JPH04177327A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「発明の利用分野Ｊ 本発明は、アクティブ型液晶表示装置に関するもので、
特にそれぞれの画素に相補型に２つの薄膜型絶縁ゲイト
電界効果トランジスタ（以下ＴＰＴという）を設けた液
晶パネルに関するものである。

「従来の技術」 従来、ＴＰＴを用いたアクティブ型の液晶表示装置が知
られている。この場合、ＴＰＴにはアモルファスまたは
多結晶型の半導体を用い、１つの画素にＰまたはＮ型の
いずれか一方の導電型のみのＴＰＴを用いたものである
。即ち、一般にはＮチャネル型ＴＰＴ（ＮＴＦＴという
）を画素に直列に連結している。

その代表例を第１図に示す。

第１図において、液晶（１２）を有し、それに直列に連
結してＮＴＦＴ（１１）を設けている。これをマトリッ
クス配列せしめたものである。一般には６４０×４８０
または１２６０　Ｘ　９６０と多くするか、この図面で
はそれと同意味で単純に２×２のマトリックス配列をさ
せた。このそれぞれの画素に対し周辺回路（１６）、　
（１７）より電圧を加え、所定の画素を選択的にオンと
し、他の画素をオフとした。するとこのＴＰＴのオン、
オフ特性か一般には良好な場合、コントラストの大きい
液晶表示装置を作ることかできる。しかしながら、実際
にかかる液晶表示装置を製造してみると、ＴＰＴの出力
即ち液晶にとっての入力（液晶電位という）の電圧ＶＬ
−（１０）は、しばしば“１”（Ｈｉｇｈ）とするべき
時に１”（Ｈｉｇｈ）にならず、また、逆に”Ｏ”　（
Ｌｏｗ）となるべき時に’０”（Ｌ。

Ｗ）にならない場合かある。液晶（１２）はその動作に
おいて本来絶縁性であり、またＴＰＴかオフの時に液晶
電位（ＶＬ、）は浮いた状態になる。この液晶（１２）
は等測的にキャパシタであるため、そこに蓄積された電
荷によりＶＬＣか決められる。この電荷は液晶がＲＬＣ
で比較的小さい抵抗となったり、ゴミ、イオン性不純物
の存在によりリークしたり、またＴＰＴのゲイト絶縁膜
のピンホールによりＲ６，（１５）か生じた場合にはそ
こから電荷かもれ、■、。は中途半端な状態になってし
まう。このため１つのパネル中に２０万〜５００万個の
画素を有する液晶表示装置においては、高い歩留まりを
成就することかできない。特に液晶（１２）は一般には
ＴＮ（ツィステッドネマティック）液晶が用いられる。

その液晶の配向のためにはそれぞれの電極上にラビング
した配向膜を設ける。このラビング工程のため発生ずる
静電気により弱い絶縁破壊か起こり、隣の画素との間ま
たは隣の導線との間てリークしたり、またゲイト絶縁膜
か弱く、リークをしたりしてしまう。　アクティブ型の
液晶表示装置においては、液晶電位を１フレームの間は
たえず初期値と同し値として所定のレベルを保つことか
きわめて重要である。しかし実際は不良か多く、必ずし
も成就しないのが実情である。

また液晶材料か強誘電性液晶であると、注入電流を大き
く必要とする。このためにはＴＰＴを大きくして電流マ
ージンを大きくとらなければならないという欠点かある
。

ｒ発明の目的」 本発明はこのような問題を解決し、相補型としても液晶
装置のパネルの開口率を従来の１つのＴＰＴを用いた方
式と同一または実質的に同一として構成を有せしめた。

Ｖ　Ｌ　Ｃが“１”、“０”に充分安定して固定させ、
ｌフレーム中にそのレベルがドリフトしないようにした
ものである。

「発明の構成」 本発明は、マトリックス構成したそれぞれの画素の一方
の透明導電膜の電極に相補型のＴＰＴの出力端子を連結
せしめたものである。即ちマトリックス配列したすべて
の画素にＰチャネル型のＴＰＴ（以下（ＰＴＦＴという
）とＮＴＦＴとを相補型（以下Ｃ／ＴＦＴという）とし
て連結したものである。

