JPH04179105A - Plane inductor - Google Patents

Plane inductor

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JPH04179105A
JPH04179105A JP30273590A JP30273590A JPH04179105A JP H04179105 A JPH04179105 A JP H04179105A JP 30273590 A JP30273590 A JP 30273590A JP 30273590 A JP30273590 A JP 30273590A JP H04179105 A JPH04179105 A JP H04179105A
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JP
Japan
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alloy
amorphous alloy
surface roughness
planar inductor
film
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JP30273590A
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Japanese (ja)
Inventor
Takao Sawa
孝雄 沢
Masaharu Oda
雅春 小田
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Toshiba Corp
Mitsubishi Rayon Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Mitsubishi Rayon Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To obtain a plane inductor which has a low iron loss and high saturation magnetic flux density and is excellent in power supply efficiency and high- frequency soft magnetic characteristic by specifying the surface roughness of a ferromagnetic substance layer. CONSTITUTION:A Co-group amorphous alloy is electrically precipitated on a polyimide film to a film thickness of 0.1-10mum by a plating method. The composition of the alloy is set at (Co0.94Fe0.06)84P16 and the surface roughness of the alloy is set at 0.5m Ra. In addition, the surface is scratched at angles 30-90 deg. against the exciting direction. While a laser beam, electron beam, etc., as applied as preferable scratching means, no specific restriction is imposed on the shape of the scratches.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、平面インダクタ、特に高周波で用いる平面イ
ンダクタに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a planar inductor, particularly a planar inductor used at high frequencies.

(従来技術) 近年の電子機器の小型軽量化、高性能化に対する技術開
発に伴い、これを構成する機能部品にも小型高性能化の
要求がなされている。例えば電子機器の電力供給源であ
るスイッチング電源においては使用されるインダクタと
しては、メイントランス、可飽和コア、チョークコイル
などがあるが、この場合にもそれを用いる磁性材料の高
性能化、具体的には低鉄損で直流重畳特性の優れた磁性
材料が所望されている。
(Prior Art) With the recent technological developments for reducing the size and weight of electronic devices and increasing their performance, there is also a demand for smaller size and higher performance for the functional parts that constitute these devices. For example, inductors used in switching power supplies, which are the power supply source for electronic equipment, include main transformers, saturable cores, and choke coils. A magnetic material with low iron loss and excellent DC superimposition characteristics is desired.

一般に、インダクタは薄板を巻回したトロイダル状磁心
あるいは粉末を固めたリング磁心が用いられているが、
前者の場合には巻回のしやすさ、後者の場合にはコアの
強度などの点から、コアとしての高さが必要であり、小
型化実現へのネックとなっていた。
Generally, inductors use a toroidal magnetic core wound with thin plates or a ring magnetic core made of hardened powder.
In the former case, the core needs to be tall for ease of winding, and in the latter case, for reasons such as core strength, which poses a bottleneck to miniaturization.

これに対し、平面状インダクタの利用によるインダクタ
ンス素子の小型化が検削されている。具体例を第1図に
示す。第1図(A)は平面インダクタの平面図であり、
第1図(B)は第1図(A)ノA−A’線ニi(Qう断
面図である。ここで、第1図(A)中に実線および破線
で示すスパイラル状導体コイルla、lbは、同スパイ
ラル状導体コイルla、lbの断面図における中心線の
軌跡を示している。絶縁層3a、3b、3cは誘電体な
どで形成されている。両スパイラル状導体コイルla、
lbは、スルーホール4を介して電気的に接続されてお
り、夫々の端部に設けられた端子5a、5b間にインダ
クタを構成している。
In response, efforts are being made to miniaturize inductance elements by using planar inductors. A specific example is shown in FIG. FIG. 1(A) is a plan view of a planar inductor,
FIG. 1(B) is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 1(A). , lb indicate the locus of the center line in the cross-sectional view of the same spiral conductor coils la, lb. The insulating layers 3a, 3b, 3c are formed of a dielectric material etc. Both spiral conductor coils la,
lb is electrically connected via a through hole 4, and constitutes an inductor between terminals 5a and 5b provided at each end.

