JPH04182623A - 磁気光学素子 - Google Patents
磁気光学素子Info
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- JPH04182623A JPH04182623A JP31307390A JP31307390A JPH04182623A JP H04182623 A JPH04182623 A JP H04182623A JP 31307390 A JP31307390 A JP 31307390A JP 31307390 A JP31307390 A JP 31307390A JP H04182623 A JPH04182623 A JP H04182623A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気光学素子に係り、特に磁性流体を用いて光
の透過、不透過の切換えを行なうための磁気光学素子に
関する。
の透過、不透過の切換えを行なうための磁気光学素子に
関する。
従来から、例えば、高解像度の投影型デイスプレィや液
晶デイイスプレイ、あるいは、カメラやレーザプリンタ
等の光学機器においては、各画素毎における光のON、
OFFの切換えや、光シャッタにより、光の透過、不透
過の切換えをすることが行なわれている。
晶デイイスプレイ、あるいは、カメラやレーザプリンタ
等の光学機器においては、各画素毎における光のON、
OFFの切換えや、光シャッタにより、光の透過、不透
過の切換えをすることが行なわれている。
このような光の切換えを行なう場合、従来から、例えば
、LCD素子、強誘電性LCD素子あるいはPLZT素
子等の電気光素子が多く用いられている。
、LCD素子、強誘電性LCD素子あるいはPLZT素
子等の電気光素子が多く用いられている。
そして、このような、前記LCD素子等の電気光素子を
通電制御して前記電気光素子を駆動することにより、光
の透過、非透過制御を行なうようになっている。
通電制御して前記電気光素子を駆動することにより、光
の透過、非透過制御を行なうようになっている。
しかし、前記従来のLCD素子および強誘電性LCD素
子等の電気光素子においては、通電制御に対するON、
OFF動作の応答速度が極めて遅く、シカモ、0NSO
FF動作時のコントラスト比が小さく、適正な解像度を
得ることが困難であるという問題を有している。
子等の電気光素子においては、通電制御に対するON、
OFF動作の応答速度が極めて遅く、シカモ、0NSO
FF動作時のコントラスト比が小さく、適正な解像度を
得ることが困難であるという問題を有している。
また、前記いずれの電気光素子においても、光のON、
OFFのみの動作であり、光の透過量を調節することが
できず、光源がらの光を半透過させる中間階調の光を出
光させることができず、しかも、前記いずれの電気光素
子においても、材料コストが高く、製造コストが極めて
高くなってしまうという問題を有している。
OFFのみの動作であり、光の透過量を調節することが
できず、光源がらの光を半透過させる中間階調の光を出
光させることができず、しかも、前記いずれの電気光素
子においても、材料コストが高く、製造コストが極めて
高くなってしまうという問題を有している。
本発明は前記した点に鑑みてなされたもので、動作応答
速度が高く、がっ、コントラスト比が大で、種々の光学
機器に適用することができ、しがち、構造も簡単であり
、安価に製造することのできる磁気光学素子を提供する
ことを目的とするものである。
速度が高く、がっ、コントラスト比が大で、種々の光学
機器に適用することができ、しがち、構造も簡単であり
、安価に製造することのできる磁気光学素子を提供する
ことを目的とするものである。
前記目的を達成するため本発明に係る磁気光学素子は、
磁性流体の磁気光学効果を用いて光の透過、不透過の切
換えを行なうための磁気光学素子において、透光性を有
する基板の一面側に一部に磁界形成用の間隙部が形成さ
れたヨークコアを薄膜により形成するとともに、上記基
板に上g己ヨークコアに巻回されるコイルを薄膜により
形成し、前記基板の前記ヨークコアの間隙部分に対応す
る部分に、磁性流体を透光性部材により封入して磁性流
体薄膜を形成したことをその特徴とするものである。
磁性流体の磁気光学効果を用いて光の透過、不透過の切
換えを行なうための磁気光学素子において、透光性を有
する基板の一面側に一部に磁界形成用の間隙部が形成さ
れたヨークコアを薄膜により形成するとともに、上記基
板に上g己ヨークコアに巻回されるコイルを薄膜により
形成し、前記基板の前記ヨークコアの間隙部分に対応す
る部分に、磁性流体を透光性部材により封入して磁性流