その本発明の代表例を第３図に回路として示す。

また実際のパターンレイアウト（配置図）の例を第５図
に示す。

本発明の説明として、第２図の２×２のマトリックスの
例を示す。ＰＴＦＴとＮＴＦＴとのゲイトを互いに連結
し、さらにＹ軸方向の線Ｖ。。（２２）、またはＶｏＧ
・（２３）に連結した。またＣ／ＴＰＴの共通出力を液
晶（１２）に連結している。ＰＴＦＴの入力（Ｖｓｓ側
）をＸ軸方向の線Ｖ　ＤＤ（１８）、　Ｖ　ｏｏ（１８
’　）ｉ：連結し、ＮＴＦＴの入力（Ｖｓｓ側）を接地
（１９）、　（１９’　）させている。するとＶＤＤ（
１８）、ＶＧ。（２２）か１“の時、液晶電位（１０）
は“０”となり、またＶｏｏ（１８）か°’１”　、Ｖ
ａｃ（２２）かＯ”の時液晶電位（１０）は１”となる
。そして液晶の画素（１２）は反対の電極電位（１３Ｘ
一般には接地電位）に比べて“１”となるとき、オンと
なる。逆に液晶電位（１０）が“Ｏ”のとき液晶はオフ
となる。

そして液晶電位（１０）はＶｏｏ（１８）、または接地
またはＶ、、（１９）のいずれかに固定させるため、フ
ローティングとなることがない。

第３図の本発明の例においては、Ｘ軸方向の配線（１８
）、　（１８’）に対し、接地端子（１９）、　（１９
”）もＸ軸方向に配線した。すると、第２図における（
１９）。

（１９”）を共通にしてＶｓｓ（１９）か得られる。２
×２のマトリックスを構成せんとする時、ＶＳＳ（１９
）はその上側の画素とその下側の画素との共通配線とし
ている。

この場合、液晶電位■、。はＶＤＤかまたはｙ　ｓｓか
に固定させることかできる。ＰＴＦＴ（２１）、ＮＴＦ
Ｔ（１１）とは相補であるため、Ｒ１゜（１４）にゴミ
、イオン性のリークかあっても問題とならない。

また隣の配線との間に少しのリークがあってもＶ、ｃに
はたえずＶｂｏ（１８）またはＶＳＳ（１９）から電荷
か提供されるため、フローティングではなく、フレーム
内でのレベルを一定とすることができる。

以下に実施例に基づき、本発明を示す。

「実施例１」 この実施例は第３図、第５図および第６図を用いて示す
。

ガラス基板にＣ／ＴＰＴを作らんとした時の製造工程を
第６図に基づき示す。

第６図において、ＡＮガラス、パイレックスガラス等の
約６００°Ｃの熱処理に耐え得るガラス上にマグネトロ
ンＲＦ（高周波）スパッタ法を用いてブロッキング層と
しての酸化珪素膜（３′）を１０００〜３０００人の厚
さに作製した。

プロセス条件は酸素１００％雰囲気、成膜温度１５０°
Ｃ１出力４００〜８００Ｗ、圧力０．５Ｐａとした。タ
ーゲットに石英または単結晶シリコンを用いた成膜速度
は３０〜１００人／分であった。

さらにこの上にシリコン膜をＬＰＧＶＤ（減圧気相）法
、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により形成した。

減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも１００〜
２００°Ｃ低い４５０〜５５０°Ｃ１例えば５３０℃て
ジシ−７：／　（Ｓｉ□Ｈｓ）まタハ）　’Ｊ　シラン
（Ｓｉ３Ｈｓ）をＣＶＤ装置に供給して成膜した。反応
炉内圧力は３０〜３００Ｐａとした。成膜速度５０〜２
５０人／分てあった。ＮＴＥＴとＰＴＦＴとのスレッシ
ュホールド電圧（Ｖｔｈ）を概略同一に制御するため、
ホウ素をジボランを用いてｌＸｌ０１４〜Ｉ　Ｘ　１０
Ｉ１０ｌ７”の濃度として成膜中に添加してもよい。

スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧を１ｘｌＯ−
”Ｐａ以下とし、単結晶シリコンをターゲットとし、ア
ルゴンに水素を２０〜８０％に混入した雰囲気で行った
。例えばアルゴン２０％、水素８０％とした。成膜温度
は１５０°Ｃ１周波数は１３．５６ＭＨｚ、スパッタ出
力４００〜８００Ｗとした。圧力は０．５Ｐａであった
。

プラズマＣＶＤ法により珪素膜を作製する場合、その温
度は例えば３００°Ｃとし、モノシラン（ＳｉＨ，）ま
たはジシラン（Ｓ１２Ｈ＠）を用いた。これらをＰＣＶ
Ｄ装置内に導入し、１３．５６ＭＨ２の高周波電力を加
えて成膜した。

これらの方法によって形成された被膜は、酸素か７　Ｘ
　１０”ｃｍ−３以下、好ましくはＩ　ＸＩＯ”ｃｍ−
３以下の濃度であることが好ましい。その代表的な結晶
化をさせる場合、結晶化の程度を助長させ得るからであ
る。例えばＳＩＭＳ（二次イオン質量分析）法における
不純物として酸素が８　Ｘ　１０’　”ｃｍ−”、炭素
３　Ｘ　１０”ｃｍ−’を得た。また水素は４　Ｘ　１
０”ｃｍ−’てあり、珪素４　Ｘ　１０２２ｃｍ−”と
して比較すると１原子％であった。

かくしてアモルファス状態の珪素膜を５００〜３０００
人、例えば１５００人の厚さに作製の後、４５０〜７０
０°Ｃの温度にて１２〜７０時間非酸化物雰囲気にて中
温の加熱処理した。例えば窒素または水素雰囲気にて６
００°Ｃの温度で保持した。

この珪素膜の下の基板表面にアモルファスの酸化珪素膜
が形成されているため、この熱処理で特定の核か存在せ
ず、全体が均一に加熱アニールされる。即ち、成膜時は
アモルファス構造を有し、また水素は単に混入している
のみである。

このア二〜ルにより、珪素膜はアモルファス構造から秩
序性の高い状態に移り、その一部は結晶状態を呈する。

特にシリコンの成膜時に比較的秩序性の高い領域は特に
結晶化をして結晶状態となろうとする。しかしこれらの
領域間に存在する珪素により互いの結合がなされるため
、珪素同志は互いにひっばりあう。結晶としてもレーザ
ラマン分光により測定すると、単結晶の珪素のピーク５
２２ｃｍ−’より低周波側にシフトしたピークが観察さ
れる。それの見掛は上の粒径は半値巾から計算すると、
５０〜５００人とマイクロクリスタルのようになってい
るが、実際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラス
タ構造を有し、その各クラスタ間は互いに珪素同志で結
合（アンカリング）かされたセミアモルファス構造の被
膜を形成させることができた。

結果として、この被膜は実質的にグレインバウンダリ（
ＧＢという）がないといってもよい状態を呈する。キャ
リアは各クラスタ間をアンカリングされた個所を通じ互
いに容易に移動し得るため、いわゆるＧＢの明確に存在
する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度となる。即ち
ホール移動度（μｈ）　＝１０〜２００ｃｍ”／Ｖｓｅ
ｃ　、電子移動度（μｅ　）　＝１５〜３００ｃｍ’／
Ｖｓｅｃが得られる。

他方、上記の如く中温でのアニールではなく、９００〜
１２００°Ｃの温度での高温アニールにより被膜を多結
晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物の
偏析かおきて、ＧＢには酸素、炭素、窒素等の不純物が
多くなり、結晶中の移動度は太きいが、ＧＢでのバリア
（障壁）を作ってそこでのキャリアの移動を阻害してし
まう。そして結果としてはｌＯｃが／Ｖｓｅｃ以上の移
動度かなかなか得られないのが実情である。