しかしながら、例えばDCDCコンバータとしてフェラ
イトからなる平面インダクタの適用を考えた場合、フェ
ライトの機械的強度あるいは飽和磁束密度の点から、高
さの低減等、小型化の実現が困難であった。
However, when considering the application of a planar inductor made of ferrite as a DC/DC converter, for example, it is difficult to realize miniaturization such as reduction in height due to the mechanical strength or saturation magnetic flux density of ferrite.

そこで上記技術における強磁性体層としては、現在アモ
ルファス合金薄帯か検討されている。このアモルファス
るル性合金層は、液体急冷法により作製されている。
Therefore, an amorphous alloy ribbon is currently being considered as the ferromagnetic layer in the above technology. This amorphous smooth alloy layer is produced by a liquid quenching method.

しかしながら、例えばフェライトの場合と同様にDCD
Cコンバータとして上記アモルファス磁性合金層からな
る平面インダクタを適用した場合、その効率は現在のフ
ェライトからなるインダクタをDCDCコンバータとし
て用いた場合と比較して十分ではないという問題点があ
った。
However, as in the case of ferrite, for example, DCD
When a planar inductor made of the above amorphous magnetic alloy layer is used as a C converter, there is a problem in that its efficiency is not sufficient compared to the case where an inductor made of current ferrite is used as a DC/DC converter.

(発明が解決しようとする課題) このように、従来のアモルファス合金薄帯を用いた平面
インダクタでは、その電源効率がフェライトを用いたも
のに比べて十分ではなかった。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, the power supply efficiency of conventional planar inductors using amorphous alloy ribbons was not sufficient compared to those using ferrite.

本発明は、以上の課題を解決するためになされたもので
、平面インダクタにおいて、表面性の優れた強磁性体層
の励磁方向に対して30〜90°Cの角度でスクラッチ
を入れることにより、高周波軟磁気特性を上げ、小型で
かつ磁気特性の優れた磁性部品、延いては高効率の電子
機器用電源を提供することを目的とするものである。
The present invention was made to solve the above problems, and by making a scratch at an angle of 30 to 90°C with respect to the excitation direction of a ferromagnetic layer with excellent surface properties in a planar inductor, The purpose of this invention is to improve high-frequency soft magnetic properties, to provide a compact magnetic component with excellent magnetic properties, and to provide a highly efficient power supply for electronic devices.

[発明の構成] (課題を解決するだめの手段および作用)本発明者らが
平面インダクタに関して鋭意研究を進めた結果、メツキ
法により得られるアモルファス合金薄帯からなる強磁性
体層に対して30〜90゜の角度でスクラッチを入れる
と、渦電流損が小さくなり、低鉄損かつ高飽和磁束密度
の高周波軟磁気特性に優れたインダクタが得られ、これ
を例えばDCDCコンバータに用いると、高効率化が実
現できることを見い出した。
[Structure of the Invention] (Means and Effects for Solving the Problem) As a result of intensive research into planar inductors by the present inventors, it was found that Scratching at an angle of ~90° reduces eddy current loss, resulting in an inductor with low core loss, high saturation magnetic flux density, and excellent high-frequency soft magnetic characteristics. When used in, for example, a DC-DC converter, it has high efficiency. We have discovered that it is possible to achieve

即ち本発明はスパイラル状導体コイルの両面を絶縁層を
介して、強磁性体層で挟んでなる平面インダクタにおい
て、前記強磁性体層の表面粗さがRaで0.5μm以下
であること、前記強磁性体層の励磁方向に対して30〜
90°の角度でスクラッチをいれること、また、前記強
磁性体層は板厚が0.1〜10μmのCo基アモルファ
ス合金からなることを特徴とするものである。
That is, the present invention provides a planar inductor in which both surfaces of a spiral conductor coil are sandwiched between ferromagnetic layers with an insulating layer interposed therebetween, in which the surface roughness of the ferromagnetic layer is Ra of 0.5 μm or less; 30~ with respect to the excitation direction of the ferromagnetic layer
The scratch is made at an angle of 90°, and the ferromagnetic layer is made of a Co-based amorphous alloy having a thickness of 0.1 to 10 μm.