体薄膜を形成したことをその特徴とするものである。
本発明によれば、コイルに通電することにより、ヨーク
コアの間隙部に発生する所定方向の磁界が磁性流体に加
わることにより発生する磁気光学効果を利用して、例え
ば、透過光量、透過光強度等の光の透過特性を制御する
ものであり、その結果、コイルへの通電のON、OFF
制御を行なうことにより、光のON、OFF制御を行な
うことができ、しかも、コイルへの通電電流を調整する
ことにより、中間階調光を透過させることができる。
コアの間隙部に発生する所定方向の磁界が磁性流体に加
わることにより発生する磁気光学効果を利用して、例え
ば、透過光量、透過光強度等の光の透過特性を制御する
ものであり、その結果、コイルへの通電のON、OFF
制御を行なうことにより、光のON、OFF制御を行な
うことができ、しかも、コイルへの通電電流を調整する
ことにより、中間階調光を透過させることができる。
また、ヨークコアおよびコイルを薄膜により形成するよ
うにしているので、極めて容易に微小寸法のヨークコア
およびコイルを形成することができ、製造効率を著しく
高めることができるものである。
うにしているので、極めて容易に微小寸法のヨークコア
およびコイルを形成することができ、製造効率を著しく
高めることができるものである。
以下、本発明の実施例を第1図から第4図を参照して説
明する。
明する。
第1図および第2図は本発明に係る磁気光学素子の一実
施例を示したもので、ガラス等の透明な材料からなる基
板1の一面側には、磁界付与手段を構成する四角枠形状
を有するヨークコア2が薄膜形成技術等の手段により、
例えば、50μm以下、好ましくは、10μm程度の薄
膜として形成されており、このヨークコア2の一部には
、間隙部3が形成されるとともに、このヨークコア2の
間隙部3の対称側辺は、巻線部4とされている。
施例を示したもので、ガラス等の透明な材料からなる基
板1の一面側には、磁界付与手段を構成する四角枠形状
を有するヨークコア2が薄膜形成技術等の手段により、
例えば、50μm以下、好ましくは、10μm程度の薄
膜として形成されており、このヨークコア2の一部には
、間隙部3が形成されるとともに、このヨークコア2の
間隙部3の対称側辺は、巻線部4とされている。
また、前記ヨークコア2の前記間隙$3には、磁性流体
5が、前記ヨークコア2の表面側に固着された透光部材
の一例であるカバーガラス6および円形に形成された密
封層6aにより漏洩しないようにほぼ円形に封入されて
おり、これにより、基板1とカバーガラス6との間の前
記ヨークコア2の間隙部3に前記磁性流体5による薄膜
が形成されるものである。前記磁性流体5は、例えば、
酸化第2鉄粉、マグネタイト(磁鉄鉱)等の磁性粉と水
あるいはシクロヘキサン、エタノール等の有機溶剤とを
混合することにより構成されるものである。なお、前記
密封層6aは、前記基板1あるいはカバーガラス6のい
ずれに形成するようにしてもよいし、前記カバーガラス
6を基板1に固着するための接着剤を密封層6aとして
用いるようにしてもよい。さらに、場合によっては、密
封層6aを省略して磁性流体5の表面張力により、封止
するようにしてもよい。
5が、前記ヨークコア2の表面側に固着された透光部材
の一例であるカバーガラス6および円形に形成された密
封層6aにより漏洩しないようにほぼ円形に封入されて
おり、これにより、基板1とカバーガラス6との間の前
記ヨークコア2の間隙部3に前記磁性流体5による薄膜
が形成されるものである。前記磁性流体5は、例えば、
酸化第2鉄粉、マグネタイト(磁鉄鉱)等の磁性粉と水
あるいはシクロヘキサン、エタノール等の有機溶剤とを
混合することにより構成されるものである。なお、前記
密封層6aは、前記基板1あるいはカバーガラス6のい
ずれに形成するようにしてもよいし、前記カバーガラス
6を基板1に固着するための接着剤を密封層6aとして
用いるようにしてもよい。さらに、場合によっては、密
封層6aを省略して磁性流体5の表面張力により、封止
するようにしてもよい。
さらに、本実施例においては、前記基板のヨークコア2
の巻線部4には、コイル8が薄膜形成技術により形成さ
れている。
の巻線部4には、コイル8が薄膜形成技術により形成さ
れている。
すなわち、このコイル8は、第2図に示すように、基板
1の表面にヨークコア2の裏面側に対応する下コイル8
aを形成し、この下コイル8aの表面にヨークコア2を
形成した後、このヨークコア20巻線部の表面に、上コ
イル8bをその下端部が前記下コイル8aの下端部に接
続されるとともに、その上端部が隣接する下コイル8a
の上端部に順次接続されるように形成することにより形
成されるものである。このコイル8の巻数としては、数