即ち、本発明の実施例ではかくの如く、セミアモルファ
スまたはセミクリスタル構造を有するシリコン半導体を
用いている。

第６図（Ａ）においては、この珪素膜を第１のフォトマ
スク■にてフォトエツチングを施し、ＰＴＦＴ用の領域
（２１）を図面の右側に、ＮＴＦＴ用の領域（１１）を
左側に作製した。

またこの上に酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として厚さは５
００〜２０００人例えば１０００人に形成した。これは
ブロッキング層としての酸化珪素膜の作製と同一条件と
した。この成膜中に弗素を少量添加させてもよい。

さらにこの後、この上側にリンか１〜５Ｘ１０”ｃＦ３
の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコン膜とその
上にモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）。

ＭｏＳｉ２またはＷＳｉ２との多層膜を形成した。これ
を第２のフォトマスク■にてパターニングした。そして
ＰＴＦＴ用のゲイト電極（４）、　ＮＴＦＴ用のゲイト
電極（４′）を形成した。例えばチャネル長１０μｍ、
ゲイト電極としてリンドープ珪素を０．２μｍ、その上
にモリブデンを０．３μｍの厚さに形成した。

第２図（Ｃ）において、フォトレジスト（３１”）をフ
ォトマスク■を用いて形成し、ＰＴＦＴ用のソース（５
）、ドレイン（６）に対し、ホウ素をＩ　Ｘ　１０”ｃ
ｍ−２のドーズ量をイオン注入法により添加した。

次に第６図（Ｄ）の如く、フォトレジスト（３１）をフ
ォトマスク■を用いて形成した。そしてＮＴＦＴ用のソ
ース（５゛）、ドレイン（６′）としてリンをＩ　ＸＩ
Ｏ”ｃｍ””の量、イオン注入法により添加した。

これらはゲイト絶縁膜（３）を通じて行った。しかし第
６図（Ｂ）において、ゲイト電極（４）、　（４”）を
マスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、その後
、ホウ素、リンを直接珪素膜中にイオン注入してもよい
。

次に、６００°Ｃにて１０〜５０時間再び加熱アニール
を行った。そしてＰＴＦＴのソース（５）、ドレイン（
６）。

ＮＴＦＴのソース（５°）、ドレイン（６゛）を不純物
を活性化してＰ＋、Ｎ″″として作製した。

またゲイト電極（４）、　（４”）下にはチャネル形成
領域（７）、　（７°）がセミアモルファス半導体とし
て形成されている。

かくすると、セルファライン方式てありなからも、７０
０°Ｃ以上にすべての温度を加えることかなく　Ｃ／Ｔ
ＰＴを作ることができる。そのため、基板材料として、
石英等の高価な基板を用いなくてもよく、本発明の大画
素の液晶表示装置にきわめて適しているプロセスである
。

熱アニールは第６図（Ａ）、　（Ｄ）で２回行った。し
かし第６図（Ａ）のアニールは求める特性により省略し
、双方を第６図（Ｄ）のアニールにより兼ねさせて製造
時間の短縮を図ってもよい。第６図（Ｅ）において、層
間絶縁物（８）を前記したスパッタ法により酸化珪素膜
の形成として行った。この酸化珪素膜の形成はＬＰＣＶ
Ｄ法、光ＣＶＤ法を用いてもよい。例えば０．２〜０．
４μｍの厚さに形成した。その後、フォトマスク■を用
いて電極用の窓（３２）を形成した。

さらにこれら全体をアルミニウムをスパッタ法により形
成し、リード（９）、　（９”）およびコンタクト（２
９）、　（２９’　）をフォトマスク■を用いて作製し
た。

さらに第６図（Ｆ）に示す如く、２つのＴＰＴを相補と
し、かつその出力端を液晶装置の一方の透明電極に連結
するため、スパッタ法によりＩＴＯ（インジューム・ス
ズ酸化膜）を形成した。それをフォトマスク■によりエ
ツチングして、電極（３３）を構成させた。このＩＴＯ
は室温〜１−５０°Ｃで成膜し、それを２００〜４００
°Ｃの酸素または大気中のアニールにより成就した。

