JPH04170039A - Method for marking semiconductor device pellet - Google Patents
Method for marking semiconductor device pelletInfo
- Publication number
- JPH04170039A JPH04170039A JP29751990A JP29751990A JPH04170039A JP H04170039 A JPH04170039 A JP H04170039A JP 29751990 A JP29751990 A JP 29751990A JP 29751990 A JP29751990 A JP 29751990A JP H04170039 A JPH04170039 A JP H04170039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- resist
- marking
- defective
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000008188 pellet Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010186 staining Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体デバイスペレットのマーキング方法に関
し、特に半導体デバイスの製造工程のウェーハ段階にて
ペレットの電気的特性試験を行い不良と判定されたペレ
ットに不良マークを付ける半導体デバイスペレットのマ
ーキング方法に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for marking semiconductor device pellets, and in particular, the present invention relates to a method for marking semiconductor device pellets, and in particular, the present invention relates to a method for marking semiconductor device pellets. This invention relates to a method for marking semiconductor device pellets to mark them as defective.
従来、ペレットの電気的特性試験(以下P/Wチェック
と記す)工程において、不良ペレットにマーキングする
方法として3つの方法がある。第1の方法は、ピアノ線
又はサファイヤ針等でペレットの表面に傷を付ける方法
、第2の方法はインク等をペレットの表面に付ける方法
、第3の方法はレーザー光線によりペレットの表面を破
壊する方法である。Conventionally, there are three methods for marking defective pellets in a pellet electrical property test (hereinafter referred to as P/W check) process. The first method is to scratch the surface of the pellet with a piano wire or sapphire needle, the second method is to apply ink, etc. to the surface of the pellet, and the third method is to destroy the surface of the pellet with a laser beam. It's a method.
上述した3つの方法においては、ウェーハの外周部のペ
レットの場合ウェーハを固定するチャック機構に損傷や
汚れを与えるという欠点を有し、さら迦、マーキングし
た後のペレットを不良解析又は再P/Wチェックにした
い場合、内部素子又は回路はすでに破壊、若しくは、劣
化しているなめ、電気的な不良解析及び誤測定を訂正す
るための再P/Wチェック等は不可能であるという欠点
を有している。The three methods described above have the disadvantage of damaging or staining the chuck mechanism that fixes the wafer in the case of pellets located on the outer periphery of the wafer.Furthermore, the pellets after marking have to be analyzed for failure or re-P/W. If you want to check it, it has the disadvantage that the internal elements or circuits have already been destroyed or deteriorated, and it is impossible to perform electrical failure analysis or re-check the P/W to correct erroneous measurements. ing.
さらに、上述した3つの方法においては、測定用探針が
直接それぞれのボンディングバットに接続するプローブ
カード方式であればマーキング可能であるが、第2図(
a)、(b)に示すように、透明なマスク9の中にボン
ディングバットにコンタクトする為の探針が埋込まれて
いるマスク型カード方式ではマーキング不可能であると
いう致命的な欠点を有している。Furthermore, in the three methods described above, marking is possible if the probe card method is used in which the measurement probe is directly connected to each bonding butt;
As shown in a) and (b), the mask-type card method in which a probe for contacting the bonding butt is embedded in a transparent mask 9 has a fatal drawback in that marking is not possible. are doing.
マスク型カード方式の不良除去方法としては、不良ペレ
ットのアドレスをFDDに落とし、後にアドレスに従っ
て不良ペレットを取り除く方法があるが、管理方法が複
雑になってしまうという欠点がある。As a defect removal method using a mask type card method, there is a method of dropping the address of a defective pellet into an FDD and later removing the defective pellet according to the address, but this method has the disadvantage that the management method becomes complicated.
本発明の目的は、チャック機構に損傷や汚れを与えるこ
となく、不良ベレッの不良解析及び誤測定の再チェック
ができ、さらに、マスク型カード方式でもマーキング可
能な半導体デバイスペレットのマーキング方法を提供す
ることにある。An object of the present invention is to provide a method for marking semiconductor device pellets, which allows failure analysis of defective pellets and rechecking of erroneous measurements without damaging or staining the chuck mechanism, and which also enables marking using a mask type card method. There is a particular thing.