本発明において、強磁性体層の表面粗さはRa(中心線
平均粗さ)で0.5μm以下が好ましい。
In the present invention, the surface roughness of the ferromagnetic layer is preferably 0.5 μm or less in terms of Ra (center line average roughness).

これは、積層する際には磁気特性の観点から表面の平滑
性が重要であるためであり、好ましくは−4〜 0.3μm以下、さらに好ましくは0.1μm以下がよ
い。
This is because surface smoothness is important from the viewpoint of magnetic properties when laminating layers, and preferably -4 to 0.3 μm or less, more preferably 0.1 μm or less.

この表面粗さは材料の鉄損等、軟磁気特性にも影響を与
えるため、上記範囲に入ることが望ましい。
Since this surface roughness also affects soft magnetic properties such as iron loss of the material, it is desirable that the surface roughness falls within the above range.

また、スクラッチの励磁方向に対する角度は30〜90
°が好ましい。特にメツキ膜上における高周波鉄損はこ
の範囲の角度にスクラッチを入れることにより低減でき
る。より好ましくは40〜80°である。具体的な例を
第3図に示す。
Also, the angle of the scratch with respect to the excitation direction is 30 to 90
° is preferred. In particular, high frequency iron loss on the plating film can be reduced by making scratches at angles within this range. More preferably, it is 40 to 80 degrees. A specific example is shown in FIG.

スクラッチの手段としては、レーザー照射、電子ビーム
照射などが好ましく、このスクラッチの形状は点状、線
状、直線状、曲線状など特にilJ眼はない。スクラッ
チされた状態は、照射エネルギービーム径でコントロー
ルすることができる。
As a means for scratching, laser irradiation, electron beam irradiation, etc. are preferable, and the shape of the scratch may be dotted, linear, linear, curved, etc., and there is no particular ilJ shape. The scratched state can be controlled by the irradiation energy beam diameter.

さらに、本発明に用いる強磁性体層は高周波において優
れた磁気特性を示すアモルファス合金、特にCOを基と
するアモルファス合金からなることが好ましい。
Further, the ferromagnetic layer used in the present invention is preferably made of an amorphous alloy that exhibits excellent magnetic properties at high frequencies, particularly an amorphous alloy based on CO.

また、本発明に用いる合金の膜厚は電析時間によって制
御できるが、高周波における磁気特性の観点から01〜
]、Oμmの範囲が好ましい。0.1.prr+以下−
〇 − では磁性体が占める割合が小さくなるため総磁束が問題
となり、一方10μm以上では充分な低鉄損が得られな
いためである。より好ましくは05〜5μmである。
In addition, the film thickness of the alloy used in the present invention can be controlled by the electrodeposition time, but from the viewpoint of magnetic properties at high frequencies,
], Oμm range is preferable. 0.1. prr+ below-
This is because when the diameter is 10 -, the proportion occupied by the magnetic material becomes small, so the total magnetic flux becomes a problem, while when the diameter is 10 μm or more, a sufficiently low iron loss cannot be obtained. More preferably, it is 05 to 5 μm.

これらの条件を全て満足する本発明のアモルファス合金
は、メツキ法により得られる。メツキ法は量産性の点に
おいても優れており、導体コイルおよび強磁性体層はメ
ツキ法により形成するのが好ましい。
The amorphous alloy of the present invention that satisfies all of these conditions can be obtained by the plating method. The plating method is also excellent in terms of mass production, and it is preferable to form the conductor coil and the ferromagnetic layer by the plating method.

