JPH04177718A - 電子ビーム露光装置の異常検知方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置の異常検知方法Info
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- JPH04177718A JPH04177718A JP30572690A JP30572690A JPH04177718A JP H04177718 A JPH04177718 A JP H04177718A JP 30572690 A JP30572690 A JP 30572690A JP 30572690 A JP30572690 A JP 30572690A JP H04177718 A JPH04177718 A JP H04177718A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
電子ビーム露光装置の第１成形アパーチャの異常検知方
法に関し、 第１成形アパーチャの亀裂従って電子洩れの発生を検出
し、検出されたら直ちに第１成形アパーチャを交換して
適切な露光を確保可能にすることも目的とし、 電子銃からのビームを可変矩形に成形する第１、第２各
成形アパーチャを備える電子ビーム露光装置の該第１成
形アパーチャの異常検知方法において、使用最大矩形ビ
ームから測定可能な最小矩形ビームまでの幾つかのビー
ムサイズにおけるヒームザイズ対試料電流特性を求め、
第１成形アパーチャが正常なときの該特性と、露光装置
の稼動中随時取得した該特性とを比較して、その一致／
不一致から第１成形アパーチャの正常／異常を検知する
構成とする。
法に関し、 第１成形アパーチャの亀裂従って電子洩れの発生を検出
し、検出されたら直ちに第１成形アパーチャを交換して
適切な露光を確保可能にすることも目的とし、 電子銃からのビームを可変矩形に成形する第１、第２各
成形アパーチャを備える電子ビーム露光装置の該第１成
形アパーチャの異常検知方法において、使用最大矩形ビ
ームから測定可能な最小矩形ビームまでの幾つかのビー
ムサイズにおけるヒームザイズ対試料電流特性を求め、
第１成形アパーチャが正常なときの該特性と、露光装置
の稼動中随時取得した該特性とを比較して、その一致／
不一致から第１成形アパーチャの正常／異常を検知する
構成とする。
本発明は、電子ビーム露光装置の第１成形アパーチャの
異常検知方法に関する。
異常検知方法に関する。
近年、益々ＩＣの集積度と機能が向」ニして、計算機、
通信、機械等ひろ〈産業全般に渡る技術進歩の核技術と
しての役割が期待されている。
通信、機械等ひろ〈産業全般に渡る技術進歩の核技術と
しての役割が期待されている。
ＩＣのプロセス技術の大きな柱は微細加工による高集積
化である。光リソグラフィーは、限界か０３μｍ程度の
所にあるとされているが、電子ビーム露光では０．１μ
ｍ以下の微細加工か０゜０５μｍ以下の位置合わせ精度
で出来る。従って、１ ｃｍ２を１秒程度で露光する電
子ビーム露光装置が実現すれば、微細さ、位置合わせ精
度、クイックターンアラウンド、信頼性のとれをとって
も、他のリソグラフィー手段の追随を許さない。１又は
４キガビットメモリや、１メガゲートＬＳＩか製造可能
になる。
化である。光リソグラフィーは、限界か０３μｍ程度の
所にあるとされているが、電子ビーム露光では０．１μ
ｍ以下の微細加工か０゜０５μｍ以下の位置合わせ精度
で出来る。従って、１ ｃｍ２を１秒程度で露光する電
子ビーム露光装置が実現すれば、微細さ、位置合わせ精
度、クイックターンアラウンド、信頼性のとれをとって
も、他のリソグラフィー手段の追随を許さない。１又は
４キガビットメモリや、１メガゲートＬＳＩか製造可能
になる。
第４図に電子ビーム露光装置の概要を示す。１１はり、
Ｂ６（ランタン・ヘキサポライド）カード、１２はウェ
ネルト、１３はアノードで、これらは電子銃を構成し、
