JPH04177913A - Input level decision circuit - Google Patents

Input level decision circuit

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JPH04177913A
JPH04177913A JP2305453A JP30545390A JPH04177913A JP H04177913 A JPH04177913 A JP H04177913A JP 2305453 A JP2305453 A JP 2305453A JP 30545390 A JP30545390 A JP 30545390A JP H04177913 A JPH04177913 A JP H04177913A
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Japan
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input
inverter
resistor
level
circuit
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JP2305453A
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Kikufumi Katou
菊文 加藤
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PURPOSE:To simplify the circuit constitution and to reduce the power consumption by setting an input voltage applied to plural inverters to be a prescribed level corresponding to a threshold level with the resistance division ratio of a resistor connection circuit when the input signal given to an input terminal is at an open level. CONSTITUTION:Inverters whose threshold level differ from each other are employed for a 1st inverter 1 and a 2nd inverter 2, and inverters used for signal polarity inversion usually are employed for 3rd-5th inverters 3-5. Moreover, a 1st resistor R1 and a 2nd resistor R2 are used to divide a power supply voltage VDD. An input voltage when the input terminal IN is open depends on a ratio of resistance of the 1st resistor R1 and the 2nd resistor R2. A logical threshold level of the 1st inverter 1 is set higher than an input voltage VR and a logical threshold level of the 2nd inverter 1 is set lower than the input voltage VR. Thus, the circuit constitution is simplified and the power consumption is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は入力レベル判定回路に係わり、特に、“H゛レ
ベルよび“Lo”レベルの他に“オーブン”レベルの3
値レヘルが入力されるレベル判定回路に用いて好適なも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to an input level determination circuit, and in particular, the present invention relates to an input level determination circuit, and in particular, the present invention relates to an input level determination circuit that determines input level determination circuits.
This is suitable for use in a level determination circuit into which a value level is input.

〈発明の概要〉 本発明の入力レベル判定回路は、しきい値が異なる複数
個のインバータを並列に接続し、これらのインバータを
選択的に動作させて入力信号のレベル判定を行うように
するとともに、複数個の抵抗器を直列に接続して電圧生
成回路を構成し、上記電圧生成回路における上記抵抗器
の接続点に入力信号を供給し、上記接続点を介して上記
レベル判定回路に上記入力信号を与えるようにすること
により、上記入力信号レベルがオープンレベルの時に上
記電圧生成回路により生成する電圧で上記インバータの
論理しきい値をコントロールすることが出来るようにし
て、多値の信号レベルを判定可能な入力レベル判定回路
の回路構成を簡略化するとともに、その消費電力を小さ
くすることが出来るようにした入力レベル判定回路であ
る。
<Summary of the Invention> The input level determination circuit of the present invention connects a plurality of inverters with different threshold values in parallel, and selectively operates these inverters to determine the level of an input signal. A voltage generation circuit is configured by connecting a plurality of resistors in series, and an input signal is supplied to a connection point of the resistors in the voltage generation circuit, and the input signal is supplied to the level determination circuit via the connection point. By applying a signal, the logic threshold of the inverter can be controlled by the voltage generated by the voltage generation circuit when the input signal level is open level, and the multi-value signal level can be controlled. This is an input level determining circuit that has a simplified circuit configuration and can reduce power consumption.

〈従来の技術〉 1種類の基本演算子に基づいて構成出来るならば、論理
系を系統的に扱う上でも、また、集積化などの工学的応
用面からみても非常に有力であるので、3値理論系が注
目されている。このような3値理論系において用いられ
る入力レベル判定回路は、“′H°゛レヘルレベび“L
”レベルの他に゛オーブン”レベルを判定するl・要が
ある。3種類の論理レベルを判定することが可能な3値
しきいゲートの回路を構成する場合、従来は、例えばI
C演算増幅器を用いて構成していた。
<Prior art> If it can be constructed based on one type of basic operator, it will be very effective both in systematically handling logic systems and in terms of engineering applications such as integration. Value theory systems are attracting attention. The input level determination circuit used in such a three-value theory system has two types of input level determination circuits:
In addition to the "level", there is also a need to judge the "oven" level. When configuring a ternary threshold gate circuit capable of determining three types of logic levels, conventionally, for example, I
It was constructed using a C operational amplifier.