100タ一ン程度とされている。そして、前記コイル8
に通電することにより、前記ヨークコア2の間隙部3に
磁界を発生させることかできるものである。
1の表面にヨークコア2の裏面側に対応する下コイル8
aを形成し、この下コイル8aの表面にヨークコア2を
形成した後、このヨークコア20巻線部の表面に、上コ
イル8bをその下端部が前記下コイル8aの下端部に接
続されるとともに、その上端部が隣接する下コイル8a
の上端部に順次接続されるように形成することにより形
成されるものである。このコイル8の巻数としては、数
100タ一ン程度とされている。そして、前記コイル8
に通電することにより、前記ヨークコア2の間隙部3に
磁界を発生させることかできるものである。
次に、本実施例の作用について説明する。
本実施例においては、前記コイル7に通電することによ
り、ヨークコア2の間隙部3に所定方向の磁界が発生し
、この磁界が磁性流体5に加わることにより、前記磁性
流体5に磁気光学効果が発生する。そして、この磁気光
学効果を利用して、例えば、透過光量、透過光強度等の
光の透過特性を制御するものであり、その結果、コイル
7への通電のON、OFF制御を行なうことにより、光
の0NXOFF制御を行なうことができ、しかも、コイ
ル7への通電電流を調整することにより、中間階調光を
透過させることができるものである。
り、ヨークコア2の間隙部3に所定方向の磁界が発生し
、この磁界が磁性流体5に加わることにより、前記磁性
流体5に磁気光学効果が発生する。そして、この磁気光
学効果を利用して、例えば、透過光量、透過光強度等の
光の透過特性を制御するものであり、その結果、コイル
7への通電のON、OFF制御を行なうことにより、光
の0NXOFF制御を行なうことができ、しかも、コイ
ル7への通電電流を調整することにより、中間階調光を
透過させることができるものである。
前記磁気光学効果は、直線偏光の進行方向に対して垂直
方向から磁場が加わる際に生しる現象で、磁場方向と垂
直方向とで屈折率の差、すなわち複屈折が生しる。この
場合の磁場に垂直な偏光成分と平行な偏光成分との位相
差をδとすると、δは次式で表わすことができる。
方向から磁場が加わる際に生しる現象で、磁場方向と垂
直方向とで屈折率の差、すなわち複屈折が生しる。この
場合の磁場に垂直な偏光成分と平行な偏光成分との位相
差をδとすると、δは次式で表わすことができる。
δ=2π(n // n上)d/λ
ここで、n//、n上はそれぞれ磁界に平行な方向と垂
直な方向の屈折率、dは磁性流体中の光路長(磁性流体
に垂直に入射する場合は、磁性流体の厚さ)、λは波長
である。
直な方向の屈折率、dは磁性流体中の光路長(磁性流体
に垂直に入射する場合は、磁性流体の厚さ)、λは波長
である。
また、δはH(磁界)の関数でもあり、磁場に対して垂
直方向の偏光および水平方向の偏光における光の透過率
も磁界によって変化する。その結果、コイル7への通電
ixを制御して磁性流体5に適当な磁場を印加すること
により、この位相差あるいは光出力変化の大きさから、
光のON、 OFF、透過光量の中間階調をも制御する
ことが可能となる。
直方向の偏光および水平方向の偏光における光の透過率
も磁界によって変化する。その結果、コイル7への通電
ixを制御して磁性流体5に適当な磁場を印加すること
により、この位相差あるいは光出力変化の大きさから、
光のON、 OFF、透過光量の中間階調をも制御する
ことが可能となる。
そして、前記基板1の前面およびカバーガラス6の後面
に、偏光子および検光子(共に図示せず)を配置するか
、あるいは、前記基板1およびカバーガラス6をそれぞ
れ偏光子および検光子を兼ねるように形成し、この偏光
子側から光を照射すると、前記偏光子を介して直線偏光
のみが透過されて磁性流体5へ入射されることになる。
に、偏光子および検光子(共に図示せず)を配置するか
、あるいは、前記基板1およびカバーガラス6をそれぞ
れ偏光子および検光子を兼ねるように形成し、この偏光
子側から光を照射すると、前記偏光子を介して直線偏光
のみが透過されて磁性流体5へ入射されることになる。
この場合に、前記コイル7に通電していない状態では、
前記磁性流体5の薄膜か複屈折性を生していないので、
直線偏光のまま検光子に入射し、検光子の偏光方向を前
記偏光子の偏光方向に対して垂直に配置すれば、この光
は、検光子を透過せず、遮断されることになる。
前記磁性流体5の薄膜か複屈折性を生していないので、
直線偏光のまま検光子に入射し、検光子の偏光方向を前
記偏光子の偏光方向に対して垂直に配置すれば、この光
は、検光子を透過せず、遮断されることになる。
一方、前記コイル7に通電すると、前記磁性流体5の薄