加速電圧２０ＫＶ〜３０ＫＶて電子を加速し、放出する
。放出された電子（電子ビーム）は第１成形アパーチャ
１４を通過して断面が矩形になり、第２レンズ１８て収
束され、スリットデフレクタ１５およびスリット振り戻
しデフレクタ１７て偏向し、第２レンズ１８で収束され
て第２成形アパーチャ１９に第１成形アパーチャの像を
結ぶ。この第２成形アパーチャ１９を通過したものが、
断面可変矩形の電子ビームになる。この電子ビームはブ
ランカ２０を通り、２段の縮小レンズ２１．２３により
例えば１／１００に縮小され、その途中でラウンドアパ
ーチャ２２により光軸より大きくずれた電子を除され、
最後に投影レンズ２４により収束され、メインデフレク
タ２５およびサブデフレクタ２６により偏向されてウェ
ハ３０上の所望位置へ投射される。
Ｂ６（ランタン・ヘキサポライド）カード、１２はウェ
ネルト、１３はアノードで、これらは電子銃を構成し、
加速電圧２０ＫＶ〜３０ＫＶて電子を加速し、放出する
。放出された電子（電子ビーム）は第１成形アパーチャ
１４を通過して断面が矩形になり、第２レンズ１８て収
束され、スリットデフレクタ１５およびスリット振り戻
しデフレクタ１７て偏向し、第２レンズ１８で収束され
て第２成形アパーチャ１９に第１成形アパーチャの像を
結ぶ。この第２成形アパーチャ１９を通過したものが、
断面可変矩形の電子ビームになる。この電子ビームはブ
ランカ２０を通り、２段の縮小レンズ２１．２３により
例えば１／１００に縮小され、その途中でラウンドアパ
ーチャ２２により光軸より大きくずれた電子を除され、
最後に投影レンズ２４により収束され、メインデフレク
タ２５およびサブデフレクタ２６により偏向されてウェ
ハ３０上の所望位置へ投射される。
第５図に示すように第１成形アパーチャ１４で断面矩形
に成形された電子ビームは第ルンズなどて収束、スリッ
トデフレクタなとて偏向されたのち、矩形開口を持つ第
２成形アパーチャ１９に投射される。１４ａがその投射
された電子ビームで、これは第１成形アパーチャの像で
ある。１９と１４ａは同じサイズの矩形であるから、完
全に重なればそのま＼出て行くか、ずれていて−都市な
るだけであるとその重なった部分１４ｂのみか通過し、
ウェハ３０にはその投影像１４ｃが投射される。重なり
がなければ第２成形アパーチャ１９を通過するビームは
なく、ビームはオフ、ビーム断面積は０になる。
に成形された電子ビームは第ルンズなどて収束、スリッ
トデフレクタなとて偏向されたのち、矩形開口を持つ第
２成形アパーチャ１９に投射される。１４ａがその投射
された電子ビームで、これは第１成形アパーチャの像で
ある。１９と１４ａは同じサイズの矩形であるから、完
全に重なればそのま＼出て行くか、ずれていて−都市な
るだけであるとその重なった部分１４ｂのみか通過し、
ウェハ３０にはその投影像１４ｃが投射される。重なり
がなければ第２成形アパーチャ１９を通過するビームは
なく、ビームはオフ、ビーム断面積は０になる。
第１成形アパーチャ１４は電子銃の直下、例えば１０ｃ
ｍ下方に設置され、電子銃からの電子ビームの大半を受
は止め、矩形開口を通過させる電子ビームは僅かである
。従って著しく加熱される。
ｍ下方に設置され、電子銃からの電子ビームの大半を受
は止め、矩形開口を通過させる電子ビームは僅かである
。従って著しく加熱される。
第１成形アパーチャ１４も第２成形アパーチャ１９も、
シリコンの＜１００＞結晶を異方性エツチングして＜１
１０＞斜面を出し、これで開口を形成する。このような
アパーチャ板でも余り加熱、冷却を繰り返されると角部
に亀裂を生じる。この亀裂発生の恐れは第１成形アパー
チャにあり、第２成形アパーチャにはない。即ち第２成
形アパーチャは電子銃から遠く、また受は止める電子ビ
ームも少ないのて、過熱、亀裂発生、の恐れはない。
シリコンの＜１００＞結晶を異方性エツチングして＜１
１０＞斜面を出し、これで開口を形成する。このような
アパーチャ板でも余り加熱、冷却を繰り返されると角部