〈発明が解決しようとする課題〉 3値などのような多値レベルを判定する回路の場合は、
一般に、正の重みと負の重みに対して別々の入力回路を
必要とするので、回路構成が複雑になる。したがって、
多値の入力レベル判定回路の場合は、回路を構成する素
子数が多く必要となるととともに、それに応して消費電
力が大きくなってしまう不都合があった。
<Problem to be solved by the invention> In the case of a circuit that judges multivalue levels such as 3 values,
Generally, separate input circuits are required for positive weights and negative weights, which complicates the circuit configuration. therefore,
In the case of a multi-value input level determination circuit, a large number of elements are required to form the circuit, and power consumption increases accordingly.

本発明は上述した問題点に鑑み、多値の信号レベルを判
定可能な入力レベル判定回路の回路構成を簡略化すると
ともに、その消費電力を小さくすることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems, it is an object of the present invention to simplify the circuit configuration of an input level determination circuit capable of determining multilevel signal levels, and to reduce its power consumption.

く課題を解決するための手段〉 本発明の入力レベル判定回路は、レベル判定するための
信号が与えられる入力端子と、上記入力端子に与えられ
る入力信号のレベルに応して選択的に動作させるために
、それぞれのしきい値が異ならされている複数個のイン
バータを並列に接続して構成されているレベル判定回路
と、複数個の抵抗器を直列に接続してなり、上記入力端
子に与えられる入力信号がその接続点に供給されるとと
もに、上記接続点の電位を上記複数個のインバータの各
入力端に供給する抵抗接続回路とを具備し、上記抵抗接
続回路の抵抗分割比により、上記入力端子に与えられる
入力信号がオープンレベルのときに上記複数個のインバ
ータに供給される入力電圧の大きさが上記しきい値に対
応する所定の大きさとなるように設定出来るようにして
いる。
Means for Solving the Problems> The input level determination circuit of the present invention selectively operates according to an input terminal to which a signal for level determination is applied and the level of the input signal applied to the input terminal. For this purpose, a level judgment circuit is constructed by connecting multiple inverters in parallel, each with a different threshold value, and multiple resistors connected in series. and a resistor connection circuit that supplies an input signal to the connection point and supplies the potential of the connection point to each input terminal of the plurality of inverters, and according to the resistance division ratio of the resistance connection circuit, the When the input signal applied to the input terminal is at an open level, the magnitude of the input voltage supplied to the plurality of inverters can be set to a predetermined magnitude corresponding to the threshold value.

〈作用〉 複数個のインバータを並列に接続するとともに、これら
のインバータのしきい値をそれぞれ異ならせ、各インバ
ータを選択的に動作させるようにしてレベル判定回路を
構成する。また、複数個の抵抗器を直列に接続して電圧
生成回路を構成し、上記抵抗器の接続点に入力信号を供
給し、上記接続点を介して上記レベル判定回路に上記入
力信号を与えるようにする。これにより、上記入力信号
のレベルがオープンレベルの時に上記電圧生成回路で生
成する電圧で上記インバータの論理しきい値をコントロ
ールし、入力信号のレベル判定を多値で行うことが出来
るようにする。
<Operation> A level determination circuit is constructed by connecting a plurality of inverters in parallel, making the threshold values of these inverters different, and selectively operating each inverter. Further, a voltage generating circuit is configured by connecting a plurality of resistors in series, and an input signal is supplied to a connection point of the resistors, and the input signal is applied to the level determination circuit via the connection point. Make it. Thereby, when the level of the input signal is at the open level, the logic threshold of the inverter is controlled by the voltage generated by the voltage generation circuit, and the level determination of the input signal can be performed on a multi-value basis.

〈実施例〉 第1図は、本発明の一実施例を示す入力レベル判定回路
の構成図である。
<Embodiment> FIG. 1 is a configuration diagram of an input level determination circuit showing an embodiment of the present invention.