本発明の半導体デバイスペレットのマーキング方法は、
ウェーハ段階の半導体デバイスペレットの電気的チェッ
ク工程の前工程にて前記ウェーハ上に電子ビーム露光で
はポジ、UV露光ではネガとなる特殊レジストを塗布し
、前記電子ビーム露光により前記半導体デバイスペレッ
トの中央部にのみ前記レジストを残す工程と、前記電気
的チェック工程にて不良と判定された不良ペレットに前
記UV光を照射、することにより前記レジストを残し不
良と判定する。The method for marking semiconductor device pellets of the present invention includes:
Before the electrical check process of the semiconductor device pellet at the wafer stage, a special resist that is positive in electron beam exposure and negative in UV exposure is coated on the wafer, and the central part of the semiconductor device pellet is exposed by the electron beam exposure. The step of leaving the resist only on the surface of the pellet and irradiating the UV light to the defective pellet determined as defective in the electrical check step leaves the resist and determines the pellet to be defective.
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の実施例に使用する半導体デバイスペレ
ットのマーキング装置の一例の概略構成図である。FIG. 1 is a schematic diagram of an example of a semiconductor device pellet marking apparatus used in an embodiment of the present invention.
第1図に示すように、半導体デバイスペレットのマーキ
ング装置は、マーキング用の光のUV光源7.光フアイ
バーケーブル6、集光レンズ4及びレンズ高さ調整器5
にて構成されている。As shown in FIG. 1, the semiconductor device pellet marking apparatus includes a UV light source 7. Optical fiber cable 6, condensing lens 4 and lens height adjuster 5
It is composed of.
次に、その動作を説明する。まず、P/Wチェック工程
の前工程にて、ウェーハ上に電子ビーム露光ではポジ、
UV露光ではネガとなる特殊のレジストを塗布し、電子
ビーム露光によりペレット1の中央部にのみレジスト2
を残す。Next, its operation will be explained. First, in the pre-process of the P/W check process, electron beam exposure is performed on the wafer to produce positive and
In UV exposure, a special negative resist is applied, and by electron beam exposure, resist 2 is applied only to the center of pellet 1.
leave.
次に、P/Wチェック工程において、チェック結果が不
良と判断された場合、UV光源7より光フアイバーケー
ブル6を通してUV光を発する。Next, in the P/W check step, if the check result is determined to be defective, UV light is emitted from the UV light source 7 through the optical fiber cable 6.
このUV光を集光レンズ4を使って集光させ、レジスト
2に照射することにより感光させる。ペレットlのサイ
ズが変った時は、レンズ高さ調整機5を回すことにより
集光レンズ4の高さを調整する。This UV light is focused using a condensing lens 4, and is irradiated onto the resist 2, thereby exposing it to light. When the size of the pellets l changes, the height of the condensing lens 4 is adjusted by turning the lens height adjuster 5.
上記のようにしてP/Wチェックを進め、終了後、現像
を行って不良ペレット1上にのみレジスト2を残す、こ
れによりペレット1の良、不良を区別することができる
。The P/W check is performed as described above, and after completion, development is performed to leave the resist 2 only on the defective pellets 1, thereby making it possible to distinguish between good and defective pellets 1.
以上説明したように本発明は、UV光を用いて不良ペレ
ットにマーキングすることにより、ウェーハを固定する
チャック機構に損傷や汚れを与えることなく、又、マー
キングしても内部素子又は回路を破損、若しくは、劣化
させないなめ、P/Wチェック後にマーキングされた不
良ペレットを不良解析することができ、さらに、測定系
不良のため誤判定してしまったペレットを再チェックし
て良品として出荷することもできる効果がある。As explained above, the present invention uses UV light to mark defective pellets without damaging or staining the chuck mechanism that fixes the wafer, and even with marking, there is no damage to internal elements or circuits. Alternatively, defective pellets marked after P/W check can be analyzed without causing deterioration, and pellets that have been incorrectly judged due to a defect in the measurement system can be rechecked and shipped as non-defective. effective.
又、測定用探針がマスク型カード方式であってもマーキ
ングすることが可能になるという大きな効果がある。Furthermore, there is a great effect that marking can be performed even if the measurement probe is of a mask type card type.