に亀裂を生じる。この亀裂発生の恐れは第１成形アパー
チャにあり、第２成形アパーチャにはない。即ち第２成
形アパーチャは電子銃から遠く、また受は止める電子ビ
ームも少ないのて、過熱、亀裂発生、の恐れはない。
ところで任意のサイズのビームを正確に照射するには、
スリットデフレクタ１６の補正が必要である。補正項目
には、デフレクタへの印加電圧のリニア補正や、アパー
チャ像とスリットデフレクタのローテーション補正、可
変矩形ビームを形成する基本項目であるオフセット補正
などがあるか、本発明は後者に係るものである。
スリットデフレクタ１６の補正が必要である。補正項目
には、デフレクタへの印加電圧のリニア補正や、アパー
チャ像とスリットデフレクタのローテーション補正、可
変矩形ビームを形成する基本項目であるオフセット補正
などがあるか、本発明は後者に係るものである。
オフセット電圧とは、ビームサイズかＯになるときのス
リットデフレクタの電圧である。ビームサイズＯを指定
したとき、試料電流かＯになるように該電圧を調整する
。このとき第１成形アパーチャ像１４ａと第２成形アパ
ーチャ１９の位置関係は第２図（ａ）の状態にある。こ
の調整はＤ／Ａ変換器などを用いて行なわれる。調整要
領は以下の通りである。
リットデフレクタの電圧である。ビームサイズＯを指定
したとき、試料電流かＯになるように該電圧を調整する
。このとき第１成形アパーチャ像１４ａと第２成形アパ
ーチャ１９の位置関係は第２図（ａ）の状態にある。こ
の調整はＤ／Ａ変換器などを用いて行なわれる。調整要
領は以下の通りである。
先ず第１成形アパーチャ像１４ａと第２成形アパーチャ
１９を第２図（１〕）の状態にして、使用最大ビーム照
射即Ｓ ｘｍｎｘＸＳ ｙｍａｘにおける試料電流１
ｍａｘを測定し、これをビーム断面積Ｓ二Ｓｘ□１、ｘ
ｘＳア。８８て割って電流密度り。８ｘを得る。次に第
２図（ｃ）（ｄ）に示すようにビーム断面のＸ方向幅、
Ｘ方向幅が最小になるように第１成形アパーチャ像１４
ａを移動し、これらにおける即ち電流測定可能な最小ビ
ーム８つ□、、ｘ Ｓ、□８つおよびＳ、、、、ＸＳア
。１ｏにおける試料電流Ｔ１．Ｉ２を測定する。
１９を第２図（１〕）の状態にして、使用最大ビーム照
射即Ｓ ｘｍｎｘＸＳ ｙｍａｘにおける試料電流１
ｍａｘを測定し、これをビーム断面積Ｓ二Ｓｘ□１、ｘ
ｘＳア。８８て割って電流密度り。８ｘを得る。次に第
２図（ｃ）（ｄ）に示すようにビーム断面のＸ方向幅、
Ｘ方向幅が最小になるように第１成形アパーチャ像１４
ａを移動し、これらにおける即ち電流測定可能な最小ビ
ーム８つ□、、ｘ Ｓ、□８つおよびＳ、、、、ＸＳア
。１ｏにおける試料電流Ｔ１．Ｉ２を測定する。
上記（ｂ）で求めた電流密度Ｄ ｍ ａ ｘを用いて（
ｃ）（ｄ）における予想電流（規格電流）ＩＯ＋ ”
Ｄｍａｘ ＸＳ ｘｍａｘＸＳ ｙｍ＋ｎ＋ Ｉ Ｏ
２”” Ｄｍａｘ ＸＳつ、、、、ｘ Ｓｙ、ｎ、、、
を計算し、これらと上記の測定した電流Ｉ、、１．どの
差をオフセット成分Ｘ、 Ｙとする。即ちＸ＝ＩＯ９−
Ｉ２．Ｙ＝ＩＯ，−Ｉ。
ｃ）（ｄ）における予想電流（規格電流）ＩＯ＋ ”
Ｄｍａｘ ＸＳ ｘｍａｘＸＳ ｙｍ＋ｎ＋ Ｉ Ｏ
２”” Ｄｍａｘ ＸＳつ、、、、ｘ Ｓｙ、ｎ、、、
を計算し、これらと上記の測定した電流Ｉ、、１．どの
差をオフセット成分Ｘ、 Ｙとする。即ちＸ＝ＩＯ９−
Ｉ２．Ｙ＝ＩＯ，−Ｉ。
である。
第１成形アパーチャなどが正常であると、第２図（ａ）
か実現できて試料電流は０になり、また第２図（ｃ）（
ｄ）では■○、−１．．ＴＯ２−Ｉ２従ってｘ＝ｙ＝ｏ
か期待されるが、第１成形アパーチャに亀裂か入ったり
するとこのようにはならない。即ち、亀裂部を通して電
子か洩れるので、第２図（ａ）でも試料電流か０になら
ず、オフセット成分Ｘ、 ＹもＯにならない。
か実現できて試料電流は０になり、また第２図（ｃ）（
ｄ）では■○、−１．．ＴＯ２−Ｉ２従ってｘ＝ｙ＝ｏ
か期待されるが、第１成形アパーチャに亀裂か入ったり