次に本発明の具体的な作製条件を述べる。Next, specific manufacturing conditions of the present invention will be described.

本発明を実施する際のアモルファス合金とするだめの電
解析出条件としては、 Fe  濃度 約1/100−3mol/eCo  濃
度 約1/100−3mol/eが好ましい。メツキ浴
中の金属イオン濃度がこの濃度範囲よりも低いとめっき
皮膜を形成しにくくなり、また、製膜状態も悪化する。
The preferred electrolytic deposition conditions for producing an amorphous alloy in carrying out the present invention are Fe concentration of about 1/100-3 mol/e and Co concentration of about 1/100-3 mol/e. If the metal ion concentration in the plating bath is lower than this concentration range, it will be difficult to form a plating film, and the state of the film formation will also deteriorate.

この濃度範囲J:りも高いとこれらの金属イオンの塩が
メツキ液に溶解しにくくなる。
If this concentration range J: is too high, it becomes difficult for the salts of these metal ions to dissolve in the plating solution.

より好ましい条件としては、 Fe  濃度 約1./30−1/10mol/4’C
o  濃度 約1/10−1゜mol/6が良い。
More preferable conditions include Fe concentration of about 1. /30-1/10mol/4'C
o Concentration: Approximately 1/10-1゜mol/6 is good.

亜りん酸及び/又は亜りん酸塩又は次亜りん酸及び/又
は次亜りん酸塩濃度は約1/20〜5mol/4’がよ
い。亜りん酸又は次亜りん酸濃度がこの範囲よりも低い
とアモルファス合金を形成できず、また製膜状態も悪い
。この範囲よりも高いと電流効率が低下し、製膜状態も
悪化する。
The concentration of phosphorous acid and/or phosphite or hypophosphorous acid and/or hypophosphite is preferably about 1/20 to 5 mol/4'. If the concentration of phosphorous acid or hypophosphorous acid is lower than this range, an amorphous alloy cannot be formed and the state of film formation is also poor. If it is higher than this range, the current efficiency will decrease and the state of film formation will also deteriorate.

より好ましい条件としては約1./1.0〜1./2m
ol/eが良い。
More preferable conditions are approximately 1. /1.0~1. /2m
ol/e is good.

電析条件は pH1,0〜22 電流密度 1−40A/dm )谷)胤   20〜80°C が望ましい。Electrodeposition conditions are pH1.0-22 Current density 1-40A/dm ) Tani) Seed 20-80°C is desirable.

pHが上記範囲からはずれ10以下になると作用電極上
での水素発生が過剰となり、電流効率は低下し、めっき
の付きは極端に態くなる。また、pHが2.2を越える
と電流効率は改善されるが合金中へのりんの含有率が低
下し、アモルファス化が囚か−Lになる。電メ、i’L
密度は上記範囲よりも低いとメツキが困難であり、高い
とメツキ皮膜に応力が蓄積し、甚だしい場合にはクラッ
クを生ずることもある。浴温は上記範囲よりも低いと、
表面平滑性に優れた皮膜を形成するのが困難であり、ま
た、上記範囲よりも高いとメツキ浴中(ご沈(殿を生成
し易く、メツキ浴の管理が困難となる。特に望ましい条
件としては、 pH1,,3〜1.6 電流密度 3−20A/dm ?谷)晶   40〜60°C である。なお、析出する合金の組成は電析浴組成によっ
て調整するのが容易である。
When the pH deviates from the above range and becomes 10 or less, hydrogen generation on the working electrode becomes excessive, the current efficiency decreases, and the plating becomes extremely difficult to adhere to. Moreover, when the pH exceeds 2.2, the current efficiency is improved, but the phosphorus content in the alloy decreases, and the alloy becomes amorphous. Telephone, i'L
If the density is lower than the above range, plating will be difficult; if the density is higher than the above range, stress will accumulate in the plating film, and in severe cases, cracks may occur. If the bath temperature is lower than the above range,
It is difficult to form a film with excellent surface smoothness, and if the temperature is higher than the above range, precipitation (precipitate) is likely to form in the plating bath, making it difficult to control the plating bath. pH: 1.6 - 3 - 1.6 Current density: 3 - 20 A/dm - Crystal: 40 - 60°C.The composition of the deposited alloy can be easily adjusted by changing the composition of the electrodeposition bath.