かくの如くにしてＰＴＦＴ（２１）とＮＴＦＴ（１１）
と透明導電膜の電極（３３）とを同一ガラス基板（１）
上に作製した。

かかるＴＰＴの特性を略記する。

移動度（ｕ　ｃｍ２／Ｖｓ）　　Ｖ　ｔｈ（Ｖ）ＰＴＦ
Ｔ　　　　２０　　　　　　　−３ＮＴＦＴ　　　　　
３０　　　　　　　　　　　　＋３かかる半導体を用い
ることにより、一般に不可能とされていたＴＰＴに大き
な移動度を作ることかできた。そのため、初めて第３図
、第５図に示した液晶表示装置用の相補型ＴＰＴを構成
させることかできた。

「実施例２」 第５図（Ａ）に第３図に対応した本発明の実施例を示す
。Ｘ軸方向にＶｏｏ（１８）、Ｖｓｓ０９）、ｙ　Ｄｏ
’（１８°）を有するＸ軸方向の配線（以下Ｘ線ともい
う）を形成した。なおＹ軸方向はＶＧＧ（２２）、Ｖ　
ａｃ、（２３）とＹ軸方向の配線（以下Ｙ線ともいう）
を形成した。

図面（Ａ）は平面図であるが、そのＡ−Ａ　’の縦断面
図を第５図（Ｂ）に示す。またＢ−Ｂ’の縦断面図を第
５図（Ｃ）に示す。

マｆ：　ＰＴＰＴ（２１）　ヲＸ線ＶＤＤ（１８）とＹ
線ＶＣ，ｃ（２２Ｌ！：の交差部に設け、Ｖａｏ（ｉｓ
）とＶ　ｃｃ’　（２３）との交差部にも他の画素用の
ＰＴＦＴ（２１’　）が同様に設けられている。またＮ
ＴＦＴ（１１）はＶ、５（１９）とＶａｃ（２２）との
交差部に設けられている。Ｖｓ＝（１９）とＶ、、（２
２）との交差部の下側には他の画素用のＮＴＦＴ（１１
°）か設けられている。Ｃ／ＴＰＴを用いたマトリック
ス構成を有せしめた。それらＰＴＦＴはソース（５）か
コンタクト（３２）を介してＸ線Ｖｏｏ（１８）に連結
され、ゲイト（４）は多層形成がなされたＹ線ＶＧ、（
２２）に連結されている。ドレイン（６）はコンタクト
（２９）を介して透明導電膜の電極（３３）に連結して
いる。

他方、ＮＴＦＴはソース（５°）かコンタクト（３２）
“　を介してＸ線Ｖｓｓ（１９）に連結され、ゲイト（
４′）はＹ線Ｖｃｃ（２２）ニ、ドレイ：／　（６’　
）ハ：）　ンタクト（２９”）を介して透明導電膜（３
３）に連結している。かくして２本のＸ線（１８）、　
（１９）に挟まれた間（内側）に透明導電膜とＣ／ＴＰ
Ｔとにより１つのピクセルを構成せしめた。かかる構造
を左右、上下に繰り返すことにより、２×２のマトリッ
クスの１つの例またはそれを拡大した６４０　ｘ４８０
．１２８０ｘ９６０といった大画素の液晶表示装置を作
ることか可能となった。

ここでの特長は、１つのピクセルを挟むＶＤＤ、ＶＳ、
ノうちＶｓｓは他（７）　Ｖ　ｓ　ｓ、ＶＤＤ’　テ挟
まれる他のピクセルのＶ　ｓ　ｓと共通させていること
である。

これを繰り返すことにより、１つのピクセルに２つのＴ
ＰＴをつけても開口率は第１図の従来例と変わらないこ
とである。他の特長はＶ　Ｌ　（のレベルをＶＤＤまた
はＶＢ２に固定されることである。

その動作を第４図を用いて略記する。

液晶（１２）を挟む一対の電極（３３）、　（３４）に
おいて、他方の電極（３４）を接地電位（１３）とし、
それに対しＶＤＤ（１９）を例えば＋７Ｖ、　Ｖｓｓ（
１８）を例えば−７ｖとするとＶ、。（１０）は＋７ｖ
または一７ｖと固定となることである。即ち第１図に示
された従来公知のＮＴＦＴのみを用いた液晶装置に比べ
、ＶＬＣはフローティングとならず、一定の電位を有す
ることである。