するとこのようにはならない。即ち、亀裂部を通して電
子か洩れるので、第２図（ａ）でも試料電流か０になら
ず、オフセット成分Ｘ、 ＹもＯにならない。
任意の矩形ビームを形成する際、第１成形アパーチャは
電子銃からのビーム照射即ちエミッションカレントの大
半を受は止めている。Ｌ、Ｂ８チップは約１６００’Ｃ
に熱せられており、その約１０ｃｍ下方に位置する第１
成形アパーチャは１００°Ｃ程度に加熱される。このよ
うに第１成形アパーチャは高温に熱せられるため、第３
図のように矩形のエツジ部分に亀裂や歪みか生じやすい
。亀裂の生じたアパーチャではビームの漏れ等かあり、
所望のビームを形成することかできない。そのため信頼
性が補償てきないという問題点かある。
電子銃からのビーム照射即ちエミッションカレントの大
半を受は止めている。Ｌ、Ｂ８チップは約１６００’Ｃ
に熱せられており、その約１０ｃｍ下方に位置する第１
成形アパーチャは１００°Ｃ程度に加熱される。このよ
うに第１成形アパーチャは高温に熱せられるため、第３
図のように矩形のエツジ部分に亀裂や歪みか生じやすい
。亀裂の生じたアパーチャではビームの漏れ等かあり、
所望のビームを形成することかできない。そのため信頼
性が補償てきないという問題点かある。
亀裂か生じるのは他の角部も同様であるか、他の角部は
第２成形アパーチャ１９の板」二にあり、これらからの
洩れ電子は遮きられまた除外されたすするので試料電流
には影響しない。
第２成形アパーチャ１９の板」二にあり、これらからの
洩れ電子は遮きられまた除外されたすするので試料電流
には影響しない。
本発明は、この第１成形アパーチャの亀裂従って電子洩
れの発生を検出し、検出されたら直ぢに第１成形アパー
チャを交換して適切な露光を確保可能にすることを目的
とするものである。
れの発生を検出し、検出されたら直ぢに第１成形アパー
チャを交換して適切な露光を確保可能にすることを目的
とするものである。
本発明では第１図に示すようにビームサイズ対試料電流
の特性を求める。第１成形アパーチャか正常なとき得ら
れる特性線は■の如くであり、該アパーチャに亀裂が入
ると特性線は■の如くなる。
の特性を求める。第１成形アパーチャか正常なとき得ら
れる特性線は■の如くであり、該アパーチャに亀裂が入
ると特性線は■の如くなる。
しかし実際はオフセット調整するので、得られる特性線
は■である。この特性線■と■の違いから、第１成形ア
パーチャの異常を検知することかできる。
は■である。この特性線■と■の違いから、第１成形ア
パーチャの異常を検知することかできる。
また特性線■は、第１成形アパーチャの亀裂発生、洩れ
電子発生によるものであるから、特に真のビームサイズ
Ｏ近傍の特性か、正常時のそれとは異なるものになって
いる。従ってこの部分の直線性を調べることでも第１成
形アパーチャの正常／異常を検知することができる。
電子発生によるものであるから、特に真のビームサイズ
Ｏ近傍の特性か、正常時のそれとは異なるものになって
いる。従ってこの部分の直線性を調べることでも第１成
形アパーチャの正常／異常を検知することができる。
このようにビームサイズ対試料電流特性を求めることで
、第１成形アパーチャの亀裂発生、融解なとの異常を検
知することかできる。
、第１成形アパーチャの亀裂発生、融解なとの異常を検
知することかできる。
第１成形アパーチャに異常発生と判断された場合は直ち
に良品と交換し、適正な露光か確保されるようにする。
に良品と交換し、適正な露光か確保されるようにする。
これにより電子ビーム露光装置の信頼性向上に寄与する
ことができる。
ことができる。
スリットデフレクタのオフセット値か補正されている状
態で使用最大ビームサイズＳつ、、、、ＸＳｙ。。
態で使用最大ビームサイズＳつ、、、、ＸＳｙ。。
６８から測定可能な最小ビームサイズＳ８゜、、ｘ３ｙ
。１ａｘ＋ Ｓ ｘｍａｘＸ Ｓ ｙｍ＋ｎ＋ ま
たはＳ。１．。×Ｓ、。、１，１まて、幾つかのビーム
サイズにおける試料電流Ｉ、（１−〇〜ｎ）をＸ方向、