第1図から明らかなように、本実施例の入力レベル判定
回路は、入力端子INに与えられた入力信号SINを、
第1の抵抗器R1と第2の抵抗器R2との接続点10に
供給し、上記接続点lOを介して第1のインバータ1お
よび第2のインバータ2にそれぞれ供給する。そして、
第1のインバータ1の出力Aを第4のインバータ4に供
給するとともに、アンド回路6の一方の入力端子に供給
する。また、第2のインバータ2の出力Bを第3のイン
バータ3を介して第5のインバータ5およびアンド回路
6の他方の入力端子に供給する。そして、第5のインバ
ータ5の出力を第1の出力端子Q1に、アンド回路6の
出力を第2の出力端子Q2に、第4のインバータ4の出
力を第3の出力端子Q3にそれぞれ供給する。
As is clear from FIG. 1, the input level determination circuit of this embodiment converts the input signal SIN applied to the input terminal IN into
It is supplied to the connection point 10 between the first resistor R1 and the second resistor R2, and is supplied to the first inverter 1 and the second inverter 2, respectively, via the connection point IO. and,
The output A of the first inverter 1 is supplied to the fourth inverter 4 and also to one input terminal of the AND circuit 6 . Further, the output B of the second inverter 2 is supplied to the other input terminal of the fifth inverter 5 and the AND circuit 6 via the third inverter 3. Then, the output of the fifth inverter 5 is supplied to the first output terminal Q1, the output of the AND circuit 6 is supplied to the second output terminal Q2, and the output of the fourth inverter 4 is supplied to the third output terminal Q3. .

これらの回路の内、第1のインバータ1および第2のイ
ンバータ2はしきい値が異なるインバータが用いられ、
第3のインバータ3〜第5のインバータ5は信号の極性
反転用に通常使用されているインバータが用いられる。
Among these circuits, the first inverter 1 and the second inverter 2 are inverters having different threshold values,
As the third inverter 3 to the fifth inverter 5, inverters commonly used for inverting the polarity of signals are used.

また、第1の抵抗器R1および第2の抵抗器R2は、電
源電圧■、。を分圧するために配設されているものであ
る。
Further, the first resistor R1 and the second resistor R2 are connected to the power supply voltage (2). It is arranged to divide the pressure.

次に、このように構成された実施例の入力レベル判定回
路の動作を説明する。
Next, the operation of the input level determination circuit according to the embodiment configured as described above will be explained.

例えば、第1のインバータ1および第2のインバータ2
がCMOSインバータとした場合、入力端子INがオー
プンのときの入力電圧は、第1の抵抗器R1および第2
の抵抗器R2の抵抗値の比によって決まる。すなわち、
入力電圧をVRとした場合、 VR= (R1/R1+R2)’voo   −(1)
となる。
For example, first inverter 1 and second inverter 2
is a CMOS inverter, the input voltage when the input terminal IN is open is the first resistor R1 and the second resistor R1.
It is determined by the ratio of the resistance values of resistor R2. That is,
When the input voltage is VR, VR= (R1/R1+R2)'voo - (1)
becomes.

なお、入力がオープンという状態は、例えば入力端子I
Nにトライステート出力セルが接続され、その出力がハ
イインピーダンス状態になっているときなどである。
Note that the state where the input is open means, for example, that the input terminal I
For example, when a tristate output cell is connected to N and its output is in a high impedance state.

ここで、第1のインバータ1の論理しきい値■THI 
 (以後、第1の論理しきい値をする)を入力端子■8
よりも高く設定し、第2のインバータ2の論理しきい値
VTH□ (以後、第2の論理しきい値をする)を入力
電圧■、よりも低く設定する。
Here, the logical threshold value ■THI of the first inverter 1
(hereinafter referred to as the first logic threshold) is the input terminal ■8
The logic threshold VTH□ (hereinafter referred to as the second logic threshold) of the second inverter 2 is set lower than the input voltage VTH.

すなわち、 VTH2< VR< VTHI          ・
・・(2)とする。
That is, VTH2<VR< VTHI・
... (2).

このように設定すると、入力が“′L”、H”および“
オープン″レベルのときの出力チャートは下記の表1に
示すようになる。
With this setting, the inputs are "'L", "H" and "
The output chart at the "open" level is shown in Table 1 below.

表1 このときの第1のインバータ1および第2のインバータ
2の出力状態を、第2図の特性図に示す。
Table 1 The output states of the first inverter 1 and the second inverter 2 at this time are shown in the characteristic diagram of FIG.