膜に複屈折性が生じるので、前記偏光子を透過した直線
偏光が磁性流体5の薄膜を透過した際に、楕円偏光とな
り、偏光子の偏光面と直交した方向に偏光面を有する検
光子を通過する偏光も生じ、この偏光が透過されるよう
になる。また、透過光強度■は、複屈折による位相差δ
に対し、Iocsin2 δ/2 という関係にあり、δが磁界の関数であるから、【も磁
界、すなわち、前記コイル7の電流により変化する。
膜に複屈折性が生じるので、前記偏光子を透過した直線
偏光が磁性流体5の薄膜を透過した際に、楕円偏光とな
り、偏光子の偏光面と直交した方向に偏光面を有する検
光子を通過する偏光も生じ、この偏光が透過されるよう
になる。また、透過光強度■は、複屈折による位相差δ
に対し、Iocsin2 δ/2 という関係にあり、δが磁界の関数であるから、【も磁
界、すなわち、前記コイル7の電流により変化する。
このように前記コイル7への通電のON、OFF制御を
行なうことにより、磁性流体5を介して光のON、OF
F制御を行なうことができ、しかも、前記コイル7への
通電電流を調整することにより、前記磁性流体5を出射
した光の楕円偏光の程度を変化させることができるので
、ON、OFFの中間程度の光量の中間階調光を透過さ
せることができるものである。
行なうことにより、磁性流体5を介して光のON、OF
F制御を行なうことができ、しかも、前記コイル7への
通電電流を調整することにより、前記磁性流体5を出射
した光の楕円偏光の程度を変化させることができるので
、ON、OFFの中間程度の光量の中間階調光を透過さ
せることができるものである。
したがって、本実施例においては、コイル7への通電制
御を行なうことにより、磁性流体5に磁界を印加して光
のON、’OFF制御を行なうことができるので、従来
の電気光素子の代りに、各種光学機器に適用することが
できる。例えば、前記ヨークコア2を磁性流体5の中に
多数配列するか、あるいは、磁気光学素子を多数配列し
てアレイ化することにより、レーザプリンタのヘッドや
液晶デイスプレィ等の各画素に対応する光シャッタ等に
適用することが可能となる。この場合、ヨークコア2の
間隙部3の幅寸法をレーザ光のスポットの直径とほぼ同
等に形成するとよい。また、従来のLCD素子や強誘電
性LCD素子等の電気光素子と比較して、通電制御に対
するON、OFF動作の応答速度が極めて速く、しかも
、ON、OFF動作時のコントラスト比を大きく確保す
ることができ、デイスプレィ等に適用した場合に、中間
階調等の適正な解像度を得ることが可能となる。
御を行なうことにより、磁性流体5に磁界を印加して光
のON、’OFF制御を行なうことができるので、従来
の電気光素子の代りに、各種光学機器に適用することが
できる。例えば、前記ヨークコア2を磁性流体5の中に
多数配列するか、あるいは、磁気光学素子を多数配列し
てアレイ化することにより、レーザプリンタのヘッドや
液晶デイスプレィ等の各画素に対応する光シャッタ等に
適用することが可能となる。この場合、ヨークコア2の
間隙部3の幅寸法をレーザ光のスポットの直径とほぼ同
等に形成するとよい。また、従来のLCD素子や強誘電
性LCD素子等の電気光素子と比較して、通電制御に対
するON、OFF動作の応答速度が極めて速く、しかも
、ON、OFF動作時のコントラスト比を大きく確保す
ることができ、デイスプレィ等に適用した場合に、中間
階調等の適正な解像度を得ることが可能となる。
さらに、主駆動材料である磁性流体5の材料コストが極
めて安価となるので、製造コストの低減を図ることがで
きる。
めて安価となるので、製造コストの低減を図ることがで
きる。
また、前記磁性流体5の薄膜および磁界付与手段である
ヨークコア2、コイル8等を1つの基板1に一体に形成
しているので、構成が簡単で、装置の小型化、微細化を
図ることができ、製造が容易で、製造コストも低減させ
ることができる。
ヨークコア2、コイル8等を1つの基板1に一体に形成
しているので、構成が簡単で、装置の小型化、微細化を
図ることができ、製造が容易で、製造コストも低減させ
ることができる。
さらに、本実施例においては、前記ヨークコア2および
コイル8をそれぞれ薄膜形成技術により形成するように
しているので、ヨークコア2等の寸法が極めて小さい場
合に、極めて容易にヨークコア2およびコイルを形成す
ることかでき、製造効率を著しく高めることができる。
コイル8をそれぞれ薄膜形成技術により形成するように
しているので、ヨークコア2等の寸法が極めて小さい場
合に、極めて容易にヨークコア2およびコイルを形成す
ることかでき、製造効率を著しく高めることができる。
なお、前記コイル7への通電による発熱、あるいは、磁