Ｘ方向、またはこれらの間の４５°方向で測定する。第
１成形アパーチャか正常な状態であれは第１図（ａ）の
特性線■が得られる。
。１ａｘ＋ Ｓ ｘｍａｘＸ Ｓ ｙｍ＋ｎ＋ ま
たはＳ。１．。×Ｓ、。、１，１まて、幾つかのビーム
サイズにおける試料電流Ｉ、（１−〇〜ｎ）をＸ方向、
Ｘ方向、またはこれらの間の４５°方向で測定する。第
１成形アパーチャか正常な状態であれは第１図（ａ）の
特性線■が得られる。
電子ビーム露光装置は定期的にオーバホールして清掃、
部品交換などをするが、第１成形アパーチャを交換した
とき等は特に、組立、調整後に上記測定をして特性線■
を得ておく。
部品交換などをするが、第１成形アパーチャを交換した
とき等は特に、組立、調整後に上記測定をして特性線■
を得ておく。
上記測定で、もし第１成形アパーチャのエツジに亀裂が
あった場合は該亀裂部分から電子の洩れか生じ、これに
応じて試料電流が増加する。即ち亀裂の入ったアパーチ
ャでは試料電流は■３＋△Ｉとなり、ビームサイズ対試
料電流特性は特性線■になる。しかし通常は露光に際し
てオフセット調整して、ビームサイズか０のとき試料電
流も０になるように、デフレクタの電圧を変える。これ
て第１成形アパーチャ像１４ａと第２成形アパーチャ１
９の関係は第２図（ａ）の接した状態から、亀裂からの
洩れ電子か１９へ入らない程度に離れた状態に変る。こ
の調整でビームサイズ対試料電流特性は特性線■になる
。即ち、ビームサイズ０てはオフセット調整で試料電流
はＯにされ、ビームサイズ最大てはΔＩかそのま〈加わ
るので特性線■」二のそれと同じ位置になり、結局特性
線■になる。
あった場合は該亀裂部分から電子の洩れか生じ、これに
応じて試料電流が増加する。即ち亀裂の入ったアパーチ
ャでは試料電流は■３＋△Ｉとなり、ビームサイズ対試
料電流特性は特性線■になる。しかし通常は露光に際し
てオフセット調整して、ビームサイズか０のとき試料電
流も０になるように、デフレクタの電圧を変える。これ
て第１成形アパーチャ像１４ａと第２成形アパーチャ１
９の関係は第２図（ａ）の接した状態から、亀裂からの
洩れ電子か１９へ入らない程度に離れた状態に変る。こ
の調整でビームサイズ対試料電流特性は特性線■になる
。即ち、ビームサイズ０てはオフセット調整で試料電流
はＯにされ、ビームサイズ最大てはΔＩかそのま〈加わ
るので特性線■」二のそれと同じ位置になり、結局特性
線■になる。
こ−て特性線■に対する第１図（ａ）の横軸のビームサ
イズは露光装置側で意識するそれてあり、第１成形アパ
ーチャに亀裂が生じた場合は実際のビームサイズとはず
れか出る。即ちビームサイズの０点は試料電流か０にな
る点てあり、亀裂があれば上記のように第１成形アパー
チャ像１４ａと第２成形アパーチャ１９は離れることに
なり、これよりビームサイズを増大する方向で変えると
１４ａか１９に接近し、やがて接触しくこの点が真のビ
ームサイズ０点）、その後爪なる、という経過をとる。
イズは露光装置側で意識するそれてあり、第１成形アパ
ーチャに亀裂が生じた場合は実際のビームサイズとはず
れか出る。即ちビームサイズの０点は試料電流か０にな
る点てあり、亀裂があれば上記のように第１成形アパー
チャ像１４ａと第２成形アパーチャ１９は離れることに
なり、これよりビームサイズを増大する方向で変えると
１４ａか１９に接近し、やがて接触しくこの点が真のビ
ームサイズ０点）、その後爪なる、という経過をとる。
この間試料電流は増大を続ける。露光量（これは試料電
流に相当する）は真のビームサイズに対して決まるもの
であり、真のビームサイズか考えれば直線■は直線■に
なるから、これらの直線の間の斜線部分は第１成形アパ
ーチャの亀裂による誤差（試料電流過多）になる。
流に相当する）は真のビームサイズに対して決まるもの
であり、真のビームサイズか考えれば直線■は直線■に
なるから、これらの直線の間の斜線部分は第１成形アパ
ーチャの亀裂による誤差（試料電流過多）になる。