第2図において、破線で示す特性Aは第1のインバータ
1の出力、−点鎖線で示す特性Bは第2のインバータ2
の出力をそれぞれ示している。
In FIG. 2, characteristic A indicated by a broken line is the output of the first inverter 1, and characteristic B indicated by the dashed line is the output of the second inverter 2.
The output of each is shown.

このような動作が行われることにより、入力が“L”、
“オープン”、”H”レベルのとき、出力端子Ql、Q
2.Q3は出力がそれぞれアクティブハイ“AH”レベ
ルとなる。
By performing such an operation, the input becomes “L”,
When “open”, “H” level, output terminals Ql, Q
2. The output of Q3 becomes active high "AH" level.

次に、第3図の回路構成図に従って第1および第2のイ
ンバータ1.2の具体的な回路構成を説明する。第3図
において、R3−R6は抵抗器、MNI、MN2はNM
O3)ランジスフ、MP 1゜MP2はPMO3とをそ
れぞれ示しており、第1のインバータ1は抵抗器R3,
R4およびトランジスタMN2.MP2によって構成さ
れている。
Next, specific circuit configurations of the first and second inverters 1.2 will be explained according to the circuit configuration diagram of FIG. In Figure 3, R3-R6 are resistors, MNI, MN2 are NM
O3) Ranjisuf, MP1゜MP2 indicates PMO3, respectively, and the first inverter 1 has resistors R3,
R4 and transistor MN2. It is composed of MP2.

また、第2のインバータ2は抵抗器R5,R6およびト
ランジスタMNI、MPIによって構成されている。
Further, the second inverter 2 is composed of resistors R5, R6 and transistors MNI, MPI.

このように構成された第3図の入力レベル判定回路にお
いて、入力が“オーブン゛′状態における入力電圧■8
は抵抗器R3〜R6の抵抗値の分割比によって決まる。
In the input level determination circuit of FIG. 3 configured in this way, the input voltage 8
is determined by the division ratio of the resistance values of the resistors R3 to R6.

すなわち、入力電圧v、lは、■□= (R3+R4)
  ・VDD/(R3+ R4+ R5+ R6) =R1・VIID/ (R2+R3)   ・・・ (
3)となる。ただし、R1= R3+ R4R2= R
5+ R6 次に、第1のインバータ1のしきい値について説明する
That is, the input voltages v and l are ■□= (R3+R4)
・VDD/(R3+ R4+ R5+ R6) =R1・VIID/ (R2+R3) ・・・ (
3). However, R1= R3+ R4R2= R
5+R6 Next, the threshold value of the first inverter 1 will be explained.

第4図は、第1のインバータ1の回路構成図である。第
4図から明らかなように、この第1のインバータ1ON
MO3トランジスタMN2のゲート電極Gは、第3の抵
抗器R3と第4の抵抗器R4との接続点に接続されてい
る。また、ソース電極SはグランドGNDに接続される
とともに、ドレインDはPMO3)ランジスフMP2の
ドレインDに接続され、これらの共通接続されたドレイ
ンDから出力Aが導出される。
FIG. 4 is a circuit configuration diagram of the first inverter 1. As is clear from Fig. 4, this first inverter 1ON
The gate electrode G of the MO3 transistor MN2 is connected to the connection point between the third resistor R3 and the fourth resistor R4. Further, the source electrode S is connected to the ground GND, and the drain D is connected to the drain D of the PMO3) Ranjisuf MP2, and the output A is derived from these commonly connected drains D.

また、トランジスタMP2のゲートGが入力端子INお
よび抵抗器R4の他端に接続され、ソースSは電源■。
Further, the gate G of the transistor MP2 is connected to the input terminal IN and the other end of the resistor R4, and the source S is connected to the power supply ■.

、に接続される。なお、回示していないが、トランジス
タMN2のハックゲートはグランドGNDに接続され、
トランジスタMP2のハックゲートは電ti V o 
nに接続されている。
, is connected to. Although not shown, the hack gate of the transistor MN2 is connected to the ground GND.
The hack gate of transistor MP2 is voltage tiVo
connected to n.

