３Ｎ４．ＡＱＮ、ＴｉＮ。
ＺｒＮ、ＢＮおよびＣのそれぞれに近い組成の材料より
選ばれた少なくとも一部あるいはこれらの混合材料で置
き換えてもほぼ同様な特性が得られる。より好ましくは
、Ｓ ｉ Ｏ，、Ａ Ｑ２０３１ Ｚ ｒ ｏ２１Ｍｇ
○、ＺｎＳ、Ｓｉ、Ｎ、あるいはＡｆｌＮのそれぞれに
近い組成の材料を主成分としたものを用いる。たとえば
Ｔａ２０５を５〜３０ｍｏＱ％含み、残部がＺｎＳまた
はＺｎ５ｅよりなる材料系が特に好ましい。これらの材
料の熱伝導率は例として下記の通りである。
選ばれた少なくとも一部あるいはこれらの混合材料で置
き換えてもほぼ同様な特性が得られる。より好ましくは
、Ｓ ｉ Ｏ，、Ａ Ｑ２０３１ Ｚ ｒ ｏ２１Ｍｇ
○、ＺｎＳ、Ｓｉ、Ｎ、あるいはＡｆｌＮのそれぞれに
近い組成の材料を主成分としたものを用いる。たとえば
Ｔａ２０５を５〜３０ｍｏＱ％含み、残部がＺｎＳまた
はＺｎ５ｅよりなる材料系が特に好ましい。これらの材
料の熱伝導率は例として下記の通りである。
材 料 熱伝導率
ＳｉＯ２： Ｉ Ｗ／ ｍ−Ｋ
ＺｎＳ ： ２Ｗ／ｒｎ・Ｋ
Ｔｉｅ２ ： ５ Ｗ／ｍ−Ｋ
ＺｒＯ２： ３Ｗ／ｍ−Ｋ
Ｓ ｉ３Ｎ、 ： １８ Ｗ／ｍ−Ｋ
Ａｆｆ２０３：４６ Ｗ／ｍ−Ｋ
Ｙ、 Ｏ，＝ １５ Ｗ／丁丁〕 ・ ＫＡ＋２Ｎ
： ３０ Ｗ／ｍ−Ｋ ＳｉＣ： ８Ｗ／ｍ−Ｋ 例えば、保護層をＡＱＳｉＮ２または（ＺｎＳ）ｓ。
： ３０ Ｗ／ｍ−Ｋ ＳｉＣ： ８Ｗ／ｍ−Ｋ 例えば、保護層をＡＱＳｉＮ２または（ＺｎＳ）ｓ。
（Ｓ ｉ ０２）２゜としても同様の結果が得られた。
本実施例の保護層の酸化物、窒化物、あるいは炭化物を
主成分とする薄膜の熱伝導率はＩＷ／ｍ−に以上６０Ｗ
／ｍ−に以下が好ましく、６Ｗ／ｍ・に以上５０Ｗ／ｍ
−に以下が特に好ましい。熱伝導率の異なる材質を用い
た場合、記録レーザパワーとオーバーライドした時の書
き換え可能回数は次のように変化した。
主成分とする薄膜の熱伝導率はＩＷ／ｍ−に以上６０Ｗ
／ｍ−に以下が好ましく、６Ｗ／ｍ・に以上５０Ｗ／ｍ
−に以下が特に好ましい。熱伝導率の異なる材質を用い
た場合、記録レーザパワーとオーバーライドした時の書
き換え可能回数は次のように変化した。
保護層の熱伝導率記録レーザパワー書き換え可能回数（
υ／ｍ４） ０．５ ６ｍＷ ５ｘｌＯ３２、６
ｍＷ ｌＸｌ０’ ５ ７ｍＷ ３ｘｌＯ’１０
７ｍＷ ５Ｘ１０’２０
８ｍＷ ＞１０ｓ３０ １０ｍ
Ｗ ＞１０５４０ １１ｍＷ
＞１０ｆ４５ １２ｍＷ
＞１０”５０ １３ｍＷ ＞
１０５６０ １５ｍＷ ＞１０５
７０ １８ｍＷ ＞１０５また、
記録膜の非晶質に近い状態の部分の屈折率（約５．２）
と膜厚の積が１１００ｎ以上、６００ｎｍ以下、中間層
の屈折率（約２．ｏ）と膜厚の積が５０ｎｍ以上、６０
０ｎｍ以下の範囲で再生信号ＣＮ比４６ｄＢ以上が得ら
れた。記録膜の結晶状態の部分の屈折率と膜厚の積が上
記の範囲内に有るようにしても差し支えない。中間層を
形成しない場合は、記録感度が約５０％低下するが、他
の特性に大きな変化は無く、使用可能であった。
υ／ｍ４） ０．５ ６ｍＷ ５ｘｌＯ３２、６
ｍＷ ｌＸｌ０’ ５ ７ｍＷ ３ｘｌＯ’１０
７ｍＷ ５Ｘ１０’２０
８ｍＷ ＞１０ｓ３０ １０ｍ
Ｗ ＞１０５４０ １１ｍＷ
＞１０ｆ４５ １２ｍＷ
＞１０”５０ １３ｍＷ ＞
１０５６０ １５ｍＷ ＞１０５
７０ １８ｍＷ ＞１０５また、
記録膜の非晶質に近い状態の部分の屈折率（約５．２）
と膜厚の積が１１００ｎ以上、６００ｎｍ以下、中間層
の屈折率（約２．ｏ）と膜厚の積が５０ｎｍ以上、６０
０ｎｍ以下の範囲で再生信号ＣＮ比４６ｄＢ以上が得ら
れた。記録膜の結晶状態の部分の屈折率と膜厚の積が上
記の範囲内に有るようにしても差し支えない。中間層を
形成しない場合は、記録感度が約５０％低下するが、他
の特性に大きな変化は無く、使用可能であった。
上記ＺｎＳを主成分とする薄膜のＴａ２０５の代わりに
Ｓ ｉＯ、Ａ Ｑ２０．、Ｃｕ２Ｏ，Ｌａ２０．。
Ｓ ｉＯ、Ａ Ｑ２０．、Ｃｕ２Ｏ，Ｌａ２０．。
ＷＯ２，ＭｏＣ２，ＣａＣ２のうちの一者を用いた時、
Ｃｕ２ＯとＳｉＯで同程度の低いピンホール密度が得ら
れたが、他の酸化物も使用可能な密度であった。Ｃｕ２
Ｏを用いた場合は形成された膜の組成の再現性がよいと
いう長所も有った。上記の保護層として（ｚ ｎ ｓ