即ちＶＤＤ、　ＶＳＢ、接地と３種類の電位を設定する
ことかでき、制御要素か１つ増えたことかわかる。

そのためたとえ第４図においてＰＴＦＴ（２１）または
ＮＴＦＴ（Ｉｆ）のいずれか一方が不用となり、オープ
ン状態またはリークぎみのためレーザで破壊してオーブ
ン状態としてもその程度は半分となるか、ある程度の液
晶（１２）の駆動ができるという特徴を有している。

また第５図において、Ｖ、、（２２）の配線を考えてみ
ると、オーバーライン配線（上側配線）としてのアルミ
ニウム配線（４１）、ゲイト電極と同じ材料によるアン
ダーライン配線（４３Ｘ下側配線）およびそれらのコン
タクト（４２）を用いることにより、Ｘ線、Ｙ線の交差
部での多層配線のために新たなフォトマスク数を増やす
必要かなくなっていることである。

また液晶（１２）の一対の電極（３３）、　（３４）を
互いにより平行にかつ平坦にするには、第６図（Ｐ）の
工程において、アルミニウム配線を施し、その後ポリイ
ミド等の有機樹脂を用いて平坦な平面を形成し、その上
に透明導電膜を形成すれはよい。さらに透明導電膜（３
３）のコンタクト用の開口を追加のフォトマスクを用い
て作り、それを用いてコンタクト（２９）、　（２９°
）に連結すればよい。

第５図において、それら透明導電膜上に配向膜、配向処
理を施し、さらにこの基板と他方の液晶の電極（第４図
（３４））を有する基板との間に一定の間隔をあけて公
知の方法により互いに配設をした。

そしてその間に液晶を注入して完成させた。

液晶材料にＴＮ液晶を用いるならば、その間隔を約１０
μｍ程度とし、透明導電膜双方に配向膜をラビング処理
して形成させる必要がある。

また液晶材料にＦＬＣ（強誘電性）液晶を用いる場合は
その動作電圧を±２０Ｖとし、また、セル間隔を１．５
〜３．５μｍ例えば２．３μｍとし、反対電極第４図＞
　（３４）上にのみ配向膜を設はラビング処理を施せば
よい。

分散型液晶またはポリマー液晶を用いる場合には、配向
膜は不用であり、スイッチング速度を大とするため、動
作電圧はを±１０〜±１５Ｖとし、セル間隔は１〜１０
μｍと薄くした。

特に分散型液晶を用いる場合には、偏光板も不用のため
、反射型としても、また透過型としても光量を大きくす
ることかできる。そしてその液晶はスレッシュホールド
かないため、本発明のＣ／ＴＰＴに示す如く、明確なス
レッシュホールド電圧か規定されるＣ／ＴＰＴ型とする
ことにより大きなコントラストとクロストーク（隣の画
素との悪干渉）を除くことができた。

この実施例２は、Ｃ／ＴＰＴにおいてＶＤＤ側にＰＴＦ
Ｔを、Ｖｓｓ側にＮＴＦＴを形成した。するとその出力
はＶＤＤまたはＶｓｓを作るため明確なレベルを決定て
きる。しかしＶ。６に対してはＶＬＣはインバータとな
る。

このＶ。ＧとＶ　ＬＣとが同相（同じ向きの電極）とな
る場合を示す。

「実施例３」 この実施例は、Ｃ／ＴＰＴにおいて、Ｖ　Ｄ　Ｄ側にＮ
ＴＦＴを、Ｖｓｓ側にＰＴＦＴを連結した。するとその
出力であるｖＬｃはｖ６６と同相になり、出力電位はＶ
。。−ｖｔｈで与えられる。かくすると、ＶＧＧをＶＤ
Ｄより大にしなければならない欠点はあるか、ゲイト電
極とＶＬＣとの間で多少のリークをあってもあまり気に
しなくてもよいという特長を有する。