このように構成された第4図の回路の入力端子INに電
圧が徐々に加えられ、出力Aの電圧値がVDD/2、す
なわち、入力電圧が論理しきい値になったとする。この
ときの入力電圧をVINとすると、 VIN−VTHI    ・・・(4)となる。
Assume that a voltage is gradually applied to the input terminal IN of the circuit of FIG. 4 constructed in this manner, and the voltage value of the output A becomes VDD/2, that is, the input voltage becomes a logic threshold. If the input voltage at this time is VIN, then VIN-VTHI (4) is obtained.

ここで、トランジスタMN2のドレイン・ソース電流を
14□、トランジスタMP2のドレイン・ソース電流を
I dsp とする。今、トランジスタMN2およびト
ランジスタMP2は飽和領域に動作点があるとして、こ
れらの電流■48.およびIaspを求めると、 Iasm=K・β、・ (αVIN  VtN)”・・
・(5)I asp  = % ’  βp  ・ (
αV、N  vDD   VTP)  z・・・(6) となる。ここで、R0,β、はそれぞれNMOSトラン
ジスタおよびPMOSトランジスタの利得係数、V T
N、  V ?Pはそれぞれのトランジスタのしきい値
電圧である。また、αは抵抗器R3,R4の分割比で、 α−R3/R3+R4・・・(7) である。
Here, the drain-source current of the transistor MN2 is assumed to be 14□, and the drain-source current of the transistor MP2 is assumed to be I dsp. Now, assuming that transistor MN2 and transistor MP2 have operating points in the saturation region, these currents 48. and Iasp, Iasm=K・β,・(αVIN VtN)”・・
・(5) I asp = %' βp ・(
αV, N vDD VTP) z...(6) Here, R0, β are the gain coefficients of the NMOS transistor and PMOS transistor, respectively, V T
N, V? P is the threshold voltage of each transistor. Further, α is the division ratio of resistors R3 and R4, and is α-R3/R3+R4 (7).

今、I dsm =I asp 、■IN=V THI
 とし、上記(5)式および(6)式より、しきい値を
求めると、VT、l、=VD、+VTP+cxV1d]
Tフ1■÷(1+α、/1τ7T;) −vts +(v、。+ VTF  VTN)÷(1+
α  n   p)    ・・・(8)となる。ただ
し、V 、、−V。、−■□、〈0とする。
Now, I dsm = I asp, ■IN=V THI
Then, from equations (5) and (6) above, the threshold value is found: VT, l, = VD, +VTP+cxV1d]
Tfu1■÷(1+α,/1τ7T;) -vts +(v,.+VTF VTN)÷(1+
α n p) ...(8). However, V,, -V. , −■□, <0.

ところで、0〈α=R3/R3+R4≦1であるので、
上記抵抗器R3,R4の値を可変することにより、論理
しきい値をコントロールして成る程度まで高くすること
が出来る。ここで、ある程度というのは、例えば入力が
“H”レベルのときに、少な(ともトランジスタMN2
がオンすることが出来るような分割比をとることが出来
る程度ということであり、VTN=0.7 Vとすると
、R3/R3+R4+ Von>0.7 Vである。コ
コで、VDD=5Vとすると、 α−R3/R3+R4>0.14      ・・・(
9)ということである。
By the way, since 0<α=R3/R3+R4≦1,
By varying the values of the resistors R3 and R4, the logic threshold can be raised to a controlled level. Here, a certain amount means, for example, when the input is at the "H" level, a small amount (both transistor MN2
This means that it is possible to obtain a division ratio such that Von can be turned on, and if VTN=0.7V, then R3/R3+R4+Von>0.7V. Here, if VDD=5V, α-R3/R3+R4>0.14...(
9).

第2のインバータ2のしきい値V、イ2についても同様
に求めると、 Vr+z−(T VDD + VTP + Vt5Jコ
ア)÷Cr+ET777丁) =v、D+ (n   p  (VDD  VTN)+
V□)÷(r+(7丁7〕) ・・・GO) となる。ここで、γ−R6/R5+R6である。
Similarly, the threshold values V and A2 of the second inverter 2 are calculated as follows:
V□)÷(r+(7cho7〕)...GO). Here, γ-R6/R5+R6.

00)弐において、■。o  VTN>O1Vア、〈0
により、VDDより有頂は負である。
00) In 2, ■. o VTN>O1Va, <0
Therefore, the eclipse is more negative than VDD.