性流体5自体の発熱が顕著である場合には、前記基板1
の形成材料として、ガラスの代わりに、光の通過部分か
透明とされたアルミナ基板を用いたり、あるいは、光の
透過部分に開口か形成された放熱用金属薄膜を貼着する
ようにしてもよい。さらに、基板1としてPC基板を用
いるようにすれば、薄膜形成技術か確立されているので
、より容易にヨークコア2の薄膜形成を行なうことがで
きる。
性流体5自体の発熱が顕著である場合には、前記基板1
の形成材料として、ガラスの代わりに、光の通過部分か
透明とされたアルミナ基板を用いたり、あるいは、光の
透過部分に開口か形成された放熱用金属薄膜を貼着する
ようにしてもよい。さらに、基板1としてPC基板を用
いるようにすれば、薄膜形成技術か確立されているので
、より容易にヨークコア2の薄膜形成を行なうことがで
きる。
また、第3図は本発明の他の実施例を示したもので、透
明材料からなる基板1の一面側には、2つの分割された
ヨークコア2か薄膜形成技術により形成されており、さ
らに、前記基板1のヨークコア2の巻線部4には、スパ
イラル状のコイル8が薄膜形成技術により形成されてい
る。
明材料からなる基板1の一面側には、2つの分割された
ヨークコア2か薄膜形成技術により形成されており、さ
らに、前記基板1のヨークコア2の巻線部4には、スパ
イラル状のコイル8が薄膜形成技術により形成されてい
る。
すなわち、このヨークコア2およびコイル8は、基板1
の表面に下側に位置する一方の下ヨークコア2aを形成
し、この下ヨークコア2aの表面にこの巻線部4に対応
する位置を中心としたスパイラル状のコイル8を形成し
た後、前記下ヨークコア2aの巻線部に接続される上ヨ
ークコア2bを形成するものである。
の表面に下側に位置する一方の下ヨークコア2aを形成
し、この下ヨークコア2aの表面にこの巻線部4に対応
する位置を中心としたスパイラル状のコイル8を形成し
た後、前記下ヨークコア2aの巻線部に接続される上ヨ
ークコア2bを形成するものである。
その他の部分は、前記第1図に示す実施例のものと同様
である。
である。
本実施例においても前記実施例と同様に、コイル8への
通電制御により、光のON、OFF制御を行なうことが
できるので、各種光学機器に適用することができ、また
、ON、OFF動作の応答速度を著しく高めることがで
きるとともに、コントラスト比を大きく確保することが
でき、さらに、製造コストの低減を図ることができる。
通電制御により、光のON、OFF制御を行なうことが
できるので、各種光学機器に適用することができ、また
、ON、OFF動作の応答速度を著しく高めることがで
きるとともに、コントラスト比を大きく確保することが
でき、さらに、製造コストの低減を図ることができる。
さらに、前記ヨークコア2およびコイル8をそれぞれ薄
膜形成技術により形成するようにしているので、極めて
容易に微小寸法のヨークコア2およびコイル8を形成す
ることができ、製造効率を著しく高めることができる。
膜形成技術により形成するようにしているので、極めて
容易に微小寸法のヨークコア2およびコイル8を形成す
ることができ、製造効率を著しく高めることができる。
さらに、第4図は本発明のさらに他の実施例を示したも
ので、基板1の表面には、ヨークコア2が薄膜形成技術
により形成されており、前記基板の前記ヨークコア2の
間隙部4に対応する位置には、磁性流体5を封入するた
めの密封基9が薄膜形成技術によりS10 、アルミナ
等の薄膜により形成されている。
ので、基板1の表面には、ヨークコア2が薄膜形成技術
により形成されており、前記基板の前記ヨークコア2の
間隙部4に対応する位置には、磁性流体5を封入するた
めの密封基9が薄膜形成技術によりS10 、アルミナ
等の薄膜により形成されている。
その他の部分は前記各実施例のものと同様である。
本実施例においては、ヨークコア2やコイル8等を基板
1に薄膜形成する際に、容易にかつ確実に密封基9を形
成することができるので、磁性流体5の封入作業時に逐
次密封基9を形成する作業が不要となり、作業効率を著
しく向上させることができる。
1に薄膜形成する際に、容易にかつ確実に密封基9を形
成することができるので、磁性流体5の封入作業時に逐
次密封基9を形成する作業が不要となり、作業効率を著
しく向上させることができる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
必要に応じて種々変更することができるものである。
必要に応じて種々変更することができるものである。
以上述べたように本発明に係る磁気光学素子は、コイル
への通電制御を行なうことにより、磁性流体に磁界を印
加して光のON、OFF制御を行なうことができるので