かかる場合、第３図において、ＰＴＦＴ（２１）とＮＴ
ＦＴ（１１）とは互いに逆に設ければよい。即ち第５図
においても同様にＰＴＦＴとＮＴＦＴとを互いに逆に設
ければよい。そのため、実施例２と第５図における製造
工程および開口率はまったく同じ値を作ることができる
。

「発明の効果」 本発明は相補型のＴＰＴをマトリックス化された各画素
に連結することにより、 １）シきい値の明確化 ２）■０、Ｖｓｓを互いの画素で交互に配設して共通で
きるため、開口率の減少をまねかないスイッチング速度
の増加 ３）動作マージンの拡大 ４）不良ＴＰＴか一部にあってもその補償をある程度行
うことができる ５）作製に必要なフォトマスク数はＮＴＦＴのみの従来
例に比べて第６図（Ｃ）および（Ｄ）のフォトマスク■
か２回多くなるのみて可である という多くの特長を有する。

そのため、これまでのアクティブＴＰＴ液晶装置に比べ
て、数段の製造歩留まりと画面の鮮やかさを成就するこ
とかてきるようになった。

本発明においてかかるＣ／ＴＰＴに対し、半導体として
セミアモルファスまたはセミクリスタルを用いた。しか
し同じ目的のために可能であるならば他の結晶構造の半
導体を用いてもよい。またセルファライン型のＣ／ＴＰ
Ｔによることにより高速処理を行った。しかしイオン注
入法を用いずに非セルファライン方式によりＴＰＴを作
ってもよいことはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のアクティブ型ＴＰＴ（薄膜型トランジス
タ）を用いた結晶装置を示す。 第２図、第３図は本発明の相補型ＴＰＴを用いたアクテ
ィブ型液晶装置の回路図を示す。 第４図は相補型ＴＰＴの動作を示す図面である。 第５図は第３図に対応した液晶表示装置の一方の基板の
平面図（Ａ）、縦断面図（Ｂ）、　（Ｃ）を示す。 第６図は本発明の液晶装置に用いた相補型ＴＰＴの作製
方法を示す。 （１）　　・・・・ガラス基板 （２）、　（２“）・・シリコン半導体（３）・・・・
ゲイト絶縁膜 （３′）・・・・ブロッキング層 （４）、　（４“）・・ゲイト電極 （５）、　（５”）・・ソース （６）、　（６°）・・ドレイン （７）、　（７”）・・チャネル形成領域（１０）・・
・・液晶電位（ＶＬ。） （１１）・・・・Ｎチャネル型薄膜トランジスタ（ＮＴ
ＦＴ）（１２）・・・・液晶 （１４）、　（１５）　　・リークをさせる抵抗（１６
）、　（１７）　　・周辺回路 （１８）、　（１８°）・Ｖ、、（Ｘ線の１つ）（１９
）、　（１９°）・■ＤＤ（〃　　）（２１）・・・・
Ｐチャネル型薄膜トランジスタ（ＰＴＦＴ）（２２）、
　（２３）　−Ｖ、ｏ、Ｖ、、’（Ｙ線）（３３）、　
（３４）　　・透明電極

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、マトリックス構成を有する液晶表示装置において、
   一枚の絶縁基板上に設けたＹ軸方向の配線にゲイト電極
   を連結し、Ｘ軸方向の配線を正電圧と、接地または負電
   圧として交互に配設せしめ、Ｐチャネル型薄膜トランジ
   スタとＮチャネル型薄膜トランジスタとを相補構成をせ
   しめて設け、該相補型薄膜トランジスタの出力端を透光
   性導電膜に電気的に連結した構成を有することを特徴と
   する液晶表示装置。 ２、マトリックス構成を有する液晶表示装置において、
   一枚の絶縁基板上に設けたＹ軸方向の配線にゲイト電極
   を連結し、Ｘ軸方向の配線にＰチャネル型薄膜トランジ
   スタとＮチャネル型薄膜トランジスタとのソースまたは
   ドレインを連結せしめ、前記トランジスタのドレインま
   たはソースの出力端を透光性導電膜と電気的に連結した
   ことを特徴とする液晶表示装置。