0<r=R6/R5+R6≦1なので、この場合も抵抗
の分割によって論理しきい値をコントロールして成る程
度まで低くすることが出来る。
Since 0<r=R6/R5+R6≦1, in this case as well, it is possible to control the logic threshold value by dividing the resistors and lower it to the extent that it is possible.

この場合における成る程度というのは、第1のインバー
タ1の場合と同様に、入力が“L”レベルのとき、少な
くともトランジスタMPIがオンすることが出来るよう
な抵抗分割比をとることができる程度までということで
ある。
In this case, as in the case of the first inverter 1, when the input is at the "L" level, at least the resistance division ratio is such that the transistor MPI can be turned on. That's what it means.

以上の説明から明らかなように、本実施例の入カレベル
判定回路によれば、抵抗分割によりMOSトランジスタ
のゲート電圧を変え、CMOSインバータのしきい値を
コントロールすることにより、3値入力セルを実現する
ことが出来る。その条件は(2)式に示したように、 VTH□<v、l<VT、11 である。ここで、VT)+2.V、lおよびVT□は上
記00式、(3)式および(8)弐に示した通りであり
、a=R3・VDD/ (R3+R4) >VrNT=
R6’VDD/(R5+R6)>l  VrrIの式を
満足させるように定数を選定すればよい。
As is clear from the above explanation, according to the input level determination circuit of this embodiment, a three-value input cell is realized by changing the gate voltage of the MOS transistor by resistor division and controlling the threshold value of the CMOS inverter. You can. The conditions are as shown in equation (2), VTH□<v, l<VT, 11. Here, VT)+2. V, l, and VT□ are as shown in formula 00, formula (3), and formula (8) 2 above, and a=R3・VDD/ (R3+R4) >VrNT=
The constants may be selected so as to satisfy the formula R6'VDD/(R5+R6)>l VrrI.

実際に数値を代入してみると、 Vnn−5V、 ■7N=lVアrl−+〇、7V、 β。=β、=500 μA/V2 、 R3〜R6=20にΩ、 とすると、 α=r=20/20+20 一〇、5 VrHz =(0,5・5 0.7 +0.7 f丁)
 :(0,5+7丁)−1,7V ■アH1=(50,7+0.5  ・0.7 、/T)
÷(1+FD=3.I V VR= (20+20)  ÷(20+2020±20
)−2,5V となる。よって、 VTMZ =1.7 V<2.5 V<V7)++ =
3.I V2.5 V>VT)I=0.7 V、 2.5 V > (VTP=0.7. V )となる。
When we actually substitute the numerical values, we get Vnn-5V, ■7N=lVarl-+〇, 7V, β. = β, = 500 μA/V2, R3 to R6 = 20 and Ω, then α = r = 20/20 + 20 10, 5 VrHz = (0,5 5 0.7 + 0.7 f)
:(0,5+7)-1,7V ■A H1=(50,7+0.5・0.7,/T)
÷(1+FD=3.I V VR= (20+20) ÷(20+2020±20
)-2.5V. Therefore, VTMZ =1.7 V<2.5 V<V7)++ =
3. I V2.5 V>VT) I=0.7 V, 2.5 V>(VTP=0.7. V).

次に、入力がオープン時の消費電流であるが、上述した
第1のインバータ1のドレイン電流Idsゆ、および第
2のインバータ2のドレイン電流■dspの式、すなわ
ち、 Ids++=Z・β。・ (αVIN  VTN)2・
・・(5)Idsp−%・βp  ・(TV+s  V
an  Vtr)2・・・(6) の式から明らかなように、αおよびγが乗算されている
分だけ少なくすることが出来る。したがって、ゲートに
加わる電圧は少なくなるので、オープン時の消費電力を
少なくすることが出来る。
Next, regarding the current consumption when the input is open, the formula for the drain current Ids of the first inverter 1 and the drain current dsp of the second inverter 2 described above, that is, Ids++=Z·β.・(αVIN VTN)2・
...(5) Idsp-%・βp・(TV+s V
an Vtr)2...(6) As is clear from the equation, it can be reduced by the amount by which α and γ are multiplied. Therefore, since the voltage applied to the gate is reduced, power consumption when the gate is open can be reduced.