第1図は本発明の実施例に使用する半導体デバイスペレ
ットのマーキング装置の一例の概略構成図、第2図(a
)、(b)はマスク型カードの一例の側面及び平面図で
ある。
1・・・ペレット、2・・・レジスト、3・・・マス型
カード、4・・・集光レンズ、5・・・レンズ高さ調整
機、6・・・光フアイバーケーブル、7・・・UV光源
、8・・・測定用探針、9・・・透明なマスク。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an example of a marking device for semiconductor device pellets used in an embodiment of the present invention, and FIG.
) and (b) are a side view and a plan view of an example of a mask type card. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Pellet, 2... Resist, 3... Mass type card, 4... Condenser lens, 5... Lens height adjuster, 6... Optical fiber cable, 7... UV light source, 8... measurement probe, 9... transparent mask.
Claims (1)
ック工程の前工程にて前記ウェーハ上に電子ビーム露光
ではポジ、UV露光ではネガとなる特殊レジストを塗布
し、前記電子ビーム露光により前記半導体デバイスペレ
ットの中央部にのみ前記レジストを残す工程と、前記電
気的チェック工程にて不良と判定された不良ペレットに
前記UV光を照射することにより前記レジストを残し不
良と判定することを特徴とする半導体デバイスペレット
のマーキング方法。Before the electrical check process of the semiconductor device pellet at the wafer stage, a special resist that is positive in electron beam exposure and negative in UV exposure is coated on the wafer, and the central part of the semiconductor device pellet is exposed by the electron beam exposure. Marking of semiconductor device pellets, characterized by a step of leaving the resist only in the electrical check step, and irradiating the UV light to the defective pellets determined to be defective in the electrical check step, leaving the resist and determining the pellets to be defective. Method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29751990A JPH04170039A (en) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | Method for marking semiconductor device pellet |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29751990A JPH04170039A (en) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | Method for marking semiconductor device pellet |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04170039A true JPH04170039A (en) | 1992-06-17 |
Family
ID=17847574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29751990A Pending JPH04170039A (en) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | Method for marking semiconductor device pellet |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04170039A (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5388578A (en) * | 1977-01-13 | 1978-08-04 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
JPS561536A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Fujitsu Ltd | Manufacture of resist pattern |
JPH01218037A (en) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Nec Corp | Inspection of semiconductor wafer |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP29751990A patent/JPH04170039A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5388578A (en) * | 1977-01-13 | 1978-08-04 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
JPS561536A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Fujitsu Ltd | Manufacture of resist pattern |
JPH01218037A (en) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Nec Corp | Inspection of semiconductor wafer |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20070127017A1 (en) | Qualification of a mask | |
TW201028789A (en) | Method of manufacturing a photomask and photomask | |
US6741334B2 (en) | Exposure method, exposure system and recording medium | |
JPH04170039A (en) | Method for marking semiconductor device pellet | |
JP2005156865A (en) | Reticle, method for inspecting reticle, and inspection apparatus | |
US7035449B2 (en) | Method for applying a defect finder mark to a backend photomask making process | |
JP4503924B2 (en) | Lithographic method and apparatus for forming semiconductor devices on a wafer | |
KR100274594B1 (en) | Inspection equipment of semiconductor device and method of inspection | |
JPH07280739A (en) | Foreign matter inspecting method | |
JP3445047B2 (en) | Illumination device and observation device using the same | |
JP2003338454A (en) | Method for detecting flare noise of semiconductor device | |
JPH01218037A (en) | Inspection of semiconductor wafer | |
KR100755049B1 (en) | Analysis method of defect on photo mask | |
JPH10246951A (en) | Method and device for inspecting defect of reticle | |
JPS59103336A (en) | Apparatus for mask inspection and correction thereof | |
JP2970043B2 (en) | Reticle pattern inspection method | |
US5403681A (en) | Method of producing semiconductor device and photomask therefor | |
KR20030073865A (en) | Reticle and method for measuring CD uniformity of illumination exposure aparratus | |
US5545498A (en) | Method of producing semiconductor device and photomask therefor | |
KR100620727B1 (en) | Semiconductor Inspection Equipment | |
KR0168353B1 (en) | Inspection method of non-pattern wafer | |
JPH11238678A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
JPS63163464A (en) | Mask | |
CN113611620A (en) | Method for inspecting semiconductor wafer | |
KR960035156A (en) | Lens astignatism measurement method of exposure apparatus |