本発明で用いる強磁性体層は、 一般式、 (Cot−xFex)1oo−A(P+−yYy)AY
:B、C,Siから選ばれる少なくとも一種以上0≦X
≦1 0≦y≦0.50 10≦A≦25(at、 %) で表わされるアモルファス合金が好ましい。さらに好ま
しくは、 一般式、 (Coi−a−bFeaMb)1oo−x(Pi−cY
c)xM:Ni、Cr、W、Cu、Zn、Mo、SnY
:B、C,Siから選ばれる少なくとも1一種以上0.
02≦a≦008 0≦b≦010 0≦C≦0.50 10≦X≦25(at  %) で表わされるCo基アモルファス合金が良い。
The ferromagnetic layer used in the present invention has the general formula: (Cot-xFex)1oo-A(P+-yYy)AY
: At least one selected from B, C, and Si 0≦X
An amorphous alloy represented by ≦1, 0≦y≦0.50, 10≦A≦25 (at, %) is preferable. More preferably, the general formula: (Coi-a-bFeaMb)1oo-x(Pi-cY
c) xM: Ni, Cr, W, Cu, Zn, Mo, SnY
:At least one selected from B, C, and Si0.
A Co-based amorphous alloy represented by the following formulas: 02≦a≦008 0≦b≦010 0≦C≦0.50 10≦X≦25 (at %) is preferable.

上記式において、Feは磁歪を零にするだめの元素であ
り、その含有量は0,02〜0.08の範囲が好ましい
。より好ましくは、0.04〜0.07の範囲である。
In the above formula, Fe is an element that makes magnetostriction zero, and its content is preferably in the range of 0.02 to 0.08. More preferably, it is in the range of 0.04 to 0.07.

Mはアモルファス合金の結晶化温度を上昇させ、高周波
での軟磁気特性改善に有効な元素であるが、その含有量
は0.10以下が好ましい。より好ましくは0.08以
下である。PおよびYはアモルファス化に有効な元素で
あるが、特にPはメツキ法による場合は必須元素であり
、この50%までをB、 C,Si等の元素で置き換え
ることができる。
M is an element effective in raising the crystallization temperature of the amorphous alloy and improving soft magnetic properties at high frequencies, but its content is preferably 0.10 or less. More preferably it is 0.08 or less. P and Y are effective elements for amorphization, but especially P is an essential element when using the plating method, and up to 50% of this can be replaced with elements such as B, C, and Si.

また、PおよびYの総量Xは]−〇≦X≦25の範囲と
することがアモルファス化を促進させる上で好ましい。
Further, it is preferable that the total amount X of P and Y be in the range of -0≦X≦25 in order to promote amorphization.

より好ましい範囲は]2≦X≦20である。A more preferable range is ]2≦X≦20.

上記アモルファス合金を作製する方法としては、合金成
分のイオンを含む溶液から電解析出によって電極上に目
的の膜厚の月利を形成することができる。この際に、電
極の表面仕上げを1.0μm以下にすることにより、表
面性の優れた膜を作成することができる。
As a method for producing the above-mentioned amorphous alloy, a film having a desired thickness can be formed on an electrode by electrolytic deposition from a solution containing ions of alloy components. At this time, by setting the surface finish of the electrode to 1.0 μm or less, a film with excellent surface properties can be created.