、従来の電気光素子の代りに、各種光学機器に適用する
ことができる。また、従来の電気光素子と比較して、通
電制御に対するON、OFF動作の応答速度が極めて速
く、しかも、ON、OFF動作時のコントラスト比を大
きく確保することができ、デイスプレィ等に適用した場
合に、中間階調等の適正な解像度を得ることが可能とな
り、さらに、構造が簡単でコンパクトであるとともに、
主駆動材料である磁性流体の材料コストが極めて安値と
なるので、製造コストを著しく低減させることができる
。また、ヨークコアおよびコイルを薄膜により形成する
ようにしているので、極めて容易に微小寸法のヨークコ
アおよびコイルを形成することができ、製造効率を著し
く高めることができる等の効果を奏する。
への通電制御を行なうことにより、磁性流体に磁界を印
加して光のON、OFF制御を行なうことができるので
、従来の電気光素子の代りに、各種光学機器に適用する
ことができる。また、従来の電気光素子と比較して、通
電制御に対するON、OFF動作の応答速度が極めて速
く、しかも、ON、OFF動作時のコントラスト比を大
きく確保することができ、デイスプレィ等に適用した場
合に、中間階調等の適正な解像度を得ることが可能とな
り、さらに、構造が簡単でコンパクトであるとともに、
主駆動材料である磁性流体の材料コストが極めて安値と
なるので、製造コストを著しく低減させることができる
。また、ヨークコアおよびコイルを薄膜により形成する
ようにしているので、極めて容易に微小寸法のヨークコ
アおよびコイルを形成することができ、製造効率を著し
く高めることができる等の効果を奏する。
第1図は本発明の一実施例を示す正面図、第2は第1図
のヨークコアの一部の断面図、第3図は本発明の他の実
施例を示す斜視図、第4図は本発明のさらに他の実施例
を示す斜視図である。 11.、基板、211.ヨークコア、3・・・間隙部、
4・・・巻線部、5・・・磁性流体、6・・・カバーガ
ラス、8・・・コイル、9・・・密封堰。 出願人代理人 中 尾 俊 輔第1図 第3図 第4図 手続補正書(放) 平成3年4月16日
のヨークコアの一部の断面図、第3図は本発明の他の実
施例を示す斜視図、第4図は本発明のさらに他の実施例
を示す斜視図である。 11.、基板、211.ヨークコア、3・・・間隙部、
4・・・巻線部、5・・・磁性流体、6・・・カバーガ
ラス、8・・・コイル、9・・・密封堰。 出願人代理人 中 尾 俊 輔第1図 第3図 第4図 手続補正書(放) 平成3年4月16日
Claims (1)
- 磁性流体の磁気光学効果を用いて光の透過、不透過の
切換えを行なうための磁気光学素子において、透光性を
有する基板の一面側に一部に磁界形成用の間隙部が形成
されたヨークコアを薄膜により形成するとともに、上記
基板に上記ヨークコアに巻回されるコイルを薄膜により
形成し、前記基板の前記ヨークコアの間隙部分に対応す
る部分に、磁性流体を透光性部材により封入して磁性流
体薄膜を形成したことを特徴とする磁気光学素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31307390A JPH04182623A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 磁気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31307390A JPH04182623A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 磁気光学素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04182623A true JPH04182623A (ja) | 1992-06-30 |
Family
ID=18036871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31307390A Pending JPH04182623A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 磁気光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04182623A (ja) |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP31307390A patent/JPH04182623A/ja active Pending
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