）ａｏ （Ｔ ａ ２０５）２ｏに近い組成の薄膜２（
約１０１００ｎを、密度がバルク状態の密度の８０％で
、かつ情報記録用薄膜３に近い側の密度と上記情報記録
用薄膜に遠い側の密度の比を変えたとき、欠陥密度は次
のように変化した。
Ｃｕ２ＯとＳｉＯで同程度の低いピンホール密度が得ら
れたが、他の酸化物も使用可能な密度であった。Ｃｕ２
Ｏを用いた場合は形成された膜の組成の再現性がよいと
いう長所も有った。上記の保護層として（ｚ ｎ ｓ
）ａｏ （Ｔ ａ ２０５）２ｏに近い組成の薄膜２（
約１０１００ｎを、密度がバルク状態の密度の８０％で
、かつ情報記録用薄膜３に近い側の密度と上記情報記録
用薄膜に遠い側の密度の比を変えたとき、欠陥密度は次
のように変化した。
密度比 欠陥密度
０．４：１ ２００個／ｃｉ
０．５：１ ２０個／−
０，６：１ ２０個／ｄ
Ｏ，７：１ ２０個／ｄ
Ｏ，８：１ ２０個／ｃＩｊ
Ｏ，９：ｌ ２０個／ｄ
１、○：１ ２０個／ａｊ
上記の密度比を変えた時、再生信号の搬送波対雑音比は
次のように変化した。
次のように変化した。
密度比 搬送波対雑音比
０．４：１ ４５ｄＢ
Ｑ、５：１ ５０ｄＢ
０．６：１ ５５ｄＢ
Ｏ，７：ｌ ５５ｄＢ
Ｏ，８：１ ５５ｄＢ
Ｏ，９：１ ５５ｄＢ
１．０：１ ５５ｄＢ
本実施例の保護層の熱伝導率は、特に、熱伝導率が１０
Ｗ／ｒｎ−に以上３０Ｗ／ｍ−に以下が好ましい。
Ｗ／ｒｎ−に以上３０Ｗ／ｍ−に以下が好ましい。
第２図に示したように、ガラス基板８上に形成した紫外
線硬化樹脂層９の表面に案内溝を形成し。
線硬化樹脂層９の表面に案内溝を形成し。
その上に第１図のディスクと同様な記録層を順序を逆に
（金属元素を主成分とする薄膜１０がら）構成し、保護
板と貼り合せずに使用しても、はぼ同様な効果が得られ
た。ただし、この場合はレーザ光は基板とは反対の側か
ら入射させた。
（金属元素を主成分とする薄膜１０がら）構成し、保護
板と貼り合せずに使用しても、はぼ同様な効果が得られ
た。ただし、この場合はレーザ光は基板とは反対の側か
ら入射させた。
第３図に示すように、従来は１０５回の情報の書き換え
によって雑音レベル（図中Ｂ）が１０ｄＢ増加したが、
本発明の保護層を導入することによって、雑音レベル（
図中Ａ）はほとんど変化せず、消え残りも少ないことが
わがった。上記の保護層の形成の際、ＺｎＳのターゲッ
トとＴａ２ｏ。
によって雑音レベル（図中Ｂ）が１０ｄＢ増加したが、
本発明の保護層を導入することによって、雑音レベル（
図中Ａ）はほとんど変化せず、消え残りも少ないことが
わがった。上記の保護層の形成の際、ＺｎＳのターゲッ
トとＴａ２ｏ。
のターゲットを並べたものを用いてスパッタすると、保
護膜が容易に得られる。
護膜が容易に得られる。
本発明によれば、上記の酸化物、セレン化物、硫化物あ
るいは窒化物を主成分とする物質を所望の密度としたり
、膜厚方向に密度を変化させた薄膜を保護層とすること
によって、外方、特に引っ張りカに対して強く、上記の
記録用ビームの照射によって記録膜に生じる熱を拡散し
、樹脂層に伝わるのを防止することができる。また、上
記の記録用ビームの照射によって生ずるクラックの発生
と記録膜の流動を防止する効果が顕著であり、記録感度
の低下も少ない。
るいは窒化物を主成分とする物質を所望の密度としたり
、膜厚方向に密度を変化させた薄膜を保護層とすること
によって、外方、特に引っ張りカに対して強く、上記の
記録用ビームの照射によって記録膜に生じる熱を拡散し
、樹脂層に伝わるのを防止することができる。また、上
記の記録用ビームの照射によって生ずるクラックの発生
と記録膜の流動を防止する効果が顕著であり、記録感度
の低下も少ない。
第１図は案内溝を有する、樹脂基板を用いた本発明の記
録用部材の一実施例の構成を示す断面図、第２図は案内
溝を有する基板を用いた本発明の記録用部材の他の一実
施例の構成を示す断面図、第３図は本発明の記録用部材
による情報の書換え回数に対する雑音レベルの変化を示
す図である。 １・・案内溝を有する基板、２，１３・・・保護層、３
゜１２・・・情報記録用薄膜、４，１１・・・中間層、
５゜１０・・・金属元素を主成分とする薄膜、６，１４
・・・樹脂、７，１５・・・保護板（ディスク）、８・
・・ガラス基板、９・・・案内溝を有する樹脂、Ａ・本
発明の代理人 弁理士 小川勝男；′−”：５’＝ミー