アモルファス合金を積層する場合、強磁性体層と導体コ
イルの間には絶縁層を介することが好ましいが、これは
例えば電解メツキと無電解メツキを使い分けることによ
り実現できる。また、アモルファス合金と有機高分子フ
ィルムを交互に積層しても良いし、あるいは有機高分子
フィルム上に所定のアモルファス合金を形成させて、こ
れを積層してもJ:い。有機高分子フィルムは特に限定
しないが、ポリjニチレン、ポリプロピレン、ポリコニ
スチル、ポリイミドなどが好ましく、特に熱処理を必要
とする場合は、ポリイミドが好ましい。
When laminating amorphous alloys, it is preferable to interpose an insulating layer between the ferromagnetic layer and the conductor coil, but this can be achieved, for example, by selectively using electrolytic plating and electroless plating. Alternatively, an amorphous alloy and an organic polymer film may be alternately laminated, or a predetermined amorphous alloy may be formed on an organic polymer film and then laminated. The organic polymer film is not particularly limited, but polyj-nytylene, polypropylene, polyconistyl, polyimide, etc. are preferred, and polyimide is particularly preferred when heat treatment is required.

また、得られたメツキ膜を電極から連続的に剥離するこ
とにより、長尺試料も得られる。合金の厚みは電析条件
(時間、電流値など)によって制御できる。
Moreover, a long sample can also be obtained by continuously peeling the obtained plating film from the electrode. The thickness of the alloy can be controlled by the electrodeposition conditions (time, current value, etc.).

(実施例) 本発明を以下の実施例により説明する。(Example) The invention will be illustrated by the following examples.

[実施例1および比較例1」 5)ユmのポリイミドフィルム上にメツキ法により、膜
厚21」mのCo基アモルファス合金を電析させた。合
金組成は、(Coo94Feo、o6)s4P+6であ
り、表面粗さはRaで02ぜmである。
[Example 1 and Comparative Example 1] 5) A Co-based amorphous alloy having a thickness of 21"m was electrodeposited on a polyimide film of 21"m by a plating method. The alloy composition is (Coo94Feo, o6)s4P+6, and the surface roughness is 02zem in Ra.

また同様にして、ポリイミドフィルムの両面にCuのス
パイラル状コイルをメツキ法により作製した。このシー
トを中心に上下に各5層、アモルファス合金シートを積
層し、第2図に示すDCDCコンバータを作製し、電源
効率の評価を行った結果、78%の効率が得られた。
Similarly, spiral coils of Cu were produced on both sides of the polyimide film by the plating method. A DCDC converter shown in FIG. 2 was manufactured by laminating five layers of amorphous alloy sheets above and below this sheet, and as a result of evaluating the power supply efficiency, an efficiency of 78% was obtained.

比較として、板厚2011m、表面aかがRaで11.
5μmのCo基アモルファス合金薄帯を強磁性体層の厚
さが同一になるようにして評価したところ、電源効率は
72%であった。
For comparison, the plate thickness is 2011 m and the surface a is 11.
When a 5 μm Co-based amorphous alloy ribbon was evaluated with the ferromagnetic layers having the same thickness, the power supply efficiency was 72%.

[実施例2および比較例2J 5μmのポリイミドフィルム上にメツキ法により、1.
5μmの膜厚のCo基アモルファス合金を電析させた。
[Example 2 and Comparative Example 2J 1.
A Co-based amorphous alloy with a film thickness of 5 μm was electrodeposited.

合金組成は(Coo94Feo、o6)soP2oであ
り、表面粗さはRaでO0])ユmである。
The alloy composition is (Coo94Feo, o6)soP2o, and the surface roughness is Ra: O0]) Yum.

また同様にして、ポリイミドフィルムの両面にCuのス
パイラル状コイルをメツキ法により作製した。このシー
トを中心に上下に各5層、アモルファス合金シートを積
層し、第2図に示すDCDCコンバータを作製し、電源
効率の評価を行った。なお、これらの強磁性体層にはレ
ーザー処理により第3図に示すようなスクラッチをいれ
た。
Similarly, spiral coils of Cu were produced on both sides of the polyimide film by the plating method. Five layers of amorphous alloy sheets were stacked above and below this sheet to produce a DCDC converter as shown in FIG. 2, and the power efficiency was evaluated. Incidentally, scratches as shown in FIG. 3 were made in these ferromagnetic layers by laser treatment.