〈発明の効果〉 本発明は上述したように、しきい値が異なる複数個のイ
ンバータを並列に接続し、入力される信号電圧のレベル
に応してこれらのインバータを選択的に動作させるよう
にするとともに、複数個の抵抗器を直列に接続して電圧
生成回路を構成し、入力端子に与えられる入力信号を上
記抵抗器の接続点にいったん供給してから上記レベル判
定回路に与えるようにすることにより、上記入力信号の
レベルがオープンレベルの時に上記電圧生成回路で生成
する電圧で上記インバータの論理しきい値をコントロー
ルするようにしたので、入力信号のレベル判定を多値で
行うことが出来る入力レベル判定回路の回路構成を簡略
化するとともに、その消費電力を小さくすることが出来
る。
<Effects of the Invention> As described above, the present invention connects a plurality of inverters with different threshold values in parallel, and selectively operates these inverters according to the level of the input signal voltage. At the same time, a plurality of resistors are connected in series to form a voltage generation circuit, and the input signal applied to the input terminal is once supplied to the connection point of the resistors and then applied to the level determination circuit. As a result, since the logic threshold of the inverter is controlled by the voltage generated by the voltage generation circuit when the level of the input signal is at the open level, it is possible to judge the level of the input signal using multiple values. The circuit configuration of the input level determination circuit can be simplified and its power consumption can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の一実施例を示す入力レベル判定回路
の回路構成図、 第2図は、しきい値が異なるインバータの動作を説明す
るための動作特性図、 第3図は、入力レベル判定回路の具体的な回路構成を示
す回路構成図、 第4図は、第1のインバータの構成を示す回路図である
。 1・・・第1のインバータ。 2・・・第2のインバータ。 3・・・第3のインバータ。 6・・・アンド回路、  10・・・接続点。 IN・・・入力端子、  R1・・・第1の抵抗器。 R2・・・第2の抵抗器、  Ql・・・第1の出力端
子。 Q2・・・第2の出力端子1 Q3・・・第3の出力端子+   SIN・・・入力信
号。 特許出願人     ソニー株式会社 代理人       弁理士 船 橋國則2め2のイン
ハ゛−り回1各 第2因 第3図
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of an input level determination circuit showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an operation characteristic diagram for explaining the operation of an inverter with different threshold values. FIG. 4 is a circuit diagram showing a specific circuit configuration of the level determination circuit. FIG. 4 is a circuit diagram showing the configuration of the first inverter. 1...first inverter. 2...Second inverter. 3...Third inverter. 6...AND circuit, 10...Connection point. IN...Input terminal, R1...First resistor. R2...second resistor, Ql...first output terminal. Q2...Second output terminal 1 Q3...Third output terminal + SIN...Input signal. Patent Applicant Sony Corporation Agent Patent Attorney Funahashi Kuninori 2nd 2nd Interference Cycle 1 Each 2nd Cause Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 レベル判定するための信号が与えられる入力端子と、 上記入力端子に与えられる入力信号のレベルに応じて選
択的に動作させるために、それぞれのしきい値が異なら
されている複数個のインバータを並列に接続して構成し
たレベル判定回路と、複数個の抵抗器を直列に接続して
なり、上記入力端子に与えられる入力信号がその接続点
に供給されるとともに、上記接続点の電位を上記複数個
のインバータの各入力端に供給する抵抗接続回路とを具
備し、 上記抵抗接続回路の抵抗分割比により、上記入力端子に
与えられる入力信号がオープンレベルのときに上記複数
個のインバータに供給される入力電圧の大きさが上記し
きい値に対応する所定の大きさとなるように設定出来る
ようにしたことを特徴とする入力レベル判定回路。
[Claims] An input terminal to which a signal for level determination is applied, and thresholds for each are set to be different in order to operate selectively according to the level of the input signal applied to the input terminal. A level determination circuit is constructed by connecting a plurality of inverters in parallel and a plurality of resistors connected in series, and the input signal given to the input terminal is supplied to the connection point, and the above connection a resistor connection circuit that supplies a potential at a point to each input terminal of the plurality of inverters, and a resistor division ratio of the resistor connection circuit allows the input signal applied to the input terminal to be at an open level. An input level determination circuit characterized in that the magnitude of the input voltage supplied to each inverter can be set to a predetermined magnitude corresponding to the threshold value.
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