ーー ＩＩ 記 第 ２ ロ
録用部材の一実施例の構成を示す断面図、第２図は案内
溝を有する基板を用いた本発明の記録用部材の他の一実
施例の構成を示す断面図、第３図は本発明の記録用部材
による情報の書換え回数に対する雑音レベルの変化を示
す図である。 １・・案内溝を有する基板、２，１３・・・保護層、３
゜１２・・・情報記録用薄膜、４，１１・・・中間層、
５゜１０・・・金属元素を主成分とする薄膜、６，１４
・・・樹脂、７，１５・・・保護板（ディスク）、８・
・・ガラス基板、９・・・案内溝を有する樹脂、Ａ・本
発明の代理人 弁理士 小川勝男；′−”：５’＝ミー
ーー ＩＩ 記 第 ２ ロ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に形成された記録用ビームの照射を受けて変
化を生ずる情報記録用薄膜を有する記録媒体において、
上記情報記録用薄膜に近接して、もしくは上記情報記録
用薄膜に隣接して、密度がバルク状態の密度の６０％以
上９０％以下の無機物および有機物のうち少なくとも一
者からなる保護層を有することを特徴とする情報記録用
部材。 ２、上記保護層が、情報記録用薄膜に近い側の密度と上
記情報記録用薄膜から遠い側との密度が異なる無機物お
よび有機物のうち少なくとも一者からなる保護層である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項の情報記録用部
材。 ３、上記保護層において、上記情報記録用薄膜に近い側
の密度に対して上記情報記録用薄膜から遠い側の密度が
大きいことを特徴とする特許請求の範囲第１項および第
２項の情報記録用部材。 ４、上記保護層において、上記情報記録用薄膜に近い側
の密度と上記情報記録用薄膜から遠い側の密度の比が０
．５：１から０．９：１までの範囲であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項、第２項および第３項の情報
記録用部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313945A JPH04186537A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 情報記録用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313945A JPH04186537A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 情報記録用部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04186537A true JPH04186537A (ja) | 1992-07-03 |
Family
ID=18047395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2313945A Pending JPH04186537A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 情報記録用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04186537A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994029856A1 (en) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium and recording system |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP2313945A patent/JPH04186537A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994029856A1 (en) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium and recording system |
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