この結果、DCDCコンバータの効率は79%であった
As a result, the efficiency of the DC-DC converter was 79%.

比較として同様の方法で膜厚2.5μm、表面粗さがR
aで09μmの同一組成のCo基アモルファス合金を5
μmのポリイミドフィルム上にメツキ法により電析させ
、同様の構造のDCDCコンバータを作製した。なお、
これらの強磁性体層にもレーザー処理により第3図に示
すようなスクラッチをいれた。
For comparison, a film thickness of 2.5 μm and a surface roughness of R were obtained using the same method.
A Co-based amorphous alloy of the same composition with a diameter of 09 μm was
A DCDC converter having a similar structure was produced by electrodeposition on a μm polyimide film by a plating method. In addition,
These ferromagnetic layers were also scratched by laser treatment as shown in FIG.

この電源効率を評価したところ、73%であった。When this power supply efficiency was evaluated, it was 73%.

[発明の効果] 以上のように、本発明によれば、低鉄損かつ高飽和磁束
密度の電源効率のよい高周波軟磁気特性に優れた平面イ
ンダクタを得ることができ、その有用性は絶大である。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a planar inductor with low iron loss, high saturation magnetic flux density, high power efficiency, and excellent high frequency soft magnetic characteristics, and its usefulness is extremely high. be.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(A)は、本発明の平面インダクタの平面図、第
1図(B)は本発明の平面インダクタの1断面図、第2
図は本発明の平面インダクタの評価に用いたDCDCコ
ンバータの回路図、第3図は、スクラッチを入れた平面
インダクタの表面を表した図である。 la 、 lb・・・・・ 導体コイル 4・・・・・
 スルーポール2a 、 2b・・・・・ 磁性体層 
 5a 、 51)・・・・、端子3a 、 3b 、
 3c・・・・・ 絶縁層 6・・・・・ 磁性体層m
ゴコ 【)
FIG. 1(A) is a plan view of the planar inductor of the present invention, FIG. 1(B) is a cross-sectional view of the planar inductor of the present invention, and FIG.
The figure is a circuit diagram of a DCDC converter used to evaluate the planar inductor of the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing the surface of the planar inductor with scratches. la, lb... Conductor coil 4...
Through poles 2a, 2b... Magnetic layer
5a, 51)..., terminals 3a, 3b,
3c... Insulating layer 6... Magnetic layer m
Goko [)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)スパイラル状導体コイルの両面に絶縁層を介して、
強磁性体層で挟んでなる平面インダクタにおいて、前記
強磁性体層の表面粗さがRaで0.5μm以下であるこ
とを特徴とする平面インダクタ。 2)前記強磁性体層の励磁方向に対して、 30〜90゜の角度でスクラッチを入れることを特徴と
する請求項1に記載の平面インダクタ。 3)前記強磁性体層はCo基アモルフアス合金からなる
ことを特徴とする請求項1に記載の平面インダクタ。 4)前記強磁性体層の板厚が0.1〜10μmであるこ
とを特徴とする請求項1に記載の平面インダクタ。
[Claims] 1) With an insulating layer on both sides of the spiral conductor coil,
1. A planar inductor sandwiched between ferromagnetic layers, wherein the ferromagnetic layers have a surface roughness of 0.5 μm or less in terms of Ra. 2) The planar inductor according to claim 1, wherein the scratch is made at an angle of 30 to 90 degrees with respect to the excitation direction of the ferromagnetic layer. 3) The planar inductor according to claim 1, wherein the ferromagnetic layer is made of a Co-based amorphous alloy. 4) The planar inductor according to claim 1, wherein the ferromagnetic layer has a thickness of 0.1 to 10 μm.
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