この誤差を除いて正しい露光を行なうには、亀裂発生を
速やかに検知することである。そこて本発明ては第１成
形アパーチャか正常な段階で１、冒４１線■を測定して
おき、そして露光装置の稼動中随時特性線を測定して直
線■になったら（露光に先立ってオフセット調整するか
ら特性線■にはならない）第１成形アパーチャ異常、亀
裂発生として、速やかにオーバーホール、部品交換を行
なうようにする。特性線■と特性線■の区別は傾斜の差
で行なう。これには特性線■をプロツトシた時と同様に
複数個のビームサイズてぞの時の試料電流を求め、クラ
ンを作成してみればよい。
速やかに検知することである。そこて本発明ては第１成
形アパーチャか正常な段階で１、冒４１線■を測定して
おき、そして露光装置の稼動中随時特性線を測定して直
線■になったら（露光に先立ってオフセット調整するか
ら特性線■にはならない）第１成形アパーチャ異常、亀
裂発生として、速やかにオーバーホール、部品交換を行
なうようにする。特性線■と特性線■の区別は傾斜の差
で行なう。これには特性線■をプロツトシた時と同様に
複数個のビームサイズてぞの時の試料電流を求め、クラ
ンを作成してみればよい。
露光装置の稼動中随時ビームザイス対試料電流特１４１
を求め、ぞのｑ、Ｉｌ性線のビームサイズＯ１試１′、
−［電流Ｏの部分の直線性を調へることでも第１成形ア
パーチャの亀裂を検知することができる。即ち亀裂の程
度、形状、向き等により洩れ電子の量、方向などが変る
から、洩れ電子か試料電流に与える影響、特に第１成形
アパーチャ像１４ａが第２成形アパーチャ１９に重なる
までの間（真のビームサイズ０の近傍）のそれは−様で
はない。従って特性線のこの部分の直線性を調べること
でも亀裂有／無を推定できる。
を求め、ぞのｑ、Ｉｌ性線のビームサイズＯ１試１′、
−［電流Ｏの部分の直線性を調へることでも第１成形ア
パーチャの亀裂を検知することができる。即ち亀裂の程
度、形状、向き等により洩れ電子の量、方向などが変る
から、洩れ電子か試料電流に与える影響、特に第１成形
アパーチャ像１４ａが第２成形アパーチャ１９に重なる
までの間（真のビームサイズ０の近傍）のそれは−様で
はない。従って特性線のこの部分の直線性を調べること
でも亀裂有／無を推定できる。
ビームサイズは、露光装置はこれをデフレクタの偏向量
て認識するので、ビームサイズ０の点が実際は第１図（
ｂ）に示すように一都市なっており真のビームサイズは
０より大きいこともあり得る。このような状態ではビー
ムサイズ０でも試料電流０にならず、第１図（Ｃ）に示
す第１成形アパーチャ１４ａに亀裂発生のケースと変ら
なくなる。しかしこの場合は、第１図（ａ）で言えば（
１１純な横軸のずれであり、このずれ修正をすれば特性
線■になる。亀裂の場合はその亀裂の程度、方向、従っ
て洩れ電子の量及び方向によって変るから横座標のシフ
トたけては特性線■にならず、これて区別できる。
て認識するので、ビームサイズ０の点が実際は第１図（
ｂ）に示すように一都市なっており真のビームサイズは
０より大きいこともあり得る。このような状態ではビー
ムサイズ０でも試料電流０にならず、第１図（Ｃ）に示
す第１成形アパーチャ１４ａに亀裂発生のケースと変ら
なくなる。しかしこの場合は、第１図（ａ）で言えば（
１１純な横軸のずれであり、このずれ修正をすれば特性
線■になる。亀裂の場合はその亀裂の程度、方向、従っ
て洩れ電子の量及び方向によって変るから横座標のシフ
トたけては特性線■にならず、これて区別できる。
以上説明したように本発明によれは、第１成形アパーチ
ャの亀裂発生なとの異常を検知でさ、適正な露光を確保
することかできて、電子ビーム露光装置の信頼性向上に
寄与するところが大きい。
ャの亀裂発生なとの異常を検知でさ、適正な露光を確保
することかできて、電子ビーム露光装置の信頼性向上に
寄与するところが大きい。
第１図は本発明の異常検知方法の説明図、第２図はオフ
セット量の説明図、 第３図は第１成形アパーチ中の異常の説明図、第４図は
電子ビーム露光装置の説明図、第５図は可変矩形ビーム
形成過程の説明図である。 第１図て■〜■は特性線、１４ａは第１成形アパーチャ
像、１９は第２成形アパーチャである。
セット量の説明図、 第３図は第１成形アパーチ中の異常の説明図、第４図は
電子ビーム露光装置の説明図、第５図は可変矩形ビーム
形成過程の説明図である。 第１図て■〜■は特性線、１４ａは第１成形アパーチャ
像、１９は第２成形アパーチャである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子銃からのビームを可変矩形に成形する第１、第
２各成形アパーチャ（１４、１９）を備える電子ビーム
露光装置の該第１成形アパーチャの異常検知方法におい
て、 使用最大矩形ビームから測定可能な最小矩形ビームまで
の幾つかのビームサイズにおけるビームサイズ対試料電
流特性（［１］〜［３］）を求め、第１成形アパーチャ
が正常なときの該特性と、露光装置の稼動中随時取得し
た該特性とを比較して、その一致／不一致から第１成形
アパーチャの正常／異常を検知することを特徴とする電
子ビーム露光装置の異常検知方法。 ２、電子銃からのビームを可変矩形に成形する第１、第
２各成形アパーチャ（１４、１９）を備える電子ビーム
露光装置の該第１成形アパーチャの異常検知方法におい
て、 使用最大矩形ビームから測定可能な最小矩形ビームまで
の幾つかのビームサイズにおけるビームサイズ対試料電
流特性（［１］〜［３］）を求め、試料電流が０、及び
ビームサイズか０の部分の該特性の直線性から第１成形
アパーチャの正常／異常を検知することを特徴とする電
子ビーム露光装置の異常検知方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2305726A JP3034589B2 (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 電子ビーム露光装置の異常検知方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2305726A JP3034589B2 (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 電子ビーム露光装置の異常検知方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04177718A true JPH04177718A (ja) | 1992-06-24 |
| JP3034589B2 JP3034589B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=17948608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2305726A Expired - Fee Related JP3034589B2 (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 電子ビーム露光装置の異常検知方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3034589B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101563591B1 (ko) | 2014-07-04 | 2015-10-30 | 박준모 | 방충망이 구비된 침낭 |
-
1990
- 1990-11-09 JP JP2305726A patent/JP3034589B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3034589B2 (ja) | 2000-04-17 |
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